JPH08269705A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH08269705A JPH08269705A JP7341295A JP7341295A JPH08269705A JP H08269705 A JPH08269705 A JP H08269705A JP 7341295 A JP7341295 A JP 7341295A JP 7341295 A JP7341295 A JP 7341295A JP H08269705 A JPH08269705 A JP H08269705A
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- Japan
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- shutter
- cathode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シャッターを閉じた時の回り込みがなく、シャ
ッターの開閉のみにより膜の生成が制御でき、不純物の
少ない多層膜を作成でき、低圧でもスパッタリングを行
えるスパッタリング装置を提供すること 【構成】真空容器１内に基板３とシャッター４を介して
対向したスパッタカソード５ａ、５ｂを設けたスパッタ
リング装置に於いて、該スパッタカソードにそのスパッ
タ面の側方を取囲む筒形のカソードカバー９を設けて該
カソードカバーの開口端部１０に該シャッターを設け
た。該カソードカバーの内部にスパッタガスを導入する
ためのガス導入管１１を設ける。 【効果】シャッターを閉じるとスパッタリングの回り込
みが防止され、複数のカソードの放電を維持したままシ
ャッターの開閉のみで高純度且つ高精度の膜厚の多層膜
を作製でき、低圧のスパッタ圧でも安定な放電を維持し
て成膜を行える。
ッターの開閉のみにより膜の生成が制御でき、不純物の
少ない多層膜を作成でき、低圧でもスパッタリングを行
えるスパッタリング装置を提供すること 【構成】真空容器１内に基板３とシャッター４を介して
対向したスパッタカソード５ａ、５ｂを設けたスパッタ
リング装置に於いて、該スパッタカソードにそのスパッ
タ面の側方を取囲む筒形のカソードカバー９を設けて該
カソードカバーの開口端部１０に該シャッターを設け
た。該カソードカバーの内部にスパッタガスを導入する
ためのガス導入管１１を設ける。 【効果】シャッターを閉じるとスパッタリングの回り込
みが防止され、複数のカソードの放電を維持したままシ
ャッターの開閉のみで高純度且つ高精度の膜厚の多層膜
を作製でき、低圧のスパッタ圧でも安定な放電を維持し
て成膜を行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜の形成に使用され
るスパッタリング装置に関する。
るスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のスパッタリング装置とし
て、例えば図１に示すように、真空容器ａ内に回転自在
に設けた基板ｂとシャッターｅを介して対向させてRF電
源に接続した複数のスパッタカソードｃ、ｃを設け、各
スパッタカソードｃの前面にターゲットｄを設けた構成
のRFマグネトロンスパッタリング装置が知られている。
て、例えば図１に示すように、真空容器ａ内に回転自在
に設けた基板ｂとシャッターｅを介して対向させてRF電
源に接続した複数のスパッタカソードｃ、ｃを設け、各
スパッタカソードｃの前面にターゲットｄを設けた構成
のRFマグネトロンスパッタリング装置が知られている。
【０００３】該真空容器ａ内にArガスのスパッタガスを
導入して内部を適当な真空圧に調整し、各スパッタカソ
ードｃに電力を投入してその前面にマグネトロン放電を
発生させ、一方のシャッターｅを開いて一方のターゲッ
トｄの物質を基板ｂに成膜し、その後このシャッターｅ
を閉じて他方のシャッターｅを開き、他方のターゲット
ｄの物質を該基板ｂに続いて成膜することができる。
導入して内部を適当な真空圧に調整し、各スパッタカソ
ードｃに電力を投入してその前面にマグネトロン放電を
発生させ、一方のシャッターｅを開いて一方のターゲッ
トｄの物質を基板ｂに成膜し、その後このシャッターｅ
を閉じて他方のシャッターｅを開き、他方のターゲット
ｄの物質を該基板ｂに続いて成膜することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のスパッ
