JPS5953212B2 - 薄膜シリコン生成装置 - Google Patents
薄膜シリコン生成装置Info
- Publication number
- JPS5953212B2 JPS5953212B2 JP8884982A JP8884982A JPS5953212B2 JP S5953212 B2 JPS5953212 B2 JP S5953212B2 JP 8884982 A JP8884982 A JP 8884982A JP 8884982 A JP8884982 A JP 8884982A JP S5953212 B2 JPS5953212 B2 JP S5953212B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- reaction chamber
- thin film
- floor
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法による薄膜シリコン生成装置
に関する。
に関する。
第１図はそのような薄膜シリコン生成装置を示し、反応
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。
サセプタ２の上に図示しない基板を載せ、排気口４より
排気して反応室１の内部空間を真空にし、ガス導入管５
よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の間
に高周波または直流電圧を印加してグロー放電を発生さ
せると、モノシランが分解しサセプタ２の内蔵するヒー
タによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン（
ａ−Ｓ、）の薄膜が形成される。しかしこの場合、ａ−
Ｓ、は反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなると
はがれて落下する。この５、の落下は壁１１の温度上昇
が最大であるａ−Ｓ、膜成長前が最も多い。これはサセ
プタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセプ
タ２がａ−Ｓ、膜成長温度に到達した時に壁１１の温度
上昇が最大になるからである。反応室１の床面に落下し
た５、粒子は反応室内の気流によつて舞い上りサセプタ
２の上に置かれた基板上に付着する。この微小なａ−Ｓ
、粒子の上にａ−Ｓ、膜が成長するので、これがピンホ
ールなどの欠陥の原因となり、歩留り低下をひきおこす
。本発明の目的はこのような反応室の壁からのシリコン
粒子の基板面への落下のない、歩留りの高い薄膜シリコ
ン生成装置を提供することにある。
排気して反応室１の内部空間を真空にし、ガス導入管５
よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の間
に高周波または直流電圧を印加してグロー放電を発生さ
せると、モノシランが分解しサセプタ２の内蔵するヒー
タによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン（
ａ−Ｓ、）の薄膜が形成される。しかしこの場合、ａ−
Ｓ、は反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなると
はがれて落下する。この５、の落下は壁１１の温度上昇
が最大であるａ−Ｓ、膜成長前が最も多い。これはサセ
プタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセプ
タ２がａ−Ｓ、膜成長温度に到達した時に壁１１の温度
上昇が最大になるからである。反応室１の床面に落下し
た５、粒子は反応室内の気流によつて舞い上りサセプタ
２の上に置かれた基板上に付着する。この微小なａ−Ｓ
、粒子の上にａ−Ｓ、膜が成長するので、これがピンホ
ールなどの欠陥の原因となり、歩留り低下をひきおこす
。本発明の目的はこのような反応室の壁からのシリコン
粒子の基板面への落下のない、歩留りの高い薄膜シリコ
ン生成装置を提供することにある。
この目的は、反応室内に水平に位置するサセプタの床面
よりの高さをサセプタと反応室側壁の距離の５倍以上に
するとともに反応ガ又導入管の開口部の床面よりの高さ
をサセプタに対向する上部電極の床面よりの高さの１．
１倍以上にすることによつて達成される。以下第２図を
引用して本発明の実施例について説明する。
よりの高さをサセプタと反応室側壁の距離の５倍以上に
するとともに反応ガ又導入管の開口部の床面よりの高さ
をサセプタに対向する上部電極の床面よりの高さの１．
１倍以上にすることによつて達成される。以下第２図を
引用して本発明の実施例について説明する。
第２図に示すようにサセプタ２の反応室１の床面１２よ
りの高さをＸ、サセプタ２と反応室１の側壁１１の距離
をｙとするとき、本発明によりＸ＞５ｙ とされる。
りの高さをＸ、サセプタ２と反応室１の側壁１１の距離
をｙとするとき、本発明によりＸ＞５ｙ とされる。
サセプタ２と対向電極３との間隔をｚとし、反応室１の
壁がサセプタと同電位であるとすると、サセプタ２と電
極３の間の電圧印加時に反応室１と電極３の間に放電が
起きないように通常ｙ＞１．２ｚ に選定される。
壁がサセプタと同電位であるとすると、サセプタ２と電
