JP2003142411A

JP2003142411A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JP2003142411A
Application number: JP2001335881A
Authority: JP
Inventors: Yoji Takagi; 庸司高木
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2001-10-31
Filing date: 2001-10-31
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】エピタキシャル成長による薄膜の均一化を図
る。【解決手段】密閉空間を形成する処理チャンバ20と、こ
の密閉空間内のウェハＷを加熱する加熱手段30と、ウェ
ハＷを載置する載置面41を有する円板状のサセプタ40
と、リング状を呈し、その内側がサセプタ40の周縁部に
密接して嵌合する予備加熱リング50と、密閉空間内に装
備され、サセプタ40を背面から支持する支持部材11と、
この支持部材11を介してサセプタ40を予備加熱リング50
と共に回転させる駆動手段とを備えている。そして、予
備加熱リング50の外周は一様に、処理チャンバ20の内側
と隙間を介して近接しており、また、上述の処理チャン
バ20は、密閉空間の上側領域内に反応ガスを供給する供
給口21と領域内から排ガスを排気する排気口22とを有し
ている。また、供給口21は、予備加熱リング50の半径方
向外側に配置されると共に当該サセプタ40の中心部に向
かって反応ガスを吹き出す向きに設定され、排気口は、
サセプタ40を挟んで供給口21と向かい合う位置に設けら
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に、半導体の製造に使用されるウェハに対して
薄膜形成、不純物拡散等を施すのに好適な半導体製造装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エピタキシャル成長装置等の半導体製造
装置においては、ウェハは加熱されながら所定の処理ガ
ス等にさらされる。一般に、半導体製造装置は処理ガス
の供給が可能な密閉空間を有する処理チャンバと、ウェ
ハを載置して回転するサセプタと、密閉空間内を加熱す
る加熱手段とを備えており、サセプタを回転させながら
密閉空間内を加熱し、さらに処理ガスを供給すること
で、所定の作用を施している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】現在、この半導体製造
装置は、ウェハの一方の面に所定の物質からなる膜を形
成したり、ウェハの一方の面に不純物の拡散を行ったり
することに使用されている。しかし、昨今の半導体の高
密度化や小型化の要求により、上記各処理がウェハの面
全体に均一に施されることの要求も高まっており、これ
に対処する必要性が生じていた。本発明は上述した課題
を解決するためになされたものであり、ウェハに対して
施される薄膜形成、不純物拡散等の各処理についての面
全体の均一性の要求に応え得る半導体製造装置を提供す
ることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
密閉空間を形成する処理チャンバと、この処理チャンバ
の密閉空間内のウェハを加熱する加熱手段と、ウェハを
載置する載置面を有する円板状のサセプタと、リング状
を呈し、その内側がサセプタの周縁部に密接して嵌合す
る予備加熱リングと、処理チャンバの密閉空間内に装備
され、サセプタを背面から支持する支持部材と、この支
持部材を介してサセプタを予備加熱リングと共に回転さ
せる駆動手段とを備えている。そして、上述の予備加熱
リングの外周部分は一様に、処理チャンバの内側と隙間
を介して近接しており、また、上述の処理チャンバは、
密閉空間のサセプタの載置面側となる領域内に反応ガス
を供給する供給口と領域内から排ガスを排気する排気口
とを有している。

【０００５】上記構成にあっては、予め、エピタキシャ
ルキャリアガスを処理チャンバの密閉空間に密封した状
態でサセプタの中央にウェハを載置する。そして、加熱
手段によりウェハを目標処理温度まで加熱すると共にサ
セプタを回転させ、その上で、供給口から反応ガスの供
給を開始すると、サセプタ上でウェハが反応ガスにさら
している表面部分に所定の処理が施される。

【０００６】サセプタの周縁部には予備加熱リングが嵌
合されているが、これは当該予備加熱リングの半径方向
外側に位置する供給口からサセプタ中央のウェハに向か
って反応ガスが供給される際に、予備加熱リングを通過
させることにより、反応ガスが充分に昇温する余裕を与
える。単純にサセプタの外径を予備加熱リングの分だけ
大型化することも考えられるが、あえてサセプタと予備
加熱リングとを別体で構成しているのは、加熱時の温度
分布による各部の熱膨張の差異により大型の一枚板では
破壊が生じやすいという強度上の理由による。

【０００７】また、予備加熱リングの外周部分が処理チ
ャンバの内側と近接していることから、予備加熱リング
及びサセプタによって、密閉空間が二つに仕切られた状
態になる。そして、供給口は二つに仕切られた密閉空間
の内のサセプタの載置面側の領域に反応ガスを供給する
ので、他方の領域では殆どガス交換が行われず、キャリ
アガスがそのまま他方の領域に存在し続けることにな
る。従って、この他方の領域内で反応ガスが装置内部反
応を起こすというような不本意な事態は回避される。

【０００８】また、予備加熱リングの外周部分と処理チ
ャンバの内側との間には隙間が存在するが、これは予備
加熱リングの回転動作を妨げないために設けられてい
る。しかし、この隙間の存在により、サセプタの載置面
側の領域にサセプタの背面から供給されるガスがサセプ
タ上面に侵入して隙間の周辺の反応ガスの分圧の低減を
招く可能性がある。この場合、隙間に近いほどその影響
が顕著となる。仮に、予備加熱リングの外側に隙間を設
けないとするとが存在しないとすると、予備加熱リング
とサセプタとの間に隙間を設ける必要があるため、サセ
プタに近い大きさのウェハはサセプタの外周に近い部分
と中心に近い部分とでは、反応の程度差を生じるおそれ
がある。また、ウェハがサセプタの中心からずれて載置
された場合にもそのような反応の程度差を生じるおそれ
がある。本発明では、サセプタに予備加熱リングを嵌め
ることで、隙間をウェハから遠ざけることで、これらの
影響の低減を図っている。

【０００９】請求項２記載の発明は、供給口は、予備加
熱リングの半径方向外側に配置されると共に当該サセプ
タの中心部に向かって反応ガスを吹き出す向きに設定さ
れ、排気口は、サセプタを挟んで供給口と向かい合う位
置に設けられている。この構成では、供給口から供給さ
れた反応ガスが予備加熱リングの一方の面、サセプタの
載置面及びウェハの一方の面に沿って流れ、排気口から
排気される。

【００１０】これに対して、ウェハはサセプタと共に回
転しているので、直径方向を通過する反応ガスにウェハ
の平面は満遍なく且つ均等に曝されることになる。請求
項３記載の発明は、サセプタはその外周部に全周に渡っ
て半径方向外側に突出した載置凸部を有し、予備加熱リ
ングはその内周部に全周に渡って、載置凸部に対応し
て、その半径方向外側に向かって窪んだ被載置受け部を
有する半導体製造装置である。

【００１１】かかる構成の場合、サセプタの載置面と予
備加熱リングの一方の面を向かい合わせた状態から予備
加熱リングの内側にサセプタをはめ込む。すると、サセ
プタの載置凸部に予備加熱リングの被載置受け部が載置
された状態で当接する。このとき、載置凸部と被載置受
け部とはいずれも全周に渡って形成されているので、載
置凸部が被載置受け部に全周に渡って密接する。従っ
て、サセプタ及び予備加熱リングを処理チャンバ内に配
備したときには、これらにより仕切られた密閉空間の一
方の領域から他方の領域へ、サセプタと予備加熱リング
との間をガスが通り抜けてしまうことはなく、予備加熱
リングと処理チャンバの内部との隙間からのみガスの通
過が行われる。従って、よりウェハに対する処理の均一
化が図れ、或いはより大きなウェハに有効に所定の処理
を施すことが可能である。

【００１２】請求項４記載の発明は、サセプタの外周部
の外径と予備加熱リングの内周部の内径とを、常温下で
は相互間にギャップを生じ、ウェハの目標処理温度での
熱膨張下では一致する大きさに設定した半導体製造装置
である。かかる構成にあっては、予備加熱リングの内側
の円孔部にサセプタを格納すると、常温下では、サセプ
タの外周部と予備加熱リングの内周部との間にギャップ
を生じる。仮に、このギャップにより、サセプタと予備
加熱リングとが互いの中心線が不一致となる偏心状態に
あっても、ウェハの加熱下による膨張によってこれらの
ギャップは埋まってしまうので、これらは中心線が一致
し偏心が矯正される。従って、これらの回転動作も安定
した状態で行うことが可能である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本実施形態たる半導体製
造装置としてのエピタキシャル成長装置１０の縦断面図
である。このエピタキシャル成長装置１０は、密閉空間
を形成する処理チャンバ２０と、この処理チャンバ２０
の密閉空間内の半導体のシリコンウェハＷを加熱する加
熱手段３０と、ウェハＷを載置する載置面４１を有する
円板状のサセプタ４０と、リング状を呈し、その内側が
サセプタ４０の周縁部に密接して嵌合する予備加熱リン
グ５０と、処理チャンバ２０の密閉空間内に装備され、
サセプタ４０を背面から支持する支持部材１１と、この
支持部材１１を介してサセプタ４０を予備加熱リング５
０と共に回転させる駆動手段としての駆動モータ（図示
せず）とを備えている。

【００１４】上述の処理チャンバ２０は、石英ガラスで
形成された容器であり、その内部は密閉空間となってい
る。かかる処理チャンバ２０は横断面が、円形の側壁で
構成されている。また、密閉空間内には、後述するサセ
プタ４０及びこれと一体を成す予備加熱リング５０がサ
セプタ４０の載置面４１を上にして水平に配置される。
密閉空間は、これらサセプタ４０と予備加熱リング５０
とによって上下の二つの領域に仕切られることとなる。

【００１５】さらに、処理チャンバ２０は、密閉空間に
おけるサセプタ４０の載置面４１側となる領域、即ち図
１における上側の領域内に反応ガスを供給する供給口２
１と領域内から排ガスを排気する排気口２２とを有して
いる。ここで、反応ガスとは、ウェハＷに形成しようと
する被膜の素材により決定される。本実施形態ではトリ
クロロシランガス（ＳｉＨＣｌ_３）、ジクロロシランガ
ス（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）、シランガス（ＳｉＨ_４）を使用
し、シリコン被膜を形成する場合を例にとって説明す
る。供給口から供給された反応ガスがサセプタの下部領
域に侵入するのを防止するため、サセプタの下部領域か
ら上部領域に向かっては水素等のパージガスが供給され
ている。

【００１６】供給口２１は、その吹き出し口が後述する
予備加熱リング５０の半径方向のすぐ外側であってサセ
プタ４０の載置面４１と同じ高さに設けられている。そ
の吹き出し方向は、サセプタ４０の中心部に向かう方向
であって載置面４１に平行な方向に設定されている。ま
た、排気口２２は、サセプタ４０を挟んで供給口２１と
向かい合う位置であって載置面４１と同じ高さに設けら
れている。

【００１７】上述の加熱手段３０とは、処理チャンバ２
０の上方と下方とにそれぞれ設置されたハロゲンランプ
３１、３２により構成されている。処理チャンバ２０の
上方には、サセプタ４０の中心線を中心に放射状に複数
のハロゲンランプ３１が設置されており、処理チャンバ
２０の下方にも、同様に複数のハロゲンランプ３２が設
置されている。これらのハロゲンランプ３１、３２の発
熱によってウェハＷは目標処理温度、例えば１１５０℃
まで加熱されることとなる。

【００１８】図２はサセプタ４０の周囲の拡大図であ
る。サセプタ４０は炭化シリコンで被覆されたグラファ
イト材料からなる円板状部材である。図２に示されるよ
うに、載置面４１の中央にはウェハＷを配置する二段階
に落ち窪んだ配置部４２が形成されている。この配置部
４２は、ウェハＷよりもわずかに大径な一段目の円形の
窪みとウェハＷよりもわずかに小径な二段目の円形の窪
みとからなる。ウェハＷはこの一段目の窪みに位置決め
して載置することにより、サセプタ４０と同心となる。
また、この一段目の窪みは上方から見た形状がウェハＷ
に形成された結晶方位を示すマーク（図示略）に対応し
た部位を有する形状に設定されており、これにウェハＷ
は結晶方位を示すマークを位置決めして嵌められる。

【００１９】サセプタ４０の外周側の周縁部には、前述
した如く、予備加熱リング５０がその内周部を密接させ
た状態で嵌合している。この予備加熱リング５０は、サ
セプタ４０と同じ厚さの炭化シリコンで被覆されたグラ
ファイト材料からなるリング状部材である。サセプタ４
０は、その外周部の周面上から全周に渡って半径方向外
側に突出した載置凸部４４を有している。この載置凸部
４４は、背面４３と同一面上に形成されている。他方、
予備加熱リング５０はその内周部の周面上に全周に渡っ
て、載置凸部４４に対応して、その半径方向外側に窪ん
だ被載置受け部５３を有している。

