JPH04311031A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH04311031A JPH04311031A JP7661691A JP7661691A JPH04311031A JP H04311031 A JPH04311031 A JP H04311031A JP 7661691 A JP7661691 A JP 7661691A JP 7661691 A JP7661691 A JP 7661691A JP H04311031 A JPH04311031 A JP H04311031A
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造にお
いて薄膜を形成するために用いられる化学気相成長装置
（ＣＶＤ装置） に関する。
いて薄膜を形成するために用いられる化学気相成長装置
（ＣＶＤ装置） に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化学気相成長（ＣＶＤ） におい
ては，薄膜の成長が行われる基板を支持するためのサセ
プタと反応容器の内壁面との間隙が比較的大きく設計さ
れていた。したがって， 反応器内における原料ガス圧
が，基板の上流側と下流側とでほぼ等しい条件の下で気
相成長が行われていた。この場合，反応容器内の圧力は
，反応容器内に原料ガスとともに供給するキャリヤガス
の流量および反応容器の排気側に設けられた圧力調整弁
のコンダクタンスを調節することによって行われる。
ては，薄膜の成長が行われる基板を支持するためのサセ
プタと反応容器の内壁面との間隙が比較的大きく設計さ
れていた。したがって， 反応器内における原料ガス圧
が，基板の上流側と下流側とでほぼ等しい条件の下で気
相成長が行われていた。この場合，反応容器内の圧力は
，反応容器内に原料ガスとともに供給するキャリヤガス
の流量および反応容器の排気側に設けられた圧力調整弁
のコンダクタンスを調節することによって行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，半導体集積
回路の高密度化にともなう微細パターンの形成において
は，ＣＶＤ装置をはじめとする薄膜形成装置内に堆積し
た薄膜の剥離して生じた塵埃による汚染を受けやすく，
パターン異常に起因する不良が発生しやすい。したが
って， 不要な部分に対する薄膜の付着防止や除去に多
大の労力を要している。
回路の高密度化にともなう微細パターンの形成において
は，ＣＶＤ装置をはじめとする薄膜形成装置内に堆積し
た薄膜の剥離して生じた塵埃による汚染を受けやすく，
パターン異常に起因する不良が発生しやすい。したが
って， 不要な部分に対する薄膜の付着防止や除去に多
大の労力を要している。
【０００４】上記従来のＣＶＤ 装置においては， 未
反応の原料ガスが被処理基板の下流側に多量に達し，こ
こで反応して薄膜を生成する。この薄膜が前記のような
汚染塵埃となる。この問題は， 常圧から数１０Ｔｏｒ
ｒ程度の圧力下で気相成長を行うＣＶＤ 装置において
とくに生じやすい。
反応の原料ガスが被処理基板の下流側に多量に達し，こ
こで反応して薄膜を生成する。この薄膜が前記のような
汚染塵埃となる。この問題は， 常圧から数１０Ｔｏｒ
ｒ程度の圧力下で気相成長を行うＣＶＤ 装置において
とくに生じやすい。
【０００５】本発明は， 上記従来のＣＶＤ 装置に生
じる， 被処理基板の下流側における未反応原料ガスに
よる薄膜の成長を防止し， これにより微細パターンの
不良を低減可能とし，かつ，反応容器内壁やその他の部
材表面に付着した薄膜を除去するための保守作業を効率
化することを目的とする。
じる， 被処理基板の下流側における未反応原料ガスに
よる薄膜の成長を防止し， これにより微細パターンの
不良を低減可能とし，かつ，反応容器内壁やその他の部
材表面に付着した薄膜を除去するための保守作業を効率
化することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は， その内部
に気相成長用の原料ガスを流入する手段と流入された該
原料ガスを排出する手段とを有する反応容器と，該反応
容器内において該原料ガスの流通路中に配置された被処
理基板を支持するサセプタと，該原料ガスの流通路に沿
った該反応容器の内壁面と該サセプタとの間の隙間を調
節する手段とを備え，該隙間を調節することによって該
反応容器内における該原料ガスに対し該被処理基板に関
して上流側と下流側とで所定の圧力差を生じさせるよう
にされたことを特徴とする本発明に係るＣＶＤ 装置に
よって達成される。
に気相成長用の原料ガスを流入する手段と流入された該
原料ガスを排出する手段とを有する反応容器と，該反応
容器内において該原料ガスの流通路中に配置された被処
理基板を支持するサセプタと，該原料ガスの流通路に沿
った該反応容器の内壁面と該サセプタとの間の隙間を調
節する手段とを備え，該隙間を調節することによって該
反応容器内における該原料ガスに対し該被処理基板に関
