JP2017514305A - 真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び真空処理システム - Google Patents

Abstract

真空処理システムのためのロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が説明される。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ容積を形成するロードロック壁、及びロードロックチャンバを排気するための真空生成装置（４２５）を含む。ロードロックチャンバは、少なくともロードロックチャンバの１つの壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１）に位置付けされたパーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）をさらに含む。さらに、ロードロックチャンバ及び処理チャンバを含む処理システムが説明される。【選択図】図１

Description

［０００１］本発明の実施形態は、ロードロックチャンバ及び真空処理システムに関連する。本発明の実施形態は、具体的には、真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び基板を処理するための真空処理システムに関する。

［０００２］基板は、５＊１０^−４ｈＰａから０．５ｈＰａの範囲内の圧力の高真空状態において、例えば、真空コーティングプラント内でコーティングされることが多い。プラントの生産性を向上させ、各基板及び特に高真空セクションにつき装置全体を排気しなければならないという要件を回避するため、基板に対してロードロック及びアンロードロックが使用される。

［０００３］材料の流動速度を改善し、現在のインラインコーティングプラントにおける生産性を向上させるために別個のロード及びアンロードロックチャンバが使用されている。単純な構造のいわゆる３チャンバコーティングユニットは、基板が大気圧から一連の真空コーティングセクション（処理チャンバ）の適切な過度圧（例えば、ｐ＝１＊１０^−３ｈＰａからｐ＝１．０ｈＰａの間）にポンピングされるロードロックと、通気によって該基板が再び大気圧レベルに調節されるアンロードロックとからなる。

［０００４］ロードロックチャンバのタスクは、可能な限り迅速に、処理範囲に対して充分であり且つ十分に低い過度圧に排気することである。アンロードロックチャンバのタスクは、可能な限り迅速に、大気圧へと通気することである。次いで、基板がアンロードロックチャンバからアンロードされた後、ロードロックチャンバが再び排気される。

［０００５］それと同時に、近年、真空処理の間に汚染を低減させたいという要望が増大している。例えば、ディスプレイを生産する際に、パーティクルを有する汚染に対する許容度が低くなっており、品質基準、さらに顧客期待品質は向上している。例えば、処理システムのチャンバが適切に真空排気されない場合、処理中に搬送システム又は処理システム内の構成要素がパーティクルを生成する場合、処理される基板が排気された処理システムの中にパーティクルを持ち込む場合などにおいて、汚染が生じ得る。したがって、操作中の堆積システム内に複数の汚染パーティクル源がある可能性があり、これらは、製品の品質に影響を及ぼす。構成要素の洗浄及び交換、並びに処理システム内の連続真空ポンピングは、製品の汚染リスクを減少させる１つの方法である。とは言っても、上述のように、この処理は、可能な限り迅速に、且つ最も効率的な方法で行われなければならない。洗浄及び交換の手順は、メンテナンスに時間がかかり、生産時間に当てることはできない。

［０００６］以上のことを考慮して、本発明の目的は、当該技術分野の問題のうちの少なくとも幾つかを克服するような、真空処理システム及び真空処理チャンバのためのロードロックチャンバを提供することである。

［０００７］上記に照らして、真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び独立請求項に係る真空処理システムが提供される。本発明のさらなる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。

［０００８］一実施形態によれば、真空処理システムのためのロードロックチャンバが提供される。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ容積を形成するためのロードロック壁、ロードロックチャンバを排気するための真空生成装置、及びロードロックチャンバの１つの壁において少なくとも配置されているパーティクルトラップを含む。

［０００９］別の実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、基板を処理するように適合されている真空処理チャンバ、及び基板を大気条件から真空処理チャンバ内へと移送するように構成されている、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバを含む。

［００１０］さらなる実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、ロードロックチャンバ壁を有し、且つ基板のための真空ロードロックチャンバ内への入口を設けるための第１の真空密封可能バルブと、基板のためのロードロックチャンバからの出口を設けるための第２の真空密封可能バルブとを備える真空ロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、基板を搬送するための基板搬送システムをさらに含む。真空処理システムは、基板に対して処理を実行するための１つ又は複数の処理構成要素を含む真空処理チャンバであって、処理される基板が、基板搬送システムによって、ロードロックチャンバから、第２の真空密封可能バルブを通って、処理チャンバへと移送され得るように、ロードロックチャンバと処理チャンバが、第２の真空密封可能バルブを用いて互いに連結されている、真空処理チャンバをさらに含む。さらに、真空処理システムは、ロードロックチャンバの１つの壁において少なくとも配置されているパーティクルトラップを含む。

［００１１］実施形態は、開示された方法を実行する装置をさらに対象としており、記載されたそれぞれの方法ステップを実行する装置の部分を含む。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータ、これらの２つの任意の組合せ、或いは任意の他の方法で実行されてもよい。さらに、本発明に係る実施形態は、記載された装置が動作する方法も対象とする。方法は、装置のあらゆる機能を実行する方法ステップを含む。

［００１２］本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるよう、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下において説明される。

本明細書に記載する実施形態に係る処理チャンバに接続されたロードロックチャンバを示す。 本明細書に記載された実施形態に係る真空チャンバ内のパーティクルトラップ材料の例示的な脱離／ガス放出率のグラフを示す。 本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバのポンプダウン中の経時圧力の概略図である。 本明細書に記載された実施形態に係る処理チャンバに接続されたロードロックチャンバを示す。 本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバを有する処理システムを示す。

［００１３］これより本発明の様々な実施形態が詳細に参照されるが、その１つ又は複数の例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。さらに、一実施形態の一部として例示又は説明される特徴は、他の実施形態で用いるか、又は他の実施形態と併用してもよく、それにより、さらなる実施形態が生み出される。本記載には、このような修正例及変形例が含まれることが意図されている。

