KR102260972B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버 내부에 공급되는 공정 가스의 확산 및 흐름을 정밀하게 제어하여 기판 가이드 상에 배치되는 다수개의 기판에 대하여 균일한 박막 형성 또는 기판 처리가 가능하도록 유도하는 확산 유도부를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기밀 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내부 하측에 설치되며, 상면에 다수개의 기판이 안착되는 기판 가이드; 상기 챔버 내부 상측에 상기 기판 가이드와 대향되도록 설치되며, 상기 기판 가이드 방향으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 가스 공급부의 외측에 포물형 단면 형상을 가지도록 설치되며, 상기 가스 공급부에서 공급되는 공정 가스를 외측 방향으로 일정한 속도로 균일하게 확산시키는 확산 유도부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{A APPARATUS FOR TREATING THE SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내부에 공급되는 공정 가스의 확산 및 흐름을 정밀하게 제어하여 기판 가이드 상에 배치되는 다수개의 기판에 대하여 균일한 박막 형성 또는 처리가 가능하도록 유도하는 공정가스의 확산을 확산 유도부를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)이란 피복하는 기판 상에 원료가스를 흘리고, 외부 에너지를 부여함으로써 원료가스를 분해하여 기상 화학 반응으로 박막을 형성하는 기술을 말한다.
화학 반응이 제대로 일어나기 위해서는 여러가지 공정 조건 및 환경이 정밀하게 제어되어야 하며, 원료 기체가 자발적으로 화학 반응을 일으키도록 활성화시키기 위한 에너지를 공급해 주어야 한다.
화학 기상 증착은 수 ~ 수백mTorr의 낮은 압력을 이용하는 LPCVD(Low Pressure CVD), 플라즈마를 이용하여 원료 기체를 활성화하는 PECVD(Plasma-Enhanced CVD), 금속 원소에 유기물 반응기가 결합된 형태의 기체 분자를 원료로 사용하는 MOCVD(Metal-Organic CVD)등으로 구분될 수 있다.
여기서, MOCVD 장치는 III족 알킬(유기금속 원료가스)및 V족 원료가스를 고순도의 캐리어 가스와 혼합하여 반응실 내로 공급하여 가열된 기판 위에서 열분해하여 화합물 반도체 결정을 성장시키는 장치를 말한다.
일반적인 MOCVD 장치의 반응기는 반응가스가 유입되어 반응하고 유출되는 반응챔버와, 기판이 반응챔버에 노출되도록 기판을 지지하는 서셉터와, 이 서셉터에 열을 가하는 가열수단을 포함하여 구성된다. 반응가스가 기판상에서 반응하기 위해서는 기판이 고온으로 가열되는 것이 필요하기 때문에, 서셉터는 열저항 방식 또는 유도가열 방식의 가열수단에 의해 가열되고, 이에 따라 기판이 가열될 수 있다.
기판에 증착되는 박막의 증착율 및 결정성은 기판의 온도에 의해 크게 영향을 받으며, 특히 기판이 안착되는 서셉터의 지지면의 온도 균일성과 기판 상면 공간의 온도 균일성이 기판 상의 박막 균일도를 좌우하는 가장 큰 요인이다.
따라서 서셉터의 온도 균일성과 함께 기판 상면에 공급되는 공정 가스와 그 공간의 온도 균일성을 확보할 수 있는 기술의 개발이 절실하게 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 챔버 내부에 공급되는 공정 가스의 확산 및 흐름을 정밀하게 제어하여 기판 가이드 상에 배치되는 다수개의 기판에 대하여 균일한 박막 형성 또는 기판 처리가 가능하도록 공정 가스의 확산을 유도하는 확산 유도부를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기밀 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내부 하측에 설치되며, 상면에 하나 또는 다수개의 기판이 안착되는 기판 가이드; 상기 챔버 내부 상측에 상기 기판 가이드와 대향되도록 설치되며, 상기 기판 가이드 방향으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 가스 공급부의 외측에 포물형 단면 형상을 가지도록 설치되며, 상기 가스 공급부에서 공급되는 공정 가스를 외측 방향으로 일정한 속도로 균일하게 확산시키는 확산 유도부;를 포함한다.
