CN106191812B - 化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法。其中的化学气相沉积装置，包括：具有内部处理空间的反应室；与所述反应室的所述内部处理空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；具有排气通道的排气装置，所述排气装置包括一排气板，所述排气板上设置多个排气口；设置在所述排气口内、可转动的清洁片。利用上述装置或方法，可较简便地对排气口进行清洁，进而保证沉积过程的均匀性。

Description

化学气相沉积装置及清洁其排气口的方法

技术领域

本发明涉及化学气相沉积装置，还涉及对上述装置内的排气口实施清洁的方法。

背景技术

许多半导体器件通过在基片上进行处理而形成。基片通常为晶体材料的板。典型地，基片通过晶体材料的沉积而形成，且为圆盘的形式。用于形成这种基片的一个常见过程为外延生长。

例如，由半导体化合物，如Ⅲ-Ⅴ族半导体形成的器件，典型地应用金属有机化学气相沉积(或称“MOCVD”)通过生长半导体化合物的连续层而形成。在这个过程中，基片暴露至基片表面上方流动的气体组合物，同时基片保持在高温下，气体组合物通常包括作为Ⅲ族金属来源的金属有机化合物，还包括Ⅴ族元素的来源。典型地，金属有机化合物和Ⅴ族来源与在反应中不明显参与的载体气体，如氮气组合。Ⅲ-Ⅴ族半导体的一个示例为氮化镓，其可通过有机镓化合物和氨在如蓝宝石基片等的具有适当晶格间距的基片上反应而形成。在氮化镓及相关化合物的沉积过程中，基片的温度典型地保持在500℃至1100℃的数量级。

复合器件可通过在稍微不同的反应条件下、在基片的表面上连续沉积许多层而制造，例如，加入其他Ⅲ族或Ⅴ族元素，以改变半导体的晶体结构和带隙。例如在氮化镓基半导体中，铟、铝或二者都可以不同比例应用，用于改变半导体的带隙。同时，可加入P型或N型的掺杂物，以控制每层的导电性。在所有的半导体层都形成后，典型地，在适当的电触点已应用后，基片可切割成单独的器件。如发光二极管(LED)、激光器、及其他电子和光学器件等的器件可采用这种方式制造。

在典型的化学气相沉积过程中，大量基片保持在通常称为基片载体的元件上，使得每个基片的顶面都在基片载体的顶面上暴露。然后把基片载体放入反应室内，并保持在所需的温度，同时气体混合物从基片载体的表面流过。在处理过程中，载体上各基片的顶面上所有点保持均一条件是重要的。反应气体成分及基片表面温度的微小变化，都可使所生成半导体器件的性能产生不期望的改变。

例如，在沉积氮化铟镓层时，基片表面温度或反应气体成分的改变，将致使沉积层的成分和带隙的改变。因为铟具有相对高的气相压力，在基片的表面温度较高的那些区域，沉积层将具有较低比例的铟和较大的带隙。如果沉积层是LED结构的活性发光层，形成的LED所发射光波的波长也将改变。因此，在本领域中，在保持均一条件方面，之前已进行了相当大的努力。

在工业中已广泛接受的一种类型的CVD装置(即，化学气相沉积装置)，应用具有大量基片承载区域的大盘形式的晶片载体，每个基片承载区域适于承载一个基片。基片载体支撑在反应室内的转轴上，使得晶片载体的顶面上具有面向上朝着气体分配元件的基片暴露表面。当转轴旋转时，气体向下引导至基片载体的顶面上，并经顶面向基片载体外周流动。

通过位于基片载体底面下方通常为电阻加热元件的加热元件，基片载体保持在所需的高温。这些加热元件保持在高于基片表面所需温度的温度，而气体分配元件通常保持在低于所需反应温度的温度，从而防止气体过早发生反应。因此，热量从加热元件传递至基片载体的底面，并穿过基片载体向上流动至各单独的基片。

使用过的气体通过位于基片载体下方的排气孔从反应室内排出，排气孔围绕转轴的轴线分布，通常靠近反应室的外周。排气孔可具有限制进入每个孔的气体流动的特征，促进气体均匀流动至孔内。在常规的CVD反应器中，会在排气孔上形成反应物生成物的寄生沉积。这种寄生沉积可周期性地去除，使得反应物的流动可尽可能地保持均匀，从而提高基片表面上处理过程的均匀性。但是，这种去除通常需要停机、打开反应器，因此损失了生产时间。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种化学气相沉积装置，包括：

具有内部处理空间的反应室；

与所述反应室的所述内部处理空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；

具有排气通道的排气装置，所述排气装置包括一排气板，所述排气板上设置多个排气口；

设置在所述排气口内、可转动的清洁片。

可选的，所述清洁片的转动使得所述清洁片可在至少两个状态之间转换：(1)、正常排气状态；(2)、清洁状态；其中，所述排气口的内壁与所述清洁片之间的间隙在所述正常排气状态比在所述清洁状态更大。

可选的，所述清洁片在所述清洁状态能接触到所述排气口的内壁。

可选的，所述清洁片与所述排气口的形状相同或不同。

可选的，所述清洁片与所述排气口均为圆形。

可选的，还设置有连接杆，所述连接杆被所述清洁片所包裹，所述连接杆的两端自所述清洁片内伸出，并伸入至所述排气口的内壁；所述连接杆限定了所述清洁片转动的轴线。

可选的，所述连接杆穿过所述清洁片的中心。

可选的，所述连接杆偏离所述清洁片的中心。

可选的，所述连接杆固定安装或可转动地安装在所述排气口的内壁上。

可选的，所述连接杆固定安装在所述清洁片上，并可随所述清洁片一起转动。

可选的，所述清洁片与一电机相连接，所述清洁片转动的动力来自于所述电机。

可选的，还设置有可上下移动的反应室内衬，所述反应室内衬具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置；当反应室内衬处于关闭位置时，用于基片出入的基片进出口被反应室内衬遮盖；当反应室内衬处于打开位置时，基片进出口被露出。

可选的，所述反应室内衬带动所述清洁片转动。

可选的，自关闭位置向打开位置移动时，所述反应室内衬接触并带动所述清洁片转动至清洁状态以清洁排气口。

可选的，还设置有可直接与清洁片接触的接触部；所述反应室内衬自关闭位置向打开位置移动时，驱动所述接触部下移，从而带动清洁片转动。

可选的，所述接触部一体成型或者可拆卸地安装在所述反应室内衬。

可选的，所述接触部设置在清洁片上方；所述反应室内衬自关闭位置向打开位置移动一段距离后方可接触到所述接触部。

可选的，所述清洁片转动的动力来自于所述内部处理空间内外的气压差。

可选的，还包括泵，所述泵与排气通道连通，用于将内部处理空间的气体自排气通道抽出；所述内部处理空间内外的所述气压差由所述泵产生。

根据本发明的另一个方面，提供上述化学气相沉积装置的排气口的清洁方法，其包括：

转动设置在排气口内的清洁片，以清洁所述排气口内的累积物。

可选的，清洁排气口的步骤发生在于基片表面进行沉积操作的过程中。

可选的，清洁排气口的步骤发生在于基片表面进行沉积的工艺完成后或者于基片表面进行沉积的工艺开始前。

附图说明

图1是本发明一个实施例的化学气相沉积装置的结构示意图；

图2至图5是与图1中清洁片相关的元件的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明化学气相沉积装置及清洁方法进行说明。需强调的是，这里仅是示例型的阐述，不排除有其它利用本发明的实施方式。

图1是本发明一个实施例的化学气相沉积装置(具体为MOCVD装置)的结构示意图。如图1所示，化学气相沉积装置10包括具有进气装置14、排气装置17的反应室2，其中，进气装置14可设置在反应室2的顶部，排气装置17可设置在反应室2的底部。

反应室2具有位于顶端的顶壁22、位于底端的底壁24以及在顶壁22与底壁24之间延伸的圆筒形侧壁26。顶壁22、底壁24与侧壁26共同围成气密性的内部处理空间20，可容纳从进气装置14射出的气体。尽管所示的反应室2为圆筒形的，其他实施例也可包括具有其他形状的反应室，例如包括圆锥形或其他回转面，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

进气装置14与用于供应在基片处理过程中应用的处理气体的源头连接，处理气体如载体气体和反应气体，反应气体如金属有机化合物及V族金属元素的来源物质。在典型的化学气相沉积过程中，载体气体可为氮气、氢气或氮气和氢气的混合物，因此在基片载体顶面的处理气体可主要由氮气和/或氢气组成，并带有一些量的反应气体成分。进气装置14设置为接收各种气体并引导处理气体大致以向下的方向流动。

进气装置14还可与设置为液体循环通过气体分配元件的冷却系统连接，以使操作过程中元件的温度保持在所需的温度。另外，为了冷却反应室2的壁(包括顶壁22、底壁24与侧壁26)，可设置类似的冷却装置(未示出)。

反应室2还设置有用于基片移入移出的基片进出口30，以及紧邻侧壁26设置并可沿侧壁26方向进行上下移动的、呈环形的反应室内衬34。反应室内衬34具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置。基片处理完成后，可下移反应室内衬34(使其处于打开位置)，将基片进出口30暴露，进而可将基片自基片进出口30移出。下批次的待处理基片也可自基片进出口30移入。基片移入后，可上移反应室内衬34(使其处于关闭位置)，将基片进出口30遮盖，从而使内部处理空间20与基片进出口30分隔开。处于关闭位置时，由该反应室内衬34所界定出的区域呈对称的圆形，并且基片进出口30被“隐藏”在反应室内衬34后面因而不会与处理气体有接触，处理气体所能接触到的区域是由该反应室内衬34所界定出的圆形边界，其保证了整个处理环境的均匀性。用于控制和驱动反应室内衬34上下移动的驱动机构(未示出)可以是任意类型的驱动器，例如机械的、机电的、液压的或气动的驱动器。

尽管所示的反应室内衬34为圆筒形的，其他实施例可包括具有其他形状的反应室内衬，例如包括，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

反应室2还设置有可转动的转轴44、安装在转轴44顶端并可随转轴44转动的基片载体40、装载机构(未示出)以及加热元件46等。其中，转轴44与如电机驱动器等的旋转驱动机构(未示出)连接，设置为使转轴44绕其中心轴旋转。转轴44还可设有大致沿转轴的轴向延伸的内部冷却通道(未示出)。内部冷却通道可与冷却源连接，使得流体冷却剂可由冷却源穿过冷却通道并返回冷却源而循环。

基片载体40大体上呈圆盘状，可由不污染CVD过程且能承受该过程所经历温度的材料(如石墨、碳化硅或其他耐热材料)制成。基片载体40的上表面内设置有复数个大致为圆形的基片保持容纳部(未示出)，每个基片保持容纳部适于保持一个基片W。在一个示例中，基片载体40可具有约500毫米至约1000毫米的直径。

装载机构(未示出)能将基片载体40自基片进出口30移入反应室2内，并将基片载体40安装在转轴44顶端；还能使基片载体40与转轴44脱离，并自基片进出口30移出反应室2。

加热元件46设置在基片载体40下方，主要通过辐射传递热量至基片载体40的底面。施加至基片载体40底面的热量可向上流动穿过基片载体40传递至每个基片W的底面，并向上穿过基片W至其顶面。热量可从基片载体40的顶面与基片W的顶面辐射至反应室2的较冷元件，例如反应室2的侧壁26及进气装置14。热量还可从基片载体40的顶面与基片W的顶面传递至在这些表面上方流过的处理气体。反应室2还包括外衬套28，以减少处理气体向反应室内容纳加热元件46的区域的渗入。在示例性的实施例中，可在加热元件46下方设置隔热罩(未示出)，例如，设置为与基片载体40平行，以帮助引导热量从加热元件46向上朝基片载体40传递，而不是向下朝反应室2底端的底壁24传递。

排气装置17设置为从反应室2的内部处理空间20排放用过的气体(既包括反应生成的废气，也包括未来得及参加反应的部分气体)。排气装置17包括设置在反应室2底部或邻近底部的排气通道70，以及设置在反应室2外、与排气通道70连通用于提供气体流动动力的泵18或其它真空源。

所述排气通道70大体由顶板72、内侧板74、外侧板76以及底板78限定而成，其截面大体呈圆环形(该圆环形的中央空间用于容纳外衬套28及加热元件46等元件)。尽管所示排气通道70为圆筒形或环形，其他实施例可包括具有其他形状的排气通道70，例如包括，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

顶板72可为圆环形的薄板片，其上可开设有若干个排气口70a(由于顶板72上设置有排气口，因而其也可被称为排气板)。所述排气通道70与反应室2的内部处理空间20之间仅通过所述若干个排气口70a连通。也就是说，沉积反应过程中反应室2内的气体都要通过所述若干个排气口70a才能进入排气通道70而后排出。

内侧板74与外侧板76可为同心设置的圆筒状薄板。在具体实施过程中，所述排气通道70的内侧板74可以是单独设置的构件，也可以是设置在加热元件46外围的外衬套28的一部分；所述排气通道70的外侧板76可以是单独设置的构件，也可以是反应室2的侧壁26的一部分。同样的，所述排气通道70的底板78既可以是单独设置的构件，也直接以反应室2的底壁24(或底壁24的一部分)充当。

排气口70a具有相对小的开口尺寸〈图中所示排气口70a大体呈圆形，在一具体实施例中，它的直径可为约0.5"(英寸)至约0.75"(英寸)〉。排气口70a提供了一种低流体传导元件，其在反应室2的内部处理空间20与排气装置17的排气通道70之间制造流速限制，从而使反应室2内部反应物流动的均匀性增加。因为排气通道70内的流阻较小，通过所有排气口70a的气流大致是相等的。这样提供了进入沿反应室2外周的排气通道70的基本均匀的废气流。

在特定示例中，排气装置17可包括大约十个排气口70a，每个排气口70a的位置大约为彼此间隔36°。在其他实施例中，排气装置可包括任意数量的孔，每个孔的位置可彼此间隔任意距离。例如，可为6个、8个、12个、16个、20个、24个或32个孔，每个孔在排气装置17的顶面上等距地间隔开。

如图所示，排气装置17包括圆形的排气口70a。在其他实施例中，排气装置的排气口70a可为任意形状，例如包括，椭圆形、抛物线形、正方形、长方形、三角形、六角形、八角形、新月形、S型、长条形或环形等。也就是说，这里所说的排气口70a应作宽泛的理解，包括槽、渠、沟等。

在前述各实施例中，排气口70a设置在反应室2的底壁24或与底壁24平行的壁或板(如顶板72)上。在其它实施例中，排气口也可设置在侧壁26或与侧壁26平行的壁或板上。

在化学气相沉积装置10工作期间，使用排气装置17来提供流速限制可导致在排气口70a内及围绕排气口70a形成固体颗粒(如反应物的生成物)的寄生沉积。这种固体颗粒可使一些或所有孔的尺寸减小或完全堵塞，引起各排气口70a之间非均匀的流速，导致气流的不期望的改变，因此影响通过该化学气相沉积装置10形成的基片W的性能。一个或多个排气口70a的部分堵塞也可引起基片W的不均匀的生长速度。另外，自反应室2的侧壁26或其它区域处脱落的沉积物也可能引起各排气口70a的非均匀排气。

为了消除该排气流速不均的隐患，可在排气口70a设置可转动的清洁片6，如图2与图3所示。在正常排气过程中，清洁片6处于大体垂直于排气口70a的位置/状态(即，清洁片6的主表面61大致沿排气口70a的深度方向设置)(为方便描述，该位置或状态可称为正常排气位置或正常排气状态)，如图2所示，清洁片6与排气口70a的侧壁(也可称之为排气口70a的内壁)76之间保留较大的间隙，用以容许气体通过。

需要清洁排气口70a时，清洁片6可转动至一清洁位置/状态。在清洁位置/状态时，清洁片6更为接近(相较正常排气位置/状态而言)排气口70a的侧壁76，或者可直接接触到排气口70a的侧壁76。清洁片6与排气孔70a平行的位置或状态(更确切地讲，是清洁片6的主表面61与排气孔70a所在的顶板72平行)，如图3所示，可视为一个较佳的清洁位置/状态。假如随沉积的持续进行，排气口70a的侧壁76上已累积相当厚度的固体颗粒，那么，在转动至清洁位置/状态的过程中，或者说在清洁位置/状态时，清洁片6就可将侧壁76表面的固体颗粒(至少部分)刮除，从而保证排气口70a的畅通。即便侧壁76尚未累积或累积的固体颗粒不多，清洁片6的上述转动也可起到预防的作用。

理论上来讲，为能较大范围和程度地刮去附着于侧壁76的固体颗粒，清洁片6的尺寸和形状越接近于排气口70a越好，最好两者完全相同。为使清洁片6的尺寸能足够接近排气口70a、而又不影响转动，可在清洁片6的侧边缘处设置圆角结构63，如图4所示。在实际生产中，排气口70a的侧壁76上残留薄层的固体颗粒，几乎也不会对排气均匀性造成实质影响，因而，清洁片6的尺寸也没有必要过分接近排气口70a。以图2、图3中所示的圆形排气口和圆形清洁片为例，只要清洁片6的直径大于排气口70a直径的一半即可大致满足需求。