［００１４］さらに、以下の記載では、ロードロックチャンバは、真空処理システムのためのチャンバとして理解するべきである。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバは、大気条件から低圧力又は真空への移行チャンバを設け得る。例えば、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、大気条件内で供給されている基板を受け入れるための基板入口、及び処理チャンバなどの真空チャンバに接続されるように適合されている基板出口を有し得る。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、真空に排気可能であり得、真空ポンプなどの個別の装置を含み得る。さらに、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ及び／又は真空（例えば、処理）チャンバの中で基板を搬送するための基板搬送システムを有し得る。ロードロックチャンバは、基板入口及び基板出口において真空密封可能バルブを有し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、真空密封可能バルブは、ゲートバルブ、スリットバルブ、及びスロットバルブからなる群から提供され得る。

［００１５］本明細書で使用される「パーティクルトラップ」という用語は、ダストパーティクル、チャンバ構成要素からの可動部品の摩耗によって生じたパーティクル、堆積処理中に生じたパーティクル、基板及び／又はキャリアによって真空チャンバに導入されたパーティクルなどのパーティクルを真空チャンバ内で捕捉することが可能な装置と理解するべきである。具体的には、本明細書で言及されているパーティクルトラップは、受動的なパーティクルトラップであってもよく、これは、特に、パーティクルトラップが、起動されたり、電力供給されたりする必要がないことを意味する。パーティクルがパーティクルトラップを通過する場合、受動的なパーティクルトラップは、パーティクルを捕捉するパーティクルトラップであり得る。

［００１６］図１は、処理チャンバ５２４に接続されたロードロックチャンバ５２２を示す。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、互いに接続されているロードロックチャンバ及び真空チャンバ（処理チャンバなど）は、真空処理システムとして説明され得る。ロードロックチャンバ５２２は、ロードロックチャンバの中に基板５１０を導入するための入口５２３を有し得る。ロードロックチャンバの入口５２３は、処理されるそれぞれの材料（ロードロックチャンバ５２２の中にロードされる基板のサイズ又は基板バッチのサイズなど）に適合され得る。処理される基板は、それが個体であろうと、基板バッチであろうと、大気条件の中のそれぞれの搬送システムによってロードロックチャンバの入口５２３に供給され得る。例えば、基板又は基板バッチは、基板用の搬送軌道、搬送ベルトコンベヤ、基板運搬ロボット、単一基板又は基板バッチのための単一キャリア支持体を含むキャリアシステムなどによって供給され得る。処理される基板をロードロックチャンバ５２２の中に導入するために入口５２３を開けることができ、ロードロックチャンバが大気条件に晒される。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ５２２は、入口が開けられており、且つ基板がロードロックチャンバに導入されているときに、通気されていると説明されてもよい。

［００１７］処理される基板１１０がロードロックチャンバ５２２内に置かれたとき、ロードロックチャンバ５２２は、ロードロックチャンバの入口５２３を閉じることによって、閉じられ得る。幾つかの実施形態では、基板をロードロックチャンバ内に置くことは、基板をロードロックチャンバの中の基板支持体又は軌道システムに引き渡すロボットによって、基板をロードロックチャンバの中に移送することを含み得る。代替的に、以下で詳細に説明されるように、基板は、コンベヤベルト又は軌道システムによってロードロックチャンバの中に搬送されてもよい。基板がロードロックチャンバ内にあるとき、ロードロックチャンバが排気され、例えば、低圧力、低真空、又は中真空がロードロックチャンバにもたらされ得る。例えば、ロードロックチャンバには、約１ｍｂａｒの典型的な圧力がもたらされ得る。幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ内に真空を確実に導入するための真空ポンプ及び真空シールなどで個々に装備され得る。

［００１８］幾つかの実施形態によれば、基板は、規定された時間間隔だけ基板支持体によってロードロックチャンバ内で保持されてもよく、或いは、処理チャンバ５２４などの真空チャンバと接続し得るロードロックチャンバ５２２の出口５２５に近づくようにさらに連続的に動かされてもよい。例えば、基板が、規定された時間間隔だけロードロックチャンバに保持されるか、或いはさらに連続的に動かされるかは、ロードロックチャンバが一部を構成するシステムに左右され得る。一例では、ロードロックチャンバの中で基板を保持する又は動かすことは、ロードロックチャンバと処理チャンバとの間の移送機構に左右される。幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されたロードロックチャンバは、処理システム内に基板の搬送経路の一部を設け得る。

［００１９］幾つかの実施形態では、排気されているロードロックチャンバ５２２は、スルースやバルブ５２５などを開けることによって、処理チャンバ５２４に向けて開かれ得る。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバ５２２及び処理チャンバ５２４は、スルース又はバルブ５２５を介して、接続されてもよく、或いは互いに接続状態におかれてもよい。本明細書に記載された実施形態によれば、処理チャンバは、真空処理チャンバである。一例では、処理チャンバは、例えば、約１０^−８ｍｂａｒから約１０^−５ｍｂａｒの間の到達真空度（ベース圧力）を有することにより、ロードロックチャンバよりも高い真空（すなわち、より低い圧力）を有し得る。基板は、ロードロックチャンバ内に存在する圧力条件による処理チャンバ内の真空条件の実質的な乱れがない状態で、ロードロックチャンバから処理チャンバに移送され得る。処理チャンバ内では、基板は、以下で詳細に言及されるように、所望の処理が施され得る。