して上流側と下流側とで所定の圧力差を生じさせるよう
にされたことを特徴とする本発明に係るＣＶＤ 装置に
よって達成される。
【０００７】
【作用】例えば， 反応容器の形状を， その内部にお
ける原料ガスの流通方向に垂直な開口面積が被処理基板
の上流側に向かって漸減する円錐形にしておき， この
反応容器内に定流量の原料ガスを供給し， 下流側から
一定速度で排気する。サセプタを原料ガスの流通方向に
沿って移動させ， 反応容器の内壁との隙間を狭める。 その結果， 被処理基板の上流側と下流側とで圧力差が
生じる。例えば上流側の圧力が数１００Ｔｏｒｒ，下流
側の圧力が数Ｔｏｒｒになるように上記隙間と原料ガス
の供給流量を調節する。これにより， 被処理基板表面
には所定速度で薄膜が成長するが， 基板より下流側で
は， 反応容器の内壁やその他の部材表面における薄膜
の成長速度が低下し， 塵埃の原因となる薄膜の成長を
実質的に抑止することができる。
ける原料ガスの流通方向に垂直な開口面積が被処理基板
の上流側に向かって漸減する円錐形にしておき， この
反応容器内に定流量の原料ガスを供給し， 下流側から
一定速度で排気する。サセプタを原料ガスの流通方向に
沿って移動させ， 反応容器の内壁との隙間を狭める。 その結果， 被処理基板の上流側と下流側とで圧力差が
生じる。例えば上流側の圧力が数１００Ｔｏｒｒ，下流
側の圧力が数Ｔｏｒｒになるように上記隙間と原料ガス
の供給流量を調節する。これにより， 被処理基板表面
には所定速度で薄膜が成長するが， 基板より下流側で
は， 反応容器の内壁やその他の部材表面における薄膜
の成長速度が低下し， 塵埃の原因となる薄膜の成長を
実質的に抑止することができる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明に係るＣＶＤ 装置の一実施例
を説明するための要部断面図， 図２は図１におけるＡ
−Ａ 断面図である。
を説明するための要部断面図， 図２は図１におけるＡ
−Ａ 断面図である。
【０００９】例えば石英から成る反応容器１にはガス導
入管２から原料ガスが供給され， 一方， その内部の
ガスは， 排気管３を通じて， 図示しない排気装置に
より排気される。反応容器１は， 少なくともその内壁
側面が， ガス導入管２が取り付けられている部分を頂
点とする円錐状をなしている。シリコンウエハのような
被処理基板４が載置されたサセプタ５は， 例えば反応
容器１を貫通する支持棒６を介して，反応容器１外部に
設けられた昇降機構７により上下に移動可能にされてい
る。反応容器１の周囲には， サセプタ５を所定温度に
保持するために， 例えば高周波加熱装置あるいは抵抗
加熱装置等の加熱手段（図示省略）が設けられ， また
， 支持棒６は反応容器１との間を周知の手段により気
密封止されていることは言うまでもない。支持棒６は，
必要に応じて回転可能にされている。
入管２から原料ガスが供給され， 一方， その内部の
ガスは， 排気管３を通じて， 図示しない排気装置に
より排気される。反応容器１は， 少なくともその内壁
側面が， ガス導入管２が取り付けられている部分を頂
点とする円錐状をなしている。シリコンウエハのような
被処理基板４が載置されたサセプタ５は， 例えば反応
容器１を貫通する支持棒６を介して，反応容器１外部に
設けられた昇降機構７により上下に移動可能にされてい
る。反応容器１の周囲には， サセプタ５を所定温度に
保持するために， 例えば高周波加熱装置あるいは抵抗
加熱装置等の加熱手段（図示省略）が設けられ， また
， 支持棒６は反応容器１との間を周知の手段により気
密封止されていることは言うまでもない。支持棒６は，
必要に応じて回転可能にされている。
【００１０】排気管３から排気しつつ反応容器１内に一
定流量の原料ガスをガス導入間２から導入し， 被処理
基板４の上流側の圧力（Ｐ１）および下流側の圧力（Ｐ
２）を周知の圧力計（図示省略）により測定しながら，
昇降機構７によりサセプタ５を上方に移動させる。こ
れにより， 反応容器１の内壁側面とサセプタ５との間
の隙間８すなわち原料ガスの流通路の面積が変化し，圧
力降下が生じる。そこで，前記圧力（Ｐ１）と圧力（Ｐ
２）が所定値になるように， 供給する原料ガスの流量
とサセプタ５の位置を調節する。このようにして， 例
えば圧力（Ｐ１）を常圧から数１００Ｔｏｒｒ に，
圧力（Ｐ２）を数Ｔｏｒｒに設定してＣＶＤ 成長を行
う。被処理基板４の下流においては， 未反応の原料ガ
スの圧力が上記のように低くされ， かつ， この領域
を通過する流速が早くなり滞留時間が短くなるため，
反応容器１の内壁面あるいはサセプタ５やその他の部材
表面には薄膜がほとんど気相成長しなくなる。
定流量の原料ガスをガス導入間２から導入し， 被処理
基板４の上流側の圧力（Ｐ１）および下流側の圧力（Ｐ
２）を周知の圧力計（図示省略）により測定しながら，
昇降機構７によりサセプタ５を上方に移動させる。こ
れにより， 反応容器１の内壁側面とサセプタ５との間
の隙間８すなわち原料ガスの流通路の面積が変化し，圧
