JPH03118815A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JPH03118815A JPH03118815A JP25921789A JP25921789A JPH03118815A JP H03118815 A JPH03118815 A JP H03118815A JP 25921789 A JP25921789 A JP 25921789A JP 25921789 A JP25921789 A JP 25921789A JP H03118815 A JPH03118815 A JP H03118815A
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- vacuum
- vacuum container
- exhaust pipe
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- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004519 grease Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 244000175448 Citrus madurensis Species 0.000 description 1
- 235000017317 Fortunella Nutrition 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（表 真空中において物品の加工等を行なうため
の真空装置に関するもので、特に高精度で微細な構造の
物品を加工する蛛 被加工物品に塵埃が付着することを
嫌う真空装置において、真空容器内及び配管内に発生す
る塵埃を装置外へ排出し 被加工物品への塵埃の付着量
を減少し また高精度で微細な構造の再現性を高教 被
加工物品の製造歩留を向上させる真空装置に係るもので
ある。
の真空装置に関するもので、特に高精度で微細な構造の
物品を加工する蛛 被加工物品に塵埃が付着することを
嫌う真空装置において、真空容器内及び配管内に発生す
る塵埃を装置外へ排出し 被加工物品への塵埃の付着量
を減少し また高精度で微細な構造の再現性を高教 被
加工物品の製造歩留を向上させる真空装置に係るもので
ある。
従来の技術
真空容器内あるいは配管内で発生する塵埃力（被加工物
品に付着することにより、物品の正確な加工が妨げられ
ることを防止するために 真空容器内の可動部分をでき
るだけ少なくＬ−塵埃の発生を低減すると共シミ 真空
容器の真空排気や大気圧復帰を徐々に行なって、気流の
発生を抑制し塵埃の浮遊を低減するなどの技術があっ九
発明が解決しようとする課題 被加工物品を真空容器内に入れるために 真空容器の開
閉部や、被加工物品の搬送装置が必要であり、真空容器
内の可動部分を皆無にすることは困難である。従って真
空容器内での塵埃の発生を皆無にすることは はぼ不可
能であっ九 特に直径が０．３μｍ以下の微細な塵埃（
表 塵埃発生抑制の対策を施してもかなり大量に発生し
てい九 このような微細な塵埃（表 僅かな気流によっ
て容器内を浮遊したり、排気管内から逆流したりし さ
らに除去することが非常に困難であるために 真空容器
内の被加工物品を汚染しやすかっ九本発明はこのような
課題を解決するもので、真空容器内壁あるいは配管内壁
をゲル状粘着質材料で被うことで、真空容器内に浮遊す
る塵埃を効率良く除去し 被加工物品への塵埃付着を防
ぎ、被加工物品の正確な加工を維持し 被加工物品の製
造歩留を改善できる真空装置を提供するものである。
品に付着することにより、物品の正確な加工が妨げられ
ることを防止するために 真空容器内の可動部分をでき
るだけ少なくＬ−塵埃の発生を低減すると共シミ 真空
容器の真空排気や大気圧復帰を徐々に行なって、気流の
発生を抑制し塵埃の浮遊を低減するなどの技術があっ九
発明が解決しようとする課題 被加工物品を真空容器内に入れるために 真空容器の開
閉部や、被加工物品の搬送装置が必要であり、真空容器
内の可動部分を皆無にすることは困難である。従って真
空容器内での塵埃の発生を皆無にすることは はぼ不可
能であっ九 特に直径が０．３μｍ以下の微細な塵埃（
表 塵埃発生抑制の対策を施してもかなり大量に発生し
てい九 このような微細な塵埃（表 僅かな気流によっ
て容器内を浮遊したり、排気管内から逆流したりし さ
らに除去することが非常に困難であるために 真空容器
内の被加工物品を汚染しやすかっ九本発明はこのような
課題を解決するもので、真空容器内壁あるいは配管内壁
をゲル状粘着質材料で被うことで、真空容器内に浮遊す
る塵埃を効率良く除去し 被加工物品への塵埃付着を防
ぎ、被加工物品の正確な加工を維持し 被加工物品の製
造歩留を改善できる真空装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明（よ 真空容器内壁あ
るいは前記真空容器に接続される配管内壁の少なくとも
一部分をゲル状粘着質材料で被し＼前記真空容器内ある
いは前記配管内で発生する塵埃を前記ゲル状粘着質材料
に吸収せしめることを特徴とする真空装置である。
るいは前記真空容器に接続される配管内壁の少なくとも
一部分をゲル状粘着質材料で被し＼前記真空容器内ある
いは前記配管内で発生する塵埃を前記ゲル状粘着質材料
に吸収せしめることを特徴とする真空装置である。
作用
本発明は上述の構成によって、真空容器内あるいは配管
内に発生した塵埃を、真空容器内壁あるいは配管内壁を
被ったゲル状粘着質材料に取り込むことで、塵埃が再び
真空容器内に浮遊することを防止し 真空容器内に浮遊
する塵埃を大幅に減少することが可能となっ九 さら鳳
塵埃を取り込んだゲル状粘着質材料を除去することで、
容易に塵埃の除去が可能となり、被加工物品への塵埃付
着を防ぐことのできる真空装置の提供が可能となった （実施例１） 以下、本発明の真空装置を、減圧ＣＶＤ法によるシリコ
ン基板への窒化シリコン薄膜形成装置における実施例に
よって第１図を参照して詳細に説明する。
内に発生した塵埃を、真空容器内壁あるいは配管内壁を
被ったゲル状粘着質材料に取り込むことで、塵埃が再び
真空容器内に浮遊することを防止し 真空容器内に浮遊
する塵埃を大幅に減少することが可能となっ九 さら鳳
塵埃を取り込んだゲル状粘着質材料を除去することで、
容易に塵埃の除去が可能となり、被加工物品への塵埃付
着を防ぐことのできる真空装置の提供が可能となった （実施例１） 以下、本発明の真空装置を、減圧ＣＶＤ法によるシリコ
ン基板への窒化シリコン薄膜形成装置における実施例に
よって第１図を参照して詳細に説明する。
本発明による真空装置の主要部分の概略断面図を第１図
に示す。石英硝子製の真空容器２００の中？ミボート２
０５に截せたシリコン基板２１０を設置し總真空容器２
００周囲に加熱用ヒーター２２０を配置し九真空容器２
００の真空排気Ｃヨ 前部排気管２３０および後部排
気管２３５を通じてメカニカルブースターポンプ２４０
とロータリーポンプ２５０によって行なり島前部排気管
２３０は 真空容器２００直後のフランジ２６０とメ
インバルブ２７０直前のフランジ２６５で取り外せるよ
うにし島 前部排気管２３０の内壁に（よ ゲル状粘着
質材料として、真空保持用のシリコングリス２８０を約
３ｍｍの厚みで塗布した 次＆ミ 窒化シリコン薄膜の堆積手順について説明すも （１）真空容器２００の中鳳 ボート２０５に載せたシ
リコン基板２１０を置き、真空容器２００を密閉した後
、メインバルブ２７０を開いて各ポンプ２４０．２５０
により真空排気を開始すム （２）ヒーター２２０で真空容器２００内部を７５０℃
に加熱した後、予定している原料ガスと等量の窒素ガス
を真空容器２００に導入する。
に示す。石英硝子製の真空容器２００の中？ミボート２
０５に截せたシリコン基板２１０を設置し總真空容器２
００周囲に加熱用ヒーター２２０を配置し九真空容器２
００の真空排気Ｃヨ 前部排気管２３０および後部排
気管２３５を通じてメカニカルブースターポンプ２４０
とロータリーポンプ２５０によって行なり島前部排気管
２３０は 真空容器２００直後のフランジ２６０とメ
インバルブ２７０直前のフランジ２６５で取り外せるよ
うにし島 前部排気管２３０の内壁に（よ ゲル状粘着
質材料として、真空保持用のシリコングリス２８０を約
３ｍｍの厚みで塗布した 次＆ミ 窒化シリコン薄膜の堆積手順について説明すも （１）真空容器２００の中鳳 ボート２０５に載せたシ
リコン基板２１０を置き、真空容器２００を密閉した後
、メインバルブ２７０を開いて各ポンプ２４０．２５０
により真空排気を開始すム （２）ヒーター２２０で真空容器２００内部を７５０℃
に加熱した後、予定している原料ガスと等量の窒素ガス
を真空容器２００に導入する。
（３）バルブ２７５を開き、後部排気管２３５に窒素ガ
スを導入し 排気速度を調整して、真空容器２００内が
所望の反応圧力に調節できた後、真空容器２００に導入
していた窒素ガスをと八 原料ガスの５ｉＨａとＮｚＯ
を導入する。
スを導入し 排気速度を調整して、真空容器２００内が
所望の反応圧力に調節できた後、真空容器２００に導入
していた窒素ガスをと八 原料ガスの５ｉＨａとＮｚＯ
を導入する。
以上の一連の操作でシリコン基板２１０上に窒化シリコ
ン薄膜が形成でき旭 この薄膜堆積中圏 真空容器２０
０中の気中においても原料ガスの反応が起こり、窒化シ
リコンの粉沫が形成されへ まな真空容器２００内壁に
堆積した薄膜が剥がれて窒化シリコン薄膜片が発生した
これら粉末や薄膜片などの塵埃（よ 原料ガスの流れ
によって前部排気管２３０に運ばれ池 前部排気管２３
０内に於いてこれら塵埃はシリコングリス２８０に取り
込まれて定着し排気管内の気流などによって真空容器２
００内に逆流することがなかっ九 したがってシリコン
基板２１Ｏに付着する塵埃の量がかなり低減され 良好
な薄膜形成をすることができ丸 さらへ 堆積作業を繰
り返し行なった後、前部排気管２３０内には相当量の塵
埃が堆積していた力（シリコングリス２８０をふき取る
ことで、これら堆積した塵埃を短時間で完全に除去する
ことが容易にできへ 従来の方法による真空装置の主要部分の概略断面図を第
２図に示１− 従来の方法では 前部排気管２３０およ
び後部排気管２３５に堆積した塵埃は固定されておら哄
真空容器２００の真空排気時に排気管内の排気の反射
により生じた排気の逆流東 圧力調整用窒素ガスの導入
による排気管内の窒素の逆流によって、塵埃が再び真空
容器２００内に吹き戻され シリコン基板２１０を汚染
してい九 これを防ぐためには相当頻繁に排気管に付着
した塵埃１８０を除去するた八 排気管の洗浄を行なう
必要があり、特に微細な塵埃を取り除くためには 排気
管を長時間超音波洗浄するなど多くの費用と時間を必要
としていた 第１の実施例においては窒化シリコン薄膜堆積装置につ
いて説明した力交 他の薄膜堆積装置東エツチング装置
イオン注入装置などの真空装置にも応用することがで
き、同様の効果を期待することができる。さら置 第１
の実施例において、ゲル状粘着質材料としてシリコング
リスを用いた力＜ｍ埃を取り込める程度の粘性を有し
かつ真空中における蒸気圧が低い材料であれば他のちの
も使用することができる。さらく ゲル状粘着質材料を
塗布する領域も排気管のみ、でなく、イオン注入装置の
ように真空容器が特に高温になら式プラズマなどにさら
されない場合は真空容器中にも塗布することができる。
ン薄膜が形成でき旭 この薄膜堆積中圏 真空容器２０
０中の気中においても原料ガスの反応が起こり、窒化シ
リコンの粉沫が形成されへ まな真空容器２００内壁に
堆積した薄膜が剥がれて窒化シリコン薄膜片が発生した
これら粉末や薄膜片などの塵埃（よ 原料ガスの流れ
によって前部排気管２３０に運ばれ池 前部排気管２３
０内に於いてこれら塵埃はシリコングリス２８０に取り
込まれて定着し排気管内の気流などによって真空容器２
００内に逆流することがなかっ九 したがってシリコン
基板２１Ｏに付着する塵埃の量がかなり低減され 良好
な薄膜形成をすることができ丸 さらへ 堆積作業を繰
り返し行なった後、前部排気管２３０内には相当量の塵
埃が堆積していた力（シリコングリス２８０をふき取る
ことで、これら堆積した塵埃を短時間で完全に除去する
ことが容易にできへ 従来の方法による真空装置の主要部分の概略断面図を第
２図に示１− 従来の方法では 前部排気管２３０およ
び後部排気管２３５に堆積した塵埃は固定されておら哄
真空容器２００の真空排気時に排気管内の排気の反射
により生じた排気の逆流東 圧力調整用窒素ガスの導入
による排気管内の窒素の逆流によって、塵埃が再び真空
容器２００内に吹き戻され シリコン基板２１０を汚染
してい九 これを防ぐためには相当頻繁に排気管に付着
した塵埃１８０を除去するた八 排気管の洗浄を行なう
必要があり、特に微細な塵埃を取り除くためには 排気
管を長時間超音波洗浄するなど多くの費用と時間を必要
としていた 第１の実施例においては窒化シリコン薄膜堆積装置につ
いて説明した力交 他の薄膜堆積装置東エツチング装置
イオン注入装置などの真空装置にも応用することがで
き、同様の効果を期待することができる。さら置 第１
の実施例において、ゲル状粘着質材料としてシリコング
リスを用いた力＜ｍ埃を取り込める程度の粘性を有し
かつ真空中における蒸気圧が低い材料であれば他のちの
も使用することができる。さらく ゲル状粘着質材料を
塗布する領域も排気管のみ、でなく、イオン注入装置の
ように真空容器が特に高温になら式プラズマなどにさら
されない場合は真空容器中にも塗布することができる。
（実施例２）
以下、本発明の真空装置を、減圧ＣＶＤ法によるシリコ
ン基板への窒化シリコン薄膜形成装置における実施例に
よって第３図を参照して詳細に説明する。
ン基板への窒化シリコン薄膜形成装置における実施例に
よって第３図を参照して詳細に説明する。
本発明による真空装置の主要部分の概略断面図を第３図
に示す。石英硝子製の真空容器３００の中へボート３０
５に載せたシリコン基板３１０を置い九 真空容器３０
０周囲に加熱用ヒーター３２０を配置し九真空容器３０
０の真空排気（友 前部排気管３３０および後部排気管
３３５を通じてメカニカルブースターポンプ３４０とロ
ータリーポンプ３５０によって行なり島前部排気管３３
０に（瓜 ゲル状粘着質材料のシリコン系樹脂３８０の
噴出口３６１と排出口３６２を設けた シリコン系樹脂
３８０は外部のパイプライン３８５を遣欧噴出口側ポン
プ３６０と排出口側ポンプ３６５によって循環し 前部
排気管３３０内壁を常に約３ｍｍの厚みで被うようにし
九 シリコン系樹脂３８０の補充 交換のためにパイプ
ライン３８５中にタンク３８６を設は九 また シリコ
ン系樹脂３８０に含まれる塵埃を除去するためのフィル
ター３８７をパイプライン３８５中に設けた 次に 窒化シリコン薄膜の堆積手順について説明する。
に示す。石英硝子製の真空容器３００の中へボート３０
５に載せたシリコン基板３１０を置い九 真空容器３０
０周囲に加熱用ヒーター３２０を配置し九真空容器３０
０の真空排気（友 前部排気管３３０および後部排気管
３３５を通じてメカニカルブースターポンプ３４０とロ
ータリーポンプ３５０によって行なり島前部排気管３３
０に（瓜 ゲル状粘着質材料のシリコン系樹脂３８０の
噴出口３６１と排出口３６２を設けた シリコン系樹脂
３８０は外部のパイプライン３８５を遣欧噴出口側ポン
プ３６０と排出口側ポンプ３６５によって循環し 前部
排気管３３０内壁を常に約３ｍｍの厚みで被うようにし
九 シリコン系樹脂３８０の補充 交換のためにパイプ
ライン３８５中にタンク３８６を設は九 また シリコ
ン系樹脂３８０に含まれる塵埃を除去するためのフィル
ター３８７をパイプライン３８５中に設けた 次に 窒化シリコン薄膜の堆積手順について説明する。
（１）真空容器３００の中は ボート３０５に載せたシ
リコン基板３１０を置き、真空容器３００を密閉した後
、メインバルブ３７０を開いて各ポンプ３４０．３５０
により真空排気を開始する。
リコン基板３１０を置き、真空容器３００を密閉した後
、メインバルブ３７０を開いて各ポンプ３４０．３５０
により真空排気を開始する。
（２）ヒーター３２０で真空容器３００内部を７５０℃
に加熱した後、予定している原料ガスと等量の窒素ガス
を真空容器３００に導入する。
に加熱した後、予定している原料ガスと等量の窒素ガス
を真空容器３００に導入する。
（３）バルブ３７５を開き、後部排気管３３５に窒素ガ
スを導入し 排気速度を調整して、真空容器３００内が
所望の反応圧力に調節できた後、真空容器３００に導入
していた窒素ガスをと八 原料ガスの５ｉＨｓとＮ２ｏ
を導入すム 以上の一連の操作でシリコン基板３１０上に窒化シリコ
ン薄膜が形成できた この薄膜堆積中をへ 真空容器３
００中の気中においても原料ガスの反応が起こり、窒化
シリコンの粉沫が形成され九 また真空容器３００内壁
に堆積した薄膜が剥がれて窒化シリコン薄膜片が発生し
九 これら粉末や薄膜片などの塵埃（友 原料ガスの流
れによって前部排気管３３０に運ばれ旭 前部排気管３
３０内に於いてこれら塵埃はシリコン系樹脂３８０に取
り込まれて定着し排気管内の気流などによって真空容器
３００内に逆流することがなかつ丸 したがってシリコ
ン基板３１Ｏに付着する塵埃の量がかなり低減され 良
好な薄膜形成をすることができ九 さらく 堆積作業を
繰り返し行なった後でｋ 前部排気管３３０内には塵埃
の堆積がほとんど見られず、シリコン系樹脂３８０を循
環させることで排気管内の塵埃は取り除かれてい九 ま
た 噴出口側ポンプ３６０を停止した状態で排出口側ポ
ンプ３６５を運転し シリコン系樹脂３８０をタンク３
８６に回収した後、 シリコン系樹脂３８０を廃棄する
こと、ならびにフィルター３８７を新しいものに交換す
ることで収集した塵埃を短時間で完全に除去することが
容易にできへ 第２の実施例においては窒化シリコン薄膜堆積装置につ
いて説明した力丈 他の薄膜堆積装置東エツチング装置
イオン注入装置などの真空装置にも応用することがで
き、同様の効果を期待することができ４ さら〈 第２
の実施例において、ゲル状粘着質材料としてシリコン系
樹脂を用いた力＜ 塵埃を取り込へ かつ壁面に添って
流動できる程度の粘性を有限 さらに真空中における蒸
気圧が低い材料であれば他のものも使用することができ
る。さら随 ゲル状粘着質材料を流動させる区間も排気
管のみでなく、イオン注入装置のように真空容器が特に
高温にならず、プラズマなどにさらされない場合は真空
容器中にも流詠 循環させることができる。
スを導入し 排気速度を調整して、真空容器３００内が
所望の反応圧力に調節できた後、真空容器３００に導入
していた窒素ガスをと八 原料ガスの５ｉＨｓとＮ２ｏ
を導入すム 以上の一連の操作でシリコン基板３１０上に窒化シリコ