［００２０］一般的に、製品（基板）に対するパーティクルの仕様は、継続的に厳格になっている。処理システムでは、より一層の汚染低減が望ましい。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの壁のうちの１つに少なくとも配置されたパーティクルトラップを提供する。図１では、壁５２８、５２９、５３０、及び５３１は、ロードロックチャンバ５２２内のパーティクルトラップ５２７が設けられている。幾つかの実施形態では、パーティクルトラップは、ロードロックチャンバ内でパーティクルを捕捉する接着剤を含み得る。

［００２１］本明細書に記載された実施形態によれば、真空処理システムのためのロードロックチャンバが提供される。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ容積を形成するロードロック壁、及びロードロックチャンバを排気するための真空生成装置を含む。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの少なくとも１つの壁又はキャリアと衝突しない他の可能な位置において配置されたパーティクルトラップをさらに含む。概して、パーティクルトラップは、チャンバ内の任意の自由位置において配置されてもよい。これは、搬送領域のみを遮断してはならないことを意味し得る。

［００２２］本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、パーティクルが処理チャンバに入る且つ／又は基板及び／又はキャリアを汚染するリスクが生じる前に、ロードロックチャンバ内でパーティクルを捕捉することを可能にする。具体的には、ロードロックチャンバ内の壁のうちの１つ又は複数において配置されているパーティクルトラップは、ロードロックチャンバの通気又はポンプダウンの間の高ガス速度／高ガス流及びパーティクルの搬送加速によってロードロックチャンバ内に存在するパーティクルを、ロードロックチャンバの通気又はポンプダウンの間に捕捉することができる。例えば、幾つかのパーティクルは、ロードロックチャンバの真空ポンプによって取り除くことができない。例えば、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、１つ又は複数のいわゆる「デッドゾーン」を含む形状寸法を有してもよい。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバのデッドゾーンは、真空ポンプなどでロードロックチャンバに低圧力又は真空条件をもたらすように実行される排気処理に関係なく、パーティクル集積が生じるロードロックチャンバのゾーン又は領域として理解されてもよい。例えば、ロードロックチャンバの１つ又は複数のデッドゾーンは、通気処理、通気装置、通気口位置、ポンプダウン排気ラインの接続位置、及びチャンバの設計に左右され得る。幾つかの実施形態では、１つ又は複数のデッドゾーンは、ロードロックチャンバが通気される方向、及び／又は基板がロードロックチャンバ内にロードされる方向に左右される。幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数のデッドゾーンは、ロードロックチャンバ内の１つ又は複数の真空生成装置の位置、及び１つ又は複数の真空生成装置の集結領域に左右され得る。

［００２３］幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバは、例えば、ロードロックチャンバの通気及びポンプダウンの間、高ガス速度を有する領域を含み得る。幾つかの実施形態では、本明細書に記載されたパーティクルトラップは、（通過する）パーティクルを捕捉する可能性がより高いこのような領域のうちの１つの中において配置されるか、又はその近くに配置される。

［００２４］本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバの発明者は、パーティクル集積がとりわけチャンバ壁において行われることを発見した。例えば、ロードロックチャンバの底部は（重ねて言うと、ロードロックチャンバの寸法形状、真空生成装置の位置、基板の入口、基板の出口などに左右されるが）、デッドゾーンである場合があり、パーティクル集積する傾向にある場合がある。図１では、２つのデッドゾーン５４０及び５４１が例示的に示されている。

［００２５］幾つかの実施形態では、チャンバ壁で集積されたパーティクルは、基板が処理チャンバに移送される際に基板及び／又はキャリアに運ばれ得る。幾つかの実施形態によれば、基板をロードロックチャンバから真空チャンバに移送する間、基板及び／又はキャリアは、例えば、振動又は振盪によって、基板及び／又はキャリアに留まっているパーティクルを払い落とすことができる。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバ内のポンプによって捕捉されなかったパーティクルは、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ壁において配置されたパーティクルトラップによって捕捉され得る。具体的には、パーティクルトラップは、接着材料を含み得る。

［００２６］幾つかの実施形態では、チャンバ壁のうちの１つ又は複数において配置されたパーティクルトラップは、磁性材料、静電デバイス、接着剤材料などを含み得る。例えば、ロードロックチャンバ内のパーティクルトラップは、汚染パーティクルを捕捉且つ保持することができる材料を含み得る。幾つかの例では、パーティクルトラップは、捕捉されるパーティクル応じた材料を含んでもよく、そして同様にロードロックチャンバ外に存在するパーティクルの性質、処理される基板、ロードロックチャンバのサイズ、チャンバ材料、基板キャリア材料などに応じた材料を含んでもよい。

［００２７］幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバの１つ又は複数の壁において配置されたパーティクルトラップは、接着箔、接着シート、接着プレート、接着材料のためのキャリア、糊を有するキャリア、接着材料（例えば、接着箔）のロールなどを含み得る。

［００２８］幾つかの実施形態では、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内のパーティクルトラップの接着剤は、ケイ素非含有材料、ポリオレフィン材料、アクリル系接着剤、アクリル発泡接着剤（ａｃｒｙｌｉｃ ｆｏａｍ ａｄｈｅｓｉｖｅ）、ポリエチレンフィルム、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ＰＥＳ、Ｔｅｓａフィルム、アルミニウム、或いは一般的に金属箔又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。幾つかの実施形態では、本明細書に記載された実施形態に係るパーティクルトラップは、ポリプロピレンフィルム上の発泡接着剤を含み得る。

［００２９］幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されたパーティクルトラップのために使用される材料は、特に、本明細書に記載されたようにロードロックチャンバ内に存在する真空条件内において、例えば、低放出率を有することにより、汚染リスクが低い場合がある。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバ内のパーティクルの捕捉のために使用される材料は、１時間でａ１ｈの低いガス放出値（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ ｖａｌｕｅ）を有してもよい。ａ１ｈ（１時間あたりの量）という値は、１時間の間の材料の放出量を言い表す。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ内のパーティクルトラップのために又はその中に使用される材料は、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ_２）と約１．５Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）の間、より典型的には、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）、且つさらにより典型的には、約２．５Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）のａ１ｈ放出値を有する。幾つかの実施形態では、１時間の放出値ａ１ｈは、１．５Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ２）より低い。

