JP2007254861A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複雑な機構を用いることなく、均一な処理を行なうことが可能な処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、反応室３と、保持部材としてのサセプタ５と、加熱部材としてのヒータ６と、方向変更部材としての輻射体１０とを備える。サセプタ５は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板を保持する。ヒータ６は、サセプタ５に保持された基板を加熱する。輻射体１０は、ヒータ６により加熱された基板およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。
【選択図】図１

Description

この発明は、処理装置および処理方法に関し、より特定的には、反応室の内部に反応ガスを供給して、処理対象物を所定の温度に加熱した状態で処理を行なう処理装置および処理方法に関する。

従来、反応室の内部に反応ガスを供給した状態で、処理対象物である基板を過熱することで、当該基板上に反応ガスを原料とした膜を成長させる処理装置が知られている。このような処理装置としては、たとえばＩＩＩ族原料であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）やトリメチルガリウム（ＴＭＧ）などの有機金属とＶ族原料であるアンモニアと反応ガスとして、窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を形成するＧａＮ−ＭＯＣＶＤ装置が知られている（たとえば、非特許文献１参照）。
阿久津仲男他４名、「リアクターサイズ２インチ×３横型大気圧ＧａＮ−ＭＯＣＶＤ装置の開発」、日本酸素技報Ｎｏ．２１、２００２年、ｐ．８−１４

上述のような処理装置では、処理効率の向上を図る観点から、基板の大型化や多数枚処理が求められている。しかし、このように処理対象物としての基板を大型化すると、基板の表面近傍において成膜などの反応に寄与する反応ガスの温度条件が、基板の中心部と外周部とで大きく異なる場合があった。このような温度条件の不均一は、基板表面における処理の不均一（たとえば成膜された膜の膜質のばらつき）を招き、結果的に形成された膜の品質の低下の原因となることが考えられる。

このような問題に対応するため、基板に供給される反応ガスを予め予備加熱しておくという措置も考えられる。しかし、このような予備加熱を行なうための予熱ヒータを処理装置に設置する場合には、その予熱ヒータの制御や処理装置の構成が複雑になり、処理装置の製造コストが上昇するという問題があった。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、複雑な機構を用いることなく、均一な処理を行なうことが可能な処理装置および処理方法を提供することである。

この発明に従った処理装置は、反応室と、保持部材と、加熱部材と、方向変更部材とを備える。保持部材は、反応室の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物を保持する。加熱部材は、保持部材に保持された処理対象物を加熱する。方向変更部材は、加熱部材により加熱された処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。

このようにすれば、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束を、その進行方向を調整することで、処理対象物の処理に用いられる反応ガスに当該輻射エネルギーを照射することが可能になる。つまり、従来であれば反応室の壁面やその外部へそのまま放射されていた輻射エネルギーを、反応ガスの加熱に利用することができる。したがって、予熱ヒータなどの特別な加熱部材を用いることなく、処理対象物に供給される前の反応ガスの予備加熱を行なうことができる。

上記処理装置において、反応室の内部では、処理対象物の処理に用いる反応ガスが処理対象物に向けて流れるように供給されていてもよい。方向変更部材は、処理対象物から見て反応ガスの供給方向の上流側に向かうように、前記輻射エネルギー束の進行方向を変更してもよい。

この場合、処理対象物に供給される前の反応ガスに、方向変更部材により進行方向の変えられた輻射エネルギー束を確実に照射することができる。したがって、当該輻射エネルギー束によって反応ガスを予備加熱することができる。

上記処理装置において、反応室では、処理対象物の表面に対して平行な方向から反応ガスが供給されてもよい。

この場合、処理対象物の表面の平面形状と、反応ガスの供給方向との関係によって、反応ガスが処理対象物の表面上に位置している時間が局所的に（たとえば処理対象物の中央部と端部とで）異なる場合がある。このような場合、処理対象物からの熱によって反応ガスが加熱される度合いが局所的に異なるため、処理対象物上での反応ガスの温度分布にばらつきが出る場合がある。そこで、方向変更部材を用いて、処理対象物上において、加熱される度合いの低い（相対的に温度が低くなる）領域に供給される反応ガスを、予め輻射エネルギー束の照射により加熱することで、当該ばらつきを低減できる。