力降下が生じる。そこで，前記圧力（Ｐ１）と圧力（Ｐ
２）が所定値になるように， 供給する原料ガスの流量
とサセプタ５の位置を調節する。このようにして， 例
えば圧力（Ｐ１）を常圧から数１００Ｔｏｒｒ に，
圧力（Ｐ２）を数Ｔｏｒｒに設定してＣＶＤ 成長を行
う。被処理基板４の下流においては， 未反応の原料ガ
スの圧力が上記のように低くされ， かつ， この領域
を通過する流速が早くなり滞留時間が短くなるため，
反応容器１の内壁面あるいはサセプタ５やその他の部材
表面には薄膜がほとんど気相成長しなくなる。
【００１１】上記実施例においては， 反応容器１の内
壁側面を円錐状にし， 原料ガスの流通方向に沿ってサ
セプタ５を移動させることにより， 反応容器１内壁面
とサセプタ５との間の隙間を調節する方法を採ったが，
反応容器１の内壁面を直円筒状とし， かつ， 反応
容器１に対してサセプタ５の位置を固定した状態で，
反応容器１とサセプタ５間の隙間を調節する他の手段を
用いてもよいことは言うまでもない。
壁側面を円錐状にし， 原料ガスの流通方向に沿ってサ
セプタ５を移動させることにより， 反応容器１内壁面
とサセプタ５との間の隙間を調節する方法を採ったが，
反応容器１の内壁面を直円筒状とし， かつ， 反応
容器１に対してサセプタ５の位置を固定した状態で，
反応容器１とサセプタ５間の隙間を調節する他の手段を
用いてもよいことは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば，ＣＶＤ法による薄膜の
形成において， 反応容器内壁やその他の部材等の表面
における薄膜の生成が抑制され， これら表面から剥離
した薄膜により被処理基板が汚染されて生じるパターン
不良が防止され，半導体装置の製造歩留まりおよび信頼
性が向上止される効果がある。また， これら表面に付
着した薄膜の除去に要するＣＶＤ 装置の保守が容易と
なり， 装置の稼働率向上ならびに製造コスト低減に効
果がある。
形成において， 反応容器内壁やその他の部材等の表面
における薄膜の生成が抑制され， これら表面から剥離
した薄膜により被処理基板が汚染されて生じるパターン
不良が防止され，半導体装置の製造歩留まりおよび信頼
性が向上止される効果がある。また， これら表面に付
着した薄膜の除去に要するＣＶＤ 装置の保守が容易と
なり， 装置の稼働率向上ならびに製造コスト低減に効
果がある。
【図１】 本発明の一実施例説明図
【図２】 図１におけるＡ−Ａ 断面図
Claims (2)
- 【請求項１】 その内部に気相成長用の原料ガスを流
入する手段と流入された該原料ガスを排出する手段とを
有する反応容器と，該反応容器内において該原料ガスの
流通路中に配置された被処理基板を支持するサセプタと
，該原料ガスの流通路に沿った該反応容器の内壁面と該
サセプタとの間の隙間を調節する手段とを備え，該隙間
を調節することによって該反応容器内における該原料ガ
スに対し該被処理基板に関して上流側と下流側とで所定
の圧力差を生じさせるようにされたことを特徴とする化
学気相成長装置。 - 【請求項２】 前記反応容器をその内部における該原
料ガスの流通路方向に垂直な開口断面積が前記被処理基
板に関して上流側に向かって漸減するようにし且つ前記
サセプタを該反応容器内において前記原料ガスの流通路
方向に沿って移動可能であるようにすることによって前
記反応容器の内壁面と該サセプタとの間の隙間を調整可
能にされていることを特徴とする請求項１記載の化学気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7661691A JPH04311031A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7661691A JPH04311031A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311031A true JPH04311031A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13610284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7661691A Withdrawn JPH04311031A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311031A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010084192A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP7661691A patent/JPH04311031A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010084192A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |