JP2016530730A - エピ予熱リング - Google Patents
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Abstract
Description
[0017]図2は、一実施形態による、例示的な処理チャンバ200の概略断面図を示す。一つの適当な処理チャンバの非限定的な例は、Applied Materials,Inc.,Santa Clara, Calif.より商業的に入手可能である、RP EPIリアクタである。処理チャンバ200が、本書に記載された様々な実施形態を実施するために利用されるように、以下に説明されるが、違う製造業者からの他の半導体処理チャンバも、本開示に記載された実施形態を実施するために用いられ得る。処理チャンバ200は、エピタキシャル堆積プロセスなどの、化学気相堆積を実施するために採用され得る。処理チャンバ200は、チャンバ本体202、サポートシステム204、及びコントローラ206を例示的に含む。チャンバ本体202は、内部処理領域212を画定する上方ドーム226、側壁208及び底部壁210を有する。基板を支持するために用いられる基板支持体214が、内部処理領域212の中に配置される。基板支持体214は、シャフト220から伸びる支持アーム218と接続される支持ポスト216によって回転され、支持される。動作中、基板支持体214上に配置された基板は、リフトピン224を介して基板リフトアーム222によって持ち上げられ得る。基板支持体214は、示されているようなディスク状の基板支持体であってもよいし、又は中央開口のないリング状の基板支持体であってもよく、これは、ランプ235の熱放射への基板の曝露を容易にするために、基板のエッジから基板を支持する。
[0026]図3は、一実施形態による、図2の予熱リング232を置き替えるために用いられ得る予熱リング300の透視図を示す。予熱リング300は、図2の基板支持体214などの基板支持体302の周囲に配置するように大きさが決められている中央開口を有する。予熱リング300は、予熱リング300の上部から見るとき、通常、円形であるが、長方形、多角形、長円形、等を含むが、これらに限定されない任意の他の形状も意図されている。予熱リング300は、図2に示されるようなリング支持体234などの、リング支持体(図示せず)によって支持される環状本体を有する。予熱リング300は、内周縁330、外周縁332、上面334、及び上面334と向かい合う底面336を含む。予熱リング300は、既定の間隙「B」だけ基板支持体302から離れるように配置される。間隙は、約0.1mm〜約0.8mmの範囲であってよく、例えば、約0.3mmであってよい。間隙が、基板支持体302の回転を可能にし、プロセスガスに対する希釈効果を除去又は最小化しながら、パージガスが予熱リング300と基板支持体302との間を漏れるのを可能にする限り、予熱リング300は、より大きな間隙「B」を有してもよいし、より小さな間隙「B」を有してもよい。
Claims (15)
- 半導体処理チャンバ用のリングアセンブリであって、
中央開口、内周縁及び外周縁を有する環状本体を含み、前記環状本体は、
第一の半円部、及び
前記第一の半円部に対してある角度だけ傾いている第二の半円部
を含む、リングアセンブリ。 - 前記第二の半円部が、前記第一の半円部と実質的に対称である、請求項1に記載のリングアセンブリ。
- 前記第二の半円部が、前記第一の半円部の上面に対して下方に傾いている、請求項1に記載のリングアセンブリ。
- 前記角度が、約2°〜約6°である、請求項1に記載のリングアセンブリ。
- 基板を処理するための処理チャンバであって、
内部処理領域を画定するチャンバ本体と、
基板支持面を有する、前記チャンバ本体の内部に配置された基板支持体と、
前記チャンバ本体の内部に配置されたリング支持体の上に配置された予熱リングであって、予熱リングの一部が前記基板支持面に対してある角度だけ傾いている予熱リングと、
を含む処理チャンバ。 - 前記予熱リングは、ある間隙で前記基板支持体の周囲に配置するような大きさの中央開口を有する環状本体である、請求項5に記載の処理チャンバ。
- 前記環状本体は、
第一の上面及び前記第一の上面に向かい合う第一の底面を有する第一の半円部、及び
第二の上面及び前記第二の上面に向かい合う第二の底面を有する第二の半円部であって、前記基板支持面に対してある角度だけ下方に傾いている第二の半円部
を含む、請求項6に記載の処理チャンバ。 - 前記角度が、約2°〜約6°である、請求項7に記載の処理チャンバ。
- 前記第二の半円部が、前記第一の半円部と実質的に対称である、請求項7に記載の処理チャンバ。
- 前記第一の半円部が、前記チャンバ本体のガス注入側の近くに配置され、前記第二の半円部が、前記チャンバ本体のガス排気側の近くに配置される、請求項7に記載の処理チャンバ。
- 前記角度が0°であり、前記予熱リングが、前記チャンバ本体のガス注入側の、前記基板支持体の周囲の約50%を囲んでいる単一の半円部品である、請求項5に記載の処理チャンバ。
- 基板を処理するための処理チャンバであって、
基板支持面を有する、前記処理チャンバの内部に配置された回転可能な基板支持体と、
前記基板支持体より相対的に下方に配置された下方ドームと、
前記下方ドームに向かい合う、前記基板支持体より相対的に上方に配置された上方ドームと、
前記上方ドームと前記下方ドームの間に配置されたリング本体であって、前記上方ドーム、前記リング本体、及び前記下方ドームは、前記処理チャンバの内部容積を概して画定し、リング本体は、前記基板の直径を実質的に覆うガス流を供給するための、少なくとも一つの直線的な集まりで配列された一つ以上のガス注入口を有する、リング本体と、
前記リング本体の内部に配置されたリング支持体の上に配置された予熱リングであって、予熱リングの一部が前記基板支持面に対してある角度だけ傾いている予熱リングと、
を含む処理チャンバ。 - 前記予熱リングが、
第一の上面及び前記第一の上面に向かい合う第一の底面を有する第一の半円部、及び
第二の上面及び前記第二の上面に向かい合う第二の底面を有する第二の半円部であって、前記基板支持面に対してある角度だけ下方に傾いている第二の半円部
を含む、請求項12に記載の処理チャンバ。 - 前記角度が、約2°〜約6°である、請求項13に記載の処理チャンバ。
- 前記角度が0°であり、前記予熱リングが、前記チャンバ本体のガス注入側の、前記基板支持体の周囲の約50%を囲んでいる単一の半円部品である、請求項12に記載の処理チャンバ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6330941B1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-05-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2018148222A (ja) * | 2018-04-24 | 2018-09-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2020524892A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板支持装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11414759B2 (en) * | 2013-11-29 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus |
US20160033070A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping member |
EP3356573B1 (en) | 2015-10-01 | 2021-03-17 | GlobalWafers Co., Ltd. | Cvd apparatus |
US10153215B2 (en) | 2016-08-04 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Oven enclosure for optical components with integrated purge gas pre-heater |
US10752991B2 (en) * | 2017-02-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Half-angle nozzle |
CN109811406B (zh) * | 2017-11-20 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 石英件、工艺腔室和半导体处理设备 |
CN111599716B (zh) * | 2020-05-06 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备 |
CN111850514B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-11-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备 |
DE102021115349A1 (de) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | Infineon Technologies Ag | Substrat-prozesskammer und prozessgasströmungsablenker zur verwendung in der prozesskammer |
JP7361005B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2023-10-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法、及び、プログラム |
CN113981531B (zh) * | 2021-10-26 | 2022-10-04 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 一种预热环及衬底处理设备 |
WO2024091385A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Gas flow improvement for process chamber |
CN116497341B (zh) * | 2023-05-12 | 2024-05-28 | 深圳市重投天科半导体有限公司 | 一种预热装置、外延生长设备和外延方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005124845A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2006049462A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
US20120103263A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1784142A (en) * | 1928-12-15 | 1930-12-09 | Shakeproof Lock Washer Co | Material strip for spring-tooth lock washers |
US4163573A (en) * | 1977-02-28 | 1979-08-07 | Chiyoda Tsusho K.K. | Hose fitting |
US4322878A (en) * | 1978-02-13 | 1982-04-06 | Warchol Henry A | Bearing components and method of making same |
US5221556A (en) * | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
US5261960A (en) * | 1987-06-24 | 1993-11-16 | Epsilon Technology, Inc. | Reaction chambers for CVD systems |
US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
US6395363B1 (en) | 1996-11-05 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Sloped substrate support |
US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
US6022587A (en) * | 1997-05-13 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving film deposition uniformity on a substrate |
US6635080B1 (en) * | 1997-06-19 | 2003-10-21 | Vascutek Limited | Prosthesis for repair of body passages |
US6013319A (en) * | 1998-04-28 | 2000-01-11 | Dietze; Gerald R. | Method and apparatus for increasing deposition quality of a chemical vapor deposition system |
US5916370A (en) * | 1998-06-12 | 1999-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber having diamond coated components |
US6315833B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide sleeve for substrate support assembly |
AU2001288232A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-25 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for tuning a plasma reactor chamber |
US6399510B1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Bi-directional processing chamber and method for bi-directional processing of semiconductor substrates |
TW544775B (en) * | 2001-02-28 | 2003-08-01 | Japan Pionics | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method |
US6896738B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-05-24 | Cree, Inc. | Induction heating devices and methods for controllably heating an article |
AU2002366921A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-09 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
US6971835B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-12-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Vapor-phase epitaxial growth method |
JP3758579B2 (ja) | 2002-01-23 | 2006-03-22 | 信越半導体株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP3908112B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2007-04-25 | Sumco Techxiv株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法 |
US7256375B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-08-14 | Asm International N.V. | Susceptor plate for high temperature heat treatment |
US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
JP2005183511A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4379585B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-12-09 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR100865580B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2008-10-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법 |
US20060096622A1 (en) * | 2004-11-11 | 2006-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dry cleaning apparatus used to manufacture semiconductor devices |
KR100621777B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2006-09-15 | 삼성전자주식회사 | 기판 열처리 장치 |
JP2006319043A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4613314B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-01-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶の製造方法 |
ES2268974B2 (es) * | 2005-06-16 | 2007-12-01 | Universidad Politecnica De Madrid | Reactor epitaxial para la produccion de obleas a gran escala. |
NL1029365C2 (nl) * | 2005-06-29 | 2007-01-02 | Roy Bernardus Johannes V Aalst | Een zichzelf oprichtende tent. |
JP4513688B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | プッシュオンスイッチ |
US7544270B2 (en) * | 2005-11-14 | 2009-06-09 | Infineon Technologies Ag | Apparatus for processing a substrate |
WO2007091638A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Sumco Techxiv Corporation | サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 |
KR100763332B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법 |
JP2007250967A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
US7988814B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component |
JP4193883B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
US8951351B2 (en) * | 2006-09-15 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced backside deposition and defects |
US8852349B2 (en) * | 2006-09-15 | 2014-10-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects |
US7897008B2 (en) * | 2006-10-27 | 2011-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for regional plasma control |
US20080220150A1 (en) | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Applied Materials, Inc. | Microbatch deposition chamber with radiant heating |
US8012259B2 (en) * | 2007-03-09 | 2011-09-06 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus |
US9472382B2 (en) * | 2007-04-23 | 2016-10-18 | Plasmology4, Inc. | Cold plasma annular array methods and apparatus |
US8067061B2 (en) * | 2007-10-25 | 2011-11-29 | Asm America, Inc. | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports |
US20090194024A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus |
US8441640B2 (en) | 2008-05-02 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Non-contact substrate support position sensing system and corresponding adjustments |
US8726837B2 (en) | 2008-06-23 | 2014-05-20 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber vision and monitoring system |
JP5092975B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
TWI359635B (en) * | 2008-08-07 | 2012-03-01 | Inventec Corp | Wind-guiding cover |
JP5100617B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | リング状部材及びその製造方法 |
US8512472B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to enhance process gas temperature in a CVD reactor |
US8298629B2 (en) * | 2009-02-25 | 2012-10-30 | Crystal Solar Incorporated | High throughput multi-wafer epitaxial reactor |
JP2010278166A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置 |
JP5601794B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | プラズマエッチング装置 |
KR101091309B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-12-07 | 주식회사 디엠에스 | 플라즈마 식각장치 |
JP5604907B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-10-15 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5410348B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-02-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 表面処理装置 |
JP5597463B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20120073503A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Juno Yu-Ting Huang | Processing systems and apparatuses having a shaft cover |
WO2012092064A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Wafer processing with carrier extension |
WO2012134663A2 (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-04 | Applied Materials, Inc | Method and apparatus utilizing a single lift mechanism for processing and transfer of substrates |
DE102011007632B3 (de) | 2011-04-18 | 2012-02-16 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe |
US9512520B2 (en) | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
US9347132B2 (en) | 2011-04-29 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical endpoint detection system |
JP5377587B2 (ja) | 2011-07-06 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9095038B2 (en) * | 2011-10-19 | 2015-07-28 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | ICP source design for plasma uniformity and efficiency enhancement |
CN103295867B (zh) * | 2012-02-29 | 2016-12-28 | 细美事有限公司 | 等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备 |
JP5343162B1 (ja) * | 2012-10-26 | 2013-11-13 | エピクルー株式会社 | エピタキシャル成長装置 |
US10480077B2 (en) * | 2013-03-13 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | PEALD apparatus to enable rapid cycling |
JP5602903B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-10-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 |
-
2014
- 2014-08-15 US US14/461,137 patent/US10047457B2/en active Active
- 2014-08-19 WO PCT/US2014/051603 patent/WO2015038294A1/en active Application Filing
- 2014-08-19 KR KR1020167009953A patent/KR102165518B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-19 CN CN201480048410.1A patent/CN105518839B/zh active Active
- 2014-08-19 JP JP2016541986A patent/JP6397029B2/ja active Active
- 2014-08-25 TW TW103129206A patent/TWI639194B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005124845A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2006049462A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
US20120103263A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6330941B1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-05-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
WO2018163975A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2018148098A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR20190100365A (ko) * | 2017-03-07 | 2019-08-28 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 성장 장치 및 프리히트 링 그리고 그들을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 |
US10975495B2 (en) | 2017-03-07 | 2021-04-13 | Sumco Corporation | Epitaxial growth apparatus, preheat ring, and method of manufacturing epitaxial wafer using these |
KR102243261B1 (ko) | 2017-03-07 | 2021-04-21 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 성장 장치 및 프리히트 링 그리고 그들을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 |
JP2020524892A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板支持装置 |
JP7345397B2 (ja) | 2017-06-23 | 2023-09-15 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板支持装置 |
JP2018148222A (ja) * | 2018-04-24 | 2018-09-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160055910A (ko) | 2016-05-18 |
WO2015038294A1 (en) | 2015-03-19 |
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TW201519321A (zh) | 2015-05-16 |
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CN105518839A (zh) | 2016-04-20 |
JP6397029B2 (ja) | 2018-09-26 |
KR102165518B1 (ko) | 2020-10-14 |
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