上記処理装置において、反応室では、処理対象物の表面に対して垂直な方向から反応ガスが供給されてもよい。

このような構成の処理装置においても、処理対象物の表面の中央部と周辺部とのそれぞれに供給される反応ガスが、処理対象物からの熱によって加熱される程度には差がでる（周辺部における反応ガスの温度が中央部における反応ガスの温度より低くなるといった温度のばらつきが発生する）場合がある。このとき、方向変更部材によって進行方向を変更された輻射エネルギー束を、当該周辺部に供給される反応ガスに照射すれば、当該反応ガスを予め加熱しておくことができる。したがって、処理対象物上での反応ガスの温度の不均一の度合いを小さくできる。

上記処理装置において、方向変更部材は、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束により加熱されることにより、輻射エネルギー束を放出するものであってもよい。この場合、方向変更部材の温度がある程度上昇して自ら輻射エネルギー束を放射できる状態になれば、処理対象物や保持部材からの輻射エネルギー束の強度が変動するような場合でも、方向変更部材から安定して輻射エネルギー束を放射することができる。つまり、反応ガスの予備加熱を比較的安定した条件で行なうことができる。

上記処理装置において、方向変更部材は、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束を反射するものであってもよい。この場合、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束の強度や量を変えれば、反応ガスを予備加熱する条件（つまり反応ガスに照射される輻射エネルギー束の強度や量）を反応性良く変更することができる。

上記方向変更部材は、反応室において保持部材と対向する位置に配置されていてもよい。また、反応ガスの供給方向の上流側からみて、方向変更部材は保持部材の中心から保持部材の両端側にずれた位置に配置されていることが好ましい。さらに、方向変更部材は、保持部材から見て反応ガスの供給方向の上流側に位置することが好ましい。

この発明に従った処理方法は、処理対象物を保持部材上に配置する工程と、処理対象物を処理温度まで加熱する工程と、処理工程とを備える。処理工程では、加熱された処理対象物に接触するように反応ガスを供給し、処理対象物の処理を行なう。処理工程は、加熱された処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束のうち進行方向の変えられた輻射エネルギー束によって、処理対象物に供給される反応ガスの少なくとも一部を加熱する工程を含む。

このようにすれば、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束を利用して、反応ガスの予備加熱を行なうことができる。したがって、処理対象物に接触することで反応ガスが直接的に加熱されるときに、処理対象物との接触時間や接触部位によって反応ガスの加熱の程度がばらつく場合に、当該ばらつきの程度を小さくできる。つまり、予備加熱用ヒータなどを別途設けることなく、輻射エネルギー束によって反応ガスの予備加熱を行なうことによって、処理対象物上での反応ガスの温度ばらつきを低減することができる。

上記処理方法において、処理工程では、進行方向の変えられた輻射エネルギー束によって、処理対象物に供給される反応ガスの供給方向において処理対象物から見て上流側に位置する反応ガスが加熱されてもよい。この場合、処理対象物に供給される前の反応ガスを確実に予備加熱することができる。

このように、本発明によれば、予備加熱用のヒータを設置し、当該ヒータの出力を制御するといった複雑な機構や制御を用いることなく、処理対象物および保持部材から出射する輻射エネルギー束を利用して反応ガスの予備加熱を行なうことができる。

次に図面を用いて、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

（実施の形態１）
図１は、本発明に従った処理装置の実施の形態１の断面模式図である。図２は、図１に示した処理装置の平面模式図である。図１および図２を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１を説明する。

図１および図２に示すように、処理装置１は、管状の反応室３と、反応室３の内部に処理対象物としての基板４を保持するサセプタ５と、サセプタ５を介して基板４を加熱するためのヒータ６と、反応室３においてサセプタ５と対向する壁面に配置された輻射体１０とを備える。平面形状が円形状のサセプタ５には、その下面の中心部に図示しない支持軸などが接続され、当該支持軸を回転させることによって水平方向に回転可能になっている。また、反応室３には、図１および図２の矢印８に示すように基板４に対する処理に用いる反応ガスが供給される。

輻射体１０としては、たとえばカーボンシートなどを用いることができる。輻射体１０は、後述するようにサセプタ５および基板４からの矢印１１に示すような輻射エネルギー束を吸収して加熱されることにより、自ら輻射エネルギー束を矢印１２に示すように出射する。輻射体１０は、図２に示すように、反応ガスの供給方向においてサセプタ５から見て上流側に配置される。また、反応ガスの供給方向（矢印８で示す方向）から見て、輻射体１０は図２に示すようにサセプタ５の中心１４を挟んで両側に寄った位置（サセプタ５の端部）に配置する。この場合、サセプタ５の端部に、矢印８に示す流れに沿って供給される反応ガスは、サセプタ５上に位置する時間がサセプタ５の中央部に供給される反応ガスより短い。しかし、後述するように、輻射体１０からの輻射エネルギー束によって、サセプタ５の端部に供給される反応ガスを領域１３において予備加熱できるので、結果的にサセプタ５の端部と中央部とで供給される反応ガスの温度条件のばらつきを小さくできる。

なお、輻射体１０は図２に示すように、サセプタ５と平面的に重ならないようにサセプタ５の上流側に配置されていてもよいが、点線で示した別配置の場合の輻射体１５のように、サセプタ５と平面的に重なるような位置に配置してもよい。また、輻射体１０、１５の平面形状は、図２に示したようなサイズや形状に限られず、処理装置のサイズや反応ガスなどの条件に合わせて適宜変更することができる。

反応室３の壁は、サセプタ５などからの輻射エネルギー束を透過する（たとえば透明な）部材により構成されている。反応室３の壁の材料としては、たとえば石英などを用いることができる。このため、輻射体１０は反応室３の壁の外周面上に配置されている。なお、このように反応室３の壁の外周面上に輻射体１０を配置すれば、たとえば処理中などでも輻射体１０の位置などを簡単に修正することができる。

図３は、図１および図２に示した処理装置の変形例を示す断面模式図である。図３を参照して、図１および図２に示した処理装置の実施の形態１の変形例を説明する。なお、図３は図１に対応する。

図３に示すように、処理装置１は基本的に図１および図２に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、輻射体１０の配置が異なる。すなわち、図３に示した処理装置１では、反応室３の壁の内周面上に輻射体１０が配置されている。このような構成によっても、図１および図２に示した処理装置と同様の効果をえることができる。さらに、サセプタ５などから輻射体１０に入射する輻射エネルギー束は反応室３の壁を介さないので、図１および図２に示した処理装置より、輻射エネルギーが反応室３の壁に吸収されることによるエネルギー損失を小さくできる。このため、輻射体１０を効率的に加熱できるとともに、輻射体１０から出射する輻射エネルギー束を効率的に領域１３に照射できる。なお、図３に示した輻射体１０の平面的な配置は図２に示した輻射体１０と同様とすることができる。

上述した処理装置１の特徴的な構成を要約すれば、処理装置１は、反応室３と、保持部材としてのサセプタ５と、加熱部材としてのヒータ６と、方向変更部材としての輻射体１０とを備える。サセプタ５は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板４を保持する。ヒータ６は、サセプタ５に保持された基板４を加熱する。輻射体１０は、ヒータ６により加熱された基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。このようにすれば、基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束を、その進行方向を調整することで、基板４の処理に用いられる反応ガスに照射することが可能になる。つまり、従来であれば反応室３の壁面やその外部へそのまま放射されていた輻射エネルギーを、反応ガスの加熱に利用することができる。したがって、新たに予熱ヒータなどを設置することなく、基板４に供給される前の反応ガスの予備加熱を行なうことができる。