［００３０］本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバの中でパーティクルトラップとして使用される材料の低放出率は、パーティクルトラップによるロードロックチャンバ内の低汚染について有益であり得る。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内において以上で説明されたような低放出率を有するパーティクルトラップは、処理サイクルのための時間と労力を低レベルに維持し、或いは少なくとも、とりわけロードロックチャンバの排気処理及びその持続時間によって影響される処理サイクルを増加させないことを可能にする。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内のパーティクルトラップのための個々の材料を使用することにより、パーティクルトラップによって導入されるロードロックチャンバ内の追加の放出汚染が回避され、排気処理及び処理サイクルの延長が回避され、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバに対する顧客の受容度が増大し得る。

［００３１］図２は、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内のパーティクルトラップ、特に本明細書に記載された接着剤材料を含むパーティクルトラップでの脱離測定のグラフ２００を示す。グラフ２００の横座標は、時間を分で示すが、グラフ２００の縦座標は、曲線２１０で時間毎及び領域毎の流量（Ｑ´／Ａ［ｍｂａｒｌ／ｓ＋ｃｍ^２］）を示す。グラフ２００で示された流量は、時間の増加に伴って減少し、約１．３５Ｅ−０６［ｍｂａｒ＊ｌ／ｓ＊ｃｍ^２］のａ１ｈ放出値となる。図３は、秒単位で圧力をｍｂａｒで示すグラフ３００を示し、ロードロックチャンバのポンプダウン時間を示す。２つの曲線は、パーティクルトラップがないロードロックチャンバのポンプダウン時間（曲線３２０）と、パーティクルトラップを有するロードロックチャンバのポンプダウン時間（曲線３１０）とを示す。この例では、以上で説明された発泡接着剤及びポリプロピレンフィルムを含む接着材料は、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内のパーティクルトラップとして使用された。約２Ｅ−０１ｍｂａｒの圧力まで下がると、２つの曲線が互いにほぼ重なり合うため、ポンピング時間に対するパーティクルトラップの影響は、微々たるものであることがわかる。より低い圧力まで下がり、時間が経過すると、パーティクルトラップを有するロードロックチャンバは、パーティクルトラップのないロードロックチャンバよりも、微妙に、ごくわずかにより長いポンプダウン時間を有する。

［００３２］図１に戻ると、ロードロックチャンバは、６つの壁（例えば、４つの側壁、上部壁、及び底部壁）を有する立方体形状を実質的に有するように例示されている。パーティクルトラップは、（図１の実施形態で示されているように）ロードロックチャンバの各壁に設けられてもよく、ロードロックチャンバの１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの壁など、一部の壁のみに設けられてもよい。一例では、パーティクルトラップは、ロードロックチャンバのデッドゾーンのうちの１つとして、底部壁においてのみ設けられる。さらに別の実施形態では、パーティクルトラップは、例えば、ロードロックチャンバ内のデッドゾーンに応じて、壁の一部又は幾つかの壁の一部にのみ設けられる。幾つかの実施形態では、パーティクルトラップは、キャリアと衝突しない任意の可能な位置に配置され得る。

［００３３］幾つかの実施形態によれば、特に、パーティクルトラップが、接着シート、接着箔、又は接着プレートを含む場合、本明細書に記載された実施形態に係るパーティクルトラップは、典型的に約０．５ｍ^２と約５ｍ^２の間、より典型的に約と約の間、さらにより典型的に約０．２ｍ^２と１０ｍ^２の間の範囲のサイズを有し得る。

［００３４］幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップ、具体的には、パーティクルトラップシート、パーティクルトラップ箔、パーティクルトラッププレートなど、特に接着材料を含むパーティクルトラップは、ロードロックチャンバの少なくとも１つの壁に取り付け又は固定されてもよい。幾つかの実施形態では、パーティクルトラップは、ロードロックチャンバの少なくとも１つの壁に取り外し可能に取り付け又は固定され得る。例えば、ロードロックチャンバは、フレーム、締め付け装置、パーティクルトラップをくっつけるための領域、パーティクルトラップを固定するための穴、パーティクルトラップ支持体などのパーティクルトラップ固定装置を提供し得る。例えば、パーティクルトラップ固定装置は、低放出率を有する金属又は別の材料から製作され得る。幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップ固定装置は、ロードロックチャンバ壁と同じ材料から製作される。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップ固定装置は、パーティクルトラップをロードロックチャンバの壁に配置することを可能にし得る。例えば、パーティクルトラップ固定装置は、具体的には、ロードロックチャンバの壁に設けてもよく、それにより、パーティクルトラップは、壁の近くに配置されるか、壁を覆うか、或いは壁に取り付け又は固定され得る。

