JP2018125545A - エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 - Google Patents

Abstract

【課題】エピタキシャル成長による成膜において、膜厚分布や抵抗率分布等の観点から成膜品質を確保しつつ、安定した高速成長を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長装置１において、上面の天井板２１と下面の基板載置部３と側面の側壁部４とによって画成された反応室２を構成する際に、支持部２２に、天井板２１の周縁部において、周縁部の上方かつ外側から天井板２１を支持させるとともに、側壁部４に設けられた反応ガス供給路４１において、反応室２内での反応ガスの流れの向きの水平方向の成分が、反応ガス供給路４１の反応室２側の開口の中心から反応室２の中心に向かう向きの水平方向の成分と一致するように、反応ガスを整流する。【選択図】図１

Description

本発明は、エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置に関
するものである。

従来、エピタキシャル成長により基板上にエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャ
ル成長装置としては、処理チャンバと、処理チャンバ内に配置され、回転軸を中心として
基板を回転させるように構成された回転可能な基板支持体とを備え、基板に対して水平方
向に反応ガスを導入し、基板支持体上の基板に成膜を行う装置が知られている(例えば、
特許文献１)。

特表２００１−５２０４５６号公報

このようなエピタキシャル成長装置では、現在では成長速度の高速化が求められている
。しかしながら、成長速度をより高速とするために反応ガス中に原料ガスを大量に含有さ
せることは、例えば成膜コストの上昇やパーティクルの増加につながるため好ましくない
。

エピタキシャル成長において、基板表面の境界層（反応ガスの流れの本流の流速の99％
の流速となる位置）の厚みを薄くすれば、成長速度の高速化が期待されることが知られて
いる。一方、単に境界層の厚みを薄くすると、基板表面において、基板の周縁に向かって
反応ガスが逃げていく流れが生じるため、膜厚分布や抵抗率分布の調整が困難になってし
まう。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、膜厚分布や抵抗率分布等の観点から成
膜品質を確保しつつ、安定した高速成長を実現するエピタキシャル成長による成膜方法、
および、エピタキシャル成長装置を提供することを目的とするものである。

本発明のエピタキシャル成長による成膜方法は、天井板と、基板を水平に載置する基板
載置部（サセプタ）と、側壁部とによって、各々、上面、下面、側面が画成された反応室
で行われる。ここで、天井板は、該天井板の周縁部において、該周縁部の上方かつ外側か
ら支持されている。そして、この方法は、前記反応室内を所定の成長温度に加熱するステ
ップと、前記側壁部に設けられた反応ガス供給路において、前記反応室内での反応ガスの
流れの向きの水平方向の成分が、前記反応ガス供給路の前記反応室側の開口の中心から前
記反応室の中心に向かう向きの水平方向の成分と一致するように、前記反応ガスを整流す
るステップと、前記反応ガス供給路から、前記整流された反応ガスを水平方向に前記反応
室内に導入するステップと、前記基板載置部の中心を通る鉛直方向の軸を回転軸として前
記基板を回転させながら、前記基板の上面に前記反応ガスによる成膜を行うステップと、
前記成膜後の反応ガスを、前記側壁部において前記反応室の中心を挟んで前記反応ガス供
給路と対向する位置に設けられたガス排出路に排出するステップとを有する。

本発明のエピタキシャル成長装置は、天井板と、基板を水平に載置するとともに、前記
基板の中心を通る鉛直方向の軸を回転軸として回転可能な基板載置部（サセプタ）と、側
壁部とによって、各々、上面、下面、側面が画成された反応室と、前記側壁部に形成され
た、反応ガスを前記反応室に供給する反応ガス供給路と、前記側壁部において前記反応室
の中心を挟んで前記反応ガス供給路と対向する位置に形成された、前記反応室内を通過し
た反応ガスを外部に排出するガス排出路とを備え、前記反応室において前記基板の上面に
エピタキシャル成長による成膜を行う装置に、前記天井板の周縁部において、該周縁部の
上方かつ外側から前記天井板を支持する支持部と、前記反応ガス供給路において、前記反
応室内での反応ガスの流れの向きの水平方向の成分が、前記反応ガス供給路の前記反応室
側の開口の中心から前記反応室の中心に向かう向きの水平方向の成分と一致するように、
前記反応ガスを整流する整流手段とをさらに設けたものである。

ここで、支持部は、天井板と基板上面との間の距離は所定の値以下になるように天井板
を支持することが好ましい。

また、反応ガス供給路を、反応ガスの入口から、反応室に接続される出口に向かって上
り階段状に形成してもよい。この場合、階段状の反応ガス供給路において、反応ガスの原
料となる複数の原料ガスが混合される。

ガス排出路は、側壁部の外側に配置されたガス排出部に接続するようにし、ガス排出部
は、側壁部の内側から外側に向かうにしたがって開口が狭くなるように形成してもよい。

基板載置部の外周にサセプタリング部を設け、反応ガスを予熱するようにしてもよい。
このサセプタリング部は、側壁部に設けられたフランジ部に載置される外周リング部と、
外周リング部の上面に設けられた凹部に載置される内周リング部の２つの部材で構成し、
内周リング部は、基板載置部の周縁部と外周リング部の内側周縁部との間の間隙が狭くな
るような内径を有するようにしてもよい。この場合、内周リング部によって、反応ガスが
基板載置部の周縁から基板載置部の下面側に流れ込むのが阻止される。

