JPH0320470A - プラズマ電極 - Google Patents
プラズマ電極Info
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- JPH0320470A JPH0320470A JP15346189A JP15346189A JPH0320470A JP H0320470 A JPH0320470 A JP H0320470A JP 15346189 A JP15346189 A JP 15346189A JP 15346189 A JP15346189 A JP 15346189A JP H0320470 A JPH0320470 A JP H0320470A
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- Japan
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- plasma
- electrodes
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- film
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大量バッチ式プラズマＣＶＤ装置等の、プラ
ズマ反応に用いる、プラズマ電極に関するものである。
ズマ反応に用いる、プラズマ電極に関するものである。
従来の技術
近年、大量バッチ処理が可能な、プラズマＣＶＤ装置に
用いる電極として、多層平行平板型プラズマ電極が開発
され、実用化されている。
用いる電極として、多層平行平板型プラズマ電極が開発
され、実用化されている。
以下に従来のプラズマ電極の構或の一例を、第３図を用
いて説明する。第３図（ａ）は平面図で、第３図（ｂ）
は側面図である。
いて説明する。第３図（ａ）は平面図で、第３図（ｂ）
は側面図である。
図中１はプラズマを発生させるための高周波電源である
。２は電極板で、２本ある棒状のリード電極３の一方に
、ひとつかきに互い違いに、つながっている。４は膜を
堆積させる基板で、固着治具６によって電極板２に密着
させる。
。２は電極板で、２本ある棒状のリード電極３の一方に
、ひとつかきに互い違いに、つながっている。４は膜を
堆積させる基板で、固着治具６によって電極板２に密着
させる。
以上のように構或されたプラズマ電極を、プラズマＣＶ
Ｄ装置の電極として用い、基板上に、シリコン窒化膜を
堆積させる場合についての動作を以下に説明する。
Ｄ装置の電極として用い、基板上に、シリコン窒化膜を
堆積させる場合についての動作を以下に説明する。
前記プラズマ電極を、反応室内に設置し、反応室内を３
００℃， Ｑ．６Ｔｏｒｒ程度に保持しながらシランガ
ス５００３ＣＣＭ， アンモニアガス３０００ＳＣＣ
Ｍを反応室内に導入し、高周波電源１で１ ５ ０ Ｋ
Ｈｚ ， ４ ０ ｏＷの高周波電力を印加すると、
対向する電極板間にプラズマが発生し、基板４に、゛シ
リコン窒化膜が堆積される。ところでシリコン窒化膜は
、基板４以外にも、反応室内壁や電極板にも堆積し、こ
れが剥離し、ダストが発生し、基板に所望の窒化膜を形
成した後、ダストによる、ピンホール等の欠陥が生ずる
場合があるので、基板４をとりはずした状態で、反応室
内を２６℃， Ｏ．ｅｓＴｏｒｒ程度に保持しながら四
フフ化炭素２ ０ ＳＣＣＭ，酸素２０００ＳＣＣＭを
反応室に導入して、高周波電源１で１５ ０ ＫＨｚ
， １ ５００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマエ
ッチングを行い、電極板等に堆積した、シリコン窒化膜
を除去，クリーニングを行っていた。
００℃， Ｑ．６Ｔｏｒｒ程度に保持しながらシランガ
ス５００３ＣＣＭ， アンモニアガス３０００ＳＣＣ
Ｍを反応室内に導入し、高周波電源１で１ ５ ０ Ｋ
Ｈｚ ， ４ ０ ｏＷの高周波電力を印加すると、
対向する電極板間にプラズマが発生し、基板４に、゛シ
リコン窒化膜が堆積される。ところでシリコン窒化膜は
、基板４以外にも、反応室内壁や電極板にも堆積し、こ
れが剥離し、ダストが発生し、基板に所望の窒化膜を形
成した後、ダストによる、ピンホール等の欠陥が生ずる
場合があるので、基板４をとりはずした状態で、反応室
内を２６℃， Ｏ．ｅｓＴｏｒｒ程度に保持しながら四
フフ化炭素２ ０ ＳＣＣＭ，酸素２０００ＳＣＣＭを
反応室に導入して、高周波電源１で１５ ０ ＫＨｚ
， １ ５００Ｗの高周波電力を印加し、プラズマエ
ッチングを行い、電極板等に堆積した、シリコン窒化膜
を除去，クリーニングを行っていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構或では、プラズマエッチン
グにより、電極板上に堆積した膜を除去，クリーニング
する際、構造上の理由から、両端の電極板の外側部分は
、プラズマが発生しないので、堆積した膜が除去されて
いない。したがって、基板に窒化膜を堆積するとき残っ
た膜が剥離し、ダストが発生し、基板上に堆積する膜に
、ダストによる欠陥が発生しやすいという問題点を有し
ていた。
グにより、電極板上に堆積した膜を除去，クリーニング
する際、構造上の理由から、両端の電極板の外側部分は
、プラズマが発生しないので、堆積した膜が除去されて
いない。したがって、基板に窒化膜を堆積するとき残っ
た膜が剥離し、ダストが発生し、基板上に堆積する膜に
、ダストによる欠陥が発生しやすいという問題点を有し
ていた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので電極板上
の、エッチング残りをなくシ、ダストの発生を抑え、ダ
ストによる欠陥の少ない高品質な膜を堆積するプラズマ
電極を提供することを目的とする。
の、エッチング残りをなくシ、ダストの発生を抑え、ダ
ストによる欠陥の少ない高品質な膜を堆積するプラズマ
電極を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達戊するために、本発明のプラズマ電極は、
電極板を電極板の両面が必ず極となるように環状に配置
する構或となっている。
電極板を電極板の両面が必ず極となるように環状に配置
する構或となっている。
作 用