上記処理装置１において、反応室３の内部では、図１および図２の矢印８に示すように、基板４の処理に用いる反応ガスが基板４に向けて流れるように供給されていてもよい。輻射体１０は、基板４（またはサセプタ５）から見て反応ガスの供給方向の上流側に向かうように、輻射エネルギー束の進行方向を変更してもよい。この場合、基板４に供給される前の反応ガスに、輻射体１０により進行方向の変えられた輻射エネルギー束を確実に照射することができる。

上記処理装置１において、反応室３では、基板４（またはサセプタ５）の表面に対して平行な方向から反応ガスが供給されてもよい。この場合、基板４（あるいはサセプタ５）の表面の平面形状と、矢印８に示される反応ガスの供給方向との関係によって、反応ガスが基板４の表面上に位置している時間が局所的に（たとえばサセプタ５の中央部に近い領域と端部に近い領域とで）異なることになる。このような場合、基板４やサセプタ５からの熱によって反応ガスが加熱される度合いが局所的に異なるため、基板４上での反応ガスの温度分布にばらつきが出る場合がある。そこで、輻射体１０を用いて、基板４上において、加熱される度合いの低い領域（つまりサセプタ５の端部上の領域）に供給される反応ガスを、予め輻射エネルギー束の照射により加熱する。このようにすれば、反応ガスでの温度のばらつきを低減できる。

上記処理装置１において、方向変更部材としては、基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束により加熱されることにより、輻射エネルギー束を自ら放出する輻射体１０を用いている。この場合、輻射体１０の温度がある程度上昇して自ら輻射エネルギー束を放射できる状態になれば、基板４やサセプタ５からの輻射エネルギー束の強度が変動するような場合でも、輻射体１０から安定して輻射エネルギー束を放射することができる。つまり、反応ガスの予備加熱を比較的安定した条件で行なうことができる。

また、輻射体１０は、反応室３においてサセプタ５と対向する位置に配置されている。また、反応ガスの供給方向（矢印８で示す方向）の上流側からみて、輻射体１０はサセプタ５の中心１４からサセプタ５の両端側にずれた位置に配置されている。さらに、輻射体１０は、サセプタ５から見て反応ガスの供給方向の上流側に位置する。このようにすれば、サセプタ５に保持される基板４に供給される反応ガスを確実に輻射エネルギー束によって確実に予備加熱することができる。

次に、図１および図２に示した処理装置を用いた本発明による処理方法を説明する。図４は、本発明に従った処理方法を説明するフローチャートである。

図４に示すように、本発明による処理方法では、図１および図２に示した処理装置１を用い、まず準備工程（Ｓ１０）を実施する。具体的には、サセプタ５上の所定の位置に処理対象物である基板４を配置する。

次に、加熱工程（Ｓ２０）を実施する。具体的には、ヒータ６を作動させることによって、サセプタ５および当該サセプタ５上の基板４を所定の温度にまで加熱する。たとえば、基板４上に有機金属気相成長法を用いて窒化ガリウム（ＧａＮ）などの半導体膜を形成する場合には、サセプタ５の表面温度が１０３０℃となるように、ヒータ６を動作させる。また、このとき供給される反応ガスとしては有機金属を含むガスが用いられるが、これらのガスの乖離温度は約２５０℃程度であるため、基板４上で反応ガスがこのような乖離温度以上の温度になるように、基板４の温度は設定されている。

次に、処理工程（Ｓ３０）を実施する。具体的には、反応室３の内部に図１の矢印８に示すように反応ガスを供給する。この反応ガスが基板４上において加熱されることにより、基板４に対して処理（たとえば成膜処理）を実施する。また、サセプタ５および基板４がヒータ６によって加熱されているので、サセプタ５よび基板４から輻射エネルギー束が図１の矢印１１に示すように放射される。この輻射エネルギー束により輻射体１０が加熱される。そして、加熱された輻射体１０から図１２に示すように（進行方向が変更された輻射エネルギー束に対応する）輻射エネルギー束が放射される。この輻射エネルギー束によって、領域１３において基板４に供給される前の反応ガスが予備加熱される。輻射体１０は、図２に示すようにサセプタ５の端部に面して配置されているので、サセプタ５の端部に供給される反応ガスに輻射体１０から輻射エネルギー束を供給できる。したがって、当該反応ガスを効果的に予備加熱することができる。

上述した処理方法の特徴的な構成を要約すれば、図４に示した処理方法は、処理対象物としての基板４を保持部材としてのサセプタ５上に配置する工程（準備工程（Ｓ１０））と、基板４を処理温度まで加熱する加熱工程（Ｓ２０）と、処理工程（Ｓ３０）とを備える。処理工程（Ｓ３０）では、加熱された基板４に接触するように反応ガスを供給し、基板４の処理を行なう。処理工程（Ｓ３０）は、加熱された基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束のうち進行方向の変えられた輻射エネルギー束によって、基板４に供給される反応ガスの少なくとも一部を加熱する工程を含む。このようにすれば、基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束を利用して、反応ガスの予備加熱を行なうことができる。したがって、予備加熱用ヒータなどを別途設けることなく、輻射エネルギー束によって反応ガスの予備加熱を行なうことによって、基板４上での反応ガスの温度ばらつきを低減することができる。

上記処理方法において、処理工程（Ｓ３０）では、進行方向の変えられた輻射エネルギー束によって、基板４に供給される反応ガスの供給方向（矢印８により示す方向）において基板４から見て上流側に位置する反応ガスが加熱される。この場合、基板４に供給される前の反応ガスを確実に予備加熱することができる。

なお、上述した輻射体１０を構成する材料としては、たとえばＰＢＮ（Pyrolitic Boron Nitride）、ＳｉＣ、グラファイトなどを用いることができる
（実施の形態２）
図５は、本発明に従った処理装置の実施の形態２の断面模式図である。図６は、図５に示した処理装置の平面模式図である。図５および図６を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態２を説明する。

図５に示した処理装置１は、基本的には図１および図２に示した処理装置と同様の構成を備えるが、輻射体１０に代えてリフレクタ１７が配置されている点が異なる。リフレクタ１７の材料としては、矢印１１に示されるサセプタ５および基板４からの輻射エネルギー束を反射して、領域１３へ矢印１２に示すように照射させることができるものであれば任意の材料を用いることができる。リフレクタ１７の材料としては、たとえばＰＢＮ、Ｍｏ、ムライト、ジルコニアなどを用いることができる。

このような構成の処理装置１によっても、図１および図２に示した処理装置と同様の効果を得ることができる。また、方向変更部材として、上述のような基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束を反射するリフレクタ１７を用いれば、基板４およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束の強度や量を変えれば、反応ガスを予備加熱する条件を反応性良く変更することができる。

また、図６に示すように、リフレクタ１７は、サセプタ５と平面的に重ならないように、サセプタ５から見て反応ガスの供給方向の上流側に配置してもよいが、点線で示したリフレクタ１８のようにサセプタ５や基板４と平面的に重なるように配置してもよい。また、図５ではリフレクタ１７は反応室３の壁の外周上に配置されているが、反応室３の壁の内周面上に配置してもよい。

（実施の形態３）
図７は、本発明に従った処理装置の実施の形態３の断面模式図である。図８は、図７に示した処理装置の平面模式図である。図７および図８を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態３を説明する。

図７および図８に示した処理装置１は、基本的には図５および図６に示す処理装置と同様の構成を備えるが、リフレクタ１７と対向する反応室３の壁面（反応室３においてサセプタ５が配置された底壁面）の外周面上に輻射体１０が配置されている点が異なる。このようにすれば、図５および図６に示した処理装置１による効果に加えて、リフレクタ１７により反射された輻射エネルギー束によって、リフレクタ１７と対向するように配置された輻射体１０が加熱される。そして、加熱された輻射体１０から矢印２０に示すように輻射エネルギー束が放射されることにより、領域１３において（サセプタ５から見て上流側で）反応ガスが予備加熱される。このように、リフレクタ１７と輻射体１０とを対向するように配置することで、その間に位置する領域１３において反応ガスをより効率的に加熱することができる。