基板載置部は、多数の貫通穴を有するようにしてもよい。

反応室内の上部に、反応室内を所定の成長温度に加熱する第１の加熱手段を設け、第１
の加熱手段の上部に第１のリフレクタを設け、反応室の下部にも、反応室内を所定の成長
温度に加熱する第２の加熱手段を設け、第２の加熱手段の下部に第２のリフレクタを設け
てもよい。この場合、第１のリフレクタは、第１の加熱手段からの熱線を反応室の中心に
向かって反射させる第１の傾斜部と、第１の加熱手段からの熱線を鉛直下向きに反射させ
る第１の平坦部とを設け、第１の傾斜部と第１の平坦部の面積比が所定の比率となるよう
に、かつ、第１の傾斜部と第１の平坦部の分布が偏らないように、第１の傾斜部と第１の
平坦部とを配列することが好ましい。第２のリフレクタについても、第２の加熱手段から
の熱線を反応室の中心に向かって反射させる第２の傾斜部と、第２の加熱手段からの熱線
を鉛直上向きに反射させる第２の平坦部とを設け、第２の傾斜部と第２の平坦部の面積比
が所定の比率となるように、かつ、第２の傾斜部と第２の平坦部の分布が偏らないように
、第２の傾斜部と第２の平坦部とを配列することが好ましい。

本発明のエピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置によれ
ば、支持部が、天井板の外側上方から天井板を支持するようにしたので、基板上部と天井
板の間の距離が短い、熱応力の高い状態であっても天井板を確実に支持することが可能に
なる。したがって、境界層の厚みを薄くすることができ、成長速度の高速化に資する。一
方、反応ガスを反応室に導入する前に、側壁部に設けられた反応ガス供給路において、反
応室内での反応ガスの流れの向きの水平方向の成分が、反応ガス供給路の反応室側の開口
の中心から反応室の中心に向かう向きの水平方向の成分と一致するように、反応ガスを整
流するようにしたので、境界層の狭小化に伴い、反応室内の基板表面において、基板の周
縁に向かって反応ガスが逃げていく流れが増えるのを抑制することができ、反応ガスの流
れの安定化に資する。その結果、膜厚分布や抵抗率分布等の観点から成膜品質を確保しつ
つ、安定した高速成長が実現される。

本発明の実施形態となるエピタキシャル成長装置の全体を示す断面図 本発明の実施形態における反応室の構成を示す分解斜視図 本発明の実施形態における反応室の外側の構成を示す分解斜視図 本発明の実施形態における天井部の構成を示す斜視断面図 本発明の実施形態における側壁部の内側の構成を示す模式図 本発明の実施形態における反応ガス供給路を示す断面図 本発明の実施形態における反応ガス供給路について説明するための模式図 本発明の実施形態における整流板の例を示す斜視図 本発明の実施形態におけるサセプタリングの一例を示す一部断面図 本発明の実施形態におけるサセプタリングの他の例を示す一部断面図 本発明の実施形態におけるサセプタの一例を示す平面図 本発明の実施形態におけるサセプタの他の一例を示す平面図 本発明の実施形態におけるサセプタ支持部の構成を示す模式図 本発明の実施形態におけるサセプタ・シャフトの一例を示す斜視図 本発明の実施形態における基板・リフト部の一例を示す斜視図 本発明の実施形態におけるガス排出チューブの一例を示す斜視断面図 本発明の実施形態における上部リフレクタの一例を示す斜視図 本発明の実施形態における下部リフレクタの一例を示す斜視図 実施例及び比較例の結果を示すグラフ 従来のエピタキシャル成長装置における天井部の構成を示す斜視断面図 従来のエピタキシャル成長装置における反応室の外側の構成を示す分解斜視図 従来のエピタキシャル成長装置における上部リフレクタの一例を示す斜視図 従来のエピタキシャル成長装置における下部リフレクタの一例を示す斜視図

以下、本発明の実施形態となる、エピタキシャル成長装置、および、この装置で行われ
るエピタキシャル成長を用いた成膜方法について説明する。

(エピタキシャル成長装置の構成概要)
まず、本発明の実施形態となるエピタキシャル成長装置１の構成について概説する。図
１はエピタキシャル成長装置１の全体を示す断面図である。また、図２はエピタキシャル
成長装置１の反応室２の構成を示す分解斜視図、図３はエピタキシャル成長装置１の反応
室２の外側の構成を示す分解斜視図である。

エピタキシャル成長装置１は、基板Ｗ上に、例えばシリコンなどの膜をエピタキシャル
成長させるための成膜装置である。

エピタキシャル成長装置１は反応室２を有する。反応室２は、基板Ｗが載置されるサセ
プタ３と、側壁部４と、天井部５とから構成される。

サセプタ３は、上面視において円形状の板状部材であり、基板Ｗより若干大きくなるよ
うに構成されている。サセプタ３には、基板Ｗを載置するための基板用凹部３ａが設けら
れている。サセプタ３は、複数の腕部を有するサセプタ支持部６により支持されている。

サセプタ支持部６は、サセプタ３を支持しながらサセプタ３を昇降させる。サセプタ３
の基板Ｗが載置される面の昇降範囲は、サセプタ３が、基板Ｗ上に成膜が行われる成膜位
置Ｐ１から、基板Ｗのエピタキシャル成長装置１への出し入れを行う基板搬送位置Ｐ２ま
での間である。そして、サセプタ支持部６は、この成膜位置Ｐ１において、サセプタ支持
部６の軸を回転中心として回転することによって、サセプタ３および基板Ｗを回転させる
ことが可能であるように構成されている。

サセプタ３は、成膜位置Ｐ１においてその周囲に環状のサセプタリング７が配されてい
る。サセプタリング７は、詳しくは後述するが、第１リング１１と、第１リング１１上に
載置された第２リング１２とからなる。サセプタリング７は、反応室２の側壁部４に設け
られたフランジ部１３により支持されている。

