CN105986242B - 化学气相沉积装置与基片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供化学气相沉积装置与基片处理方法。其中的化学气相沉积装置，包括：具有内部空间的反应室；与所述反应室的所述内部空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；具有排气通道的排气装置；可上下移动的清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部；弹性元件，位于支持部与排气装置之间。利用上述装置或方法，可较简便地对排气装置的排气通道进行清洁，进而保证沉积的均匀性。

Description

化学气相沉积装置与基片处理方法

技术领域

本发明涉及半导体加工设备及方法，尤其涉及对上述设备的排气装置和方法的改善。

背景技术

许多半导体器件通过在基片上进行处理而形成。基片通常为晶体材料的板。典型地，基片通过晶体材料的沉积而形成，且为圆盘的形式。用于形成这种基片的一个常见过程为外延生长。

例如，由半导体化合物，如Ⅲ-Ⅴ族半导体形成的器件，典型地应用金属有机化学气相沉积(或称“MOCVD”)通过生长半导体化合物的连续层而形成。在这个过程中，基片暴露至基片表面上方流动的气体组合物，同时基片保持在高温下，气体组合物通常包括作为Ⅲ族金属来源的金属有机化合物，还包括Ⅴ族元素的来源。典型地，金属有机化合物和Ⅴ族来源与在反应中不明显参与的载体气体，如氮气组合。Ⅲ-Ⅴ族半导体的一个示例为氮化镓，其可通过有机镓化合物和氨在如蓝宝石基片等的具有适当晶格间距的基片上反应而形成。在氮化镓及相关化合物的沉积过程中，基片的温度典型地保持在500℃至1100℃的数量级。

复合器件可通过在稍微不同的反应条件下、在基片的表面上连续沉积许多层而制造，例如，加入其他Ⅲ族或Ⅴ族元素，以改变半导体的晶体结构和带隙。例如在氮化镓基半导体中，铟、铝或二者都可以不同比例应用，用于改变半导体的带隙。同时，可加入P型或N型的掺杂物，以控制每层的导电性。在所有的半导体层都形成后，典型地，在适当的电触点已应用后，基片可切割成单独的器件。如发光二极管(LED)、激光器、及其他电子和光学器件等的器件可采用这种方式制造。

在典型的化学气相沉积过程中，大量基片保持在通常称为基片载体的元件上，使得每个基片的顶面都在基片载体的顶面上暴露。然后把基片载体放入反应室内，并保持在所需的温度，同时气体混合物从基片载体的表面流过。在处理过程中，载体上各基片的顶面上所有点保持均一条件是重要的。反应气体成分及基片表面温度的微小变化，都可使所生成半导体器件的性能产生不期望的改变。

例如，在沉积氮化铟镓层时，基片表面温度或反应气体成分的改变，将致使沉积层的成分和带隙的改变。因为铟具有相对高的气相压力，在基片的表面温度较高的那些区域，沉积层将具有较低比例的铟和较大的带隙。如果沉积层是LED结构的活性发光层，形成的LED所发射光波的波长也将改变。因此，在本领域中，在保持均一条件方面，之前已进行了相当大的努力。

在工业中已广泛接受的一种类型的CVD装置(即，化学气相沉积装置)，应用具有大量基片承载区域的大盘形式的晶片载体，每个基片承载区域适于承载一个基片。基片载体支撑在反应室内的转轴上，使得晶片载体的顶面上具有面向上朝着气体分配元件的基片暴露表面。当转轴旋转时，气体向下引导至基片载体的顶面上，并经顶面向基片载体外周流动。

通过位于基片载体底面下方通常为电阻加热元件的加热元件，基片载体保持在所需的高温。这些加热元件保持在高于基片表面所需温度的温度，而气体分配元件通常保持在低于所需反应温度的温度，从而防止气体过早发生反应。因此，热量从加热元件传递至基片载体的底面，并穿过基片载体向上流动至各单独的基片。

使用过的气体通过位于基片载体下方的排气孔从反应室内排出，排气孔围绕转轴的轴线分布，通常靠近反应室的外周。排气孔可具有限制进入每个孔的气体流动的特征，促进气体均匀流动至孔内。在常规的CVD反应器中，会在排气孔上形成反应物生成物的寄生沉积。这种寄生沉积可周期性地去除，使得反应物的流动可尽可能地保持均匀，从而提高基片表面上处理过程的均匀性。但是，这种去除通常需要拆解反应器，因此损失了生产时间。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种化学气相沉积装置，包括：

具有内部空间的反应室；

与所述反应室的所述内部空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；

具有排气通道的排气装置；

可上下移动的清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部；

弹性元件，位于支持部与排气装置之间，所述弹性元件与所述清洁元件可联动。

可选的，还包括位于清洁元件上方并可上下移动的反应室内衬，当反应室内衬上下移动时，所述清洁元件相应地上下移动。

可选的，所述反应室内衬具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置；当反应室内衬处于关闭位置时，用于基片出入的基片进出口被反应室内衬遮盖；当反应室内衬处于打开位置时，基片进出口被露出。

可选的，所述清洁元件具有沉积位置和清洁位置；当反应室内衬处于关闭位置时，清洁元件处于沉积位置；当反应室内衬处于打开位置时，清洁元件处于清洁位置。

可选的，所述支持部为容许气体穿过的镂空结构。

可选的，所述排气通道包括多个孔或槽，对应的，所述清洁部的数目为多个。

可选的，所述支持部包括环形部及连接在环形部的多个连接部，相邻的连接部之间存在允许气体通过的空隙；

所述清洁部的一端连接在所述连接部上，另一端指向所述排气通道的所述孔或槽；

所述弹性元件接触所述环形部的下表面。

可选的，所述支持部还包括与所述环形部同心设置的另一环形部，所述连接部的两端分别连接在该两个环形部上。

可选的，该两个环形部与所述多个连接部设置在同一平面内。

可选的，所述支持部面向所述排气通道的表面上设置有具有凹凸不平表面的粉碎部。

可选的，所述粉碎部为锯齿形或方形的多个凸块。

可选的，所述清洁部包括清洁杆和设置在清洁杆上的至少一个刮擦结构。

可选的，所述排气通道的所述孔呈圆形，所述刮擦结构为环绕所述清洁杆的尖锥形结构。

可选的，所述支持部与所述清洁部为一体形成。

可选的，所述支持部与所述排气装置的其中一个设置有定位孔，另一个设置有与所述定位孔相匹配的定位柱。

可选的，所述弹性元件包括弹簧，所述弹簧嵌套在所述定位柱上。

可选的，所述清洁部的一部分在沉积过程中位于所述排气通道内。

根据本发明的另一个方面，提供一种基片处理方法，包括：

对反应室内的基片进行沉积处理；

在所述反应室内提供一清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部，所述清洁部的一端对应指向所述排气装置的排气通道；

向下移动清洁元件，使清洁元件的清洁部至少部分插入所述排气装置的排气通道，以清洁所述排气通道；

在所述支持部与排气装置之间提供一弹性元件，所述弹性元件迫使清洁元件向上移动至一位置。

可选的，在反应室内位于清洁元件上方设置一可上下移动的反应室内衬；当所述反应室内衬向下移动时，所述反应室内衬下压所述清洁元件的支持部以带动所述清洁部相应下移；当所述反应室内衬向上移动时，所述反应室内衬不下压所述支持部，所述清洁部在所述弹性元件的作用下上移至所述位置。

可选地，在所述位置下，所述清洁部离开所述排气装置的排气通道。

可选地，在所述位置下，所述清洁部仍有一部分位于排气通道内。

可选地，在所述支持部面向所述排气通道的表面上设置有具有凹凸不平表面的粉碎部，当向下移动清洁元件时，所述粉碎部挤压位于所述排气通道的表面上沉积物。

可选地，所述清洁部包括清洁杆和设置在清洁杆上的至少一个刮擦结构。

附图说明

图1是本发明一个实施例的化学气相沉积装置的结构示意图；

图2是图1中支持部的俯视图；

图3是可匹配应用的清洁元件与排气通道的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明化学气相沉积装置及方法进行说明。需强调的是，这里仅是示例型的阐述，不排除有其它利用本发明的实施方式。

图1是本发明一个实施例的化学气相沉积装置的结构示意图。如图1所示，化学气相沉积装置10包括具有进气装置14、排气装置17的反应室2，其中，进气装置14可设置在反应室2的顶部，排气装置17可设置在反应室2的底部。

反应室2具有位于顶端的顶壁22、位于底端的底壁24以及在顶壁22与底壁24之间延伸的圆筒形侧壁26。顶壁22、底壁24与侧壁26共同围成气密性的内部空间20，可容纳从进气装置14射出的气体。尽管所示的反应室2为圆筒形的，其他实施例也可包括具有其他形状的反应室，例如包括圆锥形或其他回转面，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

进气装置14与用于供应在基片处理过程中应用的处理气体的源头连接，处理气体如载体气体和反应气体，反应气体如金属有机化合物及V族金属元素的来源物质。在典型的化学气相沉积过程中，载体气体可为氮气、氢气或氮气和氢气的混合物，因此在基片载体顶面的处理气体可主要由氮气和/或氢气组成，并带有一些量的反应气体成分。进气装置14设置为接收各种气体并引导处理气体大致以向下的方向流动。

进气装置14还可与设置为液体循环通过气体分配元件的冷却系统连接，以使操作过程中元件的温度保持在所需的温度。另外，为了冷却反应室2的壁(包括顶壁22、底壁24与侧壁26)，可设置类似的冷却装置(未示出)。

反应室2还设置有用于基片移入移出的基片进出口30，以及紧邻侧壁26设置并可沿侧壁26方向进行上下移动的、呈环形的反应室内衬34。反应室内衬34具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置。基片处理完成后，可下移反应室内衬34(使其处于打开位置)，将基片进出口30暴露，进而可将基片自基片进出口30移出。下批次的待处理基片也可自基片进出口30移入。基片移入后，可上移反应室内衬34(使其处于关闭位置)，将基片进出口30遮盖，从而使内部空间20与基片进出口30分隔开。处于关闭位置时，由该反应室内衬34所界定出的区域呈对称的圆形，并且基片进出口30被“隐藏”在反应室内衬34后面因而不会与处理气体有接触，处理气体所能接触到的区域是由该反应室内衬34所界定出的圆形边界，其保证了整个处理环境的均匀性。用于控制和驱动反应室内衬34上下移动的驱动机构(未示出)可以是任意类型的驱动器，例如机械的、机电的、液压的或气动的驱动器。

尽管所示的反应室内衬34为圆筒形的，其他实施例可包括具有其他形状的反应室内衬，例如包括，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

反应室2还设置有可转动的转轴44、安装在转轴44顶端并可随转轴44转动的基片载体40、装载机构(未示出)以及加热元件46等。其中，转轴44与如电机驱动器等的旋转驱动机构(未示出)连接，设置为使转轴44绕其中心轴旋转。转轴44还可设有大致沿转轴的轴向延伸的内部冷却通道(未示出)。内部冷却通道可与冷却源连接，使得流体冷却剂可由冷却源穿过冷却通道并返回冷却源而循环。

基片载体40大体上呈圆盘状，可由不污染CVD过程且能承受该过程所经历温度的材料(如石墨、碳化硅或其他耐热材料)制成。基片载体40的上表面内设置有复数个大致为圆形的基片保持容纳部(未示出)，每个基片保持容纳部适于保持一个基片W。在一个示例中，基片载体40可具有约500毫米至约1000毫米的直径。

装载机构(未示出)能将基片载体40自基片进出口30移入反应室2内，并将基片载体40安装在转轴44顶端；还能使基片载体40与转轴44脱离，并自基片进出口30移出反应室2。

