JPH08104975A - スパッタ装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
スパッタ装置およびそのクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH08104975A JPH08104975A JP26453394A JP26453394A JPH08104975A JP H08104975 A JPH08104975 A JP H08104975A JP 26453394 A JP26453394 A JP 26453394A JP 26453394 A JP26453394 A JP 26453394A JP H08104975 A JPH08104975 A JP H08104975A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- vacuum chamber
- target
- sputtering
- gas
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空チャンバーを大気開放することなく確実
に内部をクリーニングして装置稼動率の向上を図ったス
パッタ装置を提供する。 【構成】 真空チャンバー１と、該真空チャンバー内に
設けたターゲット保持用の第１の電極２と、該第１の電
極に対向するウエハ８を保持する第２の電極７と、スパ
ッタリングガスを上記真空チャンバー内に導入するため
のスパッタリングガス配管１５とを具備したスパッタ装
置において、上記ターゲット物質と反応してガス化させ
るクリーニングガスを上記真空チャンバー内に導入する
ためのクリーニングガス配管１６を有する。
に内部をクリーニングして装置稼動率の向上を図ったス
パッタ装置を提供する。 【構成】 真空チャンバー１と、該真空チャンバー内に
設けたターゲット保持用の第１の電極２と、該第１の電
極に対向するウエハ８を保持する第２の電極７と、スパ
ッタリングガスを上記真空チャンバー内に導入するため
のスパッタリングガス配管１５とを具備したスパッタ装
置において、上記ターゲット物質と反応してガス化させ
るクリーニングガスを上記真空チャンバー内に導入する
ためのクリーニングガス配管１６を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置に関し、特
にそのプロセスチャンバー（真空チャンバー）内各部に
被着したスパッタ物質のクリーニング手段に関するもの
である。
にそのプロセスチャンバー（真空チャンバー）内各部に
被着したスパッタ物質のクリーニング手段に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の電極形成プロセス等におい
て、シリコンウエハ上にアルミニウム（Ａｌ）やチタン
（Ｔｉ）等からなる電極材料を堆積させるためにスパッ
タ装置が用いられている。このスパッタ装置は、真空チ
ャンバー内でプラズマイオンをターゲット表面に衝突さ
せることによりターゲット原子をはじきだしてこれをシ
リコンウエハ上に被着させて成膜するものである。
て、シリコンウエハ上にアルミニウム（Ａｌ）やチタン
（Ｔｉ）等からなる電極材料を堆積させるためにスパッ
タ装置が用いられている。このスパッタ装置は、真空チ
ャンバー内でプラズマイオンをターゲット表面に衝突さ
せることによりターゲット原子をはじきだしてこれをシ
リコンウエハ上に被着させて成膜するものである。
【０００３】このスパッタ現象によりはじきだされたタ
ーゲット材料は、シリコンウエハ表面だけでなく真空チ
ャンバー内の各部材表面にも付着する。多数枚のウエハ
を処理するに伴い、このように真空チャンバー内各部表
面に付着したターゲット材料が堆積してこれが剥離する
とダストとなってウエハ表面に付着しパターン不良や特
性劣化の原因となり歩留りの低下を来す。
ーゲット材料は、シリコンウエハ表面だけでなく真空チ
ャンバー内の各部材表面にも付着する。多数枚のウエハ
を処理するに伴い、このように真空チャンバー内各部表
面に付着したターゲット材料が堆積してこれが剥離する
とダストとなってウエハ表面に付着しパターン不良や特
性劣化の原因となり歩留りの低下を来す。
【０００４】このような問題を回避するため従来、定期
的にあるいは一定の処理枚数ごとにまたは必要に応じて
スパッタ装置の真空チャンバーを大気開放して内部を作
業員の手作業によりクリーニングしていた。
的にあるいは一定の処理枚数ごとにまたは必要に応じて
スパッタ装置の真空チャンバーを大気開放して内部を作
業員の手作業によりクリーニングしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空チ
ャンバーを大気開放した状態での手作業によるクリーニ
ング方法では、クリーニング終了後真空チャンバーを再
び所定のプロセスに必要な真空圧に戻すまでに長時間を
要し、装置の稼動効率が低下しスループットを低下させ
ていた。また、手作業によるクリーニングであるため作
業の信頼性にも問題があり、ダスト発生防止のためには
メンテナンスを頻繁に行わなければならず、この点でも
歩留り低下の原因となっていた。
ャンバーを大気開放した状態での手作業によるクリーニ
ング方法では、クリーニング終了後真空チャンバーを再
び所定のプロセスに必要な真空圧に戻すまでに長時間を
要し、装置の稼動効率が低下しスループットを低下させ
ていた。また、手作業によるクリーニングであるため作
業の信頼性にも問題があり、ダスト発生防止のためには
メンテナンスを頻繁に行わなければならず、この点でも
歩留り低下の原因となっていた。
【０００６】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、真空チャンバーを大気開放することな
く確実に内部をクリーニングして装置稼動率の向上を図
ったスパッタ装置およびそのクリーニング方法の提供を
目的とする。
たものであって、真空チャンバーを大気開放することな
く確実に内部をクリーニングして装置稼動率の向上を図
ったスパッタ装置およびそのクリーニング方法の提供を
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、真空チャンバーと、該真空チャンバー
内に設けたターゲット保持用の第１の電極と、該第１の
電極に対向するターゲット被着対象物（ウエハ）を保持
する第２の電極と、スパッタリングガスを上記真空チャ
ンバー内に導入するためのスパッタリングガス配管とを
具備したスパッタ装置において、上記ターゲット物質と
反応してガス化させるクリーニングガスを上記真空チャ
ンバー内に導入するためのクリーニングガス配管を有す
ることを特徴とするスパッタ装置を提供する。
め、本発明では、真空チャンバーと、該真空チャンバー
内に設けたターゲット保持用の第１の電極と、該第１の
電極に対向するターゲット被着対象物（ウエハ）を保持
する第２の電極と、スパッタリングガスを上記真空チャ
ンバー内に導入するためのスパッタリングガス配管とを
具備したスパッタ装置において、上記ターゲット物質と
反応してガス化させるクリーニングガスを上記真空チャ
ンバー内に導入するためのクリーニングガス配管を有す
ることを特徴とするスパッタ装置を提供する。
【０００８】好ましい実施例においては、前記クリーニ
ングガス配管は、切換え弁を介して前記スパッタリング
ガス配管に接続されたことを特徴としている。
ングガス配管は、切換え弁を介して前記スパッタリング
ガス配管に接続されたことを特徴としている。
【０００９】さらに好ましい実施例においては、前記ク
リーニングガスを導入してクリーニング反応を行うとき
に前記ターゲット前面を覆ってターゲットを保護するた
めのシャッターを備えたことを特徴としている。
リーニングガスを導入してクリーニング反応を行うとき
に前記ターゲット前面を覆ってターゲットを保護するた
めのシャッターを備えたことを特徴としている。
【００１０】さらに好ましい実施例においては、前記ク
リーニングガスを導入してクリーニング反応を行うとき
にクリーニング反応を促進させるためのヒーターを備え
たことを特徴としている。
リーニングガスを導入してクリーニング反応を行うとき
にクリーニング反応を促進させるためのヒーターを備え
たことを特徴としている。
【００１１】本発明ではさらに、真空チャンバーと、該
真空チャンバー内に設けたターゲット保持用の第１の電
極と、該第１の電極に対向するターゲット被着対象物
（ウエハ）を保持する第２の電極と、スパッタリングガ
スを上記真空チャンバー内に導入するためのスパッタリ
ングガス配管とを具備したスパッタ装置のクリーニング
方法において、上記ターゲット物質と反応してガス化さ
せるクリーニングガスを上記真空チャンバー内に導入
し、該真空チャンバーを大気開放することなく該クリー
ニングガスにより上記真空チャンバー内の各部に被着し
たターゲット物質をガス化してこれを排気することを特
徴とするスパッタ装置のクリーニング方法を提供する。
真空チャンバー内に設けたターゲット保持用の第１の電
極と、該第１の電極に対向するターゲット被着対象物
（ウエハ）を保持する第２の電極と、スパッタリングガ
スを上記真空チャンバー内に導入するためのスパッタリ
ングガス配管とを具備したスパッタ装置のクリーニング
方法において、上記ターゲット物質と反応してガス化さ
せるクリーニングガスを上記真空チャンバー内に導入
し、該真空チャンバーを大気開放することなく該クリー
ニングガスにより上記真空チャンバー内の各部に被着し
たターゲット物質をガス化してこれを排気することを特
徴とするスパッタ装置のクリーニング方法を提供する。
【００１２】好ましい実施例においては、前記ターゲッ
ト物質はＡｌもしくはＴｉであり、前記クリーニングガ
スはＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3 またはＣｌ2 を含むことを特徴
としている。
ト物質はＡｌもしくはＴｉであり、前記クリーニングガ
スはＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3 またはＣｌ2 を含むことを特徴
としている。
【００１３】別の好ましい実施例においては、前記ター
ゲット物質はａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）であ
り、前記クリーニングガスはＳＦ6 、ＣＨ2Ｆ2 または
Ｃｌ2を含むことを特徴としている。
ゲット物質はａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）であ
り、前記クリーニングガスはＳＦ6 、ＣＨ2Ｆ2 または
Ｃｌ2を含むことを特徴としている。
【００１４】
【作用】真空チャンバーを所定の高真空に保ったままク
リーニングガスを導入し、チャンバー内に付着したター
ゲット物質と反応させこれをガス化させて排気する。タ
ーゲット前面にシャッターを設けることにより、ターゲ
ット自体がクリーニングガスと反応して消耗することを
防止できる。チャンバーを加熱することによりクリーニ
ングガスと除去すべきターゲット物質との反応が促進さ
れる。
リーニングガスを導入し、チャンバー内に付着したター
ゲット物質と反応させこれをガス化させて排気する。タ
ーゲット前面にシャッターを設けることにより、ターゲ
ット自体がクリーニングガスと反応して消耗することを
防止できる。チャンバーを加熱することによりクリーニ
ングガスと除去すべきターゲット物質との反応が促進さ
れる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例に係るスパッタ装置の
構成図である。真空チャンバー（プロセスチャンバー）
１内にターゲット保持用の第１の電極２が設けられ、こ
の電極２上の前面にターゲット３が固定保持される。電
極２内には冷却水が矢印Ａのように供給され循環する。
このターゲット保持電極２に対し、高周波電源４から、
スパッタ条件に応じて周波数や電圧を制御するマッチン
グボックス５を介して、電圧が印加される。真空チャン
バー１の筐体と電極２とは絶縁材６により電気的に絶縁
される。ターゲット３を保持する第１の電極２に対向し
て第２の電極７が設けられる。この第２の電極７は、タ
ーゲット３をスパッタして被着成膜すべきシリコンウエ
ハ（基板）８を固定保持する。９はマグネット、１０は
スパッタ用のシャッターである。また、２２はプラズマ
点火用のヒーターであり、スパッタ時にプラズマを発生
させるためのものである。プラズマ発生直後の不安定な
状態から安定した状態になるとシャッター１０を開いて
スパッタリングによる基板８上への成膜を開始する。
構成図である。真空チャンバー（プロセスチャンバー）
１内にターゲット保持用の第１の電極２が設けられ、こ
の電極２上の前面にターゲット３が固定保持される。電
極２内には冷却水が矢印Ａのように供給され循環する。
このターゲット保持電極２に対し、高周波電源４から、
スパッタ条件に応じて周波数や電圧を制御するマッチン
グボックス５を介して、電圧が印加される。真空チャン
バー１の筐体と電極２とは絶縁材６により電気的に絶縁
される。ターゲット３を保持する第１の電極２に対向し
て第２の電極７が設けられる。この第２の電極７は、タ
ーゲット３をスパッタして被着成膜すべきシリコンウエ
ハ（基板）８を固定保持する。９はマグネット、１０は
スパッタ用のシャッターである。また、２２はプラズマ
点火用のヒーターであり、スパッタ時にプラズマを発生
させるためのものである。プラズマ発生直後の不安定な
状態から安定した状態になるとシャッター１０を開いて
スパッタリングによる基板８上への成膜を開始する。
【００１６】真空チャンバー１は、排気管１１を介して
図示しない真空ポンプに接続され、チャンバー内が矢印
Ｂのように真空排気される。また、真空チャンバー１に
は、ガス導入管１２およびコック１３を介してスパッタ
リングガス配管１５が接続される。スパッタプロセスを
行うときには、このスパッタリングガス配管１５を介し
て真空チャンバー１内に反応ガスとして例えばアルゴン
ガス（Ａｒ）が導入される。
図示しない真空ポンプに接続され、チャンバー内が矢印
Ｂのように真空排気される。また、真空チャンバー１に
は、ガス導入管１２およびコック１３を介してスパッタ
リングガス配管１５が接続される。スパッタプロセスを
行うときには、このスパッタリングガス配管１５を介し
て真空チャンバー１内に反応ガスとして例えばアルゴン
ガス（Ａｒ）が導入される。
【００１７】スパッタリングガス配管１５には電磁三方
弁等の切換え弁１４を介してクリーニングガス配管１６
が接続される。このクリーニングガスは、ダストの原因
となるチャンバー内部に付着した物質（ターゲット３の
スパッタにより被着した物質）と反応してこれをガス化
させるガスである。クリーニングガスはターゲットの種
類に応じて複数種類のガスを混合して用いてもよい。こ
の場合、各種のクリーニングガスを導入するための配管
１７、１８、１９がそれぞれバルブ２０を介してクリー
ニングガス配管１６に接続される。
弁等の切換え弁１４を介してクリーニングガス配管１６
が接続される。このクリーニングガスは、ダストの原因
となるチャンバー内部に付着した物質（ターゲット３の
スパッタにより被着した物質）と反応してこれをガス化
させるガスである。クリーニングガスはターゲットの種
類に応じて複数種類のガスを混合して用いてもよい。こ
の場合、各種のクリーニングガスを導入するための配管
１７、１８、１９がそれぞれバルブ２０を介してクリー
ニングガス配管１６に接続される。
【００１８】このようなクリーニングガスの種類を例示
すれば、被スパッタ物質であるターゲット３がＡｌある
いはＡｌ−Ｓｉ等のアルミ合金である場合には、これら
の物質からなるチャンバー内付着物をエッチングにより
ガス化して除去する反応ガスとしてＣＣｌ4 、ＢＣｌ
3 、Ｃｌ2 等を用いることができる。また、ターゲット
３がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）である場合に
は、クリーニングガスとしてＳＦ6 、ＣＨ2Ｆ2 、Ｃｌ2
等を用いることができる。
すれば、被スパッタ物質であるターゲット３がＡｌある
いはＡｌ−Ｓｉ等のアルミ合金である場合には、これら
の物質からなるチャンバー内付着物をエッチングにより
ガス化して除去する反応ガスとしてＣＣｌ4 、ＢＣｌ
3 、Ｃｌ2 等を用いることができる。また、ターゲット
３がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）である場合に
は、クリーニングガスとしてＳＦ6 、ＣＨ2Ｆ2 、Ｃｌ2
等を用いることができる。
【００１９】例えばＣＣｌ4 とＡｌとの反応によるガス
化の反応式は以下の通りである。
化の反応式は以下の通りである。
【００２０】 ＣＣｌ4 →ＣＣｌ3 ＋Ｃｌ＋ｅ Ａｌ＋ＣＣｌ3 →ＡｌＣｌ3 ↑＋Ｃ 図１に戻り、ターゲット３の前面にはターゲット保護用
のシャッター２１が設けられる。このシャッター２１は
クリーニング時にターゲット３の前面を覆い、ターゲッ
ト３がクリーニングガスと反応して消耗することを防止
するためのものである。Ａｒガスを導入してスパッタ反
応を行う場合には、このシャッター２１は開放してお
く。
のシャッター２１が設けられる。このシャッター２１は
クリーニング時にターゲット３の前面を覆い、ターゲッ
ト３がクリーニングガスと反応して消耗することを防止
するためのものである。Ａｒガスを導入してスパッタ反
応を行う場合には、このシャッター２１は開放してお
く。
【００２１】真空チャンバー１の周囲（または内部）の
適当な位置にクリーニング反応用のヒーター２３が設け
られる。このヒーター２３は、クリーニング時にチャン
バー内部を加熱してクリーニングガスによるエッチング
反応を促進させるためのものである。
適当な位置にクリーニング反応用のヒーター２３が設け
られる。このヒーター２３は、クリーニング時にチャン
バー内部を加熱してクリーニングガスによるエッチング
反応を促進させるためのものである。
【００２２】図２は、上記構成の複数のプロセスチャン
バー（真空チャンバー）２８を組合せて構成した半導体
装置製造用のスパッタ装置システムの全体レイアウト図
である。複数の（この例では５つの）プロセスチャンバ
ー２８がロードロックチャンバー２５の周囲に配設され
る。各プロセスチャンバー２８内のターゲットは、例え
ばＡｌ、ＴｉまたはＴｉＯＮからなり、製造プロセスに
応じてそれぞれ適当な数だけ配設される。各プロセスチ
ャンバー２８はウエハの出し入れ通路２７を介してロー
ドロックチャンバー２５と連結される。ロードロックチ
ャンバー２５内にはロボット２６が備り、図示しないア
ームによりウエハを各プロセスチャンバー２８に対し出
し入れする。ロードロックチャンバー２５はロード／ア
ンロードチャンバー２４を介して外部と連通する。
バー（真空チャンバー）２８を組合せて構成した半導体
装置製造用のスパッタ装置システムの全体レイアウト図
である。複数の（この例では５つの）プロセスチャンバ
ー２８がロードロックチャンバー２５の周囲に配設され
る。各プロセスチャンバー２８内のターゲットは、例え
ばＡｌ、ＴｉまたはＴｉＯＮからなり、製造プロセスに
応じてそれぞれ適当な数だけ配設される。各プロセスチ
ャンバー２８はウエハの出し入れ通路２７を介してロー
ドロックチャンバー２５と連結される。ロードロックチ
ャンバー２５内にはロボット２６が備り、図示しないア
ームによりウエハを各プロセスチャンバー２８に対し出
し入れする。ロードロックチャンバー２５はロード／ア
ンロードチャンバー２４を介して外部と連通する。
【００２３】ウエハの出し入れを行う場合には、各プロ
セスチャンバー２８とロードロックチャンバー２５との
間の出し入れ通路２７に設けたシャッター（図示しな
い）を閉鎖してロードロックチャンバー２５を所定の真
空圧に保った密閉空間とし、この状態から大気圧下の外
部と連通するロード／アンロードチャンバー２４との間
のシャッター（図示しない）を開いてウエハ（図示しな
い）の受渡しを行う。またロードロックチャンバー２５
と各プロセスチャンバー２８との間でウエハの受渡しを
行うときには、ロードロックチャンバー２５とロード／
アンロードチャンバー２４との連通を遮断した状態で目
的とするプロセスチャンバー２８との間のシャッターを
開いてウエハの受渡しを行う。このように所定の真空圧
のロードロックチャンバー２５を間に介して各プロセス
チャンバー２８と大気圧下の外部との間でウエハの出し
入れを行うことにより、各プロセスチャンバー２８を大
気圧に落とすことなく大気圧下の外部との間でウエハの
出し入れが行われる。
セスチャンバー２８とロードロックチャンバー２５との
間の出し入れ通路２７に設けたシャッター（図示しな
い）を閉鎖してロードロックチャンバー２５を所定の真
空圧に保った密閉空間とし、この状態から大気圧下の外
部と連通するロード／アンロードチャンバー２４との間
のシャッター（図示しない）を開いてウエハ（図示しな
い）の受渡しを行う。またロードロックチャンバー２５
と各プロセスチャンバー２８との間でウエハの受渡しを
行うときには、ロードロックチャンバー２５とロード／
アンロードチャンバー２４との連通を遮断した状態で目
的とするプロセスチャンバー２８との間のシャッターを
開いてウエハの受渡しを行う。このように所定の真空圧
のロードロックチャンバー２５を間に介して各プロセス
チャンバー２８と大気圧下の外部との間でウエハの出し
入れを行うことにより、各プロセスチャンバー２８を大
気圧に落とすことなく大気圧下の外部との間でウエハの
出し入れが行われる。
【００２４】このようなプロセスチャンバー２８は一旦
大気圧に開放すると、これをスパッタプロセスに必要な
超高真空の状態に戻すのに非常に長い時間を要する。前
述のように従来はチャンバー内クリーニングの際各プロ
セスチャンバー２８を大気に開放して手作業でクリーニ
ングを行っていたため、クリーニング後チャンバーを真
空状態に戻すための待ち時間が非常に長く装置の稼動率
が低下していた。これに対し本発明では、前述のように
クリーニングガスを用いて各プロセスチャンバー２８を
大気に開放することなく真空状態でクリーニングを行う
ため、装置の稼動率が大幅に向上する。
大気圧に開放すると、これをスパッタプロセスに必要な
超高真空の状態に戻すのに非常に長い時間を要する。前
述のように従来はチャンバー内クリーニングの際各プロ
セスチャンバー２８を大気に開放して手作業でクリーニ
ングを行っていたため、クリーニング後チャンバーを真
空状態に戻すための待ち時間が非常に長く装置の稼動率
が低下していた。これに対し本発明では、前述のように
クリーニングガスを用いて各プロセスチャンバー２８を
大気に開放することなく真空状態でクリーニングを行う
ため、装置の稼動率が大幅に向上する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、チャンバー内部に付着したダスト発生の原因となる
ターゲット物質を、クリーニングガスを用いて真空状態
で反応させガス化して除去するため、装置の稼動率を低
下させることなく確実なクリーニングを行うことができ
ダストを減少させて製品の品質を向上させ歩留りの向上
を図ることができる。
は、チャンバー内部に付着したダスト発生の原因となる
ターゲット物質を、クリーニングガスを用いて真空状態
で反応させガス化して除去するため、装置の稼動率を低
下させることなく確実なクリーニングを行うことができ
ダストを減少させて製品の品質を向上させ歩留りの向上
を図ることができる。
【図１】 本発明の実施例に係るスパッタ装置の構成図
である。
である。
【図２】 本発明に係るスパッタ装置を複数個用いたス
パッタシステムのレイアウト図である。
パッタシステムのレイアウト図である。
１：真空チャンバー（プロセスチャンバー） ２：ターゲット保持用第１の電極 ３：ターゲット ７：ウエハ保持用第２の電極 ８：シリコンウエハ（基板） １０：スパッタ用シャッター １１：排気管 １４：切換え弁 １５：スパッタリングガス配管 １６：クリーニングガス配管 ２１：ターゲット保護用シャッター ２３：クリーニング反応用ヒーター
Claims (7)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、該真空チャンバー内
に設けたターゲット保持用の第１の電極と、該第１の電
極に対向するターゲット被着対象物を保持する第２の電
極と、スパッタリングガスを上記真空チャンバー内に導