天井部５は、天井板２１と、天井板２１を支持する支持部２２とからなる。天井板２１
は、透過性を有するものであり、天井板２１の外側上方に設けられた加熱手段２３(例え
ばハロゲンランプ)および上部リフレクタ２６からの熱を透過して反応室２内を加熱する
ことができるように構成されている。即ち、本実施形態におけるエピタキシャル成長装置
１はコールドウォールタイプのエピタキシャル成長装置である。本実施形態では、天井板
２１として石英を用いている。

天井板２１を支持する支持部２２は環状である。支持部２２の内縁より内側の貫通穴２
４の基板Ｗ側の端部に天井板２１が固定されている。固定方法としては、溶接が挙げられ
る。

側壁部４は、環状の上部側壁部３１と、環状の下部側壁部３２とからなる。下部側壁部
３２の内周側には、前述したフランジ部１３が設けられている。このフランジ部１３より
も下方側に、基板搬送口３０が設けられている。上部側壁部３１は、その上面に、支持部
２２の突出部２５の外側の斜面部に対応する斜面部を有している。この上部側壁部３１の
斜面上に支持部２２が配置される。

下部側壁部３２の上面は外周部の一部が切り欠かれ、この切り欠きが設けられていない
領域は、上部側壁部３１が載置される載置面３３として構成されている。下部側壁部３２
の切り欠きにより、下部側壁部３２には第１凹部３４が形成されている。即ち、第１凹部
３４は、下部側壁部３２の上面の載置面３３が形成されていない部分に形成された凹部で
ある。上部側壁部３１には、下部側壁部３２への載置時にこの第１凹部３４に対応する位
置に、第１凹部３４の形状に対応し、かつ、この第１凹部３４との間に間隙３５が形成さ
れるように、第１凸部３６が設けられている。そして、この第１凸部３６と第１凹部３４
との間の間隙３５が反応ガス供給路４１(供給路)として機能する。反応ガス供給路４１に
ついては詳しくは後述する。

また、下部側壁部３２の第１凹部３４と対向する領域において、下部側壁部３２の上面
はその外周部の一部が切り欠かれて第２凹部３７が形成されている。上部側壁部３１には
、下部側壁部３２への載置時にこの第２凹部３７に対応する位置に、第２凹部３７の形状
に対応し、かつ、この第２凹部３７との間に間隙３８が形成されるように、第２凸部３９
が形成されている。この第２凹部３７と上部側壁部３１の第２凸部３９とでガス排出路４
２が形成されている。

このように反応ガス供給路４１とガス排出路４２とは反応室２において対向し、反応室
２において反応ガスは基板Ｗ上を水平方向に流れる。

また、下部側壁部３２の第２凹部３７を構成する壁面４３には、パージガスが排出され
るパージ孔４４が形成されている。パージ孔４４は、フランジ部１３よりも下方に設けら
れている。そして、このパージ孔４４が第２凹部３７を構成する壁面４３に設けられてい
ることから、パージ孔４４はガス排出路４２に臨んでいる。従って、ガス排出路４２には
、反応ガスとパージガスの両方が排出される。

側壁部４の下部側壁部３２の下面側には、環状の載置台４５が設けられ、側壁部４が載
置台４５に載置されている。

天井部５、側壁部４、載置台４５の外周側には、環状の挟持部５１が設けられており、
環状の挟持部５１は、これら天井部５、側壁部４及び載置台４５をクランプして支持して
いる。挟持部５１には、それぞれ反応ガス供給路４１に連通する供給側連通路５２と、ガ
ス排出路４２に連通する排出側連通路５３とが設けられている。供給側連通路５２にはガ
ス導入チューブ５５が内挿されている。また、排出側連通路５３にはガス排出チューブ５
８が内挿されている。

挟持部５１の外側には、反応ガス導入部５４が設けられており、反応ガス導入部５４と
供給側連通路５２とは通路が連通している。反応ガス導入部５４からは、本実施形態では
、第１原料ガスと、第２原料ガスとが導入されている。なお、第２原料ガスはキャリアガ
スとしても機能する。反応ガスとしては３種類以上のガスを混合して用いることも可能で
ある。供給側連通路５２と反応ガス導入部５４との接続部分には、ガス流路に対して垂直
となるように整流板５６が設けられている。整流板５６には、複数の孔部５６ａが周方向
に沿って一列に設けられており、この孔部５６ａを反応ガスが通過することで、第１原料
ガスと第２原料ガスとが混合されると共に整流される。また、挟持部５１の外側には、ガ
ス排出部５７も設けられている。ガス排出部５７は、反応室２の中心を挟んで反応ガス導
入部５４と対向する位置に設けられている。ガス排出部５７と排出側連通路５３とは通路
が連通している。即ち、反応ガス供給路４１には、供給側連通路５２を介して反応ガス導
入部５４が接続されている。また、ガス排出路４２は、排出側連通路５３を介してガス排
出部５７が接続されている。ガス排出路４２は、反応室２の中心を挟んで反応ガス供給路
４１と対向するように設けられている。

また、載置台４５の内周側下部には、装置底部６１が設けられている。装置底部６１の
外側には、別の加熱手段６２および下部リフレクタ６５が設けられており、基板Ｗを下方
からも加熱することが可能である。

装置底部６１の中央には、サセプタ支持部６の軸部６３が挿入されると共に、パージガ
スが導入されるパージガス導入部(図示せず)が設けられている。パージガスは、パージガ
ス導入部に設けられた図示しないパージガス導入手段から装置底部６１、下部側壁部３２
及び載置台４５とから構成された反応室下部６４に導入される。また、パージ孔４４は反
応室下部６４に連通している。