［００３５］幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップは、チャンバ壁と接触するとき、又はロードロックチャンバ壁まで典型的に３ｃｍより低く、より典型的に２ｃｍより低く、さらにより典型的に１ｃｍより低い距離を有するとき、チャンバ壁において配置され得る。デッドゾーンにおける又はその近くにける、パーティクルトラップの位置に対しても同じことが適用される。幾つかの実施形態では、本明細書に記載されたロードロックチャンバのチャンバ壁に配置されたパーティクルトラップは、例えば、任意の位置で、ロードロックチャンバ内のキャリアと衝突しない任意の可能な位置に配置されたパーティクルトラップを意味する又は含む場合があり、パーティクルトラップは、基板キャリア、基板キャリアのロボット、ロードロックチャンバ内に存在する基板軌道システム、基板軌道システムのロボットなどの運転を妨げない。一例では、キャリアと衝突しない位置は、キャリアそのものを含まない。幾つかの実施形態では、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバの壁に配置されたパーティクルトラップは、例えば、固定装置によって、壁の上にある（壁に固定又は取り付けされている等）パーティクルトラップとして理解され得る。幾つかの実施形態によれば、固定装置は壁に直接設けられるが、パーティクルトラップは、必ずしもロードロックチャンバ壁と接触しない。他の実施形態では、パーティクルトラップの少なくとも一部がロードロックチャンバ壁と接触する。幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップは、ロードロックチャンバ容積に対向する、パーティクルを捕捉するための捕捉面を有する。

［００３６］代替的に、パーティクルトラップシート、パーティクルトラップ箔などの形態のパーティクルトラップは、パーティクルトラップ巻き取り／巻き出しシステムによってロードロックチャンバの壁に設けられ得る。一例では、パーティクルトラップ巻き出しロール及びパーティクルトラップ巻き取りロールは、ロードロックチャンバの外に配置される。パーティクルトラップは、巻き出しロールからロードロックチャンバ内に案内されてもよく、これは、パーティクルトラップを、スルース（例えば、膨張式真空スルース）、ゲートバルブ、スリットバルブ、又はスロットバルブを通過させ、ロードロックチャンバ内に導くことによって実行され得る。ロードロックチャンバの中のパーティクルトラップは、ロードロックチャンバの壁に配置されており、例えば、再び、スルース、スリットバルブなどを通して、ロードロックチャンバの外のパーティクルトラップ巻き取りロールに案内される。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップは、継続的に移動することができ、或いは、パーティクルトラップ巻き出しロールから、パーティクルトラップ巻き取りロール又は巻き戻しロールへと段階的に移動することができる。本明細書に記載された他の実施形態を組み合わせることができる一実施形態では、パーティクルトラップ巻き出しロールとパーティクルトラップ巻き取りロールは、ロードロックチャンバの中に設けられ得る。この場合、巻き出し及び巻き取りロールのためのロール支持体は、低放出値を有する金属又は何らかの材料から製作されてもよい。

［００３７］図１に関連して以上で述べられたように、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、真空チャンバに接続可能であり得る。ロードロックチャンバは、真空チャンバとの接続を可能にするため、個々の接続装置、受入装置、及び密封装置が設けられ得る。例えば、ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバを真空チャンバに接続するためのフランジ、穴、ボルト、ネジなどを含み得る。ロードロックチャンバは、基板をロードロックチャンバから真空チャンバへ移送することを可能にする、間隔スルース、ロードバルブなどの基板出口をさらに含み得る。本明細書に例示的に記載された図面では、ロードロックチャンバは、処理チャンバに接続されているように示される。しかしながら、ロードロックチャンバは、同様に他の真空チャンバに接続され得ることを理解するべきである。例えば、ロードロックチャンバが接続され得る真空チャンバは、バッファチャンバ、加熱チャンバ、移送チャンバ、サイクル時間調整チャンバ、堆積源などを有する堆積チャンバからなる群から選択され得る。具体的には、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、１つ又は複数の真空チャンバに接続され得る。幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバが一部を構成する真空処理システムは、真空処理チャンバを含み得るが、ロードロックチャンバは、処理チャンバではない真空チャンバに直接接続され得る。

［００３８］上述のように、ロードロックチャンバと処理チャンバの組み合わせは、本明細書では、処理システムとして表してもよい。本明細書に記載された実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理チャンバは、基板を処理するように適合されている真空処理チャンバと、基板を大気条件から真空処理チャンバ内へと移送するためのロードロックチャンバであって、ロードロックチャンバ容積を囲む壁を有するロードロックチャンバとを含む。真空処理チャンバは、ロードロックチャンバの１つの壁において少なくとも配置されているパーティクルトラップをさらに含む。幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ及びロードロックチャンバ内のパーティクルトラップは、例えば、以上で詳細に説明された形状寸法、材料、及び特徴に関して、以上で説明された態様であり得る。例えば、パーティクルトラップは、接着シート、接着箔、接着プレートなどの接着材料を含み得る。

［００３９］本明細書に記載された実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、ロードロックチャンバ壁を有する真空ロードロックチャンバであって、基板のための真空ロードロックチャンバ内への入口を設けるための第１の真空密封可能バルブと、基板のためのロードロックチャンバからの出口を設けるための第２の真空密封可能バルブとを含む真空ロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、以下で詳細に説明される搬送システムのような、基板を搬送するための基板搬送システムをさらに含む。真空処理システムは、基板に対して処理を実行するための１つ又は複数の処理構成要素を含む真空処理チャンバをさらに含む。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバ及び処理チャンバは、処理される基板が、基板搬送システムによって、ロードロックチャンバから、第２の真空密封可能バルブを通って、処理チャンバへと移送され得るように、第２の真空密封可能バルブを用いて互いに連結される。真空処理システムは、ロードロックチャンバの１つの壁において少なくとも配置されているパーティクルトラップをさらに含む。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップは、例えば、以上で示された材料を含むこと、上述の形状を有すること、上述の材料値を有することなどによって、以上で詳細に説明されたパーティクルトラップとなり得る。

［００４０］幾つかの実施形態によれば、本明細書で言及された処理チャンバは、加熱処理、冷却処理、洗浄処理、前処理、位置付け処理、堆積処理などの処理を基板に対して実行するのに適切であり得る。

