JP6054733B2 - 気相成長装置 - Google Patents
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Description
基板を保持する基板保持部と、
基板の成長面に対して材料ガスを水平に供給する材料ガス流路を画定する材料ガス供給部と、
基板保持部を加熱する加熱部と、を備え、
材料ガス供給部は、上面が材料ガス流路を画定し、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有し、
材料ガス供給ガイドは、基板保持部の側面に対向する端部に赤外線を反射する赤外線反射部を有し、
赤外線反射部は、基板保持部側に基板保持部の側面に対向する面として形成されて材料ガス供給ガイド内に導波された赤外線を反射する反射面と、当該反射面に対して傾斜した傾斜面とから構成され、材料ガス供給ガイドの裏面に形成された凹部からなることを特徴としている。
基板を保持する基板保持部と、
基板の成長面に対して材料ガスを水平に供給する材料ガス流路を画定する材料ガス供給部と、
基板保持部を加熱する加熱部と、を備え、
材料ガス供給部は、上面が材料ガス流路を画定し、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有し、
材料ガス供給ガイドは、基板保持部の側面に対向する端部に赤外線を反射する赤外線反射部を有することを特徴としている。
図1は、結晶成長装置(MOCVD装置)10の上面図(上段)及び断面図(下段)を示している。より詳細には、図1の上面図は、断面図における線V−Vに沿って基板側を見た場合の図である。図1に示すように、MOCVD装置10は、反応容器11、フローチャネル本体12、上流側フローチャネル床板13A、下流側フローチャネル床板13B、材料ガス供給ガイド15、フローチャネル排気管17、基板20を載置・保持する円柱形状のサセプタ22、サセプタ22を加熱する(すなわち基板20を加熱する)ヒーター24、サセプタ22を回転させる(すなわち、基板20を回転させる)基板回転機構25を有している。
図1、図2及び図3を参照して材料ガス供給ガイド15の構成について説明する。図2は、サセプタ22の円柱中心軸を含む断面における材料ガス供給ガイド15の拡大断面図である。例えば、図1の平面図におけるラジアル方向OX、すなわち、サセプタ22の円柱中心からガス上流方向(ガス流の反対方向)を含む鉛直面の断面を示している。また、図3は、図2の材料ガス供給ガイド15のサセプタ22近傍部(破線で示す部分U)をさらに拡大して示す部分拡大断面図である。
(1)結晶成長
実施例1及び実施例2の材料ガス供給ガイド15を備えたMOCVD装置を用いて結晶成長を行い、その成長結晶の評価を行った。また、材料ガス供給ガイドに赤外線反射部31が設けられていない点を除いて、実施例1及び実施例2と同じ構成を有するMOCVD装置を比較例として結晶成長を行い、実施例1、2及び比較例の装置を用いて成長結晶の比較を行った。図5は、実施例1、2及び比較例の成長層の構造を模式的に示す断面図である。なお、実施例1、2及び比較例の結晶成長は全て同じ手順、条件で実施した。以下にその結晶成長の手順、条件等を説明する。 具体的には、下記の有機金属化合物材料ガスと水素化物材料ガスを用いて、次の手順でGaN結晶を成長した。基板20には成長面がm軸方向に0.5°傾斜した(0.5°オフ)のc面サファイア(α−アルミナ)、円形(2インチ)の基板を用いた。有機金属材料ガスとしてはTMG(トリメチルガリウム)を用い、水素化物ガスとしてはNH3(アンモニア)を用いた。有機金属材料ガスと水素化物ガスは混合してガス供給管12Cから供給し、水素:窒素=1:1に混合したガスを28L/minの流量でガス供給管12Dから供給した。なお、ガス供給管12Cには材料ガス(有機金属化合物ガス及び水素化物ガス)に加えてキャリアガスとして水素(H2)ガスを流した。総流量は材料ガスと合わせて6L/minであるように調整した。また、冷却ガス供給管16Aには水素:窒素=1:1の混合ガスを10L/minの流量で流し、ヒーター室ガス供給管27Aには水素:窒素=1:1の混合ガスを8L/minの流量で流した。また、水冷ジャケット17には常温(室温)の水を3L/minの流量で流した。
実施例1及び2の場合と同様に、実施例3〜7の材料ガス供給ガイド15を備えたMOCVD装置を用いて結晶成長を行い、その成長結晶の評価を行った。以下の表2に、その結果をまとめて示す。なお、上記した比較例の場合についても比較のために示す。また、結晶成長の条件及び成長層の構造、並びに評価方法は実施例1、2及び比較例の場合と同じであった。
15 材料ガス供給ガイド
20 基板
22 サセプタ
31 赤外線反射部
31M 赤外線反射壁
31S 傾斜面
31N ミラー
33 赤外線反射部
33M、33N、33S ミラー
Claims (7)
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の成長面に対して材料ガスを水平に供給する材料ガス流路を画定する材料ガス供給部と、
前記基板保持部を加熱する加熱部と、を備え、
前記材料ガス供給部は、上面が前記材料ガス流路を画定し、前記基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有し、
前記材料ガス供給ガイドは、前記基板保持部の側面に対向する端部に前記赤外線を反射する赤外線反射部を有し、
前記赤外線反射部は、前記基板保持部側に前記基板保持部の側面に対向する面として形成されて前記材料ガス供給ガイド内に導波された赤外線を反射する反射面と、前記反射面に対して傾斜した傾斜面とから構成され、前記材料ガス供給ガイドの裏面に形成された凹部からなることを特徴とする水平方式の気相成長装置。 - 前記反射面は、前記基板保持部の側面に平行な面として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記基板保持部は円柱形状を有し、前記反射面は、前記基板保持部と同軸の円柱の側面形状を有することを特徴とする請求項2に記載の気相成長装置。
- 前記傾斜面は前記反射面から前記凹部の空間に放射される2次放射赤外線を反射するミラー面を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1に記載の気相成長装置。
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の成長面に対して材料ガスを水平に供給する材料ガス流路を画定する材料ガス供給部と、
前記基板保持部を加熱する加熱部と、を備え、
前記材料ガス供給部は、上面が前記材料ガス流路を画定し、前記基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有し、
前記材料ガス供給ガイドは、前記基板保持部の側面に対向する端部に前記赤外線を反射する赤外線反射部を有し、
前記赤外線反射部は、前記材料ガス供給ガイドの前記基板保持部に対向する端面に形成された反射面と、前記材料ガス供給ガイドの前記基板保持部側の端部に設けられ、前記材料ガス供給ガイドの前記端面に対して傾斜した傾斜面と、を有し、前記傾斜面は赤外線を反射するミラー面を有することを特徴とする水平方式の気相成長装置。 - 前記赤外線反射部は、前記材料ガス供給ガイドの裏面に設けられたミラー面を有することを特徴とする請求項5に記載の気相成長装置。
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の成長面に対して材料ガスを水平に供給する材料ガス流路を画定する材料ガス供給部と、
前記基板保持部を加熱する加熱部と、を備え、
前記材料ガス供給部は、上面が前記材料ガス流路を画定し、前記基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有し、
前記材料ガス供給ガイドは、前記基板保持部の側面に対向する端部に前記赤外線を反射する赤外線反射部を有し、
前記赤外線反射部は、前記材料ガス供給ガイドの前記基板保持部に対向する端面に形成された反射面を有し、
前記材料ガス供給ガイドの前記端面は、前記基板保持部側の側面に対して凹面又は凸面に形成され、前記反射面は凹面ミラー又は凸面ミラーとして形成されていることを特徴とする水平方式の気相成長装置。
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