(エピタキシャル成長を用いた成膜方法の概要)
次に、本実施形態のエピタキシャル成長装置を用いた成膜方法について説明する。

まず、サセプタ３を基板搬送位置Ｐ２まで移動させ、基板Ｗを基板搬送口３０から搬入
し、サセプタ３を成膜位置Ｐ１まで移動させる。基板Ｗとしては、直径が例えば２００mm
のシリコン基板を用いる。次に、加熱手段２３、６２により待機温度（例えば８００℃）
から成長温度（例えば１１００℃）に加熱される。パージガス導入部からパージガス(例
えば水素)を反応室下部６４に導入する。また、反応ガス(例えば第１原料ガスとしてトリ
クロロシラン、第２原料ガスとして水素)を反応ガス導入部５４から反応ガス供給路４１
を介して反応室２内に導入する。反応ガスは、基板Ｗの表面に境界層を形成し、この境界
層において反応が生じる。これにより、基板Ｗ上にシリコン膜が成膜される。反応ガスは
、反応室２に臨んだガス排出路４２から排出される。また、パージガスはパージ孔４４を
介してガス排出路４２へ排出される。このようにしてエピタキシャル成長が終了した後、
待機温度まで降温してから、基板Ｗは搬出され、半導体製造装置の別のチャンバに移動さ
れる。

(エピタキシャル成長装置・方法の詳細)
次に、本実施形態のエピタキシャル成長装置１の構成部材の詳細について説明するとと
もに、本実施形態の成膜方法の詳細についても説明する。

図４は、本実施形態における天井部５の構成を示す斜視断面図である。図に示したよう
に、天井板２１を支持する支持部２２の内縁は、基板側に向かって徐々に径が小さくなっ
ている。そして、内縁の基板Ｗ側の端部に天井板２１が固定されている。また、支持部２
２を裏面側(下面側)からみると、内周部が突出して突出部２５となっている。この突出部
２５も突出方向に向かって徐々に径が小さくなるように形成されている。このように、支
持部２２は２つの斜面部から構成される。即ち、支持部２２は、天井板２１の周縁部にお
いて、周縁部の上方かつ外側から天井板２１を支持する。一方、図２０は、従来のエピタ
キシャル成長装置の天井部５’の一例を示す斜視断面図である。図に示したように、従来
の装置の天井部５’では、天井板２１’の周縁部において、支持部２２’が、天井板２１
’と同一平面上から天井板２１’を支持し、支持部２２’は略直角の角部２５’を有する
形状となっている。

このように、本実施形態では、従来のものに比べて、支持部２２を応力が集中しにくい
形状としていることから、基板Ｗと天井板２１との距離Hを短く、即ち１０mm未満とする
ことができる。

具体的には、天井板２１（２１’）を加熱手段２３からの赤外線は概ね通過するが、天
井板２１（２１’）自体はサセプタ３、又は基板Ｗからの輻射熱を吸収する。この吸収さ
れた熱は天井板２１（２１’）から支持部２２（２２’）との接合部を介して支持部２２
（２２’）へ入力される。ここで、基板Ｗと天井板２１（２１’）との距離Hを短くする
と、この輻射熱の吸収量が高くなり、支持部２２（２２’）に入力される熱が多くなる。
したがって、従来の天井部５’のように、支持部２２’が略直角の角部２５’を有すると
、この角部２５’に応力が集中してしまい、割れなどが発生するおそれがある。

一方、本実施形態では、支持部２２に突出部２５を設け、天井板２１の周縁部において
、周縁部の上方かつ外側から天井板２１を支持させることによって、なるべく応力が集中
しやすい角部（２５’）を設けずに天井板２１を基板側で支持することができるようして
いる。

また、本実施形態では、上述のように境界層を狭くするために天井板２１と基板Ｗとの
距離Hを短くしているので、反応ガスが基板Ｗの外側に逃げてしまいやすく、基板におい
て膜厚分布の均一化が難しい場合も考えられるので、これを防止することが好ましい。こ
のため、本実施形態では、以下に説明するように、ガス流れを均一化するために、反応ガ
ス供給路４１にガイド部を設けている。

反応ガス供給路４１に設けられたガイド部について、図５から図７を用いて詳細に説明
する。前述のとおり、反応ガス供給路４１は、下部側壁部３２の第１凹部３４と上部側壁
部３１の第１凸部３６とから形成されて、供給側連通路５２内のガス導入チューブ５５を
介して反応ガス導入部５４まで連通している。また、反応ガス供給路４１は、反応ガス導
入部５４からのガスの導入方向と一致する方向（水平方向）に延設された第１供給路７１
と、第１供給路７１に連通し、ガスの導入方向に対して垂直な方向（鉛直方向）に延設さ
れた第２供給路７２と、第２供給路７２に連通し、ガスの導入方向に一致する方向（水平
方向）に延設された第３供給路７３とを有している。そして、第３供給路７３は、反応室
２に連通している。即ち、反応ガス供給路４１は、反応ガスの入口である供給側連通路５
２側から、反応ガスの出口である反応室２に接続される出口に向かって上り階段状に形成
されている。

ここで、第２供給路７２は、上述のように鉛直方向に延設されているので、反応ガス導
入部から導入されたガスが第２供給路７２の反応ガス導入部５４に対向する壁面７４に接
触する。これにより、反応ガスが拡散され、反応ガスの混合性が高まる。即ち、第２供給
路７２は反応ガスの混合室として機能する。この場合に、第２供給路７２で反応ガスが停
滞しないように、本実施形態では、第２供給路７２の壁面７４には、鉛直方向に延びた溝
部７５が形成されており、この溝部７５がガイド部として機能する。このように溝部７５
が設けられていることで、第２供給路７２の壁面７４に接触することで拡散されたガスも
第３供給路７３へ流入しやすく、さらにこの溝部７５に沿って整流されることで、反応ガ
スの直進性が向上して、反応室２に流入した場合の反応ガスの広がりを抑制できる。