タリング装置では、スパッタカソードｃの放電を維持す
るために、ターゲットｄとシャッターｅの間隔を少なく
とも３０mm程度にする必要があり、これ以下の間隔であ
ると放電は発生しない。そのため、ターゲットｄをクリ
ーニングするためのプレスパッタ時に、シャッターｅを
閉じておいても、ターゲットｄとシャッターｅとの間か
ら漏れたスパッタ粒子がスパッタガスとの衝突により散
乱され、基板ｂの表面にまで到達し、いわゆる回り込み
現象を生じて基板ｂを汚染する不都合があった。
タリング装置では、スパッタカソードｃの放電を維持す
るために、ターゲットｄとシャッターｅの間隔を少なく
とも３０mm程度にする必要があり、これ以下の間隔であ
ると放電は発生しない。そのため、ターゲットｄをクリ
ーニングするためのプレスパッタ時に、シャッターｅを
閉じておいても、ターゲットｄとシャッターｅとの間か
ら漏れたスパッタ粒子がスパッタガスとの衝突により散
乱され、基板ｂの表面にまで到達し、いわゆる回り込み
現象を生じて基板ｂを汚染する不都合があった。
【０００５】また、複数の物質Ａ、Ｂを同時スパッタし
ながらシャッターｅの交互の開閉のみで多層膜を基板ｂ
に作成する場合には、上記の理由により一つの物質の成
膜中の膜内に他の物質のスパッタ粒子が混入し、例えば
物質Ａの膜を作成中に物質Ｂが混入するため、多層膜を
構成する各層の膜を不純物の混入のない純度の高い物質
で作成することができない。この場合の回り込み対策と
して、物質Ａ、Ｂの各カソードｃ、ｃに対して交互に電
力を投入して成膜することも考えられるが、各ターゲッ
トｄのプレスパッタ時に、ターゲットの表面を覆ってい
た汚染物質が回り込みによって基板ｂに付着すると共
に、回り込みのために厳密な膜厚制御ができない欠点が
ある。しかも多層膜の作成に時間を要して能率的でな
い。
ながらシャッターｅの交互の開閉のみで多層膜を基板ｂ
に作成する場合には、上記の理由により一つの物質の成
膜中の膜内に他の物質のスパッタ粒子が混入し、例えば
物質Ａの膜を作成中に物質Ｂが混入するため、多層膜を
構成する各層の膜を不純物の混入のない純度の高い物質
で作成することができない。この場合の回り込み対策と
して、物質Ａ、Ｂの各カソードｃ、ｃに対して交互に電
力を投入して成膜することも考えられるが、各ターゲッ
トｄのプレスパッタ時に、ターゲットの表面を覆ってい
た汚染物質が回り込みによって基板ｂに付着すると共
に、回り込みのために厳密な膜厚制御ができない欠点が
ある。しかも多層膜の作成に時間を要して能率的でな
い。
【０００６】更に、上記の従来のカソードの構成では、
２．５〜３×１０-1Pa以下のスパッタ圧力では放電が不
安定になり、成膜することができない。
２．５〜３×１０-1Pa以下のスパッタ圧力では放電が不
安定になり、成膜することができない。
【０００７】本発明は、シャッターを閉じた時の回り込
みがなく、シャッターの開閉のみにより膜の生成が制御
できると共に不純物の少ない多層膜を作成できるスパッ
タリング装置を提供すること、及び低圧でもスパッタリ
ングを行えるスパッタリング装置を提供することを目的
とするものである。
みがなく、シャッターの開閉のみにより膜の生成が制御
できると共に不純物の少ない多層膜を作成できるスパッ
タリング装置を提供すること、及び低圧でもスパッタリ
ングを行えるスパッタリング装置を提供することを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空容器内
に基板とシャッターを介して対向したスパッタカソード
を設けたスパッタリング装置に於いて、該スパッタカソ
ードにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカ
バーを設けて該カソードカバーの開口端部に該シャッタ
ーを設けることにより、上記の第１の目的を達成するよ
うにした。該カソードカバーの内部にスパッタガスを導
入するためのガス導入管を設けることにより、上記第２
の目的が達成できる。該スパッタカソードを複数台と
し、各スパッタカソードに上記カソードカバーを設けて
各カソードカバーの開口端部に夫々シャッターを設け、
各カソードカバーの内部へスパッタガスを導入するガス
導入管を設けた構成とすることが好ましい。
に基板とシャッターを介して対向したスパッタカソード
を設けたスパッタリング装置に於いて、該スパッタカソ
ードにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソードカ
バーを設けて該カソードカバーの開口端部に該シャッタ
