JPS5953211B2 - 薄膜シリコン生成装置 - Google Patents
薄膜シリコン生成装置Info
- Publication number
- JPS5953211B2 JPS5953211B2 JP8884882A JP8884882A JPS5953211B2 JP S5953211 B2 JPS5953211 B2 JP S5953211B2 JP 8884882 A JP8884882 A JP 8884882A JP 8884882 A JP8884882 A JP 8884882A JP S5953211 B2 JPS5953211 B2 JP S5953211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- reaction chamber
- silicon production
- wire mesh
- film silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法による薄膜シリコン生成装置
に関する。
に関する。
第１図はそのような薄膜シリコン生成装置を示し、反応
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。
サセプタ２の上に図示しない基板を載せ、排気口４より
、排気して反応室１の内部空間を真空にし、ガス導入管
５よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の
間に高周波または直流電圧を印加してダロー放電を発生
させると、モノシランが分解しサセプタ２の内蔵するヒ
ータによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）の薄膜が形成される。しかしこの場合、ａ
−Ｓｉは反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなる
とはがれて落下する。このＳｉの落下は壁１１の温度上
昇が最大であるａ−Ｓｉ膜成長前が最も多い。これはサ
セプタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセ
プタ２がａ−Ｓｉ膜成長温度に到達した時に壁１１の温
度上昇が最大になるからである。落下したＳｉ粒子の一
部はサセプタ２の上に置かれた基板上に付着する。この
微小なａ−Ｓｉ粒子の上にフａ−Ｓｉ膜が成長するので
、これがピンホールなどの欠陥の原因となり、歩留りの
低下をひきおこす。本発明の目的は、このような反応室
の壁からシリコン粒子が基板面へ落下することのない、
歩留７りの高い薄膜シリコン生成装置も提供することに
ある。
、排気して反応室１の内部空間を真空にし、ガス導入管
５よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の
間に高周波または直流電圧を印加してダロー放電を発生
させると、モノシランが分解しサセプタ２の内蔵するヒ
ータによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）の薄膜が形成される。しかしこの場合、ａ
−Ｓｉは反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなる
とはがれて落下する。このＳｉの落下は壁１１の温度上
昇が最大であるａ−Ｓｉ膜成長前が最も多い。これはサ
セプタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセ
プタ２がａ−Ｓｉ膜成長温度に到達した時に壁１１の温
度上昇が最大になるからである。落下したＳｉ粒子の一
部はサセプタ２の上に置かれた基板上に付着する。この
微小なａ−Ｓｉ粒子の上にフａ−Ｓｉ膜が成長するので
、これがピンホールなどの欠陥の原因となり、歩留りの
低下をひきおこす。本発明の目的は、このような反応室
の壁からシリコン粒子が基板面へ落下することのない、
歩留７りの高い薄膜シリコン生成装置も提供することに
ある。
この目的は反応室の側壁の内側に、円筒形に成形された
可撓性を有する金網を、側壁に設けた金具によりその上
端においてつり下げることによつフて達成される。
可撓性を有する金網を、側壁に設けた金具によりその上
端においてつり下げることによつフて達成される。
以下第２図を引用して本発明の実施例について説明する
。
。
第２図に示す薄膜シリコン生成装置においては、反応室
１の側壁１１の内側に円筒形の成形された金網６が金具
７によつてつり下げられ・ている。この装置を用い第１
図の場合と同様にサセプタ２と電極３の間に電圧を印加
してグロー放電を発生させ、モノシランを分解すると基
板上にａ−Ｓｉが成長すると同時に金網６にもａ−Ｓｉ
あるいは中間生成物が付着する。薄膜生成過程の繰返Ｊ
しによつてこの付着物が厚くなり、金網６より落下する
虞が生ずる前に、基板のとり出しのため反応室１を開い
た機会に付着物を金網より機械的にふりおとす。機械的
なふりおとしは金網６を屈伸させることにより行うのが
効果的である。そのた・め、金網６は可撓性を有するこ
とが必要である。金網６はまた太い針金からなり網目が
小さいものであれば、反応生成物が付着しやすくまた屈
伸の際はがれやすい。ふりおとしたａ−Ｓｉなどの付着
物を清掃したのち、基板を載置したサセプタ２の上に反
応室１の上部をかぶせれば、薄膜シリコン生成過程は清
浄な反応室１内で行うことができるので、基板上に生ず
るシリコン薄膜には欠陥が生ずることがない。第２図の
例では、金網は反応室の側壁１１の内面にのみ取り付け
られているが、反応室の天井にも設けて天井壁に反応生
成物が付着することを防止できるので有効である。
１の側壁１１の内側に円筒形の成形された金網６が金具