溝部７５について詳細に説明する。溝部７５は、第２供給路７２の壁面７４の全面に複
数本連続して凹部として形成されている。図７(２)に示すように、凹部である溝部７５は
、溝部７５の幅方向において湾曲している。本実施形態では、溝部７５は、上面視におい
て円弧状である。溝部７５が幅方向において湾曲していることから、反応ガスが、壁面７
４の溝部７５の底部に接触した場合に、拡散しにくく(集中しやすく)、反応ガスが反応室
２へ流入した場合にも基板Ｗの外側へより広がりにくい。なお、この溝部７５の深さが深
すぎると拡散を抑制することはできるが、反応ガス中の第１原料ガスと第２原料ガスとの
混合をすることが難しくなる。本発明の一実施形態では、溝部７５の深さは１mm〜５mmと
することが好ましい。さらに、３mmとすることがより好ましい。

また、溝部７５は、それぞれが下部側壁部３２の面内方向の中央Ｃに向かうように設け
られている。即ち、溝部７５は、下部側壁部３２の周方向に沿って設けられている。この
ように設けることで、各溝部７５によりガイドされて反応室２内に導入された反応ガスの
流れの向きの水平方向の成分が、反応ガス供給路４１の反応室２側の開口の中心から反応
室２の中心に向かう向きの水平方向の成分と一致するように整流性が高められ、反応ガス
が反応室２内で分散されてしまうことが抑制される。

さらに、各溝部７５の幅方向の中心と反応ガス導入部５４に設けられた整流板５６の孔
部５６ａの中心とが略一致する(対応する)位置に、各溝部７５は設けられている。即ち、
本実施形態では壁面７４における溝部７５の数と孔部５６ａの数とは一致する。これによ
り、整流板５６より整流された反応ガスがそのまま各溝部７５に流入するので、さらに整
流作用が高まり、反応ガスの直進性を向上させることができる。

なお、本実施形態では第２供給路７２の壁面７４の全面に溝部７５を設けたが、第２供
給路７２の壁面７４のうち、少なくとも端部部分に設ければよい。端部部分とは、整流板
５６の孔部が複数の領域に分けられて設けられているが、この領域のうち、最も端部の領
域に対応する部分をいう。例えば、図７に示す場合では、整流板５６は３つの領域８１に
分けられており、この領域のうち、最も端部の領域８２、８３の孔部に対応して溝部７５
が設けられていればよい。上記のように反応ガスは基板Ｗの外側に逃げやすいので、特に
反応ガス供給路４１の端部部分において反応ガスの直進性を高めるために溝部７５を設け
ることが好ましいのである。そして、この場合にガイド部として機能する溝部７５を凹部
として形成することでこのような効果を簡易に得ることができる。例えば、整流部材を第
２供給路７２に別途設けるとなると反応ガスの混合性や製造コスト等の問題が発生するが
、本実施形態のように溝部７５を凹部として形成することにより、これらの問題は解決さ
れる。

図８は、整流板５６の例を示した斜視図である。図に示したように、整流板５６は、溝
部７５のパターンに応じたものを用意すればよい。整流板５６の開口率は、成長速度の観
点だけでなく、スクラバーや、外部の配管の形状、長さ等の付帯設備を含めて最適な値に
決定することが好ましい。

本実施形態では、上述のように境界層を狭くするために天井板２１と基板Ｗとの距離を
狭くしているので、反応室２下部への反応ガスの周りこみが発生しやすいと共に、基板Ｗ
の温度分布が均一化されにくいことが考えられ、その結果、厚膜形成時の膜厚分布や膜質
の低下(例えば抵抗率の分布や結晶欠陥の発生など)も考えられる。本実施形態では、これ
を防止すべく、サセプタリング７が２つの部材で構成されている。この点について説明す
る。

図９に拡大して示したように、サセプタリング７を構成する第１リング１１は、サセプ
タの外周に対して離間して設けられており、この第１リングの内周側には上面が低い段差
部９１が形成されている。段差部９１には、第２リング１２が載置されており、この第２
リング１２は、第１リング１１とサセプタ３との間に形成された離間部９２に臨んで、即
ち離間部９２にせり出すように設けられている。第２リング１２は、その上面がサセプタ
３の上面と等しくなるように設けている。このように第２リング１２の上面がサセプタ３
の上面と等しくなるように設けていることで、反応ガス供給路４１等で混合されて整流さ
れた状態が維持された反応ガスを、速度をできるだけ低下させること無く、スムーズに基
板Ｗに供給できる。なお、ここでいうサセプタ３の上面とは、サセプタ３の基板用凹部３
ａ (図１，２，１１，１２参照)の形成されていない領域の上面をいう。本実施形態の第
２リング１２は、熱伝導性に鑑みてシリコンカーバイドを材料としている。

そして、このように第２リング１２と第１リング１１とを別部材で構成していることで
、より精度良くサセプタリング７を構成することができる。即ち、サセプタリング７とサ
セプタ３との距離を限界まで近づけることができ、これにより基板Ｗの裏面側、即ち反応
室下部６４への反応ガスの回り込みを低減できると共に、基板Ｗの温度分布を均一化する
ことができる。これにより、本実施形態では、形成された膜の膜厚分布や膜質分布が均一
化される。

また、第１リング１１と第２リング１２の２つの部材にすることで、第１リング１１と
第２リング１２との間の熱の移動を第１リング１１と第２リング１２を１つの部材で構成
する場合よりも抑制することができる。