ーを設けることにより、上記の第１の目的を達成するよ
うにした。該カソードカバーの内部にスパッタガスを導
入するためのガス導入管を設けることにより、上記第２
の目的が達成できる。該スパッタカソードを複数台と
し、各スパッタカソードに上記カソードカバーを設けて
各カソードカバーの開口端部に夫々シャッターを設け、
各カソードカバーの内部へスパッタガスを導入するガス
導入管を設けた構成とすることが好ましい。
【０００９】
【作用】シャッターを閉めた状態では、スパッタカソー
ドが放電状態にあっても、その周囲がカソードカバーで
囲まれ、該カソードカバーの開口部がシャッターで閉じ
られているので、ターゲットの表面から発生するスパッ
タ粒子は該カソードカバー内に留まり、基板の表面に付
着することがない。従って、基板に純度の高い膜を形成
でき、膜厚の制御を正確に行える。また、ガス導入管か
らスパッタガスを該カソードカバーの内部へ導入するこ
とにより、例えば６×１０-2Pa以下のスパッタ圧力に於
いても安定に放電を維持することができる。
ドが放電状態にあっても、その周囲がカソードカバーで
囲まれ、該カソードカバーの開口部がシャッターで閉じ
られているので、ターゲットの表面から発生するスパッ
タ粒子は該カソードカバー内に留まり、基板の表面に付
着することがない。従って、基板に純度の高い膜を形成
でき、膜厚の制御を正確に行える。また、ガス導入管か
らスパッタガスを該カソードカバーの内部へ導入するこ
とにより、例えば６×１０-2Pa以下のスパッタ圧力に於
いても安定に放電を維持することができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図２に基づき説明すると、
符号１は適当な真空排気装置により真空排気されたスパ
ッタリング装置の真空容器を示し、該真空容器１内に回
転自在のワークホルダー２に基板３を保持させ、該基板
３に対向した位置にシャッター４を夫々介してスパッタ
カソード５ａ、５ｂを設けた。各スパッタカソード５
ａ、５ｂにはDC或いはRFの電源６が接続され、図示の例
では該カソード５ａ、５ｂに設けたターゲット７の背後
からその前面へ漏洩した磁界を形成する磁石８を設けて
マグネトロンスパッタを行える形式とした。
符号１は適当な真空排気装置により真空排気されたスパ
ッタリング装置の真空容器を示し、該真空容器１内に回
転自在のワークホルダー２に基板３を保持させ、該基板
３に対向した位置にシャッター４を夫々介してスパッタ
カソード５ａ、５ｂを設けた。各スパッタカソード５
ａ、５ｂにはDC或いはRFの電源６が接続され、図示の例
では該カソード５ａ、５ｂに設けたターゲット７の背後
からその前面へ漏洩した磁界を形成する磁石８を設けて
マグネトロンスパッタを行える形式とした。
【００１１】こうした構成は従来のスパッタリング装置
と同様であるが、本発明では複数台のスパッタカソード
５ａ、５ｂにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソ
ードカバー９を夫々設け、各カバー９の開口端部１０に
夫々シャッター４を設けて各ターゲット７から発生する
スパッタ粒子の回り込み現象を防止し、該カバー９の内
部へ外部のガス源からArガス等のスパッタガスを導入す
るためのガス導入管１１を設けて従来のスパッタ圧力よ
りも低い圧力でも放電を維持できるようにした。１２は
シャッター４を駆動するアクチュエータである。該シャ
ッター４は開口端部１０と最小の隙間を持つように設け
られる。
と同様であるが、本発明では複数台のスパッタカソード
５ａ、５ｂにそのスパッタ面の側方を取囲む筒形のカソ
ードカバー９を夫々設け、各カバー９の開口端部１０に
夫々シャッター４を設けて各ターゲット７から発生する
スパッタ粒子の回り込み現象を防止し、該カバー９の内
部へ外部のガス源からArガス等のスパッタガスを導入す
るためのガス導入管１１を設けて従来のスパッタ圧力よ
りも低い圧力でも放電を維持できるようにした。１２は
シャッター４を駆動するアクチュエータである。該シャ
ッター４は開口端部１０と最小の隙間を持つように設け
られる。
【００１２】図示の実施例に於いて、各カソード５ａ、
５ｂに互いに異なる物質のターゲット７、７を載せ、該
真空容器１の内部を真空に排気した後、Arガスを各ガス
導入管１１から例えば０．６７〜０．０６７Paまで導入
し、シャッター４を閉じた状態で各カソード５ａ、５ｂ
にRF電力を投入すると放電が生じ、シャッター４を交互
に開くと各ターゲット７の物質のスパッタ粒子が交互に
回転する基板３の表面に膜状に堆積し、ターゲット７、
７が例えばＡｌとＣｕであるなら、Ａｌ膜とＣｕ膜が交
互になった多層膜が堆積する。各カソード５ａ、５ｂの
スパッタ面の側方はカソードカバー９で取囲まれている
ので、シャッター４を閉じた状態でスパッタを維持して
おいても、そのスパッタ粒子が回り込みにより基板３に
付着することがなく、従って、シャッター４を開いたカ
ソードからのスパッタ粒子で不純物の混入の少ない成膜
を多層に行え、回り込みがないから該シャッター４の開
閉時間を制御するだけで正確な厚さの膜を成膜できる。
また、該カソードカバー９の内部にガス導入管１１から
スパッタガスを導入するので、そのシャッター４が閉鎖
されていても該カバー９内のカソード近傍におけるスパ
ッタガス分圧が局所的に高いため放電を維持することが
できる。放電が停止すると、ターゲットの表面に気体分
子が不純物となって付着するので、再スパッタするとき
にはプレスパッタを行ってターゲット表面をクリーニン
グする必要があり、そのための時間も掛かるが、放電を
真空容器内が低い圧力であっても維持できるため、プレ
スパッタの必要がなくなる。本発明の実施例を更に詳細
に説明すると下記の通りである。
５ｂに互いに異なる物質のターゲット７、７を載せ、該
真空容器１の内部を真空に排気した後、Arガスを各ガス
導入管１１から例えば０．６７〜０．０６７Paまで導入
し、シャッター４を閉じた状態で各カソード５ａ、５ｂ
にRF電力を投入すると放電が生じ、シャッター４を交互
に開くと各ターゲット７の物質のスパッタ粒子が交互に
回転する基板３の表面に膜状に堆積し、ターゲット７、
７が例えばＡｌとＣｕであるなら、Ａｌ膜とＣｕ膜が交
互になった多層膜が堆積する。各カソード５ａ、５ｂの
スパッタ面の側方はカソードカバー９で取囲まれている
ので、シャッター４を閉じた状態でスパッタを維持して
おいても、そのスパッタ粒子が回り込みにより基板３に
付着することがなく、従って、シャッター４を開いたカ
ソードからのスパッタ粒子で不純物の混入の少ない成膜
を多層に行え、回り込みがないから該シャッター４の開
閉時間を制御するだけで正確な厚さの膜を成膜できる。
また、該カソードカバー９の内部にガス導入管１１から
スパッタガスを導入するので、そのシャッター４が閉鎖
されていても該カバー９内のカソード近傍におけるスパ
ッタガス分圧が局所的に高いため放電を維持することが
できる。放電が停止すると、ターゲットの表面に気体分
子が不純物となって付着するので、再スパッタするとき
にはプレスパッタを行ってターゲット表面をクリーニン
グする必要があり、そのための時間も掛かるが、放電を
真空容器内が低い圧力であっても維持できるため、プレ
スパッタの必要がなくなる。本発明の実施例を更に詳細
に説明すると下記の通りである。
【００１３】図示の各カソード５ａ、５ｂの一方にＡｌ
のターゲット７を載せ、基板３としてSiウエハを用意し
た。そして真空容器１内を排気した後、ガス導入管１１
からArガスを０．６７〜０．０６７Paまで導入し、シャ
ッター４を閉じた状態で該一方のカソードにRF電力を印
加してマグネトロンスパッタを該カソードカバー９内で
行い、該基板３に堆積する膜の量を測定した。膜厚の測
定は、触針式表面粗さ計によって行い、更に、微量の膜
の堆積については、ＥＰＭＡによる基板３上のＡｌ成分
の分析により行った。これと比較のために同様の条件で
カソードカバーのない、従来のマグネトロンスパッタ装
置でシャッターを閉じてスパッタを行い、Siの基板３に
堆積する膜の量を測定した。その結果は表１に示す通り
であり、従来例であるカバー無しのものでは、シャッタ
ーを閉じておいても１時間で１１０nmの膜の生成が見ら
れるのに対し、本発明のものでは、１．５時間経過して
も膜の生成は確認できず、更にＥＰＭＡによってもＡｌ
が検出されないことから、ＥＰＭＡの検出限界値以下の
堆積量であることが確認できた。
のターゲット７を載せ、基板３としてSiウエハを用意し
た。そして真空容器１内を排気した後、ガス導入管１１
からArガスを０．６７〜０．０６７Paまで導入し、シャ
ッター４を閉じた状態で該一方のカソードにRF電力を印
加してマグネトロンスパッタを該カソードカバー９内で
行い、該基板３に堆積する膜の量を測定した。膜厚の測
定は、触針式表面粗さ計によって行い、更に、微量の膜
の堆積については、ＥＰＭＡによる基板３上のＡｌ成分
の分析により行った。これと比較のために同様の条件で
カソードカバーのない、従来のマグネトロンスパッタ装
