JP5178321B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
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Description
前記複数の層のうち前記導電性基体と接する層を形成する工程が、前記反応容器内に供給する原料ガスの種類および供給比率が一定であり、前記反応容器内の内圧が異なる、内圧前期工程、内圧変化工程、および、内圧後期工程からなり、
前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧が、前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧よりも高いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
(実施例1)
図3に示す構成の装置を用い、発振周波数が13.56MHzの高周波電力をカソード電極3111に供給し、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表1に示す条件で図4(a)の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
図3に示す構成の装置を用い、表1に示す条件で実施例1と同様に、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、電子写真感光体を作製した。
残留電位(残電)の測定は、電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計(TREK社のModel 344)の電位センサーにより像露光(波長655nmの半導体レーザー)を照射しない状態での電子写真感光体の表面電位を測定する。次に電子写真感光体の表面電位が400V(暗電位)になるように主帯電器の電流値を調整する。その後、像露光(波長655nmの半導体レーザー)を1.2μJ/cm2の光量で照射した時の電子写真感光体の表面電位を残電とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向の中心から、奥側130mm、奥側90mm、中心、手前側90mm、手前側130mmの5箇所で測定した残電の平均値を求め、電子写真感光体の残電とした。
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計(TREK社のModel 344)の電位センサーにより像露光(波長655nmの半導体レーザー)を照射しない状態での感光体の表面電位を測定する。次に電子写真感光体の表面電位が400V(暗電位)になるように主帯電器の電流値を調整した後、A3サイズに全面ベタ黒の画像を出力する。
総合評価は以下に示す残留電位評価の得点と画像評価の得点の合計点で評価した。
A:6点(特に効果が認められるレベル)
B:5点、4点(効果が認められるレベル)
C:3点、2点(効果が無く従来と同等のレベル)。
残留電位の相対評価で得られた値を以下の得点とした。
2.5以下・・・3点
2.6以上、5.0以下・・・2点
5.1以上・・・1点。
画像の相対評価で得られた値を以下の得点とした。
50以下・・・3点
51以上80以下・・・2点
81以上100未満・・・1点
100以上・・・0点。
図3に示す構成の装置を用い、発振周波数が13.56MHzの高周波電力をカソード電極3111に供給し、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表1に示す条件で図4(a)の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
図3に示す構成の装置を用い、発振周波数が13.56MHzの高周波電力をカソード電極3111に供給し、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表1に示す条件で図4(a)の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
図3に示す構成の装置を用い、発振周波数が13.56MHzの高周波電力をカソード電極3111に供給し、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表1に示す条件で図4(a)の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
図3に示す構成の装置を用い、発振周波数が13.56MHzの高周波電力をカソード電極3111に供給し、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表6に示す条件で図4(b)の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
図3に示す構成の装置を用い、表6に示す条件で実施例5と同様に、直径80mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダー上に、電子写真感光体を作製した。
3110 反応容器
3111 カソード電極
3112 円筒状基体
3113 基体加熱用ヒーター
3114 ガス導入管
3115 高周波マッチングボックス
3116 ガス配管
3117 リークバルブ
3118 メインバルブ
3119 真空計
3120 高周波電源
3121 絶縁材料
3122 排気管
3123 受け台
3200 原料ガス供給装置
3211〜3216 マスフローコントローラー
3221〜3226 ボンベ
3231〜3236 バルブ
3241〜3246 流入バルブ
3251〜3256 流出バルブ
3260 補助バルブ
3261〜3266 圧力調整器
401 導電性基体
402 光導電層
403 表面層
404 電荷注入阻止層
405 電荷輸送層
406 電荷発生層
Claims (5)
- 減圧可能な反応容器内に導電性基体を設置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によって分解し、前記導電性基体の上に珪素を母体とするアモルファス材料で構成された膜からなる複数の層を形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記複数の層のうち前記導電性基体と接する層を形成する工程が、前記反応容器内に供給する原料ガスの種類および供給比率が一定であり、前記反応容器内の内圧が異なる、内圧前期工程、内圧変化工程、および、内圧後期工程からなり、
前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧が、前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧よりも高いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 前記導電性基体と接する層の膜厚のうち前記内圧前期工程において形成される膜厚が、0.10μm以上3.00μm以下である請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧と前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧との差が、13.3Pa(100mTorr)以上66.5Pa(500mTorr)以下である請求項1または2に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記内圧変化工程が、排気量制御によって前記反応容器内の内圧を連続的または段階的に変化させる工程である請求項1〜3の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記内圧変化工程における内圧変化時間が、60sec以上180sec以下である請求項1〜4の何れか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
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