JP2008177187A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応室15内のサセプタ13に保持した基板21を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管11から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板32を設ける。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 反応室内のサセプタに保持した基板を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、前記石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板を設けたことを特徴とする気相成長装置。
- 外周部に複数の基板を保持して回転する円盤状のサセプタを収容した偏平円筒状のチャンバー内に、石英ガラス製の区画板を設けて該区画板のサセプタ側に反応室を形成するとともに、前記チャンバー及び区画板の中央を貫通してサセプタ中心部から外周部に向けて原料ガスを導入するガス導入管とを備え、前記サセプタを介して前記基板を加熱しながら原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記区画板の反応室外面側に、石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板を設けたことを特徴とする気相成長装置。
- 前記区画板が周方向に複数に分割されていることを特徴とする請求項2記載の気相成長装置。
- 前記赤外線吸収板は、カーボン、窒化ホウ素、窒化ケイ素と窒化ホウ素との混合体、酸化イットリウム、シリコン、ゲルマニウムのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の気相成長装置。
- 前記熱吸収板の更に外側に熱反射板を配置したことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の気相成長装置。
- 外周部に複数の基板を保持して回転する円盤状のサセプタを収容した偏平円筒状のチャンバー内に、石英ガラス製の区画板を着脱可能に設けて該区画板のサセプタ側に反応室を形成するとともに、前記チャンバー及び区画板の中央を貫通してサセプタ中心部から外周部に向けて原料ガスを導入するガス導入管とを備えた気相成長装置を使用し、前記サセプタを介して前記基板を加熱しながら原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長方法において、少なくとも基板対向面に位置する前記区画板を清浄な状態の区画板に交換してから該区画板の反応室外面側に石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板を設けて気相成長を開始することを特徴とする気相成長方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153408A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
JP2011192731A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
WO2013021947A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
WO2013021909A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
JP2013142627A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Shimadzu Corp | 水分計 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329976A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Nec Corp | Iii族窒化物結晶成長装置 |
JP2001068415A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2007254861A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 処理装置および処理方法 |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329976A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Nec Corp | Iii族窒化物結晶成長装置 |
JP2001068415A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2007254861A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 処理装置および処理方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153408A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
JP2011192731A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
WO2013021947A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
WO2013021909A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
JP2013038152A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Showa Denko Kk | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
JP2013038153A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Showa Denko Kk | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
EP2741316A4 (en) * | 2011-08-05 | 2015-03-11 | Showa Denko Kk | DEVICE FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURE |
EP2741317A4 (en) * | 2011-08-05 | 2015-03-18 | Showa Denko Kk | DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXIAL DISC |
US9607832B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-03-28 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method |
US9624602B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-04-18 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method |
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