图中所给出的各实施例中，清洁片6与排气口70a的形状均为圆形。在其它实施例中，它们可为任意形状，例如包括，椭圆形、抛物线形、方形(正方形或长方形)、三角形、六角形、八角形、新月形、S型或长条形等。不仅如此，清洁片6与排气口70a的形状也不必完全相同，比如一为圆形一为方形，或者，一为方形一为三角形等，只要满足清洁片在排气口内转动时可刮去排气口侧壁上的沉积物即可。清洁片6既可以是实心结构，也可以是空心结构。

继续参照图2与图3，排气口70a内还设置有连接杆5。连接杆5被清洁片6所包裹，连接杆5的两端分别自清洁片6相对的两个侧边缘伸出，并伸入至排气口70a的侧壁76内，从而实现了清洁片6在排气口70a内的安装。连接杆5还限定了清洁片6转动的轴线。在其它实施例中，位于同一清洁片6内的连接杆5也可不是完整的一根，而是断裂的两截(每一截的一端被清洁片所包裹，另一端伸入排气口70a的侧壁76内；该两截整体位于同一直线〈即该转动的轴线〉上)。

图中实施例中，连接杆5或者说转动的轴线穿过清洁片6的中心(也可称之为圆心)。它的优点是清洁片6可绕着连接杆5在排气口70a内实现360度的转动。在其它实施例中，连接杆5可偏离中心设置(即，转动的轴线不穿过清洁片6的中心)。偏心设置的连接杆5虽不能实现360度的全方位转动，但它对排气口70a的清洁作用不会有任何削弱。该偏心设计的一个好处是，重心的偏离使得清洁片6保持或趋向于某一状态。

连接杆5可以固定的方式(包括一体成型的方式)安装在排气口70a上，也就是说，连接杆5无法相对排气口70a转动。与此相适应，清洁片6须以可动的方式安装在连接杆5上；这样，在清洁片6转动时，连接杆5保持静止。当然，在其它实施方式中，连接杆5也可以可转动的方式安装在排气口70a上。具体的，排气口70a的侧壁76上可开设一对相对的安装孔(未图示)，连接杆5的两端可分别容置在该对安装孔内，并可在该对安装孔内转动。与此相适应，清洁片6须以固定的方式(包括一体成型的方式)安装在连接杆5上；这样，清洁片6转动时，连接杆5随其一起转动。

清洁片6转动的动力可来自于单独设置的电机(未图示)。比如，该电机可以通过驱动连接杆5从而带动清洁片6转动(这要求清洁片6与驱动连接杆5之间为固定连接，这样，连接杆5的转动可带动清洁片6)。

为实现较佳的清洁效果，可控制该电机在沉积反应过程中持续不间断地驱动清洁片6转动，这样，由于高频率的清洁动作，排气口70a的侧壁76上几乎不会有厚的固体颗粒残留。

另外，也可根据固体颗粒在侧壁76上累积的速度，来设定该电机的工作频度。举例而言，假如在某一沉积过程中，通常要经历一段时间T(比如，二十三分钟)后，排气口70a的侧壁76上才会累积一定厚度的固体颗粒(该厚度的固体颗粒已可一定程度上影响到排气的均匀性)，那么，就可设定该电机每休息一段时间t(t小于等于T)后，带动清洁片6转动一次或转动十秒。

不仅如此，也可通过监测排气口70a的气体畅通程度来确定是否启动对应的电机以带动其内的清洁片6对其进行清洁。比如，可设置多个气压传感器(未图示)以监测多个排气口70a处的气压，当某处的气压传感器测得值明显大于其它处时，可启动对应的电机以带动该处排气口70a内的清洁片对其清洁。

清洁片6转动的动力也可来自于上方的反应室内衬34。比如，可在反应室内衬34的下方设置多个接触部346，用于直接压迫清洁片6转动以实现清洁，如图5所示。每一排气口70a上方均对应设置一个接触部346。接触部346既可以是反应室内衬34的一部分(比如，以一体成型的方式形成在反应室内衬34上)，也可以是独立的部件(比如，以可拆卸的方式安装在反应室内衬34上)。一批基片加工完成后，通常需要下移反应室内衬34以将该批基片自反应室2移出。反应室内衬34下移时，接触部346可随其下移；下移的过程中，接触部346可接触到清洁片6并压迫清洁片6转动从而完成对排气口70a侧壁76的清洁。在一些实施例中，接触部甚至可不必安装在反应室内衬34上。比如，接触部可设置在排气口70a上方，反应室内衬34只有下移一段路程后才可接触到该接触部；之后，反应室内衬34的继续下移才会带动该接触部下移，并使得该接触部带动清洁片6转动。