置でシャッターを閉じてスパッタを行い、Siの基板３に
堆積する膜の量を測定した。その結果は表１に示す通り
であり、従来例であるカバー無しのものでは、シャッタ
ーを閉じておいても１時間で１１０nmの膜の生成が見ら
れるのに対し、本発明のものでは、１．５時間経過して
も膜の生成は確認できず、更にＥＰＭＡによってもＡｌ
が検出されないことから、ＥＰＭＡの検出限界値以下の
堆積量であることが確認できた。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、本発明の図示実施例に於いて、スパ
ッタカソードを３台設け、夫々のカソードにＡｌ、Ｃ
ｕ、ＳＵＳのターゲットを設置し、真空容器１内を排気
し、Ａｒガスを０．６７〜０．０６７Paまで導入した。
そしてシャッターを閉じた状態で３台のカソード全てに
RF電力を印加し、放電を発生させたのち、Ａｌカソード
のシャッターのみを開き、Si基板３にＡｌ膜を成膜し、
Ａｌ膜中のＣｕ、ＳＵＳ成分をＥＰＭＡにより測定し
た。一方、これとの比較のために、同様の条件でカソー
ドカバーのない３台のカソードを備えたマグネトロンス
パッタ装置により、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳのターゲットを
マグネトロンスパッタし、Ａｌのカソードのシャッター
のみを開いてSi基板に成膜したＡｌ膜中のＣｕ、ＳＵＳ
成分をＥＰＭＡにより測定した。その結果は表２の如く
であり、従来のカソードカバーのない装置では、数１０
％のＣｕ、ＳＵＳ成分が不純物として膜中に混入してい
るが、本発明の装置ではＥＰＭＡの検出値以下になっ
た。また、この従来の装置では、０．０６７Pa以下の圧
力になると、放電を維持できなかった。
ッタカソードを３台設け、夫々のカソードにＡｌ、Ｃ
ｕ、ＳＵＳのターゲットを設置し、真空容器１内を排気
し、Ａｒガスを０．６７〜０．０６７Paまで導入した。
そしてシャッターを閉じた状態で３台のカソード全てに
RF電力を印加し、放電を発生させたのち、Ａｌカソード
のシャッターのみを開き、Si基板３にＡｌ膜を成膜し、
Ａｌ膜中のＣｕ、ＳＵＳ成分をＥＰＭＡにより測定し
た。一方、これとの比較のために、同様の条件でカソー
ドカバーのない３台のカソードを備えたマグネトロンス
パッタ装置により、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳのターゲットを
マグネトロンスパッタし、Ａｌのカソードのシャッター
のみを開いてSi基板に成膜したＡｌ膜中のＣｕ、ＳＵＳ
成分をＥＰＭＡにより測定した。その結果は表２の如く
であり、従来のカソードカバーのない装置では、数１０
％のＣｕ、ＳＵＳ成分が不純物として膜中に混入してい
るが、本発明の装置ではＥＰＭＡの検出値以下になっ
た。また、この従来の装置では、０．０６７Pa以下の圧
力になると、放電を維持できなかった。
【００１６】
【表２】
【００１７】更に、上記の本発明の３台のスパッタカソ
ードを備えた装置で、各カソードの印加電力をＤＣ電力
に変更し、上記と同条件で０．６７Paの圧力でシャッタ
ーを閉じてマグネトロンスパッタを行ない、Ａｌカソー
ドのみのシャッターを開いてSi基板に成膜した膜の組成
をＥＰＭＡにより分析した。その結果を表３に示す。こ
れより明らかなように、Ａｌ膜中の不純物は、他のカソ
ードが放電しているにもかかわらずＥＰＭＡの検出限界
値以下であった。
ードを備えた装置で、各カソードの印加電力をＤＣ電力
に変更し、上記と同条件で０．６７Paの圧力でシャッタ
ーを閉じてマグネトロンスパッタを行ない、Ａｌカソー
ドのみのシャッターを開いてSi基板に成膜した膜の組成
をＥＰＭＡにより分析した。その結果を表３に示す。こ
れより明らかなように、Ａｌ膜中の不純物は、他のカソ
ードが放電しているにもかかわらずＥＰＭＡの検出限界
値以下であった。
【００１８】
【表３】
【００１９】図２に示したカソード５ａ、５ｂの上部に
ＲＦコイルを設けて誘導結合プラズマ支援マグネトロン
スパッタ装置（カソードにはＲＦ及びＤＣ電力を投入）
としても、カソード５ａ、５ｂをカソードカバー９で覆
っておくことにより、表２と同様の結果が得られた。
ＲＦコイルを設けて誘導結合プラズマ支援マグネトロン
スパッタ装置（カソードにはＲＦ及びＤＣ電力を投入）
としても、カソード５ａ、５ｂをカソードカバー９で覆
っておくことにより、表２と同様の結果が得られた。
【００２０】尚、図示の例ではマグネトロン型のカソー
ドを示したが、DC２極型やRF型のスパッタカソードであ
