JPH02271612A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02271612A JPH02271612A JP9370589A JP9370589A JPH02271612A JP H02271612 A JPH02271612 A JP H02271612A JP 9370589 A JP9370589 A JP 9370589A JP 9370589 A JP9370589 A JP 9370589A JP H02271612 A JPH02271612 A JP H02271612A
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- Japan
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- head
- temperature
- semiconductor substrate
- reactive gas
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特に、化学気相成
長法（ＣＶＤ法）を用いて成膜する半導体製造装置に関
するものである。
長法（ＣＶＤ法）を用いて成膜する半導体製造装置に関
するものである。
第２図は、従来の常圧ＣＶＤ法を用いた半導体製造装置
の構造を模式的に示した断面図である。
の構造を模式的に示した断面図である。
図においてα９はヘッド、＠は反応ガス吹出し口、α３
は半導体基板、Ｑ４は排気口、α９はヒーター、Ｑ６は
トレイ、α力はへラドカバーである。
は半導体基板、Ｑ４は排気口、α９はヒーター、Ｑ６は
トレイ、α力はへラドカバーである。
次に動作について説明する。
ボンベより送られてきた反応ガスは、ヘッドＯＤ中を通
り９反応ガス吹出し口（２）より吹出す。以下、トレイ
αＧとヘッド１９間の領域を仮に反応領域と呼ぶ。反応
領域中に出たガスは、はとんどは未反応のまま、排気口
Ｑ４１へと排気されるが、反応したガスの一部は、半導
体基板（至）、トレイαυ上でＣＶＤ膜を形成し、また
一部は、反応ガス吹出し口＠で例えば５ｉｎ２のパウダ
ー状の異物として付着する。
り９反応ガス吹出し口（２）より吹出す。以下、トレイ
αＧとヘッド１９間の領域を仮に反応領域と呼ぶ。反応
領域中に出たガスは、はとんどは未反応のまま、排気口
Ｑ４１へと排気されるが、反応したガスの一部は、半導
体基板（至）、トレイαυ上でＣＶＤ膜を形成し、また
一部は、反応ガス吹出し口＠で例えば５ｉｎ２のパウダ
ー状の異物として付着する。
半導体基板（１３、トレイαθ上は、３７０℃〜４５０
℃の高湿に保たれているために緻密なＣＶＤ膜が形成さ
れる。一方、反応ガス吹出し口（２）においては、ヒー
ターαＱよりの高湿の気流の立ち上がりのために８０℃
〜１２０℃になっている。この濁度レベルでの反応は、
正常なＣＶＤ膜ではなく、例えばＳｉＯ□のパウダー状
異物として反応ガス吹出し口（６）に付着する。この付
着したパウダー状異物は、ヘッドαυとの密着性が悪い
上に、反応ガスが吹出す部分であるために半導体基板α
３上に降りかかることになる。
℃の高湿に保たれているために緻密なＣＶＤ膜が形成さ
れる。一方、反応ガス吹出し口（２）においては、ヒー
ターαＱよりの高湿の気流の立ち上がりのために８０℃
〜１２０℃になっている。この濁度レベルでの反応は、
正常なＣＶＤ膜ではなく、例えばＳｉＯ□のパウダー状
異物として反応ガス吹出し口（６）に付着する。この付
着したパウダー状異物は、ヘッドαυとの密着性が悪い
上に、反応ガスが吹出す部分であるために半導体基板α
３上に降りかかることになる。
反応ガス吹出し口（ハ）から反応領域に吹き出された反
応ガスの一部は半導体基板（至）上、トレイ０８上でＣ
ＶＤ膜を成膜するが、そのほとんどは残ガスとして排気
される。この排気口（２）においても、温度は８０℃〜
１２０℃のために、上記残ガスは正常なＣＶＤ膜を形成
せずにパウダー状異物として排気口α４及び排気管に付
着する。例えば、第２図の半導体製造装置の場合は、ヘ
ッドα９及びヘッドカバーα力が排気の経路を形成して
おり、ヘッドαＢ及びヘッドカバー〇ηに付着している
パウダ状異物が半導体基板（至）上に落ちてくる。
応ガスの一部は半導体基板（至）上、トレイ０８上でＣ
ＶＤ膜を成膜するが、そのほとんどは残ガスとして排気
される。この排気口（２）においても、温度は８０℃〜
１２０℃のために、上記残ガスは正常なＣＶＤ膜を形成
せずにパウダー状異物として排気口α４及び排気管に付
着する。例えば、第２図の半導体製造装置の場合は、ヘ
ッドα９及びヘッドカバーα力が排気の経路を形成して
おり、ヘッドαＢ及びヘッドカバー〇ηに付着している
パウダ状異物が半導体基板（至）上に落ちてくる。
従来の半導体製造装置は以上のようにｊＲ成されている
ため反応ガス吹出し口（２）、ヘッドα凱排気口ａ４に
パウダー状異物として付着し、半導体基板０へのパーテ
ィクル発生源となるという問題点があった。
ため反応ガス吹出し口（２）、ヘッドα凱排気口ａ４に
パウダー状異物として付着し、半導体基板０へのパーテ
ィクル発生源となるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、反応ガス吹出し口＠、へ、ラド０９、排気口
０４にパウダー状異物の付着がなく、シたがって、半導
体基板（至）上へのバーティクＪし発生もない半導体製
造装置を得ることを目的とする。
たもので、反応ガス吹出し口＠、へ、ラド０９、排気口
０４にパウダー状異物の付着がなく、シたがって、半導
体基板（至）上へのバーティクＪし発生もない半導体製
造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、反応ガス吹き出し口
（２）を低温化し、一方、排気口αれへ、ｙドロ９表面
、ヘッドカバー０７）を高温化することによって、例え
ば第２図において、ヘッドａ℃、へ、ラドカバーＱ力か
らの半導体基板（至）上へのバーティクｌしの降りかか
りをなくすものである。
（２）を低温化し、一方、排気口αれへ、ｙドロ９表面
、ヘッドカバー０７）を高温化することによって、例え
ば第２図において、ヘッドａ℃、へ、ラドカバーＱ力か
らの半導体基板（至）上へのバーティクｌしの降りかか
りをなくすものである。
この発明において、反応ガス吹出し口（２）の低温化は
、たとえ、下部のヒーターＱｅからの熱気流の立ちあが
りがあり、反応ガスの気相中での反応かめ。でも反応ガ
ス吹出し口（イ）へのパウダー状異物の付着を防ぐこと
ができる。
、たとえ、下部のヒーターＱｅからの熱気流の立ちあが
りがあり、反応ガスの気相中での反応かめ。でも反応ガ
ス吹出し口（イ）へのパウダー状異物の付着を防ぐこと
ができる。
一方、排気口α４においては、トレイ０θ上の半導体基
板（２）と同様の高温にすることによりて、排気口α４
、ヘッドα℃外部、ヘッドカバーα力に意図的に緻密な
ＣＶＤ膜を形成させ、半導体基板（至）上への異物の降
りかかりを防ぐことができる。
板（２）と同様の高温にすることによりて、排気口α４
、ヘッドα℃外部、ヘッドカバーα力に意図的に緻密な
ＣＶＤ膜を形成させ、半導体基板（至）上への異物の降
りかかりを防ぐことができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の構
造を模式的に示した断面図である。
造を模式的に示した断面図である。
図においてαＢ〜α力は第２図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。（１）は断熱部、（２
］は３５０℃〜４５０℃の高温部、（３）は３０℃以下
の冷却部（低温部）である。
同等であるので説明を省略する。（１）は断熱部、（２
］は３５０℃〜４５０℃の高温部、（３）は３０℃以下
の冷却部（低温部）である。
ボンベより送られてきた反応ガスは、ヘッド０℃中を通
り、反応ガス吹出し口υより吹出す。従来、吹出された
反応ガスは、トレイｏｅからの熱気流の立ち上りにより
、パウダー状異物として付着したが、第１図のように、
冷却部（３）によって反応ガス吹出し口（２）を冷却し
ているため、パウダー状異物は付着しない。
り、反応ガス吹出し口υより吹出す。従来、吹出された
反応ガスは、トレイｏｅからの熱気流の立ち上りにより
、パウダー状異物として付着したが、第１図のように、
冷却部（３）によって反応ガス吹出し口（２）を冷却し
ているため、パウダー状異物は付着しない。
吹出された反応ガスの一部はＣＶＤ膜としてトレイ０８
上、半導体基板（至）上に形成される。半導体基板αＪ
、トレイ０８上は３７０℃〜４５０℃の高温に保たれて
いるために緻密なＣＶＤ膜が形成される。
上、半導体基板（至）上に形成される。半導体基板αＪ
、トレイ０８上は３７０℃〜４５０℃の高温に保たれて
いるために緻密なＣＶＤ膜が形成される。
反応ガス吹出し口（２）から吹き出された反応ガスの一
部は、半導体基板（至）上、トレイαＧ上でＣＶＤ膜を
形成するが、そのほとんどは残ガスとして排気される。
部は、半導体基板（至）上、トレイαＧ上でＣＶＤ膜を
形成するが、そのほとんどは残ガスとして排気される。
残ガスの一部は８１４０６間を通。で排気されるが、例
えば、第１図の装置構造の場合、トレイαθのエツジに
ＣＶＤ膜が形成されるだけで、異物発生の要因とはなら
ない。
えば、第１図の装置構造の場合、トレイαθのエツジに
ＣＶＤ膜が形成されるだけで、異物発生の要因とはなら
ない。
マタ、残ガスの一部は、例えば、第１図の装置構造の場
合、ヘッドαＤとへラドカバー６η間の排気口へ４に排
気これる。この発明においては、第１図に示すように、
ヘッドＱ］ｌ１表面とへッドカバーαη内面を３７０〜
４５０℃の高温にしているため、半導体基板０３上、ト
レイαＧ上と同様にＣＶＩ）Ｆが形成される。従来例の
ようにパウダー状異物が形成されないので、半導体基板
（２）上の異物発生の要因とはならない。
合、ヘッドαＤとへラドカバー６η間の排気口へ４に排
気これる。この発明においては、第１図に示すように、
ヘッドＱ］ｌ１表面とへッドカバーαη内面を３７０〜
４５０℃の高温にしているため、半導体基板０３上、ト