【００２０】さらに、常温下での、サセプタ４０の外径
Ｒ_Gは予備加熱リング５０の内径Ｒ_Nよりも若干小さく設
定され、サセプタ４０の載置凸部４４の外径ｒ_Gもまた
予備加熱リング５０の被載置受け部５３の内径ｒ_Nより
も若干小さく設定されている。従って、サセプタ４０は
予備加熱リング５０の円孔部内に完全に格納することが
できる。さらに、常温下での、サセプタ４０の載置凸部
４４の外径ｒ_Gは予備加熱リング５０の内径Ｒ_Nよりも若
干大きく設定され、これによりサセプタ４０の載置凸部
４４の下面が予備加熱リング５０の被載置受け部５３の
上面と全周に渡って密接状態で当接する。従って、サセ
プタ４０と予備加熱リング５０との嵌合部での上下方向
へのガスの流通は遮断される。また、被載置受け部５３
の下面５２からの深さは載置凸部４４の厚さ方向幅と等
しく、被載置受け部５３に載置凸部４４が嵌合した状態
において、サセプタ４０の載置面４１と予備加熱リング
５０の上面５１とが同一面上となる。

【００２１】また、常温下では、サセプタ４０及び予備
加熱リング５０の各面において隙間Ｇ１、Ｇ２を生じ
る。しかし、これらの隙間Ｇ１、Ｇ２はウェハＷの目標
処理温度下での熱膨張により外径Ｒ_Gと内径Ｒ_Nとが一致
し、また外径ｒ_Gと内径ｒ_Nとが一致する寸法に設定され
ているので、エピタキシャル成長時においては、サセプ
タ４０と予備加熱リング５０とが同心となり、後述する
回転動作も安定した状態で行うことが可能である。

【００２２】また、予備加熱リング５０の外周部の外径
は、予備加熱リング５０がサセプタ４０と共に支持部材
１１に支持された高さにおける処理チャンバ２０の内壁
部分の内周よりも若干小さく設定されている。これによ
り、予備加熱リング５０の外周部分を一様に、処理チャ
ンバ２０の内壁と隙間Ｇ３を介して近接させて配置する
ことができる。その結果、サセプタ４０及び予備加熱リ
ング５０は、処理チャンバ２０の内壁との接触等により
妨げられることなく、円滑に回転を行うことが可能とな
る。また、処理チャンバ２０の密閉空間はサセプタ４０
及び予備加熱リング５０により上下の領域に二分される
こととなり且つ上側の領域と下側の領域との間でのガス
の流通は予備加熱リング５０と処理チャンバ２０の内壁
との隙間Ｇ３でのみ行われることとなり、実質的は殆ど
流通が抑制されることとなる。

【００２３】また、エピタキシャル成長装置１０の処理
チャンバ２０の内壁に、隙間Ｇ３内においてガスが流通
する方向（上下方向）のいずれか一方（図２では下側）
で隙間Ｇ３を全周に渡って覆う遮蔽壁２３が設けられて
いるので、より上側領域と下側領域との間でのガスの流
通は抑制されている。なお、この遮蔽壁は隙間Ｇ３内に
おいてガスが流通する方向の両方に設けても良い。但
し、いずれにしても遮蔽壁は予備加熱リング５０の厚さ
方向について当該予備加熱リング５０から幾分離間して
いることが（予備加熱リングとの接触可能性を考慮し
て）望ましい。

【００２４】また、上述のサセプタ４０及び予備加熱リ
ング５０は、図２に示されるように、支持部材１１によ
り背面から三点で支持されている。この支持部材１１は
その主軸が垂直方向に沿って配設されると共に図示を省
略した主軸の下端部が処理チャンバ２０の外部まで延び
ており、図示を省略した駆動モータと接続されている。
そして、支持部材１１はその主軸を中心とする回転駆動
力を受けて、サセプタ４０及び予備加熱リング５０と一
体となって回転動作を行う。なお、支持部材１１はその
主軸とサセプタ４０の中心線とが一致するようにサセプ
タ４０を支持している。