加热元件46设置在基片载体40下方，主要通过辐射传递热量至基片载体40的底面。施加至基片载体40底面的热量可向上流动穿过基片载体40传递至每个基片W的底面，并向上穿过基片W至其顶面。热量可从基片载体40的顶面与基片W的顶面辐射至反应室2的较冷元件，例如反应室2的侧壁26及进气装置14。热量还可从基片载体40的顶面与基片W的顶面传递至在这些表面上方流过的处理气体。反应室2还包括外衬套28，以减少处理气体向反应室内容纳加热元件46的区域的渗入。在示例性的实施例中，可在加热元件46下方设置隔热罩(未示出)，例如，设置为与基片载体40平行，以帮助引导热量从加热元件46向上朝基片载体40传递，而不是向下朝反应室2底端的底壁24传递。

排气装置17设置为从反应室2的内部空间20排放用过的气体(既包括反应生成的废气，也包括未来得及参加反应的部分气体)。排气装置17包括设置在反应室2底部或邻近底部的排气通道70，以及设置在反应室2外、与排气通道70连通用于提供气体流动动力的泵18或其它真空源。

所述排气通道70大体由顶板72、内侧板74、外侧板76以及底板78限定而成，其截面大体呈圆环形(该圆环形的中央空间用于容纳外衬套28及加热元件46等元件)。尽管所示排气通道70为圆筒形或环形，其他实施例可包括具有其他形状的排气通道70，例如包括，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

顶板72可为圆环形的薄板片，其上可开设有若干个孔70a。所述排气通道70与反应室2的内部空间20之间仅通过所述若干个孔70a连通。也就是说，沉积反应过程中反应室2内的气体都要通过所述若干个孔70a才能进入排气通道70而后排出。

内侧板74与外侧板76可为同心设置的圆筒状薄板。在具体实施过程中，所述排气通道70的内侧板74可以是单独设置的构件，也可以是设置在加热元件46外围的外衬套28的一部分；所述排气通道70的外侧板76可以是单独设置的构件，也可以是反应室2的侧壁26的一部分。同样的，所述排气通道70的底板78既可以是单独设置的构件，也直接以反应室2的底壁24(或底壁24的一部分)充当。

孔70a具有相对小的直径，例如约0.5"(英寸)至约0.75"(英寸)。孔70a提供了一种低流体传导元件，其在反应室2的内部空间20与排气装置17的排气通道70之间制造流速限制，从而使反应室2内部反应物流动的均匀性增加。因为排气通道70内的流阻较小，通过所有孔70a的气流大致是相等的。这样提供了进入沿反应室2外周的排气通道70的基本均匀的废气流。

在特定示例中，排气装置17可包括大约十个孔70a，每个孔70a的位置大约为彼此间隔36°。在其他实施例中，排气装置可包括任意数量的孔，每个孔的位置可彼此间隔任意距离。例如，可为6个、8个、12个、16个、20个、24个或32个孔，每个孔在排气装置17的顶面上等距地间隔开。

如图所示，排气装置17包括圆形的孔70a。在其他实施例中，排气装置的孔70a可为任意形状，例如包括，椭圆形、抛物线形、正方形、长方形、三角形、六角形、八角形、新月形、S型、长条形或环形等。也就是说，这里所说的孔70a应作宽泛的理解，包括槽、渠、沟等。

在化学气相沉积装置10工作期间，使用排气装置17来提供流速限制可导致在孔70a内及围绕孔70a形成固体颗粒(如反应物的生成物)的寄生沉积。这种固体颗粒可使一些或所有孔的尺寸减小或完全堵塞，引起各孔70a之间非均匀的流速，导致气流的不期望的改变，因此影响通过该化学气相沉积装置10形成的基片W的性能。一个或多个孔70a的部分堵塞也可引起基片W的不均匀的生长速度。

