JP3789507B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、薄膜の形成に使用されるスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のスパッタリング装置として、例えば図1に示すように、真空容器a内に回転自在に設けた基板bとシャッターeを介して対向させてRF電源に接続した複数のスパッタカソードc、cを設け、各スパッタカソードcの前面にターゲットdを設けた構成のRFマグネトロンスパッタリング装置が知られている。
【0003】
該真空容器a内にArガスのスパッタガスを導入して内部を適当な真空圧に調整し、各スパッタカソードcに電力を投入してその前面にマグネトロン放電を発生させ、一方のシャッターeを開いて一方のターゲットdの物質を基板bに成膜し、その後このシャッターeを閉じて他方のシャッターeを開き、他方のターゲットdの物質を該基板bに続いて成膜することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来のスパッタリング装置では、スパッタカソードcの放電を維持するために、ターゲットdとシャッターeの間隔を少なくとも30mm程度にする必要があり、これ以下の間隔であると放電は発生しない。そのため、ターゲットdをクリーニングするためのプレスパッタ時に、シャッターeを閉じておいても、ターゲットdとシャッターeとの間から漏れたスパッタ粒子がスパッタガスとの衝突により散乱され、基板bの表面にまで到達し、いわゆる回り込み現象を生じて基板bを汚染する不都合があった。
【0005】
また、複数の物質A、Bを同時スパッタしながらシャッターeの交互の開閉のみで多層膜を基板bに作成する場合には、上記の理由により一つの物質の成膜中の膜内に他の物質のスパッタ粒子が混入し、例えば物質Aの膜を作成中に物質Bが混入するため、多層膜を構成する各層の膜を不純物の混入のない純度の高い物質で作成することができない。この場合の回り込み対策として、物質A、Bの各カソードc、cに対して交互に電力を投入して成膜することも考えられるが、各ターゲットdのプレスパッタ時に、ターゲットの表面を覆っていた汚染物質が回り込みによって基板bに付着すると共に、回り込みのために厳密な膜厚制御ができない欠点がある。しかも多層膜の作成に時間を要して能率的でない。
【0006】
更に、上記の従来のカソードの構成では、2.5〜3×10-1Pa以下のスパッタ圧力では放電が不安定になり、成膜することができない。
【0007】
本発明は、シャッターを閉じた時の回り込みがなく、シャッターの開閉のみにより膜の生成が制御できると共に不純物の少ない多層膜を作成できるスパッタリング装置を提供すること、及び低圧でもスパッタリングを行えるスパッタリング装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
上記目的を達成するために、本発明では、真空容器内に基板とシャッターを介して対向したスパッタカソードを設けたスパッタリング装置に於いて、スパッタカソードにスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカバーを設けて、カソードカバーの開口端部に開閉可能なシャッターを設け、カソードカバーの内部にスパッタガスを導入するためのガス導入管を設けており、シャッターを閉じた状態でカソードカバー内で放電可能とするとともに、カソードカバー内のカソード近傍におけるスパッタガス分圧を局所的に高く調節可能にした構成を有している。
さらに、本発明では、上記構成に加え、スパッタガス分圧が、0.67から0.067Paまで調節可能である構成を有している。
また本発明では、スパッタカソードを複数台とし、各スパッタカソードにカソードカバーを設けて各カソードカバーの開口端部に夫々シャッターを設け、各カソードカバーの内部へスパッタガスを導入するガス導入管を設けた構成とすることが好ましい。
【0009】
【作用】
シャッターを閉めた状態では、スパッタカソードが放電状態にあっても、その周囲がカソードカバーで囲まれ、該カソードカバーの開口部がシャッターで閉じられているので、ターゲットの表面から発生するスパッタ粒子は該カソードカバー内に留まり、基板の表面に付着することがない。従って、基板に純度の高い膜を形成でき、膜厚の制御を正確に行える。また、ガス導入管からスパッタガスを該カソードカバーの内部へ導入することにより、例えば6×10-2Pa以下のスパッタ圧力に於いても安定に放電を維持することができる。
