JP5639712B2 - 基板サセプタ及びそれを有する蒸着装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 169
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 40
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
- C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Description
図1は本発明による原子層蒸着装置を概略的に示す図面である。図2は図1の噴射部材の斜視図であり、図3は図1の噴射部材の断面図である。また、図4は図1の基板サセプタの斜視図である。
Claims (17)
- 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、湾曲した上面又は傾いた上面を有することを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、凹んでいるか、或いは膨らんでいる上面を有することを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、上面に熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記基板サセプタは、
前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記発熱体の熱源を輻射方式に伝達するための空隙が形成され、
前記空隙には熱容量が大きくて熱伝導度低い炭化珪素系物質が充填されていることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射角度を調節する形状であり、かつ、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させる形状であることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射角度を調節するパターンを有し、かつ、当該パターンの形状は、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させるような形状であることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、
前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、
前記基板サセプタは、
上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含み、
前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有し、
前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、
前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置され、
前記遮蔽板は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射効率を向上させるパターンを有し、かつ、当該パターンの形状は、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させるような形状であることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する
基板サセプタと、
反応ガスを供給する複数個のガス供給部材と、
ファジーガスを供給するファジーガス供給部材と、
前記複数個のガス供給部と前記ファジーガス供給部材から提供された反応ガス及びファジーガスを前記ステージの各々に置かれた基板と対応する位置で基板の処理面の全体へ独立的に噴射できるように、複数個の独立されたバッフルを有する噴射部材と、
前記噴射部材のバッフルが前記ステージに置かれた複数個の基板の各々に順次に旋回するように、前記基板サセプタ又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に前記ステージの各々に対応するように設置され、前記下部サセプタの底面に放射される熱エネルギーを前記下部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽板と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に、前記発熱体の熱エネルギーを均一に伝達するための第1空隙が形成され、
前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に、前記遮蔽部材から反射される熱エネルギーを前記下部サセプタに伝達するための第2空隙が形成され、
前記遮蔽板は反射コーティング層が形成されて凹んでいるか、或いは膨らんでいる上面を有することを特徴とする蒸着装置。 - 前記遮蔽板の上面には、陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする請求項8に記載の蒸着装置。
- 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する基板サセプタと、
反応ガスを供給する複数個のガス供給部材と、
ファジーガスを供給するファジーガス供給部材と、
前記複数個のガス供給部と前記ファジーガス供給部材から提供された反応ガス及びファジーガスを前記ステージの各々に置かれた基板と対応する位置で基板の処理面の全体へ独立的に噴射できるように、複数個の独立されたバッフルを有する噴射部材と、
前記噴射部材のバッフルが前記ステージに置かれた複数個の基板の各々に順次に旋回するように、前記基板サセプタ又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に前記ステージの各々に対応するように設置され、前記下部サセプタの底面に放射される熱エネルギーを前記下部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽板と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に、前記発熱体の熱エネルギーを均一に伝達するための第1空隙が形成され、
前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に、前記遮蔽部材から反射される熱エネルギーを前記下部サセプタに伝達するための第2空隙が形成され、
前記遮蔽板は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射角度を調節する形状であり、かつ、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させる形状であることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着装置であって、
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する基板サセプタと、
反応ガスを供給する複数個のガス供給部材と、
ファジーガスを供給するファジーガス供給部材と、
前記複数個のガス供給部と前記ファジーガス供給部材から提供された反応ガス及びファジーガスを前記ステージの各々に置かれた基板と対応する位置で基板の処理面の全体へ独立的に噴射できるように、複数個の独立されたバッフルを有する噴射部材と、
前記噴射部材のバッフルが前記ステージに置かれた複数個の基板の各々に順次に旋回するように、前記基板サセプタ又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージが形成された上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、
前記下部サセプタの底面に前記ステージの各々に対応するように設置され、前記下部サセプタの底面に放射される熱エネルギーを前記下部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽板と、を含み、
前記基板サセプタは、
前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に、前記発熱体の熱エネルギーを均一に伝達するための第1空隙が形成され、
前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に、前記遮蔽部材から反射される熱エネルギーを前記下部サセプタに伝達するための第2空隙が形成され、
前記遮蔽板は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射効率を向上させるパターンを有し、かつ、当該パターンの形状は、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させるような形状であることを特徴とする蒸着装置。 - 基板サセプタであって、
同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合される下部サセプタと、
前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間に設置され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体と、
前記下部サセプタに前記ステージの各々に対応するように設置され、上面に反射コーティング膜を有し、前記下部サセプタから放射される熱エネルギーを前記上部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽部材と、を含み、
前記遮蔽部材は、
前記反射コーティング膜が上面に形成されたプレート形状の遮蔽板と、
前記遮蔽板を密封する透明なケースと、を含み、
前記発熱体は、前記遮蔽部材のケースの上面に設置されることを特徴とする基板サセプタ。 - 基板サセプタであって、
同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合される下部サセプタと、
前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間に設置され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体と、
前記下部サセプタに前記ステージの各々に対応するように設置され、上面に反射コーティング膜を有し、前記下部サセプタから放射される熱エネルギーを前記上部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽部材と、を含み、
前記遮蔽部材は、
前記反射コーティング膜が上面に形成されたプレート形状の遮蔽板と、
前記遮蔽板を密封する透明なケースと、を含み、
前記遮蔽部材は、前記下部サセプタの底面に設置されることを特徴とする基板サセプタ。 - 前記基板サセプタは、前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記遮蔽部材が設置される第1空隙を有し、
前記発熱体は、前記遮蔽部材の上面に設置されることを特徴とする請求項12または13に記載の基板サセプタ。 - 前記遮蔽部材は、前記遮蔽板の反射コーティング膜と前記ケースとの間に第2空隙が形成されていることを特徴とする請求項12〜14のいずれか1項に記載の基板サセプタ。
- 基板サセプタであって、
同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合される下部サセプタと、
前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間に設置され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体と、
前記下部サセプタに前記ステージの各々に対応するように設置され、上面に反射コーティング膜を有し、前記下部サセプタから放射される熱エネルギーを前記上部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽部材と、を含み、
前記遮蔽部材は、前記反射コーティング膜が形成された上面に熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする基板サセプタ。 - 基板サセプタであって、
同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、
前記上部サセプタの底面に結合される下部サセプタと、
前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間に設置され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体と、
前記下部サセプタに前記ステージの各々に対応するように設置され、上面に反射コーティング膜を有し、前記下部サセプタから放射される熱エネルギーを前記上部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽部材と、を含み、
前記遮蔽部材は、前記下部サセプタの底面から放射される輻射エネルギーの再反射角度を調節する形状であり、かつ、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中させる形状である遮蔽板を有することを特徴とする基板サセプタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100072963A KR101205433B1 (ko) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 기판 서셉터 및 그것을 갖는 증착 장치 |
KR10-2010-0072963 | 2010-07-28 | ||
PCT/KR2011/001819 WO2012015140A1 (ko) | 2010-07-28 | 2011-03-16 | 기판 서셉터 및 그것을 갖는 증착 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013535833A JP2013535833A (ja) | 2013-09-12 |
JP5639712B2 true JP5639712B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=45530311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013521673A Active JP5639712B2 (ja) | 2010-07-28 | 2011-03-16 | 基板サセプタ及びそれを有する蒸着装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9567673B2 (ja) |
JP (1) | JP5639712B2 (ja) |
KR (1) | KR101205433B1 (ja) |
CN (1) | CN103026465B (ja) |
TW (1) | TWI500811B (ja) |
WO (1) | WO2012015140A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5423529B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP6054733B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-12-27 | スタンレー電気株式会社 | 気相成長装置 |
KR102113734B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2020-05-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치 |
KR102164707B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2020-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 원자층 증착 방법 및 원자층 증착 장치 |
US11549181B2 (en) | 2013-11-22 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer deposition of SiCO(N) using halogenated silylamides |
KR102297567B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2021-09-02 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비 |
US10954597B2 (en) * | 2015-03-17 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition apparatus |
US10161041B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof |
US10428425B2 (en) * | 2016-01-26 | 2019-10-01 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium |
WO2017163409A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板支持台、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR102411077B1 (ko) * | 2016-06-07 | 2022-06-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 균일성을 위한 윤곽 포켓 및 하이브리드 서셉터 |
TWI671429B (zh) | 2016-07-02 | 2019-09-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 在空間ald處理腔室中用以增加沉積均勻性的裝置 |
US11621180B2 (en) | 2016-10-31 | 2023-04-04 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Heating device |
JP6296189B1 (ja) | 2016-10-31 | 2018-03-20 | 日新イオン機器株式会社 | 加熱装置、半導体製造装置 |
CN107507793B (zh) * | 2017-08-18 | 2020-02-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻设备 |
TWI729319B (zh) * | 2017-10-27 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有空間分離的單個晶圓處理環境 |
US10755955B2 (en) * | 2018-02-12 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact |
US11447865B2 (en) | 2020-11-17 | 2022-09-20 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low-κ films |
CN113539893A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-10-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备 |
US20230130756A1 (en) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | Applied Materials, Inc. | Bottom cover plate to reduce wafer planar nonuniformity |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4579080A (en) * | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
JPH06310438A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置 |
JP3165938B2 (ja) | 1993-06-24 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
JPH08139046A (ja) | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | 熱処理装置 |
JPH08302474A (ja) | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Cvd装置の加熱装置 |
JP2975885B2 (ja) * | 1996-02-01 | 1999-11-10 | キヤノン販売株式会社 | ガス分散器及びプラズマ処理装置 |
US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
JP4059990B2 (ja) | 1998-09-30 | 2008-03-12 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
KR100319494B1 (ko) | 1999-07-15 | 2002-01-09 | 김용일 | 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치 |
JP4817210B2 (ja) | 2000-01-06 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US6436796B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-08-20 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate |
JP4083512B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP4640938B2 (ja) | 2002-11-22 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 裏側加熱チャンバ |
US20090194024A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus |
JP5031013B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 |
KR101452834B1 (ko) | 2008-12-29 | 2014-10-21 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착장치 |
TWI465599B (zh) | 2008-12-29 | 2014-12-21 | K C Tech Co Ltd | 原子層沉積裝置 |
-
2010
- 2010-07-28 KR KR1020100072963A patent/KR101205433B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-03-16 US US13/811,989 patent/US9567673B2/en active Active
- 2011-03-16 WO PCT/KR2011/001819 patent/WO2012015140A1/ko active Application Filing
- 2011-03-16 JP JP2013521673A patent/JP5639712B2/ja active Active
- 2011-03-16 CN CN201180036834.2A patent/CN103026465B/zh active Active
- 2011-07-06 TW TW100123909A patent/TWI500811B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103026465B (zh) | 2015-08-19 |
JP2013535833A (ja) | 2013-09-12 |
WO2012015140A1 (ko) | 2012-02-02 |
KR20120011232A (ko) | 2012-02-07 |
KR101205433B1 (ko) | 2012-11-28 |
US20130118407A1 (en) | 2013-05-16 |
TWI500811B (zh) | 2015-09-21 |
US9567673B2 (en) | 2017-02-14 |
CN103026465A (zh) | 2013-04-03 |
TW201204867A (en) | 2012-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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