ン薄膜が形成できた この薄膜堆積中をへ 真空容器３
００中の気中においても原料ガスの反応が起こり、窒化
シリコンの粉沫が形成され九 また真空容器３００内壁
に堆積した薄膜が剥がれて窒化シリコン薄膜片が発生し
九 これら粉末や薄膜片などの塵埃（友 原料ガスの流
れによって前部排気管３３０に運ばれ旭 前部排気管３
３０内に於いてこれら塵埃はシリコン系樹脂３８０に取
り込まれて定着し排気管内の気流などによって真空容器
３００内に逆流することがなかつ丸 したがってシリコ
ン基板３１Ｏに付着する塵埃の量がかなり低減され 良
好な薄膜形成をすることができ九 さらく 堆積作業を
繰り返し行なった後でｋ 前部排気管３３０内には塵埃
の堆積がほとんど見られず、シリコン系樹脂３８０を循
環させることで排気管内の塵埃は取り除かれてい九 ま
た 噴出口側ポンプ３６０を停止した状態で排出口側ポ
ンプ３６５を運転し シリコン系樹脂３８０をタンク３
８６に回収した後、 シリコン系樹脂３８０を廃棄する
こと、ならびにフィルター３８７を新しいものに交換す
ることで収集した塵埃を短時間で完全に除去することが
容易にできへ 第２の実施例においては窒化シリコン薄膜堆積装置につ
いて説明した力丈 他の薄膜堆積装置東エツチング装置
イオン注入装置などの真空装置にも応用することがで
き、同様の効果を期待することができ４ さら〈 第２
の実施例において、ゲル状粘着質材料としてシリコン系
樹脂を用いた力＜ 塵埃を取り込へ かつ壁面に添って
流動できる程度の粘性を有限 さらに真空中における蒸
気圧が低い材料であれば他のものも使用することができ
る。さら随 ゲル状粘着質材料を流動させる区間も排気
管のみでなく、イオン注入装置のように真空容器が特に
高温にならず、プラズマなどにさらされない場合は真空
容器中にも流詠 循環させることができる。
発明の効果
本発明による真空装置によって、真空容器内あるいは配
管内に発生した塵埃を、真空容器内壁あるいは配管内壁
を被ったゲル状粘着質材料に取り込むことで、塵埃が再
び真空容器内に浮遊することを防止し 真空容器内に浮
遊する塵埃を大幅に減少することが可能となっ九 さら
Ｅ 塵埃を取り込んだゲル状粘着質材料を除去するこ
とで、容易に塵埃の除去が可能さなり、被加工物品への
塵埃付着を防ぎ、被加工物品の正確な加工を維持し被加
工物品の製造歩留を改善できる真空装置の提供が可能と
なっ九
管内に発生した塵埃を、真空容器内壁あるいは配管内壁
を被ったゲル状粘着質材料に取り込むことで、塵埃が再
び真空容器内に浮遊することを防止し 真空容器内に浮
遊する塵埃を大幅に減少することが可能となっ九 さら
Ｅ 塵埃を取り込んだゲル状粘着質材料を除去するこ
とで、容易に塵埃の除去が可能さなり、被加工物品への
塵埃付着を防ぎ、被加工物品の正確な加工を維持し被加
工物品の製造歩留を改善できる真空装置の提供が可能と
なっ九
第１図は本発明の第１の実施例を示す真空装置の主要部
分の概略断面図 第２図は従来の方法による真空装置の
主要部分の概略断面は 第３図は本発明の第２の実施例
を示す真空装置の主要部分の概略断面図である。 ２００、３００・・・真空容器 ２０５．３０５・・・
ボート、２１０．３１０・・・シリコン基板、２３０．
３３０・・・前部排気管、２３５．３３５・・・後部排
気管、２６０・・・フランジ、２６５・・・フランジ、
２８０・・・シリコングリ入 ３６０・・・噴出口側ポ
ンプ、３６１・・・噴出［：１． ３６２・・・排出１
３６５・・・排出口側ポンプ、３８０・・・シリコン金
柑Ｈ３８５・・・パイプライン、３８６・・・タン久
３８７・・・フィルター。
分の概略断面図 第２図は従来の方法による真空装置の
主要部分の概略断面は 第３図は本発明の第２の実施例
を示す真空装置の主要部分の概略断面図である。 ２００、３００・・・真空容器 ２０５．３０５・・・
ボート、２１０．３１０・・・シリコン基板、２３０．
３３０・・・前部排気管、２３５．３３５・・・後部排
気管、２６０・・・フランジ、２６５・・・フランジ、
２８０・・・シリコングリ入 ３６０・・・噴出口側ポ
ンプ、３６１・・・噴出［：１． ３６２・・・排出１
３６５・・・排出口側ポンプ、３８０・・・シリコン金
柑Ｈ３８５・・・パイプライン、３８６・・・タン久
３８７・・・フィルター。
Claims (2)
- （１）真空容器内壁あるいは前記真空容器に接続される
配管内壁の少なくとも一部分をゲル状粘着質材料で被い
、前記真空容器内あるいは前記配管内で発生する塵埃を
前記ゲル状粘着質材料に吸収せしめることを特徴とする
真空装置。 - （２）真空容器内あるいは前記真空容器に接続される配
管内の少なくとも一区間にゲル状粘着質材料の噴出口と