ってもよい。
ドを示したが、DC２極型やRF型のスパッタカソードであ
ってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、スパ
ッタリング装置のスパッタカソードにそのスパッタ面の
側方を取囲む筒形のカソードカバーを設けて該カソード
カバーの開口端部にシャッターを設けたので、シャッタ
ーを閉じるとスパッタリングに伴う回り込みが防止さ
れ、基板にターゲット表面の汚染物質が付着することが
なくなり、複数のカソードの放電を維持したままシャッ
ターの開閉のみで高純度且つ高精度の膜厚の多層膜を作
製でき、該カソードカバーの内部にスパッタガスを導入
するためのガス導入管を設けたので、６×１０-2Pa以下
のスパッタ圧でも安定な放電を維持して成膜を行える等
の効果がある。
ッタリング装置のスパッタカソードにそのスパッタ面の
側方を取囲む筒形のカソードカバーを設けて該カソード
カバーの開口端部にシャッターを設けたので、シャッタ
ーを閉じるとスパッタリングに伴う回り込みが防止さ
れ、基板にターゲット表面の汚染物質が付着することが
なくなり、複数のカソードの放電を維持したままシャッ
ターの開閉のみで高純度且つ高精度の膜厚の多層膜を作
製でき、該カソードカバーの内部にスパッタガスを導入
するためのガス導入管を設けたので、６×１０-2Pa以下
のスパッタ圧でも安定な放電を維持して成膜を行える等
の効果がある。
【図１】従来のスパッタリング装置の截断側面線図
【図２】本発明の実施例の截断側面線図
１ 真空容器 ３ 基板
４ シャッター ５ａ、５ｂ スパッタカソード ７ ターゲット
９ カソードカバー １０ 開口端部 １１ ガス導入管
４ シャッター ５ａ、５ｂ スパッタカソード ７ ターゲット
９ カソードカバー １０ 開口端部 １１ ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箱守 宗人 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 三沢 俊司 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 松浦 正道 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】真空容器内に基板とシャッターを介して対
向したスパッタカソードを設けたスパッタリング装置に
於いて、該スパッタカソードにそのスパッタ面の側方を
取囲む筒形のカソードカバーを設けて該カソードカバー
の開口端部に該シャッターを設けたことを特徴とするス
パッタリング装置。 - 【請求項２】上記カソードカバーの内部にスパッタガス
を導入するためのガス導入管を設けたことを特徴とする
請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】上記スパッタカソードは複数台であり、各
スパッタカソードに上記カソードカバーを設けて各カソ
ードカバーの開口端部に夫々シャッターを設け、各カソ
ードカバーの内部へスパッタガスを導入するガス導入管
を設けたことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07341295A JP3789507B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07341295A JP3789507B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269705A true JPH08269705A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3789507B2 JP3789507B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=13517464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07341295A Expired - Lifetime JP3789507B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3789507B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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