【0010】
【実施例】
本発明の実施例を図2に基づき説明すると、符号1は適当な真空排気装置により真空排気されたスパッタリング装置の真空容器を示し、該真空容器1内に回転自在のワークホルダー2に基板3を保持させ、該基板3に対向した位置にシャッター4を夫々介してスパッタカソード5a、5bを設けた。各スパッタカソード5a、5bにはDC或いはRFの電源6が接続され、図示の例では該カソード5a、5bに設けたターゲット7の背後からその前面へ漏洩した磁界を形成する磁石8を設けてマグネトロンスパッタを行える形式とした。
【0011】
こうした構成は従来のスパッタリング装置と同様であるが、本発明では複数台のスパッタカソード5a、5bにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカバー9を夫々設け、各カバー9の開口端部10に夫々シャッター4を設けて各ターゲット7から発生するスパッタ粒子の回り込み現象を防止し、該カバー9の内部へ外部のガス源からArガス等のスパッタガスを導入するためのガス導入管11を設けて従来のスパッタ圧力よりも低い圧力でも放電を維持できるようにした。12はシャッター4を駆動するアクチュエータである。該シャッター4は開口端部10と最小の隙間を持つように設けられる。
【0012】
図示の実施例に於いて、各カソード5a、5bに互いに異なる物質のターゲット7、7を載せ、該真空容器1の内部を真空に排気した後、Arガスを各ガス導入管11から例えば0.67〜0.067Paまで導入し、シャッター4を閉じた状態で各カソード5a、5bにRF電力を投入すると放電が生じ、シャッター4を交互に開くと各ターゲット7の物質のスパッタ粒子が交互に回転する基板3の表面に膜状に堆積し、ターゲット7、7が例えばAlとCuであるなら、Al膜とCu膜が交互になった多層膜が堆積する。各カソード5a、5bのスパッタ面の側方はカソードカバー9で取囲まれているので、シャッター4を閉じた状態でスパッタを維持しておいても、そのスパッタ粒子が回り込みにより基板3に付着することがなく、従って、シャッター4を開いたカソードからのスパッタ粒子で不純物の混入の少ない成膜を多層に行え、回り込みがないから該シャッター4の開閉時間を制御するだけで正確な厚さの膜を成膜できる。また、該カソードカバー9の内部にガス導入管11からスパッタガスを導入するので、そのシャッター4が閉鎖されていても該カバー9内のカソード近傍におけるスパッタガス分圧が局所的に高いため放電を維持することができる。放電が停止すると、ターゲットの表面に気体分子が不純物となって付着するので、再スパッタするときにはプレスパッタを行ってターゲット表面をクリーニングする必要があり、そのための時間も掛かるが、放電を真空容器内が低い圧力であっても維持できるため、プレスパッタの必要がなくなる。本発明の実施例を更に詳細に説明すると下記の通りである。
【0013】
図示の各カソード5a、5bの一方にAlのターゲット7を載せ、基板3としてSiウエハを用意した。そして真空容器1内を排気した後、ガス導入管11からArガスを0.67〜0.067Paまで導入し、シャッター4を閉じた状態で該一方のカソードにRF電力を印加してマグネトロンスパッタを該カソードカバー9内で行い、該基板3に堆積する膜の量を測定した。膜厚の測定は、触針式表面粗さ計によって行い、更に、微量の膜の堆積については、EPMAによる基板3上のAl成分の分析により行った。これと比較のために同様の条件でカソードカバーのない、従来のマグネトロンスパッタ装置でシャッターを閉じてスパッタを行い、Siの基板3に堆積する膜の量を測定した。その結果は表1に示す通りであり、従来例であるカバー無しのものでは、シャッターを閉じておいても1時間で110nmの膜の生成が見られるのに対し、本発明のものでは、1.5時間経過しても膜の生成は確認できず、更にEPMAによってもAlが検出されないことから、EPMAの検出限界値以下の堆積量であることが確認できた。
【0014】
【表1】
【0015】