［００４１］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、処理チャンバは、回転可能なスパッタリングターゲットなどのスパッタリングターゲットを含むことなどによって、スパッタ処理のために適合され得る。その典型的な実装形態によれば、ＤＣスパッタリング、パルススパッタリング、ＲＦスパッタリング、又はＭＦスパッタリングは、本明細書に記載された真空処理チャンバ内に設けられ得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によれば、５ｋＨｚから１００ｋＨｚ、例えば、３０ｋＨｚから５０ｋＨｚの範囲内の周波数を有する中間周波数スパッタリングを、本明細書に記載されているように、処理チャンバ内に提供し得る。幾つかの実施形態では、真空処理チャンバは、ＰＶＤ処理、ＣＶＤ処理、ＰＥＣＶＤ処理、蒸発処理、マイクロ波処理などに適合され得る。

［００４２］図１で示された処理チャンバ５２４は、処理の間に基板が置かれ得る基板支持体５１２を含む。幾つかの実施形態によれば、図１の処理チャンバ５２４は、材料を基板１１０上に堆積するための堆積源５１３をさらに含む。図１で示された実施形態では、処理される基板１１０は、ほぼ水平方向に保持され、堆積処理は、ほぼ垂直方向に行われ得る。

［００４３］図２は、処理チャンバ４２４に接続されているロードロックチャンバ４２２の実施形態を示す。ロードロックチャンバ４２２の底部壁４３０では、パーティクルトラップ４２７が配置されている。図４で示されたパーティクルトラップ４２７は、上述のようなパーティクルトラップであり得る。ロードロックチャンバ４２２は、ポンプなどの真空生成装置４３５を含み得る。図２で示された実施形態では、基板は、ロードロックチャンバ及び処理チャンバの中でほぼ垂直に配向されている。垂直に配向された基板は、例えば、数度の傾斜で安定した搬送を可能にするため、処理システム内で垂直配向（すなわち、９０°）から幾らかの偏差を有してもよく、すなわち、基板は、±２０°以下（例えば±１０°）以下の、垂直配向からの偏差を有してもよいことを理解されたい。

［００４４］幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されたロードロックチャンバは、大面積基板のために適合され得る。幾つかの実施形態によれば、大面積基板又は複数の基板を有するそれぞれのキャリアは、少なくとも０．６７ｍ^２のサイズを有し得る。典型的には、このサイズは、約０．６７ｍ^２（０．７３×０．９２ｍ−Ｇｅｎ４．５）以上、より典型的には、約２ｍ^２から約９ｍ^２、或いはさらに最大１２ｍ^２であってもよい。典型的には、本明細書に記載された実施形態に係る構造体、システム、チャンバ、スルース、及びバルブが提供される基板又はキャリアは、本明細書に記載されているように大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又はさらに約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０であり得る。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などのさらに次の世代及び相当する基板面積を同様に実装してもよい。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、該システムは、例えば、静的堆積によるＴＦＴ製造のために構成され得る。

［００４５］幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されたロードロックチャンバ、基板支持体又は軌道システムなどのその構成要素、スリットバルブ又はスルース、或いは本明細書に記載された処理チャンバは、基板（ガラス基板又はプラスチック材料から作られた基板、すなわち、例えばディスプレイの製造のために使用される基板を含む）の取り扱いのために適合され得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載された実施形態は、ディスプレイ製造（例えば、ＰＶＤ、すなわちディスプレイ市場向けの大面積基板上のスパッタ堆積）に利用され得る。

［００４６］上述のように、ロードロックチャンバは、真空ポンプなどの真空生成装置を含んでもよく、例えば、チャンバのドア、窓、スリットバルブ又はスルースにおいてそれぞれのシールを設けることにより、ロードロックチャンバの中で真空を維持するように適合され得る。幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されたロードロックチャンバは、１ｍｂａｒより低い真空を設けるように適合される。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、約０．０１ｍｂａｒと約１ｍｂａｒの間、より典型的には、約０．１ｍｂａｒから約１ｍｂａｒの間、さらにより典型的には、約０．５ｍｂａｒと約１ｍｂａｒの間の真空を設けるように適合される。

［００４７］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載された真空処理チャンバは、高真空チャンバとなるように適合され得る。例えば、処理チャンバは、処理チャンバ内で真空を生成且つ維持するための、個々の真空ポンプ、シール、バルブ、及びスルースを含み得る。幾つかの実施形態では、処理チャンバは、約１０^−５ｍｂａｒより低い真空を設けるように適合される。幾つかの実施例では、処理チャンバは、典型的には、約１０^−１２ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間、より典型的には、約１０^−９ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間、さらにより典型的には、約１０^−７ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の圧力を有する超高真空を設けるように適合される。

［００４８］図５は、本明細書に記載された実施形態に係る処理システム１００を示す。処理システムは、第１の真空チャンバ１０１、第２の真空チャンバ１０２、第３の真空チャンバ１０３、及び第４の真空チャンバ１２１を含む。真空チャンバは、チャンバの中で真空が生成される堆積チャンバ又は他の処理チャンバであってもよい。図５では、処理システムの外側の大気条件から処理システムのチャンバの中の真空条件への移行をもたらすロードロックチャンバ１２２を見ることができる。ロードロックチャンバ１２２は、以上で詳細に説明されたようなロードロックチャンバであってもよく、１つ又は複数の壁でパーティクルトラップ１２７を含み得る。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバ１２２と、真空チャンバ１０１、１０２、１０３、及び１２１とは、搬送システムによって、線形搬送経路を介して接続される。本明細書に記載された実施形態によれば、搬送システムは、幾つかの搬送軌道１６１、１６３、１６４を含む２重軌道搬送システムを含み得る。図５の実施例では、搬送システムは、搬送経路に沿った基板の回転を可能にする回転モジュール１５０をさらに含む。例えば、典型的にディスプレイ製造のために使用される大面積基板は、基板処理システム１００内の線形搬送経路に沿って搬送され得る。典型的に、線形搬送経路は、例えば、線に沿って配置された複数のローラを有する線形搬送軌道などの搬送軌道１６１及び１６３によって設けられる。