化学气相沉积装置10还包括用于清洁排气通道70所述孔70a的清洁元件6，以及用于弹性支撑清洁元件6从而使得清洁元件6具有上下移动空间的弹性元件5。可上下移动的清洁元件6具有沉积位置(此时清洁元件6处于较靠上的位置，尤其是最靠上的位置)与清洁位置(此时清洁元件6处于较靠下的位置并直接接触、清洁孔70a的内壁)，该两个位置分别对应于化学气相沉积装置10的沉积过程和用于清洁排气通道70的清洁过程。清洁元件6设置在反应室内衬34下方，包括多个清洁部64，以及设置在排气装置17上方(主要是孔70a上方)、用于安装、连接清洁部64的支持部62，清洁部64位于支持部62与排气装置17之间。弹性元件5位于支持部62与排气装置17之间(更具体的，是位于支持部62与排气通道70的顶板72之间)。

反应室内衬34下移的过程中，其下缘340可接触到清洁元件6的支持部62，从而带动清洁元件6向下移动。随反应室内衬34下移时，清洁部64的至少一部分进入孔70a并与孔70a的内壁接触摩擦，从而将孔70a内的固体颗粒刮掉，完成对孔70a的清洁。清洁完成、反应室内衬34上移时，下方的弹性元件5会迫使清洁部64自孔70a内退出，使得孔70a不再被清洁部64堵塞，从而重新容许气体的排出。

图2是图1中支持部62的俯视图。请结合图1与图2所示，所述支持部62包括环形部621以及连接在环形部621上的多个呈杆状的连接部623，相邻的连接部623之间存在允许气体通过的空隙G。所述清洁部64的一端连接在所述连接部623上，另一端指向所述排气通道70的所述孔70a。所述弹性元件5的上端可直接接触所述环形部621或连接部623的下表面。

为进一步增强支持部62的刚度，防止其在外力作用下发生变形，所述支持部62还可包括与所述环形部621同心设置的另一环形部625，所述连接部623的两端分别连接在该两个环形部621与625上。另外，为方便加工，该两个环形部621与625以及所述多个连接部623可大致设置在同一平面内。

在图中给出的实施例中，两个环形部621与625以及多个连接部623为一体形成。在其它实施例中，它们两两之间的连接也可以其它方式实现，如可拆卸式。

所述支持部62面对所述排气通道70的表面(即下表面)上可设置有粉碎部626，请结合图3所示，该粉碎部626可为锯齿形或方形或其它形状的多个凸块。粉碎部626在随整个清洁元件6下移的过程中，可接触并碾压排气通道70的顶板72，如果顶板72上附着有自其它处掉落的大片沉积物，则该碾压可将其粉碎为小块，使其能顺利通过孔70a，从而消除可能的隐患。

前述支持部的具体实现结构不受前述实施例的限制，例如，其可不设置如图所示的环形部621，其直接与清洁部64连接的连接部623的形状也可不必为杆状，等等。一般而言，任何可容许气体穿过的构件(如镂空结构)，只要其具备一定的刚度使其能够承受合适的压力而不受损，理论上都可被考虑作为这里的支持部。

所述清洁部64包括清洁杆640和设置在清洁杆640顶端的刮擦结构644。所述刮擦结构644与所述排气通道70的所述孔70a的形状相匹配，这样，在随清洁杆640移动时，所述刮擦结构644可实现对所述排气通道70的清洁。在所示实施例中，所述刮擦结构644为顶端窄、后端宽的锥形凸块(或称尖锥形结构)。在其它实施例中，刮擦结构的形状也可为圆柱、圆台等。不仅如此，也可以其它常用的清洁结构，如带软毛或硬毛的刷子等，代替这里的刮擦结构644。

为加强清洁效果，同一个清洁杆640上可串设多个刮擦结构644。每个刮擦结构644的末端可设置一个三角形的退出结构645，该退出结构645在清洁杆640上移过程中可方便刮擦结构644自所述孔70a内退出。