排出口を有し、前記一区間内において前記ゲル状粘着質
材料を流動せしめ、前記ゲル状粘着質材料を随時更新す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25921789A JPH03118815A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25921789A JPH03118815A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03118815A true JPH03118815A (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17331029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25921789A Pending JPH03118815A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03118815A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180467A (ja) * | 2005-03-02 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気ポンプ、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、基板処理装置及びパーティクル捕捉部品 |
| JP2009049037A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | 真空装置 |
| JP2012227531A (ja) * | 2005-03-02 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、及び基板処理装置 |
| US8727708B2 (en) | 2005-03-02 | 2014-05-20 | Tokyo Electron Limited | Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component |
| JP2017514305A (ja) * | 2014-04-16 | 2017-06-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び真空処理システム |
-
1989
- 1989-10-03 JP JP25921789A patent/JPH03118815A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180467A (ja) * | 2005-03-02 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気ポンプ、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、基板処理装置及びパーティクル捕捉部品 |
| JP2012227531A (ja) * | 2005-03-02 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、及び基板処理装置 |
| JP2013007383A (ja) * | 2005-03-02 | 2013-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 排気ポンプ |
| JP2013015145A (ja) * | 2005-03-02 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気ポンプ及び排気システム |
| US8727708B2 (en) | 2005-03-02 | 2014-05-20 | Tokyo Electron Limited | Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component |
| JP2009049037A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | 真空装置 |
| JP2017514305A (ja) * | 2014-04-16 | 2017-06-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び真空処理システム |
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