JP6198584B2 - エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 - Google Patents
エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6198584B2 JP6198584B2 JP2013240740A JP2013240740A JP6198584B2 JP 6198584 B2 JP6198584 B2 JP 6198584B2 JP 2013240740 A JP2013240740 A JP 2013240740A JP 2013240740 A JP2013240740 A JP 2013240740A JP 6198584 B2 JP6198584 B2 JP 6198584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- reaction gas
- reaction chamber
- gas
- supply path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
まず、本発明の実施形態となるエピタキシャル成長装置1の構成について概説する。図1はエピタキシャル成長装置1の全体を示す断面図である。また、図2はエピタキシャル成長装置1の反応室2の構成を示す分解斜視図、図3はエピタキシャル成長装置1の反応室2の外側の構成を示す分解斜視図である。
次に、本実施形態のエピタキシャル成長装置を用いた成膜方法について説明する。
次に、本実施形態のエピタキシャル成長装置1の構成部材の詳細について説明するとともに、本実施形態の成膜方法の詳細についても説明する。
以下、実施例により発明の詳細について説明する。
第1原料ガス(トリクロロシラン)流量 8.5 SLM
パージガス(水素)流量 15.0 SLM
成長時間 600.0秒
成長温度 1100.0℃
回転速度 20.0 RPM
(比較例1)
(比較例2)
(比較例3)
各実施例及び比較例による膜の成長速度を検出した。検出された成長速度と第1原料ガスとの関係を図19に示す。
2 反応室
3 サセプタ
4 側壁部
5 天井部
6 サセプタ支持部
7 サセプタリング
11 第1リング
12 第2リング
13 フランジ部
21 天井板
22 支持部
23 加熱手段
24 貫通穴
25 突出部
26 上部リフレクタ
30 基板搬出口
31 上部側壁部
32 下部側壁部
33 載置面
34 第1凹部
35 間隙
36 第1凸部
37 第2凹部
38 間隙
39 第2凸部
41 反応ガス供給路
42 ガス排出路
43 壁面
44 パージ孔
45 載置台
51 挟持部
52 供給側連通路
53 排出側連通路
54 反応ガス導入部
55 ガス導入チューブ
56,56A,56B 整流板
56a 孔部
57 ガス排出部
58 ガス排出チューブ
61 装置底部
62 加熱手段
63 軸部
64 反応室下部
65 下部リフレクタ
71 第1供給路
72 第2供給路
73 第3供給路
74 壁面
75 溝部
81,82,83 領域
91 段差部
92 離間部
110A,110B リフトピン用貫通穴
111B 貫通穴
121 サセプタ・シャフト
122 基板リフト部
123 リフトピン
124 台座
W 基板
Claims (11)
- 天井板と、基板を水平に載置するサセプタと、下部側壁部と上部側壁部から構成される側壁部とを含む反応室において、エピタキシャル成長による成膜を行う方法であって、
前記天井板は、該天井板の周縁部において、該周縁部の上方かつ外側から支持されるものであり、
該方法は、
前記反応室内を所定の成長温度に加熱するステップと、
反応ガス供給路を画定する第1凹部と第1凸部との間に形成される間隙内において反応室に反応ガスを供給するステップと、
前記下部側壁部の周方向に配置された前記下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すことにより、反応ガス供給路において、前記反応ガスが、前記天井板と前記サセプタとの間の領域に開口し対向する第1凸部と第1凹部との間に形成される第1開口の中心から延びる水平方向に一致する水平方向の成分を有する流れの方向を有するように、前記反応ガスを整流するステップであって、前記反応ガスを整流するステップは、
前記天井板と前記サセプタとの間に画定される約10mm未満の間隔を通して形成された前記反応ガスにより形成された境界層を狭くするステップを含む前記反応ガスを整流するステップと、
前記サセプタの中心を鉛直方向に通過する軸の周りに前記サセプタを回転させるステップと、
前記第1凸部と前記第1凹部との間に形成される前記第1開口に対向する、第2凸部と第2凹部との間に形成される第2開口を介して、前記反応ガスを排出するステップとを含むことを特徴とするエピタキシャル成長による成膜方法。 - 前記反応ガス供給路は、
前記反応ガスの供給方向に延設された第1供給路と、
前記第1供給路に連通し、前記反応ガスの供給方向に対して略垂直な方向に延設された第2供給路と、
前記第2供給路に連通し、前記反応ガスの供給方向に延設された第3供給路と
を有し、前記複数の溝部のうちの1つの溝部は、前記第2供給路に設けられる請求項1に記載の成膜方法。 - 前記溝部の底面部分は、幅方向に湾曲した形状を有する請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記溝部は、前記側壁部の面内方向の中央へ向かうように設けられる請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記溝部の深さは、1mm以上5mm以下とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の成長方法。
- ガス排出路は、前記側壁部の外側に配置されたガス排出部に接続されており、該ガス排出部は、前記ガス排出路と接続される内側から外側に向かうにしたがって開口が狭くなるように形成されており、
該ガス排出路を通じて前記反応ガスを外部に排出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 前記反応室を加熱するステップは、前記サセプタの外周に設けられたサセプタリング部の使用によって前記反応ガスを予熱することを含むものであり、
前記サセプタリング部は、前記側壁部に設けられたフランジ部に載置される第1リング部と、該第1リング部の上面に設けられた凹部に載置される第2リング部を含み、該第2リング部は、前記サセプタの周縁部と前記第1リング部の内側周縁部との間の離間部が狭くなるような内径を有するものであり、
前記成膜方法が、前記反応ガスが前記サセプタの周縁から該サセプタの下面側に流れ込むのを阻止するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 反応室内で基板の上面にエピタキシャル成長を用いて成膜を行うエピタキシャル成長装置であって、
天井板と、基板を水平に載置するとともに、前記基板の中心を通る鉛直方向の軸の周りに回転するサセプタであって、前記天井板は前記サセプタから約10mm未満離間しているサセプタと、下部側壁部と上部側壁部から構成される側壁部とを含む反応室と、
前記側壁部に形成された、反応ガスを前記反応室に供給する反応ガス供給路であって、前記反応ガス供給路は、第1凸部と第1凹部との間に画定される反応ガス供給路と、
前記側壁部において前記反応室の中心を挟んで前記反応ガス供給路と対向する位置に形成された、前記反応室を通過した反応ガスを外部に排出するガス排出路であって、ガス排出路は、前記第1凸部と前記第1凹部との間に形成された第1開口に対向する、第2凸部と第2凹部との間に形成された第2開口を介して前記反応室を通過するガス排出路と、
前記天井板の周縁部において、該周縁部の上方かつ外側から前記天井板を支持する支持部と、
前記反応ガス供給路において、前記反応ガスが、前記天井板と前記サセプタとの間の領域に開口し対向する第1凸部と第1凹部との間に形成される第1開口の中心から延びる水平方向に一致する水平方向の成分を有する流れの方向を有するように、前記反応ガスを整流する整流手段とを備え、
前記反応ガス供給路は、前記下部側壁部の周方向に配置された前記下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って提供されることを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 前記サセプタは、多数の貫通穴を有することを特徴とする請求項8に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記ガス排出路は、前記側壁部の外側に配置されたガス排出部に接続されており、該ガス排出部は、前記ガス排出路と接続される内側から外側に向かうにしたがって開口が狭くなるように形成されることを特徴とする請求項8又は9に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記反応室内の上部に配置された、前記反応室内を所定の成長温度に加熱する第1の加熱手段と、
前記第1の加熱手段の上部に配置された第1のリフレクタと、
前記反応室の下部に配置された、前記反応室内を所定の成長温度に加熱する第2の加熱手段と、
前記第2の加熱手段の下部に配置された第2のリフレクタとをさらに備え、
前記第1のリフレクタは、前記第1の加熱手段からの熱線を前記反応室の中心に向かって反射させる第1の傾斜部と、前記第1の加熱手段からの熱線を鉛直下向きに反射させる第1の平坦部とを有しており、前記第1の傾斜部と前記第1の平坦部の面積比が所定の比率となるように、かつ、前記第1の傾斜部と前記第1の平坦部の分布が偏らないように、前記第1の傾斜部と前記第1の平坦部とが配列されたものであり、
前記第2のリフレクタは、前記第2の加熱手段からの熱線を前記反応室の中心に向かって反射させる第2の傾斜部と、前記第2の加熱手段からの熱線を鉛直上向きに反射させる第2の平坦部とを有しており、前記第2の傾斜部と前記第2の平坦部の面積比が所定の比率となるように、かつ、前記第2の傾斜部と前記第2の平坦部の分布が偏らないように、前記第2の傾斜部と前記第2の平坦部とが配列されたものであることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240740A JP6198584B2 (ja) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240740A JP6198584B2 (ja) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013052479A Division JP5602903B2 (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159353A Division JP6749295B2 (ja) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179581A JP2014179581A (ja) | 2014-09-25 |
JP6198584B2 true JP6198584B2 (ja) | 2017-09-20 |
Family
ID=51699202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013240740A Active JP6198584B2 (ja) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6198584B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016154052A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chamber components for epitaxial growth apparatus |
CN107723790B (zh) * | 2016-08-12 | 2020-07-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延设备、设备制作方法及外延方法 |
CN111052308A (zh) * | 2017-09-01 | 2020-04-21 | 纽富来科技股份有限公司 | 气相生长装置及气相生长方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1050602B1 (en) * | 1995-08-03 | 2004-05-26 | ASM America, Inc. | Process chamber with inner support |
US6099648A (en) * | 1997-08-06 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Domed wafer reactor vessel window with reduced stress at atmospheric and above atmospheric pressures |
JP2003142411A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
US7163587B2 (en) * | 2002-02-08 | 2007-01-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Reactor assembly and processing method |
JP4379585B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-12-09 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4378699B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2009-12-09 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置 |
JP2007324285A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sumco Techxiv株式会社 | 成膜反応装置 |
JP2008235830A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 気相成長装置 |
JP5191373B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-05-08 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
-
2013
- 2013-11-21 JP JP2013240740A patent/JP6198584B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014179581A (ja) | 2014-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5602903B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
JP7136945B2 (ja) | エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素 | |
JP5386046B1 (ja) | サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置 | |
JP5343162B1 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
JP6198584B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
JP6309252B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
JP2017224850A (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
JP7209675B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
JP2018125545A (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140516 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6198584 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |