JP2001035795A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JP2001035795A JP2001035795A JP11207708A JP20770899A JP2001035795A JP 2001035795 A JP2001035795 A JP 2001035795A JP 11207708 A JP11207708 A JP 11207708A JP 20770899 A JP20770899 A JP 20770899A JP 2001035795 A JP2001035795 A JP 2001035795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- vapor phase
- phase growth
- short
- exhaust pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 気相成長装置の運転中に排気管の堆積物を除
去できる機構を備えた気相成長装置を提供する。 【解決手段】 本気相成長装置は、排気管に堆積物脱離
機構を設けたことを除いて通常の気相成長装置と同じ構
成である。排気管２０は、反応チャンバ１２から垂下す
る垂下短管２０ａと、２本の分岐管２０ｂ、２０ｃと、
垂下短管の延長方向に延びる延長管２０ｄとからなる。
堆積物脱離機構３０は、掻き落とし治具３２と、延長管
２０ｄ内に設けられた傘状部材３４とからなる。掻き落
とし治具は、延長管を通って垂下短管内に同心状に延び
る回転軸３６と、垂下短管内の回転軸の回りに設けられ
た掻き取り刃３８とを備え、回転軸は、延長管の下端の
軸支部４０によって軸支、かつ封止され、回転装置の駆
動により回転する。傘状部材は、回転軸を摺動自在に貫
通し、延長管の内管壁に外周が接するように設けられて
いて、盲フランジから直立する支持柱４２によって支持
されている。
去できる機構を備えた気相成長装置を提供する。 【解決手段】 本気相成長装置は、排気管に堆積物脱離
機構を設けたことを除いて通常の気相成長装置と同じ構
成である。排気管２０は、反応チャンバ１２から垂下す
る垂下短管２０ａと、２本の分岐管２０ｂ、２０ｃと、
垂下短管の延長方向に延びる延長管２０ｄとからなる。
堆積物脱離機構３０は、掻き落とし治具３２と、延長管
２０ｄ内に設けられた傘状部材３４とからなる。掻き落
とし治具は、延長管を通って垂下短管内に同心状に延び
る回転軸３６と、垂下短管内の回転軸の回りに設けられ
た掻き取り刃３８とを備え、回転軸は、延長管の下端の
軸支部４０によって軸支、かつ封止され、回転装置の駆
動により回転する。傘状部材は、回転軸を摺動自在に貫
通し、延長管の内管壁に外周が接するように設けられて
いて、盲フランジから直立する支持柱４２によって支持
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置に関
し、更に詳細には、運転中でも、排気管に堆積した堆積
物を除去できるようにした気相成長装置に関するもので
ある。
し、更に詳細には、運転中でも、排気管に堆積した堆積
物を除去できるようにした気相成長装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】基板上に半導体等の薄膜を気相成長法に
よりエピタキシャル成長させる気相成長装置は、半導体
装置の製造過程で多用されている。特に、半導体レーザ
素子等の化合物半導体装置を作製する際には、気相成長
装置を使って、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
より、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系等の化合物半導体層
を成膜することが多い。
よりエピタキシャル成長させる気相成長装置は、半導体
装置の製造過程で多用されている。特に、半導体レーザ
素子等の化合物半導体装置を作製する際には、気相成長
装置を使って、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
より、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系等の化合物半導体層
を成膜することが多い。
【０００３】ここで、図３を参照して、気相成長装置の
基本的構成を説明する。図３は気相成長装置の基本的構
成を示す模式的透視斜視図である。気相成長装置１０
は、図３に示すように、石英製等の円筒形反応チャンバ
１２を備え、反応チャンバ１２内には、１枚ないし複数
枚のウエハＷを載置して、反応チャンバ１２を横断する
ように延在する、反応チャンバ１２の直径より小さい円
板状の基板ホルダ１４と、基板ホルダ１４を加熱する円
板状の加熱ヒータ１６とを配置している。基板ホルダ１
４を回転させる回転機構を設けることもある。また、加
熱ヒータ１６は基板ホルダ１４の温度を設定温度に保持
するように制御され、これによりウエハＷの温度を所定
温度に維持している。
基本的構成を説明する。図３は気相成長装置の基本的構
成を示す模式的透視斜視図である。気相成長装置１０
は、図３に示すように、石英製等の円筒形反応チャンバ
１２を備え、反応チャンバ１２内には、１枚ないし複数
枚のウエハＷを載置して、反応チャンバ１２を横断する
ように延在する、反応チャンバ１２の直径より小さい円
板状の基板ホルダ１４と、基板ホルダ１４を加熱する円
板状の加熱ヒータ１６とを配置している。基板ホルダ１
４を回転させる回転機構を設けることもある。また、加
熱ヒータ１６は基板ホルダ１４の温度を設定温度に保持
するように制御され、これによりウエハＷの温度を所定
温度に維持している。
【０００４】反応チャンバ１２の上部には、マスフロー
・コントローラ（図示せず）を備えたガス供給管１８が
接続され、ガス供給管１６から反応チャンバ１２に原料
ガスが所定流量で供給される。
・コントローラ（図示せず）を備えたガス供給管１８が
接続され、ガス供給管１６から反応チャンバ１２に原料
ガスが所定流量で供給される。
【０００５】また、反応チャンバ１２の下部には排気管
２０が接続され、反応チャンバ１２を所定の圧力に維持
するために、排気管２０を介して反応チャンバ１２から
未反応の原料ガス等を真空吸引装置（図示せず）により
吸引している。排気管２０は、反応チャンバ１２の下部
から下方に垂下する短い垂下短管２０ａと、垂下短管２
０ａからＴ字状に分岐している分岐管２０ｂと２０ｃと
から構成され、分岐管２０ｂはロータリ式真空ポンプ
（図示せず）に接続され、２０ｃは短い水平短管であっ
て、端部は盲フランジ２２で閉止されている。
２０が接続され、反応チャンバ１２を所定の圧力に維持
するために、排気管２０を介して反応チャンバ１２から
未反応の原料ガス等を真空吸引装置（図示せず）により
吸引している。排気管２０は、反応チャンバ１２の下部
から下方に垂下する短い垂下短管２０ａと、垂下短管２
０ａからＴ字状に分岐している分岐管２０ｂと２０ｃと
から構成され、分岐管２０ｂはロータリ式真空ポンプ
（図示せず）に接続され、２０ｃは短い水平短管であっ
て、端部は盲フランジ２２で閉止されている。
【０００６】原料ガスは、ウエハＷの上で加熱分解さ
れ、ウエハ上でＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの結晶とし
て成長する。未反応の原料ガスは基板ホルダ１４と反応
チャンバ１２の側壁との間を通過して排気管２０に向か
う。
れ、ウエハ上でＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの結晶とし
て成長する。未反応の原料ガスは基板ホルダ１４と反応
チャンバ１２の側壁との間を通過して排気管２０に向か
う。
【０００７】例えば、ＭＯＣＶＤ法によるＧａＡｓ膜の
成長を例にして説明すると、通常、原料ガスとして、Ｇ
ａの有機金属化合物である（ＣＨ3 ）3 Ｇａ（ＴＭＧ
ａ、トリメチルガリウム）と、Ａｓの水素化合物である
ＡｓＨ3 （アルシン）が用いられる。ＴＭＧａは、Ｐｄ
膜を拡散させて純化した水素をキャリアガスとして使っ
て、恒温槽中で蒸気圧を制御した状態でガス化される。
一方、ＡｓＨ3 は高濃度水素で適当な濃度に希釈したも
のが用いられる。キャリアガスとしての水素とＴＭＧａ
とＡｓＨ3 とは、混合され、反応チャンバ１２に導入さ
れる。反応チャンバ１２内に導入された原料ガスは、次
第に、層流を形成して、６５０℃程度に加熱されている
結晶基板上に達することにより、 （ＣＨ3 ）3 Ｇａ＋ＡｓＨ3 → ＧａＡｓ＋３ＣＨ4 という反応を進行させ、基板上にＧａＡｓが成長する。
成長を例にして説明すると、通常、原料ガスとして、Ｇ
ａの有機金属化合物である（ＣＨ3 ）3 Ｇａ（ＴＭＧ
ａ、トリメチルガリウム）と、Ａｓの水素化合物である
ＡｓＨ3 （アルシン）が用いられる。ＴＭＧａは、Ｐｄ
膜を拡散させて純化した水素をキャリアガスとして使っ
て、恒温槽中で蒸気圧を制御した状態でガス化される。
一方、ＡｓＨ3 は高濃度水素で適当な濃度に希釈したも
のが用いられる。キャリアガスとしての水素とＴＭＧａ
とＡｓＨ3 とは、混合され、反応チャンバ１２に導入さ
れる。反応チャンバ１２内に導入された原料ガスは、次
第に、層流を形成して、６５０℃程度に加熱されている
結晶基板上に達することにより、 （ＣＨ3 ）3 Ｇａ＋ＡｓＨ3 → ＧａＡｓ＋３ＣＨ4 という反応を進行させ、基板上にＧａＡｓが成長する。
【０００８】また、ＡｌＧａＡｓ膜の成長には、Ａｌの
原料として、例えば（ＣＨ3 ）3 Ａｌ又は（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 Ａｌを使用し、Ｇａの原料及びＡｓの原料にはＧａＡ
ｓの成膜と同様にＴＭＧａ及びＡｓＨ3 を使用する。
原料として、例えば（ＣＨ3 ）3 Ａｌ又は（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 Ａｌを使用し、Ｇａの原料及びＡｓの原料にはＧａＡ
ｓの成膜と同様にＴＭＧａ及びＡｓＨ3 を使用する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の気相
成長装置１０では、垂下短管２０ａ及びその直下のＴ字
状分岐部に堆積物が堆積し、排気管が詰まるという問題
があった。特に、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体膜の結晶
成長では、成長温度が非常に高く、そのために、反応チ
ャンバ１２から流出した未反応原料ガス或いは反応生成
物は、直ちに冷却されて、図４に示すように、排気管２
０の垂下短管２０ａ及びその直下のＴ字状分岐部に付
着、堆積する。堆積物が堆積すると、排気管２０の垂下
短管２０ａ及び分岐管２０ｂの流路が狭くなるために、
反応チャンバ１２の排気、従って反応チャンバ１２の圧
力制御が不安定となり、気相成長工程を継続することが
難しくなる。そのために、短期間で気相成長装置１０の
運転を停止し、盲フランジ２２を取り外して、排気管２
０の垂下短管２０ａ及びＴ字状分岐部から堆積物を除去
することが必要になった。しかし、堆積物を除去するた
めに、気相成長装置の運転を停止するので、気相成長装
置の稼働率が低下し、生産性の向上が難しいという問題
点があった。また、堆積物はＡｓ化合物を含むために、
堆積物を除去するに際しては、十分に注意して行うこと
が必要であって、この点でも、堆積物の除去は煩わしい
作業で、オペレータに負担を与えた。
成長装置１０では、垂下短管２０ａ及びその直下のＴ字
状分岐部に堆積物が堆積し、排気管が詰まるという問題
があった。特に、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体膜の結晶
成長では、成長温度が非常に高く、そのために、反応チ
ャンバ１２から流出した未反応原料ガス或いは反応生成
物は、直ちに冷却されて、図４に示すように、排気管２
０の垂下短管２０ａ及びその直下のＴ字状分岐部に付
着、堆積する。堆積物が堆積すると、排気管２０の垂下
短管２０ａ及び分岐管２０ｂの流路が狭くなるために、
反応チャンバ１２の排気、従って反応チャンバ１２の圧
力制御が不安定となり、気相成長工程を継続することが
難しくなる。そのために、短期間で気相成長装置１０の
運転を停止し、盲フランジ２２を取り外して、排気管２
０の垂下短管２０ａ及びＴ字状分岐部から堆積物を除去
することが必要になった。しかし、堆積物を除去するた
めに、気相成長装置の運転を停止するので、気相成長装
置の稼働率が低下し、生産性の向上が難しいという問題
点があった。また、堆積物はＡｓ化合物を含むために、
堆積物を除去するに際しては、十分に注意して行うこと
が必要であって、この点でも、堆積物の除去は煩わしい
作業で、オペレータに負担を与えた。
【００１０】そこで、本発明の目的は、気相成長装置の
運転中に排気管の堆積物を除去できる機構を備えた気相
成長装置を提供することである。
運転中に排気管の堆積物を除去できる機構を備えた気相
成長装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る気相成長装置は、基板を上面に載置す
る基板ホルダと、基板ホルダ上の基板を加熱する加熱ヒ
ータとを内部に収容し、かつ底部より下方に垂下する排
気管を備える反応チャンバを有し、基板ホルダ上に載置
した基板を加熱しつつ反応チャンバに原料ガスを導入し
て、気相成長法により基板上に薄膜を結晶成長させる気
相成長装置において、排気管の管壁に付着、堆積した堆
積物を掻き取り、脱離させる掻き落とし治具を備えた堆
積物脱離機構が、外部から封止されて排気管内に設けら
れていることを特徴としている。
に、本発明に係る気相成長装置は、基板を上面に載置す
る基板ホルダと、基板ホルダ上の基板を加熱する加熱ヒ
ータとを内部に収容し、かつ底部より下方に垂下する排
気管を備える反応チャンバを有し、基板ホルダ上に載置
した基板を加熱しつつ反応チャンバに原料ガスを導入し
て、気相成長法により基板上に薄膜を結晶成長させる気
相成長装置において、排気管の管壁に付着、堆積した堆
積物を掻き取り、脱離させる掻き落とし治具を備えた堆
積物脱離機構が、外部から封止されて排気管内に設けら
れていることを特徴としている。
【００１２】本発明では、堆積物脱離機構によって気相
成長装置の運転中に排気管に付着、堆積した堆積物を除
去できるので、気相成長装置の稼働率を向上させること
ができる。本発明は、気相成長させる薄膜の種類に制約
無く適用でき、例えばＧａＡｓ膜とかＡｌＧａＡｓ膜を
成膜するＭＯＣＶＤ装置に好適に適用できる。
成長装置の運転中に排気管に付着、堆積した堆積物を除
去できるので、気相成長装置の稼働率を向上させること
ができる。本発明は、気相成長させる薄膜の種類に制約
無く適用でき、例えばＧａＡｓ膜とかＡｌＧａＡｓ膜を
成膜するＭＯＣＶＤ装置に好適に適用できる。
【００１３】本発明の好適な実施態様では、排気管が、
反応チャンバから垂下する垂下短管と、垂下短管から水
平方向にＴ字状に分岐する２本の分岐管と、Ｔ字状分岐
部から垂下短管の延長方向に延びる延長管とから構成さ
れ、２本の分岐管のうち１本は真空ポンプに接続され、
他方は短い水平短管であって、端部は盲フランジで閉止
されており、堆積物脱離機構が、延長管を通って短管内
に同心状に延びる回転軸と、短管内の回転軸の回りに固
定されたらせん状の掻き取り刃、又は短管内の回転軸に
沿って固定された帯状の掻き取り刃とを備えて、回転軸
回りに回転する掻き落とし治具と、延長管の下端に設け
られ、掻き落とし治具の回転軸を軸支し、封止する軸支
部と、回転軸を貫通し、かつ延長管の管壁に外周が接す
るように延長管内に設けられた傘状の部材とを備えてい
る。
反応チャンバから垂下する垂下短管と、垂下短管から水
平方向にＴ字状に分岐する２本の分岐管と、Ｔ字状分岐
部から垂下短管の延長方向に延びる延長管とから構成さ
れ、２本の分岐管のうち１本は真空ポンプに接続され、
他方は短い水平短管であって、端部は盲フランジで閉止
されており、堆積物脱離機構が、延長管を通って短管内
に同心状に延びる回転軸と、短管内の回転軸の回りに固
定されたらせん状の掻き取り刃、又は短管内の回転軸に
沿って固定された帯状の掻き取り刃とを備えて、回転軸
回りに回転する掻き落とし治具と、延長管の下端に設け
られ、掻き落とし治具の回転軸を軸支し、封止する軸支
部と、回転軸を貫通し、かつ延長管の管壁に外周が接す
るように延長管内に設けられた傘状の部材とを備えてい
る。
【００１４】本実施態様では、排気管に堆積した堆積物
を掻き取れる限り、掻き取り刃の形状は制約はない。掻
き落とし治具で排気管の短管から掻き落とされた堆積物
は、延長管内の傘状の部材上に堆積する。また、気相成
長装置の運転停止時には、盲フランジを取り外して、堆
積物脱離機構の点検、保守を行うことができる。
を掻き取れる限り、掻き取り刃の形状は制約はない。掻
き落とし治具で排気管の短管から掻き落とされた堆積物
は、延長管内の傘状の部材上に堆積する。また、気相成
長装置の運転停止時には、盲フランジを取り外して、堆
積物脱離機構の点検、保守を行うことができる。
【００１５】本発明の別の実施態様では、排気管が、反
応チャンバの底部から垂下する垂下短管と、垂下短管か
ら水平方向にＬ字状に曲がる水平管と、Ｌ字状曲がり部
から垂下短管の延長方向に延びる延長管とから構成され
ている。
応チャンバの底部から垂下する垂下短管と、垂下短管か
ら水平方向にＬ字状に曲がる水平管と、Ｌ字状曲がり部
から垂下短管の延長方向に延びる延長管とから構成され
ている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る気相成長装置の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の気相成長装置の
排気管に装着した状態の堆積物脱離機構の構成を示す模
式的部分断面図、及び図２は堆積物脱離機構の構成を示
す斜視図である。本実施形態例の気相成長装置は、排気
管に堆積物脱離機構を設けたことを除いて、図３を参照
して説明した気相成長装置１０と同じ構成を備えてい
る。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る気相成長装置の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の気相成長装置の
排気管に装着した状態の堆積物脱離機構の構成を示す模
式的部分断面図、及び図２は堆積物脱離機構の構成を示
す斜視図である。本実施形態例の気相成長装置は、排気
管に堆積物脱離機構を設けたことを除いて、図３を参照
して説明した気相成長装置１０と同じ構成を備えてい
る。
【００１７】本実施形態例の気相成長装置では、図１に
示すように、排気管２０が、反応チャンバ１２から垂下
する垂下短管２０ａと、垂下短管２０ａから水平方向に
Ｔ字状に分岐する２本の分岐管２０ｂ、２０ｃと、Ｔ字
状分岐部から垂下短管２０ａの延長方向に延びる延長管
２０ｄとから構成されている。２本の分岐管のうち分岐
管２０ｂは、真空ポンプ（図示せず）に接続され、他方
の分岐管２０ｃは短い水平短管であって、端部は盲フラ
ンジ２２で閉止されている。また、延長管２０ｄの下端
は盲フランジ２３で閉止されている。
示すように、排気管２０が、反応チャンバ１２から垂下
する垂下短管２０ａと、垂下短管２０ａから水平方向に
Ｔ字状に分岐する２本の分岐管２０ｂ、２０ｃと、Ｔ字
状分岐部から垂下短管２０ａの延長方向に延びる延長管
２０ｄとから構成されている。２本の分岐管のうち分岐
管２０ｂは、真空ポンプ（図示せず）に接続され、他方
の分岐管２０ｃは短い水平短管であって、端部は盲フラ
ンジ２２で閉止されている。また、延長管２０ｄの下端
は盲フランジ２３で閉止されている。
【００１８】堆積物脱離機構３０は、垂下短管２０ａ内
に設けられた掻き落とし治具３２と、掻き落とし治具３
２の下方の延長管２０ｄ内に設けられた傘状部材３４と
から構成される。掻き落とし治具３２は、延長管２０ｄ
を通って垂下短管２０ａ内に同心状に延びる回転軸３６
と、垂下短管２０ｂ内の回転軸３６の回りに設けられた
掻き取り刃３８とを備えている。回転軸３６は、延長管
２０ｄの下端の盲フランジ２３に設けられている軸支部
４０によって、軸支され、かつ封止され、更に下方に延
在している。回転軸３６の下端は、図示しない回転装置
に連結され、回転装置の駆動により回転する。掻き取り
刃３８は、回転軸３６の長手方向に沿って延びる帯状体
として形成され、外縁に刃３９を備えている。４枚の掻
き取り刃３８が、図２に示すように、回転軸３６の回り
に９０°間隔に設けられている。
に設けられた掻き落とし治具３２と、掻き落とし治具３
２の下方の延長管２０ｄ内に設けられた傘状部材３４と
から構成される。掻き落とし治具３２は、延長管２０ｄ
を通って垂下短管２０ａ内に同心状に延びる回転軸３６
と、垂下短管２０ｂ内の回転軸３６の回りに設けられた
掻き取り刃３８とを備えている。回転軸３６は、延長管
２０ｄの下端の盲フランジ２３に設けられている軸支部
４０によって、軸支され、かつ封止され、更に下方に延
在している。回転軸３６の下端は、図示しない回転装置
に連結され、回転装置の駆動により回転する。掻き取り
刃３８は、回転軸３６の長手方向に沿って延びる帯状体
として形成され、外縁に刃３９を備えている。４枚の掻
き取り刃３８が、図２に示すように、回転軸３６の回り
に９０°間隔に設けられている。
【００１９】傘状部材３４は、板体を傘状に巻いて形成
した部材であって、Ｔ字状分岐部から下方の位置、例え
ば約１０ｃｍ程度の下方の位置で、回転軸３６を摺動自
在に貫通し、かつ延長管２０ｄの内管壁に外周が接する
ように延長管２０ｄ内に設けられている。傘状部材３４
は、盲フランジ２３から直立する支持柱４２によって支
持され、盲フランジ２３に固定されている。
した部材であって、Ｔ字状分岐部から下方の位置、例え
ば約１０ｃｍ程度の下方の位置で、回転軸３６を摺動自
在に貫通し、かつ延長管２０ｄの内管壁に外周が接する
ように延長管２０ｄ内に設けられている。傘状部材３４
は、盲フランジ２３から直立する支持柱４２によって支
持され、盲フランジ２３に固定されている。
【００２０】本実施形態例では、定期的に、又は不定期
的に回転装置を起動し、掻き落とし治具３２を回転させ
て、垂下短管２０ａの管壁に付着、堆積した堆積物を掻
き取り、傘状部材３４上に掻き落とす。そして、気相成
長装置１０の運転を停止した時に、盲フランジ２３を開
放して、掻き落とした堆積物を取り出す。これにより、
従来のように、垂下短管２０ａに堆積物が堆積して、反
応チャンバ１２の圧力制御が難しくなるようなことは生
じない。
的に回転装置を起動し、掻き落とし治具３２を回転させ
て、垂下短管２０ａの管壁に付着、堆積した堆積物を掻
き取り、傘状部材３４上に掻き落とす。そして、気相成
長装置１０の運転を停止した時に、盲フランジ２３を開
放して、掻き落とした堆積物を取り出す。これにより、
従来のように、垂下短管２０ａに堆積物が堆積して、反
応チャンバ１２の圧力制御が難しくなるようなことは生
じない。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、反応チャンバに原料ガ
スを導入して、気相成長法により基板上に薄膜を結晶成
長させる気相成長装置において、排気管の管壁に付着、
堆積した堆積物を掻き取り、脱離させる掻き落とし治具
を備えた堆積物脱離機構を、排気管内に外部から封止し
て設けることにより、気相成長装置のメンテナンスサイ
クルが伸びて、装置の稼働率を向上させることができ
る。また、排気管の詰まりが招じないので、良好な結晶
膜を安定して成長させることができる。更には、装置の
メンテナンス回数が減り、オペレータの安全性が向上す
る。
スを導入して、気相成長法により基板上に薄膜を結晶成
長させる気相成長装置において、排気管の管壁に付着、
堆積した堆積物を掻き取り、脱離させる掻き落とし治具
を備えた堆積物脱離機構を、排気管内に外部から封止し
て設けることにより、気相成長装置のメンテナンスサイ
クルが伸びて、装置の稼働率を向上させることができ
る。また、排気管の詰まりが招じないので、良好な結晶
膜を安定して成長させることができる。更には、装置の
メンテナンス回数が減り、オペレータの安全性が向上す
る。
【図１】実施形態例の気相成長装置の排気管に装着した
状態の堆積物脱離機構の構成を示す模式的部分断面図で
ある。
状態の堆積物脱離機構の構成を示す模式的部分断面図で