在其它实施例中，顶板72上可设置呈环形的单个槽(未图示)，以取代多个孔70a结构。相应的，沉积过程中反应室2内的气体均要通过所述槽进入排气通道70。

为实现对该槽的清洁，与其对应的清洁元件(未图示)的支持部与清洁部可均呈环形，所述清洁部的一端连接在所述支持部，另一端指向所述排气通道70的所述槽；所述弹性元件5接触所述支持部的下表面。与前述清洁元件6的配置类似，用于该槽的清洁元件的支持部与清洁部之间既可以是一体形成，也可以是以可拆卸方式组装。较佳的，所述清洁部的形状可为上宽下窄的渐变结构，或称楔形结构。

在所示实施例中，所述弹性元件5既可以是常用的耐高温弹簧结构，也可以是弹性垫或其它弹性结构。为避免上下移动过程中清洁元件6在水平方向上的移位或摆动，可设置相互匹配的定位柱726与定位孔6237，如图3所示。作为一种实施方式，定位柱726可一体形成在顶板72上(也可以其它方式连接在顶板72上)，定位柱726的上端指向清洁元件6的支持部62；对应的，与定位柱726相匹配的定位孔6237可成型于支持部62(具体可在连接部623)上。清洁元件6上下移动的过程中，定位柱726自始至终收容在定位孔6237内，因而清洁元件6几乎不会发生水平方向上的偏移。作为一种更佳的实施方式，作为弹性元件5的弹簧可嵌套在定位柱726上。

除了孔70a或槽内自生长的固体颗粒外，发明人还发现，沉积过程中自侧壁26或其他部位脱落的大片沉积物，也是造成排气通道70的孔或槽堵塞、进而导致工艺结构不均匀的另一重要原因。因而，作为一种更优的实施方式，在沉积过程中(此时，清洁元件6处于未受到反应室内衬34下压作用时的沉积位置)，使清洁元件6的清洁部64的至少一部分伸入或者位于排气通道70的孔或槽内或贯穿排气通道的孔或槽，但不会完全阻碍气体自孔70a或槽排出，如图3所示。这样，在沉积过程中，即便有较大的片状沉积物自反应室2侧壁26或其它部位脱落，因为有清洁部64在孔70a或槽处的遮挡作用，该大的脱落沉积物无法直接进入并堵塞孔70a或槽，因而有效地保证了反应室内排气的均匀性。

利用上述装置进行化学气相沉积的方法主要包括清洁排气通道步骤与沉积步骤，这两个步骤可以是依次交错进行的，即每进行完一次沉积步骤，就紧接着执行一个清洁排气通道步骤；也可以是连续进行多道沉积步骤后，才执行一次清洁排气通道步骤。即，执行清洁排气通道步骤的频率可根据实际需要设置。

以已执行完一次沉积步骤后需立刻执行清洁排气通道步骤为例。首先，执行清洁排气通道步骤，即，下移反应室内衬34，露出原被反应室内衬34遮盖的基片进出口30，反应室内衬34下移的过程中，带动清洁元件6下移，以清洁排气装置17的排气通道70，其中，所述清洁元件6包括设置于排气装置17上方的支持部62以及位于支持部62与排气装置17之间的清洁部64。执行清洁排气通道步骤的同时或之后，自基片进出口30移出已经沉积处理的基片，移入待处理的基片。

而后，继续执行沉积步骤，即：上移反应室内衬34，重新遮盖基片进出口30，反应室内衬34上移的过程中，弹性元件5迫使清洁元件6上移使其至少部分远离排气装置17的排气通道70，其中，所述弹性元件5位于支持部62与排气装置17之间；而后，对待处理的基片进行沉积处理，以在其表面形成薄膜。

在前述的各实施例中，带动清洁元件6上下移动的部件是反应室内衬34。在其它实施例中，可设置单独的驱动机构用于带动清洁元件6的上下移动。另外，在前述的各实施例中，总是清洁元件6的上下移动带动弹性元件5的伸缩。在其它实施例中，可由驱动机构直接驱动弹性元件5的伸缩，进而由弹性元件5带动清洁元件6上下移动。作为一种实施方式，可以电磁铁作为驱动机构。该电磁铁未通电流时，清洁元件6处于一个位置(比如，最靠下的清洁位置)；通电后电磁铁会促使清洁元件6向另一个位置(比如，最靠上的沉积位置)运动并使它停留在该另一个位置。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (23)

1.化学气相沉积装置，包括：

具有内部空间的反应室；

与所述内部空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；

具有排气通道的排气装置；

可上下移动的清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部；

弹性元件，位于支持部与排气装置之间，所述弹性元件与所述清洁元件可联动。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：还包括位于清洁元件上方并可上下移动的反应室内衬，当反应室内衬上下移动时，所述清洁元件相应地上下移动。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述反应室内衬具有位于上方的关闭位置和位于下方的打开位置；当反应室内衬处于关闭位置时，用于基片出入的基片进出口被反应室内衬遮盖；当反应室内衬处于打开位置时，基片进出口被露出。

4.如权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述清洁元件具有沉积位置和清洁位置；当反应室内衬处于关闭位置时，清洁元件处于沉积位置；当反应室内衬处于打开位置时，清洁元件处于清洁位置。

5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部为容许气体穿过的镂空结构。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气通道包括多个孔或槽，对应的，所述清洁部的数目为多个。

7.如权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部包括环形部及连接在环形部的多个连接部，相邻的连接部之间存在允许气体通过的空隙；

所述清洁部的一端连接在所述连接部上，另一端指向所述排气通道的所述孔或槽；

所述弹性元件接触所述环形部的下表面。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部还包括与所述环形部同心设置的另一环形部，所述连接部的两端分别连接在所述环形部和所述另一环形部上。

9.如权利要求8所述的化学气相沉积装置，其特征在于：该两个环形部与所述多个连接部设置在同一平面内。

10.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部面向所述排气通道的表面上设置有具有凹凸不平表面的粉碎部。

11.如权利要求10所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述粉碎部为锯齿形或方形的多个凸块。

12.如权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述清洁部包括清洁杆和设置在清洁杆上的至少一个刮擦结构。

13.如权利要求12所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气通道的所述多个孔呈圆形，所述刮擦结构为环绕所述清洁杆的尖锥形结构。

14.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部与所述清洁部为一体形成。

15.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述支持部与所述排气装置的其中一个设置有定位孔，另一个设置有与所述定位孔相匹配的定位柱。

16.如权利要求15所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述弹性元件包括弹簧，所述弹簧嵌套在所述定位柱上。

17.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述清洁部的一部分在沉积过程中位于所述排气通道内。

18.基片处理方法，包括：

对反应室内的基片进行沉积处理；

在所述反应室内提供一清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部，所述清洁部的一端对应指向所述排气装置的排气通道；

向下移动清洁元件，使清洁元件的清洁部至少部分插入所述排气装置的排气通道，以清洁所述排气通道；

在所述支持部与排气装置之间提供一弹性元件，所述弹性元件迫使清洁元件向上移动至一位置。

19.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：在反应室内位于清洁元件上方设置一可上下移动的反应室内衬；当所述反应室内衬向下移动时，所述反应室内衬下压所述清洁元件的支持部以带动所述清洁部相应下移；当所述反应室内衬向上移动时，所述反应室内衬不下压所述支持部，所述清洁部在所述弹性元件的作用下上移至所述位置。

20.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：在所述位置下，所述清洁部离开所述排气装置的排气通道。

21.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：在所述位置下，所述清洁部仍有一部分位于排气通道内。

22.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：在所述支持部面向所述排气通道的表面上设置有具有凹凸不平表面的粉碎部，当向下移动清洁元件时，所述粉碎部挤压位于所述排气通道的表面上沉积物。

23.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：所述清洁部包括清洁杆和设置在清洁杆上的至少一个刮擦结构。