그리고 본 발명에서, 상기 가스 공급부는 상기 기판 가이드의 중앙 부분에 대향되는 원판 형상을 가지며, 다수개의 공정 가스 공급홀이 방사상으로 설치되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 확산 유도부는, 단면 형상이 상기 가스 공급부에 인접한 부분에서는 가파를 경사를 가지고 외측으로 갈수록 경사가 완만해지는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 확산 유도부는, 상기 확산 유도부의 배면에 밀착되도록 설치되며, 상기 확산 유도부 배면에 유체를 순환시켜 상기 확산 유도부의 온도를 정확하게 제어하는 온도 제어모듈이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 상기 기판 가이드의 하부에 설치되며, 상기 기판 가이드를 챔버 하면으로부터 일정 간격 이격시키는 가이드 부상부; 상기 챔버의 외측면에 설치되며, 상기 기판 가이드를 자기력으로 회전시키는 가이드 회전부;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 가이드 부상부는, 상기 기판 가이드의 하면에 방사상으로 배치되는 부상용 영구 자석; 상기 챔버 하면에 상기 부상용 영구 자석과 대향되도록 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 부상용 영구 자석과 척력을 발생하도록 자력을 발생시키는 부상 전자석;을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 기판 처리 장치에는, 상기 부상 전자석 사이에 배치되며, 상기 기판 가이드 및 기판을 가열하는 히터가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 가이드 회전부는, 상기 기판 가이드의 외주면에 교번적으로 극을 바꾸어 설치되는 회전 영구 자석; 상기 챔버의 외주면에 회전가능하게 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 회전 영구 자석과 인력을 발생하도록 자력을 발생시키는 회전 전자석; 상기 회전 전자석을 회전시키는 전자석 회전부;를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 장치에 따르면 확산 유도부와 가이드 부상부 및 회전부를 구비하여 챔버 내부에 공급되는 공정 가스의 확산 및 흐름을 정밀하게 제어하여 기판 가이드 상에 배치되는 다수개의 기판에 대하여 균일한 박막 형성이 가능한 장점이 있다. 특히, 이러한 기판 처리 장치 구조는 MOCVD나 ALD 등에 범용적으로 적용될 수 있는 장점도 있다.
또한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대한 열처리나 결정화와 같은 기판 처리에도 적용될 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공급판의 구조를 도시하는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 유도부 및 온도 제어 모듈의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 서섭터의 배면 형상을 도시하는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 하면 형상을 도시하는 부분 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가이드 회전부의 구성을 도시하는 부분 단면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(110), 기판 가이드(120), 가스 공급부(130) 및 확산 유도부(140)를 포함하여 구성될 수 있다.
먼저 상기 챔버(110)는 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 전체적인 외형을 이루며, 내부에 기밀 공간을 형성하는 구성요소이다. 구체적으로 상기 챔버(110)는 챔버 하부를 구성하는 하부 챔버(111)와 상기 하부 챔버(111)의 개방된 상면을 덮는 상부 리드(112)로 구성될 수 있다. 상기 하부 챔버와 상기 상부 리드 사이에는 챔버 내부의 기밀을 유지하기 위하여 오링 등의 기밀부재(도면에 미도시)가 설치된다.
다음으로 상기 기판 가이드(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(110) 내부 하측에 설치되며, 공정 진행 중에 그 상면에 하나 또는 다수개의 기판(S)이 안착되는 구성요소이다. 즉, 상기 기판 가이드(120)는 전체적으로 원형 판넬 형상으로 형성되어 박막 증착 과정에서 피처리 부재인 상기 기판(S)이 안착되는 구성요소이며, 본 실시예에서 상기 기판 가이드(120)의 상면에는 하나 또는 다수개의 기판들(S)이 일정한 간격 이격되어 안착될 수 있다. 그리고 상기 기판 가이드(120)는 상기 챔버(110)의 내부 공간 중 상기 가스 공급부(130) 및 확산 유도부(140) 하측에 설치되며, 상기 챔버(110)의 어느 한쪽 부분으로 치우치지 않고 정확하게 상기 챔버(110)의 중심을 유지하도록 설치된다.
다음으로 상기 가스 공급부(130)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(110) 내부 상측에 상기 기판 가이드(120)와 대향되도록 설치되며, 상기 기판 가이드 방향으로 공정 가스를 공급하는 구성요소이다. 이때 상기 가스 공급부(130)는 서로 다른 종류의 공정 가스가 박막 증착 공정에 필요한 경우, 서로 다른 종류의 공정 가스가 공급될 수 있도록 외부의 가스 공급원(도면에 미도시)과 연결된다.
본 실시예에서 상기 가스 공급부(130)는 상기 상부 리드(112)의 중앙에 설치되되, 상기 기판 가이드(120) 상면과 일정 간격 이격되도록 상측으로 돌출되어 설치된다. 또한 상기 가스 공급부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이, 균일한 공정 가스 확산을 위한 다층 분산 구조가 형성될 수 있으며, 하나의 공급판(136)에는 도 3에 도시된 바와 같이, 다수개의 공정 가스 공급홀(137)이 방사상으로 설치되는 것이 바람직하다.
한편 본 실시예에서는 상기 가스 공급부(130)의 중앙에서는 가장자리보다 더 많은 공정 가스가 공급되도록 상기 가스 공급부를 제어할 수 있다. 특히, 상기 기판 가이드(120)의 중심 방향으로 밀도가 더 높게 공정 가스가 공급되고 외측으로 확산되도록 공정 가스를 공급하여 전체 기판에 대하여 균일한 박막 형상이 가능하도록 제어하는 것이 바람직하다.
다음으로 상기 확산 유도부(140)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급부(130)의 외측에 포물형 단면 형상을 가지도록 설치되며, 상기 가스 공급부(130)에서 공급되는 공정 가스를 외측 방향으로 균일하게 확산시키는 구성요소이다. 상기 확산 유도부(140)에 의하여 공정 가스는 상기 가스 공급부(130)에 의하여 챔버(110) 내부로 공급된 이후에 넓은 공간에서 좁은 공간으로 이동하게 되며, 상기 기판 가이드(120)의 상면에 대해서는 상대적으로 동일한 기체 밀도를 가지도록 공정 가스를 확산시키며, 이에 따라 상기 기판 가이드(120) 상면에 균일한 온도 분포를 확보할 수 있는 장점이 있다.
상기 확산 유도부(140)에 의하여 일부 공정 가스는 상기 확산 유도부의 표면을 따라 신속하게 상기 기판 가이드(120)의 가장자리 방향으로 이동하고, 일부는 상기 기판 가이드(120)의 중앙으로 이동한 후 상기 기판 가이드(120) 및 기판 표면을 따라 이동하며, 일부는 양자 사이의 공간으로 이동하면서 확산 유도부(140)와 기판 가이드(120) 사이의 공간에서 전체적으로 균일한 가스의 흐름을 유도할 수 있는 것이다.
이를 위하여 본 실시예에서 상기 확산 유도부(140)는, 도 1, 4에 도시된 바와 같이, 단면 형상이 상기 가스 공급부(130)에 인접한 부분에서는 가파를 경사를 가지고 외측으로 갈수록 경사가 완만해지는 포물형 단면 구조를 가지는 것이 바람직하다.
한편 본 실시예에서 상기 확산 유도부(140)에는 도 1, 4에 도시된 바와 같이, 온도 제어 모듈(150)이 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 온도 제어 모듈(150)은 상기 확산 유도부(140)의 배면에 밀착되도록 설치되며, 상기 확산 유도부(140) 배면에 유체를 순환시켜 상기 확산 유도부(140)의 온도를 정확하게 제어하는 구성요소이다. 이를 위하여 상기 온도 제어모듈(150)은 구체적으로 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 확산 유도부(140)의 배면과 상기 상부 리드(112) 내면 사이에 유체 순환홈(152)을 형성하고, 상기 유체 순환홈(152)에 온도 조절용 유체를 공급하는 공급부(154)와 배출하는 배출부(156)가 구비되는 구성을 가질 수 있다.
한편 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 가이드 부상부(160)와 가이드 회전부(170)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 먼저 상기 가이드 부상부(160)는 상기 기판 가이드(120)의 하부에 설치되며, 상기 기판 가이드(120)를 챔버(110) 하면으로부터 일정 간격 이격시키는 구성요소이다. 즉, 상기 가이드 부상부(160)는 상기 기판 가이드(120)가 아무런 마찰 없이 회전할 수 있도록 자기력을 이용하여 상기 챔버(110) 하면으로부터 일정 간격 띄우는 것이다.
이를 위하여 본 실시예에서 상기 가이드 부상부(160)는 구체적으로 도 1, 5, 6에 도시된 바와 같이, 부상용 영구 자석(162), 부상 전자석(164)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 부상용 영구 자석(162)은 상기 기판 가이드(120)의 하면에 방사상으로 균일한 간격으로 이격되어 배치되는 영구 자석들이다. 상기 부상용 영구 자석(162)들은 상기 기판 가이드(120)의 배면에 음각되어 설치될 수도 있고, 돌출된 상태로 설치될 수도 있다.
그리고 상기 부상 전자석(164)은 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(110) 하면에 상기 부상용 영구 자석(162)과 대향되도록 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 부상용 영구 자석(162)과 척력을 발생하도록 자력을 발생시키는 구성요소이다. 즉, 상기 부상 전자석(164)은 상기 부상용 영구 자석(162)과 대향되도록 다수개로 설치되며, 상기 기판 가이드(120)를 부상시킬 때는 외부에서 공급되는 전류에 의하여 자력을 발생시켜 상기 기판 가이드(120)를 부상시키고, 부착시키지 않는 때는 자력을 발생시키지 않는다.
한편 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에는 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 부상 전자석(164) 사이에 배치되며, 상기 기판 가이드(120)를 가열하는 히터(166)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 히터(166)도 일정한 간격으로 이격되어 배치되며, 상기 기판 가이드(120)를 균일하게 가열할 수 있는 구조를 가지는 것이 바람직하다.
이때 본 실시예에서 상기 히터(166)는 상기 기판을 가열할 수 있는 적외선을 조사하는 램프로 구성될 수도 있고, 이 경우 상기 기판 가이드(120)는 얇은 두께를 가지며, 상기 적외선이 투과할 수 있는 재질의 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.
다음으로 상기 가이드 회전부(170)는 도 1, 7에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(110)의 외측면에 설치되며, 상기 기판 가이드(120)를 자기력으로 회전시키는 구성요소이다. 즉, 상기 가이드 회전부(170)는 상기 가이드 부상부(160)에 의하여 부상되어 있는 기판 가이드(120)를 자력에 의하여 회전시키는 것이다. 이렇게 상기 기판 가이드(120)를 자력에 의하여 회전시키면, 진공 챔버(110) 내에서 구동부를 가동시키기 않으므로 파티클 발생 가능성이 없으며, 진공 챔버 내부 구조를 간단하게 할 수 있는 장점이 있다.
이를 위하여 본 실시예에서는 상기 가이드 회전부(170)를 구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 회전 영구 자석(172), 회전 전자석(174) 및 전자석 회전부(176)를 포함하여 구성할 수 있다. 먼저 상기 회전 영구 자석(172)은 상기 기판 가이드(120)의 외주면에 교번적으로 극을 바꾸어 설치되는 다수개의 영구 자석들이다. 물론 상기 회전 영구 자석(172)은 동일한 극성을 가지는 다수개의 영구 자석들로 설치될 수도 있다.