レイαＧ上と同様にＣＶＩ）Ｆが形成される。従来例の
ようにパウダー状異物が形成されないので、半導体基板
（２）上の異物発生の要因とはならない。
以上のようにこの発明によれば、ガス吹出し口は冷却し
、排気口は高温化しているため、ヘッド及びヘッドカバ
ーへの異物の付着がなく、異物の発生を抑制するという
効果がある。この異物発生の抑制は、半導体装遇の不良
率低減に効果がある。
、排気口は高温化しているため、ヘッド及びヘッドカバ
ーへの異物の付着がなく、異物の発生を抑制するという
効果がある。この異物発生の抑制は、半導体装遇の不良
率低減に効果がある。
第１図は、このを明の一実施例による半棉体製造装置の
模式断面図、第２図は、従来の半導体ご９造装置の模式
断面図である。 図において（１）は断熱部、（２）は高温部、（３）は
冷却部、０℃はヘッド、０は反応ガス吹出し口、ａ３は
半導体基板、α４は排気口、０５はヒーター、ＯＧはト
レイ、αηはへラドカバーである。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
模式断面図、第２図は、従来の半導体ご９造装置の模式
断面図である。 図において（１）は断熱部、（２）は高温部、（３）は
冷却部、０℃はヘッド、０は反応ガス吹出し口、ａ３は
半導体基板、α４は排気口、０５はヒーター、ＯＧはト
レイ、αηはへラドカバーである。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 化学気相成長法を用いて成膜を行う半導体製造装置に
おいて、反応ガス吹出し口を５０℃以下に冷却すること
と、排気口及び排気管を３７０℃以上の高湿に保つこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9370589A JPH02271612A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9370589A JPH02271612A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271612A true JPH02271612A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14089826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9370589A Pending JPH02271612A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445677A (en) * | 1993-05-21 | 1995-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor |
| US5753891A (en) * | 1994-08-31 | 1998-05-19 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58418B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1983-01-06 | バイエル アクチエンゲゼルシヤフト | シンキナイミダゾリルユウドウタイオヨビソノ エンノセイホウ |
| JPS6016757B2 (ja) * | 1978-10-11 | 1985-04-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPS61242011A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9370589A patent/JPH02271612A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58418B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1983-01-06 | バイエル アクチエンゲゼルシヤフト | シンキナイミダゾリルユウドウタイオヨビソノ エンノセイホウ |
| JPS6016757B2 (ja) * | 1978-10-11 | 1985-04-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPS61242011A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445677A (en) * | 1993-05-21 | 1995-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor |
| US5753891A (en) * | 1994-08-31 | 1998-05-19 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus |
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