［００４９］典型的な実施形態によれば、搬送軌道及び／又は回転軌道は、大面積基板の底部における搬送システム、及びほぼ垂直に配向された大面積基板の上部における案内システムによって設けられ得る。

［００５０］本明細書に記載された実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、図５で示されている真空チャンバ（例えば、真空チャンバ１２２、１２１、１０１、１０２、及び１０３）内の２重軌道搬送システムは、すなわち、第１の搬送経路及び第２の搬送経路を有する搬送システムは、固定された２重軌道システム、移動可能な単一軌道システム、又は移動可能な２重軌道システムによって設けられ得る。固定された２重軌道システムは、第１の搬送軌道及び第２の搬送軌道を含み、第１の搬送軌道及び第２の搬送軌道を横方向に変位させることはできない。すなわち、基板を搬送方向に対して垂直の方向に移動させることはできない。移動可能な単一軌道システムは、横方向（すなわち搬送方向に対して垂直）に変位し得る線形搬送軌道を有することにより、２重軌道搬送システムを設け、したがって、基板は、第１の搬送経路又は第２の搬送経路（第１の搬送経路及び第２の搬送経路は互いから離れている）のいずれかに設けられ得る。移動可能な２重軌道システムは、第１の搬送軌道及び第２の搬送軌道を含み、両搬送軌道は、横方向に変位されてもよく、すなわち、両搬送軌道は、それぞれの位置を、第１の搬送経路から第２の搬送経路へと、そしてその逆へと切り替えることができる。

［００５１］本明細書に記載された実施形態に係る、ロードロックチャンバ及びロードロックチャンバを含む処理システムでは、処理システム内の汚染を減少させることが可能である。本明細書に記載された幾つかの実施形態に係るパーティクルトラップを使用することにより、ロードロックチャンバ内でパーティクルを捕捉する容易で単純な方法が可能となるが、それと同時に、画定された放出率などの画定された材料特性を有する個々の材料を使用することにより、汚染リスクが減少する。パーティクルトラップは、ロードロックチャンバの壁に配置されており、ロードロックチャンバのデッドゾーン内で効率良くパーティクルを捕捉することだけではなく、さらに容易な組み立てと交換が可能であり、それと同時に非常にコンパクトであり、空間を節約する。

［００５２］上記の記載は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及びさらなる実施形態は、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに考案してもよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

［００１６］図１は、処理チャンバ５２４に接続されたロードロックチャンバ５２２を示す。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、互いに接続されているロードロックチャンバ及び真空チャンバ（処理チャンバなど）は、真空処理システムとして説明され得る。ロードロックチャンバ５２２は、ロードロックチャンバの中に基板５１０を導入するための入口５２３を有し得る。ロードロックチャンバの入口５２３は、処理されるそれぞれの材料（ロードロックチャンバ５２２の中にロードされる基板のサイズ又は基板バッチのサイズなど）に適合され得る。処理される基板は、それが個体であろうと、基板バッチであろうと、大気条件の中のそれぞれの搬送システムによってロードロックチャンバの入口５２３に供給され得る。例えば、基板又は基板バッチは、基板用の搬送軌道、搬送ベルトコンベヤ、基板運搬ロボット、単一基板又は基板バッチのための単一キャリア支持体を含むキャリアシステムなどによって供給され得る。処理される基板をロードロックチャンバ５２２の中に導入するために入口５２３を開けることができ、ロードロックチャンバが大気条件に晒される。本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ５２２は、入口が開けられており、且つ基板がロードロックチャンバに導入されているときに、通気されていると説明されてもよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ可能な幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバは、ロードドックチャンバと処理チャンバの間で基板を搬送するように構成された軌道装置又はロボットを含んでよい。

［００２０］一般的に、製品（基板）に対するパーティクルの仕様は、継続的に厳格になっている。処理システムでは、より一層の汚染低減が望ましい。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの壁のうちの１つに少なくとも配置されたパーティクルトラップを提供する。図１では、壁５２８、５２９、５３０、及び５３１は、ロードロックチャンバ５２２内のパーティクルトラップ５２７が設けられている。幾つかの実施形態では、パーティクルトラップは、ロードロックチャンバ内でパーティクルを捕捉する接着剤、特に接着箔又は糊を含み得る。

［００２２］本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、パーティクルが処理チャンバに入る且つ／又は基板及び／又はキャリアを汚染するリスクが生じる前に、ロードロックチャンバ内でパーティクルを捕捉することを可能にする。具体的には、ロードロックチャンバ内の壁のうちの１つ又は複数において配置されているパーティクルトラップは、ロードロックチャンバの通気又はポンプダウンの間の高ガス速度／高ガス流及びパーティクルの搬送加速によってロードロックチャンバ内に存在するパーティクルを、ロードロックチャンバの通気又はポンプダウンの間に捕捉することができる。例えば、幾つかのパーティクルは、ロードロックチャンバの真空ポンプによって取り除くことができない。例えば、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、１つ又は複数のいわゆる「デッドゾーン」を含む形状寸法を有してもよい。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバのデッドゾーンは、その形状寸法により、特にロードロックチャンバの通気の間にパーティクルの集積が可能となるロードロックチャンバのゾーン又は領域として理解されてもよい。典型的には、本明細書で使用される「デッドゾーン」では、真空ポンプなどでロードロックチャンバに低圧力又は真空条件をもたらすように実行される排気処理に関係なく、パーティクル集積が生じる。例えば、ロードロックチャンバの１つ又は複数のデッドゾーンは、通気処理、通気装置、通気口位置、ポンプダウン排気ラインの接続位置、及びチャンバの設計に左右され得る。幾つかの実施形態では、１つ又は複数のデッドゾーンは、ロードロックチャンバが通気される方向、及び／又は基板がロードロックチャンバ内にロードされる方向に左右される。幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数のデッドゾーンは、ロードロックチャンバ内の１つ又は複数の真空生成装置の位置、及び１つ又は複数の真空生成装置の集結領域に左右され得る。