清洁片6转动的原动力也可来自于反应室2内外的气压差。在沉积过程中，需要不断通入处理气体至反应室2，而排气通道70被泵18抽气，这就使得反应室2内的气压明显超出排气通道70，使得内部处理空间20内的气体有向外流出的趋势。欲外流的气体会迫使清洁片6自清洁位置/状态转动至正常排气状态位置/状态。上述转动的过程同样可实现清洁的作用。

说明一点，类似的清洁片6也可设置在除上述MOCVD装置之外的其它化学气相沉积装置，如等离子体化学气相沉积装置等，同样可很好地用于去除它们排气通道特别是排气口中已累积的固体颗粒、沉积物，或者预防固体颗粒、沉积物等在排气通道中的累积。

利用前述各实施例中的装置进行基片处理方法，通常包括：清洁步骤，即，转动设置在排气通道内的清洁片，以清洁所述排气通道。其中，该清洁步骤既可发生在处理基片(如沉积或刻蚀)的过程中，也可发生在基片处理完成后或基片处理开始前。该清洁片转动的动力来自于电机、反应室内衬或反应室内部处理空间内外的气压差。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (21)

1.一种化学气相沉积装置，包括：

具有内部处理空间的反应室；

与所述反应室的所述内部处理空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；

具有排气通道的排气装置，所述排气装置包括一排气板，所述排气板上设置多个排气口；

设置在所述排气口内、可转动的清洁片；其中，所述清洁片的转动使得所述清洁片可在至少两个状态之间转换：(1)、正常排气状态；(2)、清洁状态；其中，所述排气口的内壁与所述清洁片之间的间隙在所述正常排气状态比在所述清洁状态更大。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述清洁片在所述清洁状态能接触到所述排气口的内壁。

3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述清洁片与所述排气口的形状相同或不同。

4.如权利要求3所述的化学气相沉积装置，其中，所述清洁片与所述排气口均为圆形。

5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，还设置有连接杆，所述连接杆被所述清洁片所包裹，所述连接杆的两端自所述清洁片内伸出，并伸入至所述排气口的内壁；所述连接杆限定了所述清洁片转动的轴线。

6.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其中，所述连接杆穿过所述清洁片的中心。

7.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其中，所述连接杆偏离所述清洁片的中心。

8.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其中，所述连接杆固定安装或可转动地安装在所述排气口的内壁上。

9.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其中，所述连接杆固定安装在所述清洁片上，并可随所述清洁片一起转动。

10.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述清洁片与一电机相连接，所述清洁片转动的动力来自于所述电机。

11.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，还设置有可上下移动的反应室内衬，所述反应室内衬具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置；当反应室内衬处于关闭位置时，用于基片出入的基片进出口被反应室内衬遮盖；当反应室内衬处于打开位置时，基片进出口被露出。

12.如权利要求11所述的化学气相沉积装置，其中，所述反应室内衬带动所述清洁片转动。

13.如权利要求12所述的化学气相沉积装置，其中，自关闭位置向打开位置移动时，所述反应室内衬接触并带动所述清洁片转动至清洁状态以清洁排气口。

14.如权利要求12所述的化学气相沉积装置，还设置有可直接与清洁片接触的接触部；所述反应室内衬自关闭位置向打开位置移动时，驱动所述接触部下移，从而带动清洁片转动。

15.如权利要求14所述的化学气相沉积装置，其中，所述接触部一体成型或者可拆卸地安装在所述反应室内衬。

16.如权利要求14所述的化学气相沉积装置，其中，所述接触部设置在清洁片上方；所述反应室内衬自关闭位置向打开位置移动一段距离后方可接触到所述接触部。

17.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述清洁片转动的动力来自于所述内部处理空间内外的气压差。

18.如权利要求17所述的化学气相沉积装置，还包括泵，所述泵与排气通道连通，用于将内部处理空间的气体自排气通道抽出；所述内部处理空间内外的所述气压差由所述泵产生。

19.化学气相沉积装置的排气口的清洁方法，其中，所述化学气相沉积装置如权利要求1至18任一项所述；所述清洁方法，包括：

转动设置在排气口内的清洁片，以清洁所述排气口内的累积物。

20.如权利要求19所述的清洁方法，其中，清洁排气口的步骤发生在于基片表面进行沉积操作的过程中。

21.如权利要求19所述的清洁方法，其中，清洁排气口的步骤发生在于基片表面进行沉积的工艺完成后或者于基片表面进行沉积的工艺开始前。