JPS604904B2 - 減圧型化学気相成長装置 - Google Patents
減圧型化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS604904B2 JPS604904B2 JP5664080A JP5664080A JPS604904B2 JP S604904 B2 JPS604904 B2 JP S604904B2 JP 5664080 A JP5664080 A JP 5664080A JP 5664080 A JP5664080 A JP 5664080A JP S604904 B2 JPS604904 B2 JP S604904B2
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- JP
- Japan
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- reduced pressure
- substrate
- vapor deposition
- chemical vapor
- reaction tube
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は減圧型化学気相成長装置に関するものである
。
。
従来のこの種の減圧型化学気相成長装置の概要構成を第
１図に示してある。
１図に示してある。
この第１図において、１は石英チューブからなる反応管
、２は薄膜を形成する半導体基板、金属基板などの被生
成基板、３はこの基板２を戦直保持する石英あるいはグ
ラフアィト製のボード、４は前記反応管１の一端関口部
の開閉するドアであって、反応ガスの導入配管５を有し
、また６は同様に反応管１の池端に接続されて、管内を
真空排気する排気管であって図示しない真空ポンプなど
に連接されており、さらに７は前記反応管の周囲に配設
されたヒータである。前記構成において従来は、基板２
を並列敦直したボード３を反応管１内に、その一端開□
部側から例えば石英製の棒などで押し込み装入してドァ
４を閉じ、まず反応管１内を排気管６より１０‐坪。
、２は薄膜を形成する半導体基板、金属基板などの被生
成基板、３はこの基板２を戦直保持する石英あるいはグ
ラフアィト製のボード、４は前記反応管１の一端関口部
の開閉するドアであって、反応ガスの導入配管５を有し
、また６は同様に反応管１の池端に接続されて、管内を
真空排気する排気管であって図示しない真空ポンプなど
に連接されており、さらに７は前記反応管の周囲に配設
されたヒータである。前記構成において従来は、基板２
を並列敦直したボード３を反応管１内に、その一端開□
部側から例えば石英製の棒などで押し込み装入してドァ
４を閉じ、まず反応管１内を排気管６より１０‐坪。
ｒｒまで排気減圧してから、例えばＳｉＨガスなどの反
応ガスを導入配管５から管内に導き、この管内を真空度
０．１〜５むｒｒ程度に保持させ、かつヒータ７により
６００ｑｏ程度に加熱する。この操作により前記基板２
の表面には、１０〜１００Ａ／分で多結晶シリコン膜が
生成され、同時に反応管内壁およびボード面にも多結晶
シリコンの反応生成物８が生成されることになる。ここ
で一般に反応管１は、延べ時間でみておおよそ５０〜２
００時間生成操作を行なうと、内壁面の反応生成物８に
剥離が生じ、また毎回のボード３の押し込み操作に伴な
う内壁面とのこすれにより、０．１〜１０仏ｍ程度の粒
子状粉末を生じ、これらの微粉が反応管１内を真空に引
くとき、あるいは管内に反応ガスを導入するときに基板
２面に付着することがある。
応ガスを導入配管５から管内に導き、この管内を真空度
０．１〜５むｒｒ程度に保持させ、かつヒータ７により
６００ｑｏ程度に加熱する。この操作により前記基板２
の表面には、１０〜１００Ａ／分で多結晶シリコン膜が
生成され、同時に反応管内壁およびボード面にも多結晶
シリコンの反応生成物８が生成されることになる。ここ
で一般に反応管１は、延べ時間でみておおよそ５０〜２
００時間生成操作を行なうと、内壁面の反応生成物８に
剥離が生じ、また毎回のボード３の押し込み操作に伴な
う内壁面とのこすれにより、０．１〜１０仏ｍ程度の粒
子状粉末を生じ、これらの微粉が反応管１内を真空に引
くとき、あるいは管内に反応ガスを導入するときに基板
２面に付着することがある。
そしてこれは、基板２面に微細な生成膜を形成している
場合とか、生成膜を微細加工する場合に障害となり、ま
た生成膜が絶縁膜のときは、その部分に絶縁破壊を生ず
るものであった。この発明は渋来のこのような点に鑑み
、ボードの底面に外部の排気系に蓮適する吸引口を関口
させ、このボードの出し入れ時に生ずる反応生成物８の
微粉などを排気除摩するようにしたものである。
場合とか、生成膜を微細加工する場合に障害となり、ま
た生成膜が絶縁膜のときは、その部分に絶縁破壊を生ず
るものであった。この発明は渋来のこのような点に鑑み
、ボードの底面に外部の排気系に蓮適する吸引口を関口
させ、このボードの出し入れ時に生ずる反応生成物８の
微粉などを排気除摩するようにしたものである。
以下、この発明装置の−実施例につき、第２図を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
この第２図において前記第１図と同一符号は同一または
相当部分を示しており、この実施例では前記ボード３を
中空状体として、その底面に吸引口３ａを形成させると
共に、この吸引口３ａを配管９により外部の排気系に接
続させたものである。
相当部分を示しており、この実施例では前記ボード３を
中空状体として、その底面に吸引口３ａを形成させると
共に、この吸引口３ａを配管９により外部の排気系に接
続させたものである。
従ってこの実施例構成によると、基板２を戦層したボー
ド３を反応管１内に出し入れする際に、配管９を通して
吸引口３ａに負圧を与えるようにすれ‘ま、反応管１内
、殊にボード３を支持する内壁部分に遊離している反応
生成物８の徴粉などは、その出し入れ時吸引口３ａに吸
引されて外部に排気除塵することができ、これによって
管内を清浄に保持し得るもので、この徴粉などが基板１
面に付着することがなく、生成膜を生ずるＩ県れがなく
なるのである。
ド３を反応管１内に出し入れする際に、配管９を通して
吸引口３ａに負圧を与えるようにすれ‘ま、反応管１内
、殊にボード３を支持する内壁部分に遊離している反応
生成物８の徴粉などは、その出し入れ時吸引口３ａに吸
引されて外部に排気除塵することができ、これによって
管内を清浄に保持し得るもので、この徴粉などが基板１
面に付着することがなく、生成膜を生ずるＩ県れがなく
なるのである。
以上詳述したようにこの発明によるときは、ボードの底
面に外部の排気系に連通する吸引口を開□させて、反応
管内への出し入れに際しこの吸引口から管内の反応生成
物微粉などを外部に排気除摩するようにしたから、常に
反応管内を清浄に保って基板への徴粉などの付着がなく
、生成膜を損ずる幌れを解消できると共に、従来、延べ
５０〜２０餌時間程度で洗修していた反応管を、２００
〜１０００時間に亘つて清浄に保持し得るもので、生成
膜の製造歩蟹りを飛躍的に向上でき、しかも構造も簡単
で容易かつ安価に実施できるなどの特長を有するもので
ある。
面に外部の排気系に連通する吸引口を開□させて、反応
管内への出し入れに際しこの吸引口から管内の反応生成
物微粉などを外部に排気除摩するようにしたから、常に
反応管内を清浄に保って基板への徴粉などの付着がなく
、生成膜を損ずる幌れを解消できると共に、従来、延べ
５０〜２０餌時間程度で洗修していた反応管を、２００
〜１０００時間に亘つて清浄に保持し得るもので、生成
膜の製造歩蟹りを飛躍的に向上でき、しかも構造も簡単
で容易かつ安価に実施できるなどの特長を有するもので
ある。
第１図は従来の減圧型化学気相成長装置を示す概要構成
図、第２図はこの発明に係わる減圧型化学気相成長装置
の一実施例を示す概要構成図である。 １・・・反応管、２・・・基板、３・・・ボード、３ａ
・・・吸引口、５・・・導入配管、６・・・排気管、７
・・・ヒータ、８・・・反応生成物。 第１図 第２図
図、第２図はこの発明に係わる減圧型化学気相成長装置
の一実施例を示す概要構成図である。 １・・・反応管、２・・・基板、３・・・ボード、３ａ
・・・吸引口、５・・・導入配管、６・・・排気管、７
・・・ヒータ、８・・・反応生成物。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 半導体基板、金属基板などの被生成基板を載置した
ボードを、反応管内に装入して所定温度に保持させると
共に、減圧下で反応管内に反応ガスを導入して、前記基
板面に所定薄膜を気相成長させる装置において、前記ボ
ードの底面に外部の排気系に連通する吸引口を開口した
ことを特徴とする減圧型化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664080A JPS604904B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧型化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664080A JPS604904B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧型化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152737A JPS56152737A (en) | 1981-11-26 |
| JPS604904B2 true JPS604904B2 (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=13032928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5664080A Expired JPS604904B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧型化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604904B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297214A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-06 | 吉田 光一 | マイクロスイツチ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130006301A (ko) | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 실리콘막의 제작 방법 및 축전 장치의 제작 방법 |
-
1980
- 1980-04-25 JP JP5664080A patent/JPS604904B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297214A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-06 | 吉田 光一 | マイクロスイツチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152737A (en) | 1981-11-26 |
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