［００２８］幾つかの実施形態では、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバ内のパーティクルトラップの接着剤は、ケイ素非含有材料、ポリオレフィン材料、アクリル系接着剤、アクリル発泡接着剤（ａｃｒｙｌｉｃ ｆｏａｍ ａｄｈｅｓｉｖｅ）、ポリエチレンフィルム、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ＰＥＳ、Ｔｅｓａフィルム、アルミニウム、或いは一般的に金属箔又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。幾つかの実施形態では、本明細書に記載された実施形態に係るパーティクルトラップは、ポリプロピレンフィルム上の発泡接着剤、アクリル系接着剤又は糊を含み得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ可能な幾つかの実施形態によれば、パーティクルトラップは、少なくとも基材と発泡接着剤とを含む接着剤を含む。さらに、基材は、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ＰＥＳ、又は金属箔を含んでよく、発泡接着剤はアクリル系接着剤又は糊を含んでよい。

［００３３］幾つかの実施形態によれば、特に、パーティクルトラップが、接着シート、接着箔、又は接着プレートを含む場合、本明細書に記載された実施形態に係るパーティクルトラップは、典型的に約０．２ｍ^２と１０ｍ^２の間の、さらに典型的には約０．５ｍ ^２ と５ｍ ^２ の間の範囲のサイズを有し得る。

Claims (15)

1. 真空処理システムのためのロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）であって、
   ロードロックチャンバ容積を形成するロードロック壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１）、
   前記ロードロックチャンバを排気するための真空生成装置（４２５）、及び
   前記ロードロックチャンバの少なくとも１つの壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１）に配置されているパーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）
   を備えるロードロックチャンバ。
2. 前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、接着剤、具体的には、接着箔又は糊を含む、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
3. 前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、少なくとも、基材（具体的には、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ＰＥＳ、又は金属箔）と、発泡接着剤（具体的には、アクリル系接着剤又は糊）とを含む接着剤を含む、請求項１又は２に記載のロードロックチャンバ。
4. 前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）の間の１時間のガス放出値ａ１ｈを有する材料を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
5. 前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、約０．２ｍ^２と約１０ｍ^２の間、具体的には、約０．５ｍ^２と１０ｍ^２の間の領域を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
6. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が、実質的に約０．０５ｍｂａｒから約１ｍｂａｒの間の範囲内の真空を提供するように適合される、請求項１から５のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
7. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）の前記壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１）が、少なくとも１つの側壁（５２９、５３１）、底部壁（４３０、５３０）、及び上部壁（５２８）を含み、前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）の前記底部壁（４３０、５３０）において配置される、請求項１から６のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
8. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が、前記パーティクルトラップを前記ロードロックチャンバ内に保持するための金属固定装置を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
9. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が、前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）を巻き出し且つ巻き戻しするための巻き出し／巻き戻しシステムを備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
10. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が、１つ又は複数のデッドゾーンを含み、その形状寸法が、特に前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）の通気の間にパーティクルの集積を可能にし、前記パーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）が、前記ロードロックチャンバの前記１つ又は複数のデッドゾーンにおいて配置される、請求項１から９のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
11. 前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）が、前記ロードロックチャンバと処理チャンバの間で基板を移送するように構成される軌道装置又はロボットを備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
12. 基板を処理するための真空処理システムであって、
    前記基板（４１０、５１０）を処理するように適合されている真空処理チャンバ（４２４、５２４）、及び
    前記基板（４１０、５１０）を大気条件から前記真空処理チャンバ内へと移送するように構成されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）
    を備える真空処理システム。
13. 前記処理チャンバ（４２４、５２４）内の真空が、約１０^−８ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の範囲内の圧力を有する超高真空である、請求項１２に記載の真空処理システム。
14. 前記真空処理システムが、前記処理チャンバ（４２４、５２４）内の堆積処理、具体的には、スパッタ処理、或いはＰＶＤ又はＣＶＤ処理のために適合される、請求項１２又は１３に記載の真空処理システム。
15. 基板を処理するための真空処理システムであって、
    ロードロックチャンバ壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１、４３０）を有し、且つ前記基板のための前記真空ロードロックチャンバ内への入口を設けるための第１の真空密封可能バルブと、前記基板のための前記ロードロックチャンバからの出口を設けるための第２の真空密封可能バルブとを備える真空ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）であって、前記基板を搬送するための基板搬送システムをさらに備える、真空ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）、
    前記基板に対して処理を実行するための１つ又は複数の処理構成要素を備える真空処理チャンバ（４２４、５２４）であって、処理される前記基板が、前記基板搬送システムによって、前記ロードロックチャンバから、前記第２の真空密封可能バルブを通って、前記処理チャンバへと移送され得るように、前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）と前記処理チャンバ（４２４、５２４）が、前記第２の真空密封可能バルブを用いて互いに連結されている、真空処理チャンバ（４２４、５２４）、及び
    前記ロードロックチャンバ（１２２、４２２、５２２）の少なくとも１つの壁（４３０、５２８、５２９、５３０、５３１）において配置されているパーティクルトラップ（１２７、４２７、５２７）
    を備える真空処理システム。

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