入するためのスパッタリングガス配管とを具備したスパ
ッタ装置において、上記ターゲット物質と反応してガス
化させるクリーニングガスを上記真空チャンバー内に導
入するためのクリーニングガス配管を有することを特徴
とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記クリーニングガス配管は、切換え弁
を介して前記スパッタリングガス配管に接続されたこと
を特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】 前記クリーニングガスを導入してクリー
ニング反応を行うときに前記ターゲット前面を覆ってタ
ーゲットを保護するためのシャッターを備えたことを特
徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。 - 【請求項４】 前記クリーニングガスを導入してクリー
ニング反応を行うときにクリーニング反応を促進させる
ためのヒーターを備えたことを特徴とする請求項１、２
または３に記載のスパッタ装置。 - 【請求項５】 真空チャンバーと、該真空チャンバー内
に設けたターゲット保持用の第１の電極と、該第１の電
極に対向するターゲット被着対象物を保持する第２の電
極と、スパッタリングガスを上記真空チャンバー内に導
入するためのスパッタリングガス配管とを具備したスパ
ッタ装置のクリーニング方法において、上記ターゲット
物質と反応してガス化させるクリーニングガスを上記真
空チャンバー内に導入し、該真空チャンバーを大気開放
することなく該クリーニングガスにより上記真空チャン
バー内の各部に被着したターゲット物質をガス化してこ
れを排気することを特徴とするスパッタ装置のクリーニ
ング方法。 - 【請求項６】 前記ターゲット物質はＡｌもしくはＴｉ
であり、前記クリーニングガスはＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ま
たはＣｌ2 を含むことを特徴とする請求項５に記載のス
パッタ装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】 前記ターゲット物質はａ−Ｓｉであり、
前記クリーニングガスはＳＦ6 、ＣＨ2Ｆ2 またはＣｌ2
を含むことを特徴とする請求項５に記載のスパッタ装
置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26453394A JPH08104975A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | スパッタ装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26453394A JPH08104975A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | スパッタ装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104975A true JPH08104975A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17404589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26453394A Pending JPH08104975A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | スパッタ装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08104975A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163662A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | National Institute For Materials Science | ドライプロセス装置 |
| WO2011093334A1 (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜方法、成膜装置、および該成膜装置の制御装置 |
| CN110106481A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 镀膜装置及物理气相沉积设备 |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP26453394A patent/JPH08104975A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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