極３の間の電圧印加時に反応室１と電極３の間に放電が
起きないように通常ｙ＞１．２ｚ に選定される。
すなわちサセプタ２と電極３の間隔はサセプタ２と反応
室の側壁１１の距離より狭い。このため床面１２の上に
落下したａ−ｓｌ粒子が反応ガス気流に乗つて舞い上り
、サセプタ２の床面１２からの高さの５分の１以下の幅
のサセプタ２と側壁１１の間を通つてそれよりさらに狭
いサセプタ２と電極３の間に入り込み、サセプタ２の上
の基板に付着する虞はなくなる。さらに、反応ガス導入
管５の先端５１の床面１２よりの高さをｈとしたとき、
ｈ〉１．１（Ｘ＋Ｚ） とすれば反応ガスの気流は大部分が下向きになるので、
床面１２からのＳ１粒子の舞上りは抑制され、本発明の
効果はさらに確実になる。
室の側壁１１の距離より狭い。このため床面１２の上に
落下したａ−ｓｌ粒子が反応ガス気流に乗つて舞い上り
、サセプタ２の床面１２からの高さの５分の１以下の幅
のサセプタ２と側壁１１の間を通つてそれよりさらに狭
いサセプタ２と電極３の間に入り込み、サセプタ２の上
の基板に付着する虞はなくなる。さらに、反応ガス導入
管５の先端５１の床面１２よりの高さをｈとしたとき、
ｈ〉１．１（Ｘ＋Ｚ） とすれば反応ガスの気流は大部分が下向きになるので、
床面１２からのＳ１粒子の舞上りは抑制され、本発明の
効果はさらに確実になる。
以上述べたように、本発明はサセプタの床面よりの高さ
を高くして床面より舞上るシリコン粒子のサセプタ上の
基板への付着を防止するものであり、生成装置の寸法の
選定のみで欠陥のないシリコン薄膜を歩留り高く生成す
ることができ、アモルフアスシリコン太陽電池などの製
造に極めて有効に適用できる。
を高くして床面より舞上るシリコン粒子のサセプタ上の
基板への付着を防止するものであり、生成装置の寸法の
選定のみで欠陥のないシリコン薄膜を歩留り高く生成す
ることができ、アモルフアスシリコン太陽電池などの製
造に極めて有効に適用できる。
第１図は従来の薄膜シリコン生成装置の一例の断面図、
第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、５・・・・・・ガス導入管。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、５・・・・・・ガス導入管。
Claims (1)
- １ 真空排気された反応室内に水平に位置するサセプタ
とそれに対向する上部電極との間に電圧を印加してグロ
ー放電を発生させ、反応室内に開口するガス導入管を介
して導入された反応ガスを分解してサセプタ上に載置さ
れた基板上にシリコン薄膜を生成するものにおいて、サ
セプタの反応室床面よりの高さがサセプタと反応室側壁
の距離の５倍以上であり、しかも導入管の開口部の、反
応室床面よりの高さが上部電極の反応室床面よりの高さ
の１．１倍以上であることを特徴とする薄膜シリコン生
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884982A JPS5953212B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884982A JPS5953212B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208121A JPS58208121A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS5953212B2 true JPS5953212B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=13954423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8884982A Expired JPS5953212B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231111A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-15 | Kawasaki Steel Corp | トピ−ドカ−のデ−タ収集方法 |
| JPS61187411U (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-21 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP8884982A patent/JPS5953212B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231111A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-15 | Kawasaki Steel Corp | トピ−ドカ−のデ−タ収集方法 |
| JPS61187411U (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58208121A (ja) | 1983-12-03 |
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