さらに、このように第２リング１２が離間部９２に臨むように構成されていることで、
成膜時にサセプタリング７とサセプタ３との間から反応ガスが下方に漏れ出すことを低減
できて、反応ガスの流れが乱れにくく、また、反応ガスが下方に漏れ出すことを低減でき
ることから、パーティクルを低減できる。

この場合に、第２リング１２は第１リング１１に比べて薄く形成してある。これにより
、サセプタ３からの輻射による熱損失を抑制することができる。また、第２リング１２が
薄いことで、第２リング１２を所定の高温に維持する(プリヒート)ために必要な加熱量を
少なくすることができる。他の実施形態として、第１リング１１を熱伝導率の小さい材質
にした場合には、第１リング１１が断熱材として機能し、上記の効果をさらに高めること
ができる。

なお、本実施形態では第２リング１２が離間部９２に臨むように構成したが、これに限
定されない。第２リング１２は、第１リング１１の段差部９１に少なくとも載置されるよ
うに構成されていれば、精度良くサセプタリング７を構成することができるので、サセプ
タリング７とサセプタ３との距離を限界まで近づけることができ、これにより基板Ｗの裏
面側への反応ガスの回り込みを低減できると共に、基板の温度分布を均一化することがで
きる。

また、本実施形態では、境界層を狭くするために天井板２１と基板Ｗとの距離を狭くし
ているので、天井板２１の天井面も反応ガスによりコーティングされやすい。天井面がコ
ーティングされると、天井面が曇ってしまい、天井板２１を介して加熱手段２３から加熱
するコールドウォールタイプのエピタキシャル成長装置では十分に成膜ができないおそれ
がある。これに対し、本実施形態では、上述のように反応ガス供給路４１の壁面に溝部７
５を設け、かつ、サセプタリング７を２つの部材で構成することで、反応ガスが反応室２
において滞留しにくく、その結果、コート材の付着を抑制できる。これにより、連続して
十分な成膜を行うことが可能である。

図１０は、サセプタリング７の変形例を示したものである。本変形例では、第２リング
１２Ａが離間部９２Ａを覆うように設けられている点において図９に示した実施形態とは
異なる。本変形例でも、第１リング１１Ａは側壁部３２Ａのフランジ部１３Ａに載置され
ている。第２リング１２Ａは、この第１リング１１Ａの段差部９１Ａに載置されており、
かつ、その内周側はサセプタ３Ａの外周に臨んでいる。

本変形例では、第２リング１２Ａが離間部９２Ａを覆うように設けられていることで、
反応室２Ａに流入した反応ガスが反応室下部６４Ａへ入ることをより抑制することができ
る。ただし、第２リング１２Ａが、図１０中に図示しない加熱手段２３からサセプタ３Ａ
への加熱を遮るのを抑制すべく、第２リング１２Ａとサセプタ３Ａとのオーバーラップ量
は少ない方が好ましい。

本変形例において、第２リング１２Ａの厚みは、例えば０．５mm〜２mmとすることが好
ましい。さらに、約０.８mmとすることがより好ましい。このような厚みとすることで、
サセプタ３Ａから第２リング１２Ａへの輻射による熱損失を可能な限り抑制することがで
きる。

図１１および図１２は、本発明の実施形態におけるサセプタ３の一例を示す平面図であ
る。図に示したように、サセプタ３Ａ，３Ｂは、リフトピン１２３（図１３参照）が貫通
するリフトピン用貫通穴１１０Ａ，１１０Ｂが設けられている。また、図１２に示したよ
うに、多数の貫通穴１１１Ｂを有していてもよい。この貫通穴１１１Ｂにより、基板をサ
セプタに載置した瞬間に間に挟まれた気体を逃がすことができ、基板Ｗが水平方向に滑っ
てしまうという問題を解決することができる。また、このようなサセプタ３Ｂを用いた場
合、サセプタ３Ａを用いた場合と比較すると、基板Ｗの膜厚分布の均一化や抵抗率分布の
均一化の点で優位である。これは、貫通穴１１１Ｂの直径が小さければ小さいほど、貫通
穴１１１Ｂの数が多ければ多いほど顕著である。また、開口率は４％を超えるものとする
のが好ましく、また、サセプタの基板用凹部３Ｂａのみではなく、その周囲にも貫通穴１
１１Ｂを設けるのがより好ましい。

図１３から図１６までは、サセプタ支持部６の一実施形態を示したものである。図１３
に示したとおり、サセプタ支持部６は、サセプタ・シャフト１２１と基板リフト部１２２
とリフトピン１２３とから構成されている。サセプタ３はサセプタ・シャフト１２１の３
本の腕部によって支持されている。基板リフト部１２２の３本の腕部には、リフトピン１
２３の下端が配置される凹部を有する台座１２４が設けられている。また、基板リフト部
１２２の軸部分は筒状になっており、この基板リフト部１２２の軸部分は、サセプタ・シ
ャフト１２１の軸部分が挿入可能となっている。

本実施形態では、サセプタ支持部６において、各腕部の太さは通常のものよりも細く構
成されている。これにより、加熱手段６２がサセプタ３上の基板Ｗを加熱する際における
サセプタ支持部６の影響を小さくすることができるので、サセプタ３の温度分布を均一に
することが可能である。なお、本実施形態のサセプタ支持部６の構成の詳細、および、昇
降動作は、本出願人による国際公開ＷＯ２０１３/００５４８１号公報に記載のサセプタ
装置と同様である。ただし、同公報記載のサセプタ装置はサセプタ・シャフト（載置部シ
ャフト）が１本となっているが、本実施形態のサセプタ支持部６のサセプタ・シャフト（
腕部）１２１は３本となっている。