【００２５】上記構成のエピタキシャル成長装置１０を
用い、常圧プロセスによりウェハＷにエピタキシャル成
長を施す場合には、まず、サセプタ４０にウェハＷを載
置すると共に供給口２１から密閉空間全体にキャリアガ
スである水素ガスを常圧（例えば７４０〜７８０Ｔｏｒ
ｒ程度）で封入する。そして、加熱手段３０によりウェ
ハＷを目標処理温度の１１５０℃に加熱すると共にサセ
プタ４０及び予備加熱リング５０を回転させる。そし
て、供給口２１から反応ガスであるトリクロルシランガ
スを供給すると、ウェハＷの上面に沿って層流状態で流
れ、当該上面にシリコンの単結晶がエピタキシャル成長
して被膜が形成される。また、この処理によって生じた
排ガスは排気口２２から処理チャンバ２０の外部に排出
される。また、減圧プロセスによりウェハＷにエピタキ
シャル成長を施す場合には、ジクロロシランガス又はシ
ランガスを２０〜１００Ｔｏｒｒの減圧条件で封入し、
９００〜１０８０℃程度で成膜する。

【００２６】次に、本実施形態の効果を説明する。より
わかりやすく説明するために比較例を用いて説明する。
図３は比較例のサセプタ４０Ａ周辺の構成を示す説明図
である。この比較例では、エピタキシャル成長装置１０
とサセプタ及び予備加熱リングのみが異なっており、他
の同一の構成についてはエピタキシャル成長装置１０と
同符号を付してその説明は省略する。

【００２７】この比較例では、サセプタ４０Ａと予備加
熱リング５０Ａとが分離しており、予備加熱リング５０
Ａは処理チャンバ２０の内壁に支持されている。その結
果、この比較例でも、密閉空間がサセプタ４０Ａ及び予
備加熱リング５０Ａとにより上側領域と下側領域とに分
割されるが、これらの領域でのパージガスの流通はサセ
プタ４０Ａと予備加熱リング５０Ａとの間に生じる隙間
Ｇ４を介して生じることとなる。即ち、本実施形態のエ
ピタキシャル成長装置１０と比較例と比較した場合、サ
セプタの中心に対するガスの流通が行われる位置が異な
る。比較例の方が、ガスの流通箇所（隙間Ｇ４）がサセ
プタ４０Ａの中心から近い位置にあり、エピタキシャル
成長装置１０ではガスの流通箇所（隙間Ｇ３）がサセプ
タ４０の中心から予備加熱リング５０の幅の分だけ遠く
なる。

【００２８】これによって、サセプタの下部領域から上
部領域に供給されるパージガスは隙間Ｇ３、Ｇ４から上
側の領域に侵入し、当該隙間Ｇ３、Ｇ４の周辺について
は反応ガスの分圧の低下を生じることとなる。従って、
ウェハＷにおける隙間Ｇ３、Ｇ４に近い部分と遠い部分
とではエピタキシャル成長の度合いに違いを生じ、形成
される被膜の膜厚に差が生じることとなる。この影響は
サセプタに対してウェハＷが大きくなると益々顕著とな
る。しかし、現在はむしろウェハＷが大型化する傾向に
あり、他方、サセプタの直接の大型化は強度上の問題で
困難である。従って、サセプタ４０を大型化することな
く隙間Ｇ３のみをサセプタ４０の中心から遠ざけたエピ
タキシャル成長装置１０は、よりウェハＷの膜厚の均一
化が図れ、或いはより大きなウェハＷに有効にエピタキ
シャル成長を施すことが可能である。

【００２９】また、別の影響としては、サセプタの中心
に対してウェハＷの中心が位置ズレを生じていた場合が
挙げられる。図４は、比較例においてウェハＷが偏心し
て載置されていた場合の説明図である。説明の便宜上、
ウェハＷのズレ量を極端に大きくして表現している。ウ
ェハＷがサセプタ４０Ａに対して偏心している場合、当
該偏心により隙間Ｇ４に近接してしまった点Ａは、そう
ではない点Ｂと比較して、サセプタ４０Ａが回転しても
依然として隙間Ｇ４に近いままである（図４における二
点差線の表示）。従って、点Ａと点Ｂとではエピタキシ
ャル成長に差を生じ膜厚にも差を生じることとなる。こ
れは、エピタキシャル成長装置１０についても同様では
あるが、隙間Ｇ３がサセプタ４０の中心から遠いため
に、そのような偏心の影響を低減できる。図５は参考と
して比較例においてウェハＷが偏心していた場合の膜厚
分布の影響を示す線図である。横軸はウェハの中心から
の距離を示し、縦軸は膜厚を示す。αは特定方向におけ
る膜厚分布を示し、βはαの方向と直角方向における膜
厚分布を示す。これにより、偏心の影響が顕著に現れて
いることが分かる。

