JPS63229828A - レジスト灰化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 酸素（Ｏ２）プラズマを用いたレジスト膜の灰化におい
て、 導入する酸素にオゾン（Ｏ３）を混入することにより、 レジスト膜の十分な除去を図ったものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、酸素プラズマを用いて基板上のレジスト膜を
灰化除去するレジスト灰化方法に関す。

半導体装置などの製造において、加エバターンの微細化
に伴い、基板上に設けたレジスト膜パターンをマスクに
した基板のエツチングにドライエツチングが、また、そ
のレジスト膜の除去に上記のレジスト灰化が用いられる
ようになって来た。

そのレジスト灰化では、レジスト膜が十分に除去される
ことが望まれる。

〔従来の技術〕

レジスト灰化の従来方法は第２図の説明図に示すが如く
にして行う。

即ち、真空チャンバｌ内に、高周波を印加する電極２、
電極２に対向しチャンバｌと共に接地される電極３、チ
ャンバ１にガスを導入するガス導入口４、チャンバ１内
を所定の圧力に減圧するガス排出口５、などを具えた処
理装置を用い、処理対象の基板Ｓを電極２−ヒに載置し
、酸素を導入しながら高周波を印加して行う。

基板Ｓ上のレジスト詮は、高周波によりプラズマとなっ
て活性化した酸素の作用により灰化して除去される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、この灰化では、レジスト膜が十分に除去
することが出来ず、基板Ｓ表面に若干の残渣（通称スカ
ム）が残る。このスカムは、レジスト膜が灰化に先立つ
ドライエツチングにより変質し灰化され難くなったもの
である。

このため、レジスト膜の除去に上記のレジスト灰化方法
を用いた場合には、次の加工工程に入る前に硫酸処理な
どによりスカムを除去する工程を追加する必要がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、酸素プラズマを用いて基板上のレジスト
膜を灰化除去するに際して、導入する酸素にオゾンを混
入することを特徴とするレジスト灰化方法を用いること
によって解決される。

〔作用〕

この方法の場合、従来方法の場合の作用にオゾンの作用
が加わって灰化作用が強くなり、先に述べたスカムも一
緒に灰化されて、レジスト膜の除去が十分に行われる。

従って、従来方法の場合に必要であったスカム除去工程
が不要になり、レジスト膜除去の工程を簡素化すること
が可能になる。

〔実施例〕

以下本発明方法の実施例について第１図の説明図を用い
て説明する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。

第１図において、レジスト灰化は、従来方法に使用した
処理装置のガス導入口４のところに、例えば遠紫外線の
利用などによるオゾン発生装置６を付加して、チャンバ
ｌに導入する酸素にオゾンを混入させることが出来る処
理装置を用い、導入ガスをオゾンが混入した酸素にする
点のみを異ならせて従来方法の場合と同様にして行う。

その条件は、導入ガスの流量が２０〜５０３ＣＣＭ、真
空度が０．５〜ＩＴＯｒｒ、高周波出力が３００〜５０
０Ｗ、処理時間が２〜３分、程度である。

そして、オゾンの混入量を約１％程度にしたところ、基
板Ｓ上のレジスト膜はスカムが残ることなく十分に除去
され、その基板Ｓはそのまま次の加工工程に送ることが
出来た。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の構成によれば、酸素プラズ
マを用いたレジスト膜の灰化において、レジスト膜の十
分な除去が出来て、レジスト膜除去の工程の簡素化を可
能にさせる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法実施例の説明図、 第２図は従来方法の説明図、 である。 図において、 １はチャンバ、 ２．３は電極、 ４はガス導入口、 ５はガス排出口、 ６はオゾン発生装置、 Ｓは基板、 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 酸素（Ｏ＿２）プラズマを用いて基板上のレジスト膜を
   灰化除去するに際して、導入する酸素にオゾン（Ｏ＿３
   ）を混入することを特徴とするレジスト灰化方法。