図１６は、本実施形態におけるガス排出チューブ５８の一例を示した斜視断面図である
。図に示したように、ガス排出チューブ５８は、反応室２側からガス排出部５７に向かう
にしたがって開口が中央に向かって絞られて狭くなるように形成されている。これにより
、排気が中央に整流され、排気効率の向上が図られている。

また、図２１は、従来のエピタキシャル成長装置における反応室２の外側の構成を示す
分解斜視図である。図に示したように、ガス導入チューブ５５と５５’、ガス排出チュー
ブ５８と５８’とを比較すると、本実施形態では、各々の中央部にある仕切り部が除去さ
れている。これにより、膜厚分布に影響するガスの流れがスムーズになる。

なお、ガス排出路４２とパージ孔４４は、開口率が大きすぎると、反応ガスが反応室下
部６４に潜り込み、開口率が小さすぎると、パージガスが反応室２内での成膜プロセスに
影響を及ぼしてしまうので、最適な値となるように開口が形成される。

図１７は、本発明の実施形態における上部リフレクタ２６の一例を示す斜視図である。
図に示したように、上部リフレクタ２６は、加熱手段２３からの熱線を反応室２の中心に
向かって反射させる傾斜部２６ａと、加熱手段２３からの熱線を鉛直下向きに反射させる
平坦部２６ｂとを有している。一方、図２２は、従来のエピタキシャル成長装置における
上部リフレクタ２６’の一例を示す斜視図である。図に示したように、従来の上部リフレ
クタ２６’も傾斜部２６ａ’と平坦部２６ｂ’とを有しているが、本発明の実施形態の上
部リフレクタ２６とは傾斜部２６ａの配列が異なっている。具体的には、本発明の実施形
態の上部リフレクタ２６は、従来の上部リフレクタ２６’の平坦部２６ｂ’の中央に傾斜
部を１つ追加した配列となっている。このように、傾斜部２６ａと平坦部２６ｂの面積比
が所定の比率となるように、かつ、傾斜部２６ａと平坦部２６ｂの分布が偏らないように
、傾斜部２６ａと平坦部２６ｂとを配列することにより、基板Ｗの温度分布の均一化が図
られている。

図１８は、本発明の実施形態における下部リフレクタ６５の一例を示す斜視図である。
図２３は、従来のエピタキシャル成長装置における下部リフレクタ６５’の一例を示す斜
視図である。下部リフレクタ６５も上部リフレクタ２６と同様に、加熱手段６２からの熱
線を反応室２の中心に向かって反射させる傾斜部６５ａと、加熱手段６２からの熱線を鉛
直上向きに反射させる平坦部６５ｂとを有しており、従来の下部リフレクタ６５’の平坦
部６５ｂ’の中央に傾斜部を１つ追加した配列となっている。このように、傾斜部６５ａ
と平坦部６５ｂの面積比が所定の比率となるように、かつ、傾斜部６５ａと平坦部６５ｂ
の分布が偏らないように、傾斜部６５ａと平坦部６５ｂとを配列することにより、基板Ｗ
の温度分布の均一化が図られている。

かかる本実施形態のエピタキシャル成長装置によれば、支持部２２が天井板２１を支持
することで、天井板２１の中央部の反応室側の天井面と基板Ｗとの距離Hを１０mm未満と
することができる。これにより、本実施形態におけるエピタキシャル成長装置１は、この
天井板２１とサセプタ３との間を流れる反応ガスにより形成される境界層が天井側に広が
るのを抑制でき、結果として境界層が狭くなる。そうすると、この境界層内におけるガス
速度が上昇するので、結果としてガス密度が向上し、基板Ｗ表面における反応効率を高め
ることができる。これにより、エピタキシャル成長装置１では、成長速度を向上させるこ
とができる。

なお、本発明の一実施形態では、天井板２１と基板Ｗとの距離Hは１０mm未満であり、
好ましくは天井板２１と基板Ｗとの距離Hが１０mm未満、かつ、基板Ｗの成膜された膜の
表面から天井板２１との距離を１mm以上である。この範囲とすることで、境界層を形成し
つつも、反応ガスのガス流れをスムーズに行うことができる。

即ち、本実施形態における反応室２では、基板Ｗと天井板２１との距離を従来よりも短
く(従来は２０mm程度)することで、境界層を狭くして基板表面における反応効率を高め、
結果として成長速度を向上させている。

(実施例)
以下、実施例により発明の詳細について説明する。

図１０に示したサセプタリングを用いたエピタキシャル成長装置１Ａ(基板Ｗ表面と天
井板２１との距離Hは9.27mm)により、以下の成長条件に基づいてエピタキシャル成長を行
った。
第１原料ガス（トリクロロシラン）流量 ８．５ ＳＬＭ
パージガス（水素）流量 １５．０ ＳＬＭ
成長時間 ６００．０秒
成長温度 １１００．０℃
回転速度 ２０．０ ＲＰＭ

実施例１とは、第１原料ガス量を13.5 SLMに変更した点以外は同一条件でエピタキシャ
ル成長を行った。

実施例１とは、第１原料ガス量を17.0 SLMに変更した点以外は同一条件でエピタキシャ
ル成長を行った。
(比較例１)

従来のエピタキシャル成長装置(基板Ｗ表面と天井板２１との距離Hは20mm、溝部７５は
なく、サセプタリングは１つの部材からなる)により、回転速度を35.0 RPMとした点以外
は、実施例１と同一の成長条件に基づいてエピタキシャル成長を行った。
(比較例２)

従来のエピタキシャル成長装置(基板Ｗ表面と天井板２１との距離Hは20mm、溝部７５は
なく、サセプタリングは１つの部材からなる)により、回転速度を35.0 RPMとした点以外
は、実施例２と同一の成長条件に基づいてエピタキシャル成長を行った。
(比較例３)