【００３０】本発明は上述した実施形態に限定されるも
のではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において適宜
変更することが可能である。例えば、上述したエピタキ
シャル成長装置１０では、サセプタ４０と予備加熱リン
グ５０とが段を用いて嵌合する例を示したが、特にこれ
に限定されるものではなく、支持部材１１に支持された
サセプタ４０から予備加熱リング５０が脱落しないで一
体となる状態を維持しうる構造であれば他の構造であっ
ても良い。また、上記実施形態では、エピタキシャル成
長装置を例示したが、特にこれに限定されるものではな
く、例えば、同様の構成を不純物拡散装置に適用しても
良い。

【００３１】

【発明の効果】本発明にあっては、サセプタの外周に予
備加熱リングを嵌合して一体化を図っているため、サセ
プタを大型化することなく処理チャンバの内部との隙間
のみをサセプタの中心から遠ざけることが可能となり、
その結果、よりウェハに施す処理を面全体に均一に行う
ことができ、或いはより大きなウェハに有効に所定の処
理を施すことが可能である。従って、本発明は、より半
導体の高密度化に寄与することができ、或いはより大き
なウェハの処理が可能となり、半導体の生産性の向上に
寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の本実施形態である半導体製造装置の縦
断面図である。

【図２】図１に示されるサセプタの周辺の構成を示す拡
大図である。

【図３】比較例のサセプタ周辺の構成を示す説明図であ
る。

【図４】比較例においてウェハが偏心して載置されてい
た場合の説明図である。

【図５】比較例においてウェハが偏心していた場合の膜
厚分布の影響を示すグラフである。

【符号の説明】

１０エピタキシャル成長装置（半導体製造装置）１１支持部材２０処理チャンバ２１供給口２２排気口３０加熱手段４０サセプタ４１載置面４４載置凸部５０予備加熱リング５３被載置受け部Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３隙間Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/22 Ｈ０１Ｌ 21/22 ５０１Ｒ５０１Ｓ 21/26 21/26 Ｇ (72)発明者高木庸司千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA24 BD01 DA02 DA06 DA08 4K030 CA04 CA12 EA06 EA11 KA24 5F045 AA03 AA06 AB02 AC01 AC05 AD13 AD14 AD15 AE23 AE25 AF03 BB02 DP04 EE13 EE20 EF20 EK11 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】密閉空間を形成する処理チャンバと、この処理チャンバの密閉空間内のウェハを加熱する加熱
手段と、前記ウェハを載置する載置面を有する円板状のサセプタ
と、リング状を呈し、その内側が前記サセプタの周縁部に密
接して嵌合する予備加熱リングと、前記処理チャンバの密閉空間内に装備され、前記サセプ
タを背面から支持する支持部材とを備え、前記予備加熱リングの外周が一様に、前記処理チャンバ
の内側部分と隙間を介して近接しており、前記処理チャンバは、前記密閉空間の前記サセプタの載
置面側となる領域内に反応ガスを供給する供給口と前記
領域内から排ガスを排気する排気口とを有する半導体製
造装置。
【請求項２】前記供給口を、前記予備加熱リングの半
径方向外側に配置すると共に前記サセプタの中心部に向
かって前記反応ガスを吹き出す向きに設定し、前記排気口を、前記サセプタを挟んで前記供給口と向か
い合う位置に設けた請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】前記サセプタはその外周部に全周に渡っ
て半径方向外側に突出した載置凸部を有し、前記予備加熱リングは、その内周部に全周に渡って、前
記載置凸部に対応して、その半径方向外側に向かって窪
んだ被載置受け部を有する請求項１又は２記載の半導体
製造装置。
【請求項４】前記サセプタの外周部の外径と前記予備
加熱リングの内周部の内径とを、常温下では相互間にギ
ャップを生じ、前記ウェハの目標処理温度での熱膨張下
では一致する大きさに設定した請求項１、２又は３記載
の半導体製造装置。