この構造によると、全ての電極板の両面にプラズマが発
生するので、プラズマエッチングにより、電極に堆積し
た膜を除去，クリーニングする際に、全ての電極板面が
、エッチングされる。したがってエッチング残りが発生
せず、ダストの発生を抑えることができる。
生するので、プラズマエッチングにより、電極に堆積し
た膜を除去，クリーニングする際に、全ての電極板面が
、エッチングされる。したがってエッチング残りが発生
せず、ダストの発生を抑えることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例におけるプラズマ電極の構造
を示すものである。第１図において、１はプラズマを発
生させるための高周波電源である。
を示すものである。第１図において、１はプラズマを発
生させるための高周波電源である。
２は電極板で、となυあう電極板面同志が平行で、かつ
、環状に電極板を配置するために外周方向の肉厚が厚く
、内周方向の肉厚が薄くなっている。
、環状に電極板を配置するために外周方向の肉厚が厚く
、内周方向の肉厚が薄くなっている。
各々の電極板は、リード電極３に互い違いにつながって
いて、対向する電極板間にプラズマが発生するようにな
っている。膜を堆積する基板４は固着治具６で、電極板
２に密着させる。
いて、対向する電極板間にプラズマが発生するようにな
っている。膜を堆積する基板４は固着治具６で、電極板
２に密着させる。
なお、第１図では環状に配置した電極板の一部を示した
ものである。１た第１図の電極板の１つを矢印八方向か
ら見た図が第２図（ａ）で、矢印Ｂの方向から見たもの
が第２図（ｂ）である。
ものである。１た第１図の電極板の１つを矢印八方向か
ら見た図が第２図（ａ）で、矢印Ｂの方向から見たもの
が第２図（ｂ）である。
以上のように構戊されたプラズマ電極では、電極板を環
状に配置することにより、全ての電極板面にプラズマが
発生するので、プラズマエッチングにより、電極板に堆
積した膜を除去，クリーニングする際、エッチング残り
が発生することがなく、残った膜が剥離することによる
ダストが抑えられるので、欠陥の少ない高品質な膜を堆
積することができる。
状に配置することにより、全ての電極板面にプラズマが
発生するので、プラズマエッチングにより、電極板に堆
積した膜を除去，クリーニングする際、エッチング残り
が発生することがなく、残った膜が剥離することによる
ダストが抑えられるので、欠陥の少ない高品質な膜を堆
積することができる。
なお、本実施例では、本プラズマ電極を膜を堆積するた
めのプラズマＣＶＤ装置に用いたが、エッチング装置に
用いてもよいことは言うまでもｉい。
めのプラズマＣＶＤ装置に用いたが、エッチング装置に
用いてもよいことは言うまでもｉい。
発明の効果
以上の様に本発明は、電極板を環状に配置することによ
って、ダストが抑えられ、ダストによる欠陥の少ない、
高品質な膜を堆積することができる、すぐれたプラズマ
電極を実現できるものである。
って、ダストが抑えられ、ダストによる欠陥の少ない、
高品質な膜を堆積することができる、すぐれたプラズマ
電極を実現できるものである。
第１図及び第２図は本発明の実施例にネ・けるプラズマ
電極の構或図、第３図は従来のプラズマ電極の構或図で
ある。 １・・・・・・高周波電源、２・・・・・・電極板、３
・・・・・・リード電極、４・・・・・・膜を堆積させ
る基板、６・・・・・・固着治具。
電極の構或図、第３図は従来のプラズマ電極の構或図で
ある。 １・・・・・・高周波電源、２・・・・・・電極板、３
・・・・・・リード電極、４・・・・・・膜を堆積させ
る基板、６・・・・・・固着治具。
Claims (1)
- 複数の電極板を、電極板の両面が必ず極となるように
、環状に配置する構造を有することを特徴とするプラズ
マ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346189A JPH0320470A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | プラズマ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346189A JPH0320470A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | プラズマ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320470A true JPH0320470A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15563067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15346189A Pending JPH0320470A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | プラズマ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837938A (en) * | 1996-07-19 | 1998-11-17 | Yazaki Corporation | Electric connection box |
| KR20040089815A (ko) * | 2003-04-15 | 2004-10-22 | 최윤석 | 포장지 및 그를 이용한 애완동물용 변기 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15346189A patent/JPH0320470A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837938A (en) * | 1996-07-19 | 1998-11-17 | Yazaki Corporation | Electric connection box |
| KR20040089815A (ko) * | 2003-04-15 | 2004-10-22 | 최윤석 | 포장지 및 그를 이용한 애완동물용 변기 |
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