다음으로 상기 회전 전자석(174)은 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하부 챔버(111)의 외주면에 회전가능하게 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 회전 영구 자석(172)과 인력을 발생하도록 자력을 발생시키는 구성요소이다. 즉, 상기 회전 전자석(174)은 상기 기판 가이드(120)의 외주면에 설치되어 있는 다수개의 회전 영구 자석들(172)을 당긴 상태에서 회전함에 의하여 상기 기판 가이드(120)를 회전시키는 것이다.
다음으로 상기 전자석 회전부(176)는 상기 회전 전자석(174)을 회전시키는 구성요소이다. 따라서 전자석 회전부(176)는 상기 회전 전자석(174)을 회전시킬 수 있는 다양한 구성을 가질 수 있다.
100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치
110 : 챔버 120 : 기판 가이드
130 : 가스 공급부 140 : 확산 유도부
150 : 온도 제어 모듈 160 : 가이드 부상부
170 : 가이드 회전부 S : 기판

Claims (8)

  1. 내부에 기밀 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버 내부 하측에 설치되며, 상면에 하나 또는 다수개의 기판이 안착되는 기판 가이드;
    상기 챔버 내부 상측에 상기 기판 가이드와 대향되도록 설치되며, 상기 기판 가이드 방향으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 가스 공급부의 외측에 포물형 단면 형상을 가지도록 설치되며, 상기 가스 공급부에서 공급되는 공정 가스를 외측 방향으로 균일하게 확산시키는 확산 유도부;
    상기 기판 가이드의 하부에 설치되며, 상기 기판 가이드를 챔버 하면으로부터 일정 간격 이격시키는 가이드 부상부;
    상기 챔버의 외측면에 설치되며, 상기 기판 가이드를 자기력으로 회전시키는 가이드 회전부;를 포함하며,
    상기 가이드 부상부는,
    상기 기판 가이드의 하면에 방사상으로 배치되는 부상용 영구 자석;
    상기 챔버 하면에 상기 부상용 영구 자석과 대향되도록 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 부상용 영구 자석과 척력을 발생하도록 자력을 발생시키는 부상 전자석;
    상기 부상 전자석 사이에 배치되며, 상기 기판 가이드 및 기판을 가열하는 히터;를 포함하고,
    상기 가이드 회전부는,
    상기 기판 가이드의 외주면에 교번적으로 극을 바꾸어 설치되는 회전 영구 자석;
    상기 챔버의 외주면에 회전가능하게 설치되며, 외부에서 공급되는 전류에 의하여 상기 회전 영구 자석과 인력을 발생하도록 자력을 발생시키는 회전 전자석;
    상기 회전 전자석을 회전시키는 전자석 회전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 상기 기판 가이드의 중앙 부분에 대향되는 원판 형상을 가지며, 다수개의 공정 가스 공급홀이 방사상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 확산 유도부는,
    단면 형상이 상기 가스 공급부에 인접한 부분에서는 가파를 경사를 가지고 외측으로 갈수록 경사가 완만해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 확산 유도부는,
    상기 확산 유도부의 배면에 밀착되도록 설치되며, 상기 확산 유도부 배면에 유체를 순환시켜 상기 확산 유도부의 온도를 정확하게 제어하는 온도 제어모듈이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3901252B2 (ja) * 1996-08-13 2007-04-04 キヤノンアネルバ株式会社 化学蒸着装置
KR20060086145A (ko) * 2005-01-26 2006-07-31 삼성전자주식회사 자기부상척 및 그 이용 방법
KR100888551B1 (ko) * 2007-09-03 2009-03-11 호서대학교 산학협력단 웨이퍼 척 조립체
JP2011500961A (ja) * 2007-10-11 2011-01-06 バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド 化学気相成長反応器
JP5792364B1 (ja) * 2014-07-31 2015-10-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

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