従来のエピタキシャル成長装置(基板Ｗ表面と天井板２１との距離Hは20mm、溝部７５は
なく、サセプタリングは１つの部材からなる)により、回転速度を35.0 RPMとした点以外
は、実施例３と同一の成長条件に基づいてエピタキシャル成長を行った。
各実施例及び比較例による膜の成長速度を検出した。検出された成長速度と第１原料ガ
スとの関係を図１９に示す。

図１９に示すように、本発明の実施形態となるエピタキシャル成長装置１Ａによれば、
成長速度が50％以上向上され、第１原料ガス量が多くなれば多くなるほど成長速度の改善
率は向上した。従って、本実施形態のエピタキシャル成長装置を用いることで、成長速度
が向上した。

１ エピタキシャル成長装置
２ 反応室
３ サセプタ
４ 側壁部
５ 天井部
６ サセプタ支持部
７ サセプタリング
１１ 第１リング
１２ 第２リング
１３ フランジ部
２１ 天井板
２２ 支持部
２３ 加熱手段
２４ 貫通穴
２５ 突出部
２６ 上部リフレクタ
３０ 基板搬出口
３１ 上部側壁部
３２ 下部側壁部
３３ 載置面
３４ 第１凹部
３５ 間隙
３６ 第１凸部
３７ 第２凹部
３８ 間隙
３９ 第２凸部
４１ 反応ガス供給路
４２ ガス排出路
４３ 壁面
４４ パージ孔
４５ 載置台
５１ 挟持部
５２ 供給側連通路
５３ 排出側連通路
５４ 反応ガス導入部
５５ ガス導入チューブ
５６，５６Ａ，５６Ｂ 整流板
５６ａ 孔部
５７ ガス排出部
５８ ガス排出チューブ
６１ 装置底部
６２ 加熱手段
６３ 軸部
６４ 反応室下部
６５ 下部リフレクタ
７１ 第１供給路
７２ 第２供給路
７３ 第３供給路
７４ 壁面
７５ 溝部
８１，８２，８３ 領域
９１ 段差部
９２ 離間部
１１０Ａ，１１０Ｂ リフトピン用貫通穴
１１１Ｂ 貫通穴
１２１ サセプタ・シャフト
１２２ 基板リフト部
１２３ リフトピン
１２４ 台座
Ｗ 基板

Claims (15)

1. 処理チャンバに用いられる下部側壁部であって、
   内周部と、内周部と同心で中心軸を共有する外周部と、外周部に形成された第１凹部を備える環状本体を含み、
   第１凹部は、第１凹部に形成され、環状本体により内周部から分離された複数の溝を含み、溝は下部側壁部の周方向に沿って中心軸と実質的に並行に配置されており、各々の溝は固有の焦点を備える湾曲断面プロファイルを有し、複数の溝の第１の溝と複数の溝の最後の溝の断面プロファイルは中心軸に沿って放射状に配置されている下部側壁部。
2. 外周部に形成された第２凹部を含み、第２凹部は第１凹部に対向して形成されている請求項１記載の下部側壁部。
3. 第２凹部は第２凹部を貫通して形成された複数のパージ孔を有する請求項２記載の下部側壁部。
4. 各々の溝は幅方向に湾曲し、湾曲断面プロファイルを形成する請求項１記載の下部側壁部。
5. 各々の溝は１〜５ｍｍの深さを有する請求項１記載の下部側壁部。
6. 複数の溝は第１凹部内で連続して形成されている請求項１記載の下部側壁部。
7. 複数の溝は下部側壁部の中心に向かって形成されている請求項１記載の下部側壁部。
8. 各々の溝の湾曲断面プロファイルの回転中心は隣接する溝の回転中心と一致しない請求項１記載の下部側壁部。
9. 処理チャンバに用いられる下部側壁部であって、
   内周部と、内周部と同心で中心軸を共有する外周部と、上部に装着表面を有する上面と、外周部に形成された第１凹部を備える環状本体を含み、
   第１凹部は、第１凹部に形成され、環状本体により内周部から分離された複数の溝を含み、溝は下部側壁部の周縁方向に沿って中心軸と実質的に並行に配置されており、各々の溝は固有の焦点を備える湾曲断面プロファイルを有し、複数の溝の第１の溝と複数の溝の最後の溝の断面プロファイルは中心軸に沿って放射状に配置されており、
   環状本体は、外周部に形成された第２凹部を含み、第２凹部は第１凹部に対向して形成されており、第２凹部は内周部から外周部まで形成されている複数のパージ孔を含む下部側壁部。
10. 複数の溝は第１凹部内で連続して形成されている請求項９記載の下部側壁部。
11. ガスが複数の溝に接触した時に、各々の溝の断面湾曲プロファイルはガスを集中させる請求項９記載の下部側壁部。
12. 各々の溝は幅方向に湾曲し、湾曲断面プロファイルを形成する請求項１１記載の下部側壁部。
13. 処理装置に用いられる天井部であって、
    環状の支持部であって、
    上面と底面を有する本体と、
    本体の底面から下方向及び内方向に突出する突出部であって、第１斜面部と第２斜面部を有し、第１斜面部は環状の支持部の内面の一部であり、第１及び第２斜面部は環状の支持部の中心に向かって直径を減少する突出部を含む環状の支持部と、
    環状の支持部の突出部に結合された天井板を含む天井部。
14. 第１斜面部と第２斜面部によって形成される角度は９０°より小さい請求項１３記載の天井部。
15. 第１斜面部と第２斜面部は天井板で合流する請求項１３記載の天井部。