ある。
【図２】堆積物脱離機構の構成を示す斜視図である。
【図３】気相成長装置の構成を示す模式的透視斜視図で
ある。
ある。
【図４】堆積物の堆積状態を示す模式的断面図である。
１０……気相成長装置、１２……反応チャンバ、１４…
…基板ホルダ、１６……加熱ヒータ、１８……ガス供給
管、２０……排気管、２０ａ……垂下短管、２０ｂ……
分岐管、２０ｃ……水平短管、２０ｄ……延長管、２
２、２３……盲フランジ、３０……堆積物脱離機構、３
２……掻き落とし治具、３４……傘状部材、３６……回
転軸、３８……掻き取り刃、３９……刃、４０……軸支
部、４２……支持柱。
…基板ホルダ、１６……加熱ヒータ、１８……ガス供給
管、２０……排気管、２０ａ……垂下短管、２０ｂ……
分岐管、２０ｃ……水平短管、２０ｄ……延長管、２
２、２３……盲フランジ、３０……堆積物脱離機構、３
２……掻き落とし治具、３４……傘状部材、３６……回
転軸、３８……掻き取り刃、３９……刃、４０……軸支
部、４２……支持柱。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を上面に載置する基板ホルダと、基
板ホルダ上の基板を加熱する加熱ヒータとを内部に収容
し、かつ底部より下方に垂下する排気管を備える反応チ
ャンバを有し、基板ホルダ上に載置した基板を加熱しつ
つ反応チャンバに原料ガスを導入して、気相成長法によ
り基板上に薄膜を結晶成長させる気相成長装置におい
て、 排気管の管壁に付着、堆積した堆積物を掻き取り、脱離
させる掻き落とし治具を備えた堆積物脱離機構が、外部
から封止されて排気管内に設けられていることを特徴と
する気相成長装置。 - 【請求項２】 排気管が、反応チャンバから垂下する垂
下短管と、垂下短管から水平方向にＴ字状に分岐する２
本の分岐管と、Ｔ字状分岐部から垂下短管の延長方向に
延びる延長管とから構成され、２本の分岐管のうち１本
は真空ポンプに接続され、他方は短い水平短管であっ
て、端部は盲フランジで閉止されており、 堆積物脱離機構が、延長管を通って短管内に同心状に延
びる回転軸と、短管内の回転軸の回りに固定されたらせ
ん状の掻き取り刃、又は短管内の回転軸に沿って固定さ
れた帯状の掻き取り刃とを備えて、回転軸回りに回転す
る掻き落とし治具と、 延長管の下端に設けられ、掻き落とし治具の回転軸を軸
支し、封止する軸支部と、 回転軸を貫通し、かつ延長管の管壁に外周が接するよう
に延長管内に設けられた傘状の部材とを備えていること
を特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 排気管が、反応チャンバの底部から垂下
する垂下短管と、垂下短管から水平方向にＬ字状に曲が
る水平管と、Ｌ字状曲がり部から垂下短管の延長方向に
延びる延長管とから構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207708A JP2001035795A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207708A JP2001035795A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035795A true JP2001035795A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16544259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11207708A Pending JP2001035795A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001035795A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7879150B2 (en) | 2006-09-06 | 2011-02-01 | Denso Corporation | Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide |
| JP2011148669A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
| CN106191812A (zh) * | 2015-05-05 | 2016-12-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法 |
| KR20180089642A (ko) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 에스케이실트론 주식회사 | 잉곳 성장장치 |
| JP7042587B2 (ja) | 2017-11-13 | 2022-03-28 | 昭和電工株式会社 | 化学気相成長装置 |
-
1999
- 1999-07-22 JP JP11207708A patent/JP2001035795A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7879150B2 (en) | 2006-09-06 | 2011-02-01 | Denso Corporation | Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide |
| JP2011148669A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
| CN106191812A (zh) * | 2015-05-05 | 2016-12-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法 |
| CN106191812B (zh) * | 2015-05-05 | 2019-01-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法 |
| KR20180089642A (ko) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 에스케이실트론 주식회사 | 잉곳 성장장치 |
| KR102656097B1 (ko) * | 2017-02-01 | 2024-04-11 | 에스케이실트론 주식회사 | 잉곳 성장장치 |
| JP7042587B2 (ja) | 2017-11-13 | 2022-03-28 | 昭和電工株式会社 | 化学気相成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4989540A (en) | Apparatus for reaction treatment | |
| JP3553583B2 (ja) | 窒化物の気相成長装置 | |
| JP2001035795A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2008177187A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPH09235188A (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法および装置 | |
| JP2004349492A (ja) | 窒化物の気相成長装置 | |
| JP2649693B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4122613B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06338466A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2009059994A (ja) | エピタキシャル成長炉とその運転方法 | |
| JPH0529637B2 (ja) | ||
| JPH05217910A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPH1145858A (ja) | 化合物半導体気相成長装置および方法 | |
| JPS62230693A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2830629B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2000012469A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
| JPS6126217A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP6351447B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JPH07245265A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0235814Y2 (ja) | ||
| JPS63190327A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2003332240A (ja) | 珪素堆積膜の成膜装置のガスクリーニング方法 | |
| JPS63287015A (ja) | 化合物半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPH03232793A (ja) | 成長室のクリーニング方法 | |
| JPS59159526A (ja) | 気相成長装置 |