JP5513529B2 - 成膜方法、成膜装置、および該成膜装置の制御装置 - Google Patents
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Description
近年の微細化、薄層化の進んだ半導体デバイスや磁性記憶媒体の生産において、パーティクルの影響は大きくなってきており、このためパーティクルの低減が求められている。
また、真空チャンバー2内には、基板10を載置するための基板ホルダー7と、基板ホルダー7とターゲットホルダー6の間に設けられた基板シャッター19とが設けられている。該基板シャッター19は基板シャッター支持機構20により支持されており、該基板シャッター支持機構20は、基板シャッター19を開閉駆動する基板シャッター駆動機構32に接続されている。ここで、基板シャッター19は、基板ホルダー7の近傍に配置され、基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を遮蔽する閉状態、または基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を開放する開状態にするための遮蔽部材として機能する。すなわち、基板シャッター19がターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽する第3の位置に位置する時が基板シャッター19の閉状態となる。基板シャッター19が第3の位置に位置することにより、該基板シャッター19は基板ホルダー9の基板が保持される基板保持面を少なくとも覆うことになり、基板10はターゲットシャッター14側(例えば、後述の第2の放電空間)に対して遮蔽される。一方、ターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽しない第4の位置に位置する時が基板シャッター19の開状態となる。
まず、ターゲットシャッター14(“第1のシャッター”とも呼ぶ)は閉状態である。すなわち、ターゲットシャッター14は上記第1の位置に位置する。従って、ターゲットシャッター14が開状態である場合は、コントローラconは、ターゲットシャッター駆動機構33を制御して、ターゲットシャッター14によりターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽するようにターゲットシャッター14を回転させ、ターゲットシャッター14を閉状態とする。本実施形態では、ターゲットホルダー6はチムニー9により囲まれているので、該閉状態により、ターゲットシャッター14、チムニー9、およびターゲット4に囲まれた空間が第1の放電空間となる。この第1の放電空間を、後の成膜時の放電空間(後述の第2の放電空間)よりも小さくすることによって、着火時において放電しやすくすることができる。
このようなフローで成膜開始することにより、顕著なパーティクル低減を行なうことが
できる。
放電開始に有利なようにターゲット4前面の放電空間をチムニー9で取り囲み第1のシャッター(ターゲットシャッター14)を閉じた状態で該放電空間(第1の放電空間)にガス導入してターゲットホルダー6に高周波電力を印加して放電開始した状態では、プラズマはターゲット4、チムニー9、ターゲットシャッター14に閉じ込められた状態にある。周知のように、ターゲットが絶縁性材料であっても高周波は伝播しプラズマを発生させセルフバイアス電圧を生じる。本実施形態では、チムニー9およびターゲットシャッター14を接地しているので、チムニー9やターゲットシャッター14は接地電極として働く。ターゲットシャッター14は駆動機構により回転する構造であるため、必ずしも高周波的に完全に接地しているとは限らないが、チムニー9は接地されていると考えて良い。
ターゲットシャッター14を閉じた状態で放電開始するとき(第2ステップS2)、相対的に小さい第1の放電空間が形成されることになり、接地電極は、該第1の放電空間を区画するためのチムニー9およびターゲットシャッター14となる。よって、高周波印加電極面積に対して接地電極面積は比較的小さくなる。しかしながら、このとき第1のパワーとしてなるべく低い印加電力(パワー)で放電開始すれば、接地電極としてのチムニー9と第1の放電空間に生成されたプラズマとの電位差を小さくすることができるで、チムニー9表面やターゲットシャッター14のターゲット対向面に対するイオン衝撃によるパーティクル発生を低減することができる。
時間T1において、成膜パワー(第2のパワー)より小さくかつ安定に放電開始できるような第1のパワー(例えば100W)が印加される(第1ステップS1)。次に時間T2において第1のシャッターを開く(第2ステップS2)。時間T2で印加される第1のパワーは成膜パワーである第2のパワーより小さくかつ安定に放電開始できるようなパワーであることがパーティクル低減のために必要である。次に時間T3から時間T4にかけて、印加電力を、第2のパワーまで増大させる(第3ステップS3)。該第2のパワーは、望ましくは成膜工程で使用する成膜パワー(例えば800W)である。そして時間T5において第2のシャッターを開き、成膜工程を開始する(第4ステップS4)。
図1に示す装置を用い、ターゲットにAl2O3、ターゲットを臨む表面がアルミナ溶射で被覆されているチムニー(筒状シールド)9を用いて、RFスパッタリングをした。第1ガス導入口15から導入する不活性ガスとしてアルゴンを用いた。基板10への成膜時のRFパワー(第2のパワー)は800Wとした。ここで、パワー印加開始時の設定を100W(第1のパワー)とした。100W(第1のパワー)でパワーを印加した後(第1ステップS1)、第1のシャッターを開いた(第2ステップS2)。第1のシャッターを開いた後、印加パワーを基板成膜時の800W(第2のパワー)に増大させた(第3ステップS3)。パワー増大した後、第2のシャッターを開き、基板への成膜を開始した(第4ステップS4)。本実施例では、成膜された基板上のパーティクル数は19個となり、後述する比較例との比較からも分かるように、本発明によりパーティクル数の低減が実現された。
上記実施例と同様に、ターゲットにAl2O3、ターゲットを臨む表面がアルミナ溶射で被覆されているチムニー(筒状シールド)を用いて、RFスパッタリングをした。上記実施例と同様に不活性ガスとしてアルゴンを用いた。基板への成膜時のRFパワーは800Wとした。RFパワーを800Wに設定し、パワーを印加した後、前記第1のシャッターを開き、続いて第2のシャッターを開いて成膜を行った。そのとき、成膜された基板上のパーティクル数は496個であった。
本発明では、スパッタ成膜装置1の制御装置としてのコントローラconは、スパッタ成膜装置1に内蔵されても良いし、該スパッタ成膜装置1と別個に設けても良い。別個に設ける場合は、コントローラconとスパッタ成膜装置1とを、LAN等によるローカルな接続またはインターネットといったWAN接続等による、有線接続または無線接続等により接続して、コントローラconがスパッタ成膜装置1と通信可能に構成すれば良い。
Claims (10)
- ターゲットをスパッタして基板上に成膜を行なう成膜方法であって、
ターゲットを保持したターゲットホルダーと基板を保持した基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間で移動可能な第2の遮蔽部材を前記第3の位置に位置させることにより前記基板を遮蔽するとともに、前記ターゲットホルダーに、該ターゲットホルダーに接続された電源より成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加して、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間で移動可能な第1の遮蔽部材を前記第1の位置に位置させることにより形成されている第1の放電空間にて放電を引き起こす第1のステップと、
前記第1のステップで引き起こされた放電を続けながら、前記第1の遮蔽部材を前記第1の位置から前記第2の位置に移動させることによって、放電空間を前記第1の放電空間から該第1の放電空間よりも大きな第2の放電空間にする第2のステップと、
前記第2の放電空間について、前記電源より前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加する第3のステップと、
前記第2の遮蔽部材を前記第3の位置から前記第4の位置に移動させることによって、前記第2の遮蔽部材により前記第2の空間に対して遮蔽されている前記基板を、前記第2の放電空間に開放する第4のステップと
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記第3のステップは、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを、前記第1のパワーから前記第2のパワーまで増大させることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記第3のステップは、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを段階的又は連続的に増大させることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 前記第4のステップの後に、続けて前記基板上への成膜を行なうことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、
前記ターゲットホルダーにパワーを印加するパワー印加手段と、
基板を保持させるための基板ホルダーと、
前記ターゲットホルダーを取り囲むように構成された中空部を有し、接地されたシールドであって、該中空部を該シールドの外部と連通するための開口部が形成されたシールドと、
前記開口部を覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間を移動可能に構成された第1の遮蔽部材と、
前記基板ホルダーの基板保持面を少なくとも覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間を移動可能に構成された第2の遮蔽部材と、
前記パワー印加手段、前記第1及び第2の遮蔽部材の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記第1の遮蔽部材が前記第1の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御し、次いで、前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で前記第1の遮蔽部材を前記第1の位置から前記第2の位置に移動させるように前記第1の遮蔽部材の移動を制御し、次いで、前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御するように構成されていることを特徴とする成膜装置。 - 前記シールドは導電性を有し、
前記シールドの中空部の前記ターゲットホルダーを臨む表面が溶射により形成された絶縁膜で被覆されていることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。 - 前記制御手段は、前記第2のパワーを印加する際に、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを、前記第1のパワーから前記第2のパワーまで増大させるように前記パワー印加手段を制御することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、
前記ターゲットホルダーにパワーを印加するパワー印加手段と、
基板を保持させるための基板ホルダーと、
前記ターゲットホルダーを取り囲むように構成された中空部を有し、接地されたシールドであって、該中空部を該シールドの外部と連通するための開口部が形成されたシールドと、
前記開口部を覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間を移動可能に構成された第1の遮蔽部材と、
前記基板ホルダーの基板保持面を少なくとも覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間を移動可能に構成された第2の遮蔽部材とを備える成膜装置を制御するための制御装置であって、
前記第1の遮蔽部材が前記第1の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御する手段と、
前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーを印加することによって、前記中空部と前記第1の遮蔽部材との間の第1の放電空間にて引き起こされた放電を続けながら、前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で前記第1の遮蔽部材を前記第1の位置から前記第2の位置に移動させるように前記第1の遮蔽部材の移動を制御する手段と、
前記第1の遮蔽部材が前記第2の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御する手段と
を備えることを特徴とする制御装置。 - コンピュータを請求項8に記載の制御装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
- コンピュータにより読み出し可能なプログラムを格納した記憶媒体であって、請求項9に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
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