７によつてつり下げられ・ている。この装置を用い第１
図の場合と同様にサセプタ２と電極３の間に電圧を印加
してグロー放電を発生させ、モノシランを分解すると基
板上にａ−Ｓｉが成長すると同時に金網６にもａ−Ｓｉ
あるいは中間生成物が付着する。薄膜生成過程の繰返Ｊ
しによつてこの付着物が厚くなり、金網６より落下する
虞が生ずる前に、基板のとり出しのため反応室１を開い
た機会に付着物を金網より機械的にふりおとす。機械的
なふりおとしは金網６を屈伸させることにより行うのが
効果的である。そのた・め、金網６は可撓性を有するこ
とが必要である。金網６はまた太い針金からなり網目が
小さいものであれば、反応生成物が付着しやすくまた屈
伸の際はがれやすい。ふりおとしたａ−Ｓｉなどの付着
物を清掃したのち、基板を載置したサセプタ２の上に反
応室１の上部をかぶせれば、薄膜シリコン生成過程は清
浄な反応室１内で行うことができるので、基板上に生ず
るシリコン薄膜には欠陥が生ずることがない。第２図の
例では、金網は反応室の側壁１１の内面にのみ取り付け
られているが、反応室の天井にも設けて天井壁に反応生
成物が付着することを防止できるので有効である。
以上述べたように、本発明は薄膜シリコン生成装置の反
応室の内面を可撓性を有する金網で覆い、反応生成物を
この金網に付着させ、付着量が多くなつてはがれて落下
するようになる前にこの付着物を機械的にふりおとして
薄膜生成基板へのａ−Ｓｉ粒子などの落下を防止するも
のであり、これにより基板上に欠陥のないシリコン薄膜
を歩留り高く生成することができ、アモルフアスシリコ
ン太陽電池などの製造に極めて有効に適用できる。
応室の内面を可撓性を有する金網で覆い、反応生成物を
この金網に付着させ、付着量が多くなつてはがれて落下
するようになる前にこの付着物を機械的にふりおとして
薄膜生成基板へのａ−Ｓｉ粒子などの落下を防止するも
のであり、これにより基板上に欠陥のないシリコン薄膜
を歩留り高く生成することができ、アモルフアスシリコ
ン太陽電池などの製造に極めて有効に適用できる。
第１図は従来の薄膜シリコン生成装置の一例の断面図、
第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、６・・・・・・金網。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、６・・・・・・金網。
Claims (1)
- １ 真空排気された反応室内においてグロー放電を発生
させ、導入された反応ガスを分解して基板上にシリコン
薄膜を生成するものにおいて、反応室の側壁の内側に、
円筒形に成形された可撓性を有する金網が、側壁に設け
た金具によりその上端においてつり下げられたことを特
徴とする薄膜シリコン生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884882A JPS5953211B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884882A JPS5953211B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208120A JPS58208120A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS5953211B2 true JPS5953211B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=13954395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8884882A Expired JPS5953211B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953211B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024715U (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-12 | ||
| JPH0348489Y2 (ja) * | 1985-11-27 | 1991-10-16 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207620A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-24 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン成膜装置 |
| JPS60117716A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Zenko Hirose | 成膜方法 |
| JPH077745B2 (ja) * | 1984-01-11 | 1995-01-30 | 株式会社ダイヘン | 光起電力素子の製造装置 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP8884882A patent/JPS5953211B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348489Y2 (ja) * | 1985-11-27 | 1991-10-16 | ||
| JPH024715U (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58208120A (ja) | 1983-12-03 |
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