（実施の形態４）
図９は、本発明に従った処理装置の実施の形態４の断面模式図である。図１０は、図９に示した処理装置の平面模式図である。図９および図１０を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態４を説明する。

図９および図１０に示す処理装置１は、基本的には図７および図８に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、図７および図８の輻射体１０に代えてもう１つのリフレクタ１９を配置した点が異なる。つまり、図９および図１０に示した処理装置１では、リフレクタ１７に対向するように（リフレクタ１７から反射された輻射エネルギー束をさらに反射することができる位置である、反応室３の底壁の外周面上に）他のリフレクタ１９が配置されている。このようにすれば、リフレクタ１７により反射され、領域１３を通過した輻射エネルギー束を、リフレクタ１９によって矢印２０に示すように再度領域１３へ照射することができる。この結果、図７および図８に示した処理装置１と同様に、領域１３において反応ガスを効果的に予備加熱することができる。

（実施の形態５）
図１１は、本発明に従った処理装置の実施の形態５の断面模式図である。図１２は、図１１に示した処理装置の平面模式図である。図１１および図１２を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態５を説明する。

図１１および図１２に示した処理装置１は、基本的には図９および図１０に示した処理装置と同様の構成を備えるが、図９および図１０に示したリフレクタ１７に代えて輻射体１０を配置している点が異なる。このようにすれば、輻射体１０がサセプタ５および基板４からの輻射エネルギー束によって加熱された結果、輻射体１０から放出されて領域１３を通過した輻射エネルギー束を、リフレクタ１９によって矢印２０に示すように再度領域１３に照射することができる。このようにしても、図９および図１０に示した処理装置１と同様に、領域１３において反応ガスを効率的に予備加熱することができる。

（実施の形態６）
図１３は、本発明に従った処理装置の実施の形態６の断面模式図である。図１４は、図１３の線分ＸＩＶ−ＸＩＶにおける断面模式図である。図１３および図１４を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態６を説明する。

図１３および図１４に示した処理装置１は、図１〜図１２に示したいわゆる横型の処理装置とは異なり、サセプタ５上に搭載された基板４の表面に対して垂直方向から矢印８に示すように反応ガスが供給される、いわゆる縦型の処理装置である。具体的には、処理装置１は、円筒状の反応室３と、反応室３の底部において、支柱２５により支持されたサセプタ５と、サセプタ５の内部に埋設されたヒータ６と、サセプタ５の上方であって、反応室３の壁面にサセプタ５を囲むように配置された輻射体１０とを備える。サセプタ５の上部表面には、処理対象物である複数の基板４が搭載されている。なお、サセプタ５は支柱２５を回転させることにより回転可能であってもよい。

次に、この処理装置１を用いた処理方法を簡単に説明する。この処理装置１での処理方法は、基本的には図１〜１２に示した処理装置１での処理方法と同様である。すなわち、図４に示した処理方法と同様に、まず準備工程（Ｓ１０）を実施する。具体的には、サセプタ５上の所定の位置に基板４を配置する。次に、加熱工程（Ｓ２０）（図４参照）を実施する。具体的には、ヒータ６を作動させることによって、サセプタ５および当該サセプタ５上の基板４を所定の温度にまで加熱する。次に、処理工程（Ｓ３０）（図４参照）を実施する。具体的には、反応室３の内部に図１３の矢印８に示すように反応ガスを供給する。この反応ガスが基板４上において加熱されることにより、基板４に対して処理（たとえば成膜処理）を実施する。また、サセプタ５および基板４がヒータ６によって加熱されているので、サセプタ５よび基板４から輻射エネルギー束が放射される。この輻射エネルギー束により、反応室３の側壁面上に配置された輻射体１０が加熱される。そして、加熱された輻射体１０からサセプタ５の上方の（対向する）領域に輻射エネルギー束が放射される。この輻射エネルギー束によって、サセプタ５の上の領域において基板４に供給される前の反応ガスが予備加熱される。

上述した処理装置１の特徴的な構成を要約すれば、反応室３では、処理対象物としての基板４の表面に対して垂直な方向から反応ガスが供給されている。基板４を搭載するサセプタ５の上方かつサセプタ５の外周側に、方向変更部材としての輻射体１０が配置されている。このような構成の処理装置１においても、基板４の表面の中央部と周辺部とのそれぞれに供給される反応ガスが基板４からの熱によって加熱される程度に差がでる場合がある。このとき、輻射体１０によって進行方向を変更された輻射エネルギー束を、当該周辺部（たとえばサセプタ５の周辺部）に供給される反応ガスに照射すれば、当該反応ガスを予め加熱しておくことができる。したがって、基板４上での反応ガスの温度の不均一の度合いを小さくできる。なお、輻射体１０に代えて、あるいは輻射体１０に加えて、図９などに示したリフレクタ１７を反応室３の壁面に設置してもよい。リフレクタ１７の位置は、サセプタ５から見て輻射体１０と同じ高さ、あるいは輻射体１０より高い位置に配置してもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、反応室に反応ガスを供給して当該ガスを加熱することにより成膜などの処理を行なう処理装置および処理方法に適用可能であり、特に処理対象物のサイズが大きくなった場合や、複数の処理対象物を一度に処理する場合など、大面積での反応を均一に行なう場合に特に有効である。

本発明に従った処理装置の実施の形態１の断面模式図である。 図１に示した処理装置の平面模式図である。 図１および図２に示した処理装置の変形例を示す断面模式図である。 本発明に従った処理方法を説明するフローチャートである。 本発明に従った処理装置の実施の形態２の断面模式図である。 図５に示した処理装置の平面模式図である。 本発明に従った処理装置の実施の形態３の断面模式図である。 図７に示した処理装置の平面模式図である。 本発明に従った処理装置の実施の形態４の断面模式図である。 図９に示した処理装置の平面模式図である。 本発明に従った処理装置の実施の形態５の断面模式図である。 図１１に示した処理装置の平面模式図である。 本発明に従った処理装置の実施の形態６の断面模式図である。 図１３の線分ＸＩＶ−ＸＩＶにおける断面模式図である。

符号の説明

１ 処理装置、３ 反応室、４ 基板、５ サセプタ、６ ヒータ、８，１１，１２，２０ 矢印、１０，１５ 輻射体、１３ 領域、１４ 中心、１７〜１９ リフレクタ、２５ 支柱。

Claims (7)

1. 反応室と、
   前記反応室の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物を保持する保持部材と、
   前記保持部材に保持された処理対象物を加熱する加熱部材と、
   前記加熱部材により加熱された前記処理対象物および前記保持部材から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する方向変更部材とを備える、処理装置。
2. 前記反応室の内部では、前記処理対象物の処理に用いる反応ガスが前記処理対象物に向けて流れるように供給され、
   前記方向変更部材は、前記処理対象物から見て前記反応ガスの供給方向の上流側に向かうように、前記輻射エネルギー束の進行方向を変更する、請求項１に記載の処理装置。
3. 前記反応室では、前記処理対象物の表面に対して平行な方向から前記反応ガスが供給される、請求項２に記載の処理装置。
4. 前記反応室では、前記処理対象物の表面に対して垂直な方向から前記反応ガスが供給される、請求項２に記載の処理装置。
5. 前記方向変更部材は、前記処理対象物および前記保持部材から出射する輻射エネルギー束により加熱されることにより、輻射エネルギー束を放出するものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理装置。
6. 前記方向変更部材は、前記処理対象物および前記保持部材から出射する輻射エネルギー束を反射するものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理装置。
7. 処理対象物を保持部材上に配置する工程と、
   前記処理対象物を処理温度まで加熱する工程と、
   加熱された前記処理対象物に接触するように反応ガスを供給し、前記処理対象物の処理を行なう処理工程とを備え、
   前記処理工程は、加熱された前記処理対象物および前記保持部材から出射する輻射エネルギー束のうち進行方向の変えられた輻射エネルギー束によって、前記処理対象物に供給される前記反応ガスの少なくとも一部を加熱する工程を含む、処理方法。

Images