また、本発明の図示実施例に於いて、スパッタカソードを3台設け、夫々のカソードにAl、Cu、SUSのターゲットを設置し、真空容器1内を排気し、Arガスを0.67〜0.067Paまで導入した。そしてシャッターを閉じた状態で3台のカソード全てにRF電力を印加し、放電を発生させたのち、Alカソードのシャッターのみを開き、Si基板3にAl膜を成膜し、Al膜中のCu、SUS成分をEPMAにより測定した。一方、これとの比較のために、同様の条件でカソードカバーのない3台のカソードを備えたマグネトロンスパッタ装置により、Al、Cu、SUSのターゲットをマグネトロンスパッタし、Alのカソードのシャッターのみを開いてSi基板に成膜したAl膜中のCu、SUS成分をEPMAにより測定した。その結果は表2の如くであり、従来のカソードカバーのない装置では、数10%のCu、SUS成分が不純物として膜中に混入しているが、本発明の装置ではEPMAの検出値以下になった。また、この従来の装置では、0.067Pa以下の圧力になると、放電を維持できなかった。
【0016】
【表2】
【0017】
更に、上記の本発明の3台のスパッタカソードを備えた装置で、各カソードの印加電力をDC電力に変更し、上記と同条件で0.67Paの圧力でシャッターを閉じてマグネトロンスパッタを行ない、Alカソードのみのシャッターを開いてSi基板に成膜した膜の組成をEPMAにより分析した。その結果を表3に示す。これより明らかなように、Al膜中の不純物は、他のカソードが放電しているにもかかわらずEPMAの検出限界値以下であった。
【0018】
【表3】
【0019】
図2に示したカソード5a、5bの上部にRFコイルを設けて誘導結合プラズマ支援マグネトロンスパッタ装置(カソードにはRF及びDC電力を投入)としても、カソード5a、5bをカソードカバー9で覆っておくことにより、表2と同様の結果が得られた。
【0020】
尚、図示の例ではマグネトロン型のカソードを示したが、DC2極型やRF型のスパッタカソードであってもよい。
【0021】
【発明の効果】
以上のように本発明によるときは、スパッタリング装置のスパッタカソードにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカバーを設けて該カソードカバーの開口端部にシャッターを設けたので、シャッターを閉じるとスパッタリングに伴う回り込みが防止され、基板にターゲット表面の汚染物質が付着することがなくなり、複数のカソードの放電を維持したままシャッターの開閉のみで高純度且つ高精度の膜厚の多層膜を作製でき、該カソードカバーの内部にスパッタガスを導入するためのガス導入管を設けたので、6×10-2Pa以下のスパッタ圧でも安定な放電を維持して成膜を行える等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のスパッタリング装置の截断側面線図
【図2】本発明の実施例の截断側面線図
【符号の説明】
1 真空容器 3 基板 4 シャッター
5a、5b スパッタカソード 7 ターゲット 9 カソードカバー
10 開口端部 11 ガス導入管
Claims (3)
- 真空容器内に基板とシャッターを介して対向したスパッタカソードを設けたスパッタリング装置に於いて、
前記スパッタカソードにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカバーを設けて、このカソードカバーの開口端部に開閉可能な前記シャッターを設け、
前記カソードカバーの内部にスパッタガスを導入するためのガス導入管を設けており、
前記シャッターを閉じた状態で前記カソードカバー内で放電可能とするとともに、前記カソードカバー内のカソード近傍におけるスパッタガス分圧を局所的に高く調節可能にしたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記スパッタガス分圧が、0.67から0.067Paまで調節可能であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記スパッタカソードは複数台であり、各スパッタカソードに前記カソードカバーを設けて各カソードカバーの開口端部に夫々シャッターを設け、各カソードカバーの内部へスパッタガスを導入するガス導入管を設けたことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
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