JP2017514305A - 真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び真空処理システム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 真空処理システムのためのロードロックチャンバ(122、422、522)であって、
ロードロックチャンバ容積を形成するロードロック壁(430、528、529、530、531)、
前記ロードロックチャンバを排気するための真空生成装置(425)、及び
前記ロードロックチャンバの少なくとも1つの壁(430、528、529、530、531)に配置されているパーティクルトラップ(127、427、527)
を備えるロードロックチャンバ。 - 前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、接着剤、具体的には、接着箔又は糊を含む、請求項1に記載のロードロックチャンバ。
- 前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、少なくとも、基材(具体的には、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、PET、OPP、PES、又は金属箔)と、発泡接着剤(具体的には、アクリル系接着剤又は糊)とを含む接着剤を含む、請求項1又は2に記載のロードロックチャンバ。
- 前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、約1.0E−8mbar*l/(s*cm2)と約1.0E−6mbar*l/(s*cm2)の間の1時間のガス放出値a1hを有する材料を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、約0.2m2と約10m2の間、具体的には、約0.5m2と10m2の間の領域を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)が、実質的に約0.05mbarから約1mbarの間の範囲内の真空を提供するように適合される、請求項1から5のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)の前記壁(430、528、529、530、531)が、少なくとも1つの側壁(529、531)、底部壁(430、530)、及び上部壁(528)を含み、前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、前記ロードロックチャンバ(122、422、522)の前記底部壁(430、530)において配置される、請求項1から6のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)が、前記パーティクルトラップを前記ロードロックチャンバ内に保持するための金属固定装置を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)が、前記パーティクルトラップ(127、427、527)を巻き出し且つ巻き戻しするための巻き出し/巻き戻しシステムを備える、請求項1から8のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)が、1つ又は複数のデッドゾーンを含み、その形状寸法が、特に前記ロードロックチャンバ(122、422、522)の通気の間にパーティクルの集積を可能にし、前記パーティクルトラップ(127、427、527)が、前記ロードロックチャンバの前記1つ又は複数のデッドゾーンにおいて配置される、請求項1から9のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 前記ロードロックチャンバ(122、422、522)が、前記ロードロックチャンバと処理チャンバの間で基板を移送するように構成される軌道装置又はロボットを備える、請求項1から10のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
- 基板を処理するための真空処理システムであって、
前記基板(410、510)を処理するように適合されている真空処理チャンバ(424、524)、及び
前記基板(410、510)を大気条件から前記真空処理チャンバ内へと移送するように構成されている、請求項1から11のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ(122、422、522)
を備える真空処理システム。 - 前記処理チャンバ(424、524)内の真空が、約10−8mbarと約10−5mbarの間の範囲内の圧力を有する超高真空である、請求項12に記載の真空処理システム。
- 前記真空処理システムが、前記処理チャンバ(424、524)内の堆積処理、具体的には、スパッタ処理、或いはPVD又はCVD処理のために適合される、請求項12又は13に記載の真空処理システム。
- 基板を処理するための真空処理システムであって、
ロードロックチャンバ壁(430、528、529、530、531、430)を有し、且つ前記基板のための前記真空ロードロックチャンバ内への入口を設けるための第1の真空密封可能バルブと、前記基板のための前記ロードロックチャンバからの出口を設けるための第2の真空密封可能バルブとを備える真空ロードロックチャンバ(122、422、522)であって、前記基板を搬送するための基板搬送システムをさらに備える、真空ロードロックチャンバ(122、422、522)、
前記基板に対して処理を実行するための1つ又は複数の処理構成要素を備える真空処理チャンバ(424、524)であって、処理される前記基板が、前記基板搬送システムによって、前記ロードロックチャンバから、前記第2の真空密封可能バルブを通って、前記処理チャンバへと移送され得るように、前記ロードロックチャンバ(122、422、522)と前記処理チャンバ(424、524)が、前記第2の真空密封可能バルブを用いて互いに連結されている、真空処理チャンバ(424、524)、及び
前記ロードロックチャンバ(122、422、522)の少なくとも1つの壁(430、528、529、530、531)において配置されているパーティクルトラップ(127、427、527)
を備える真空処理システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2014/057804 WO2015158384A1 (en) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | Load lock chamber for a vacuum processing system and vacuum processing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017514305A true JP2017514305A (ja) | 2017-06-01 |
Family
ID=50543046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016562783A Pending JP2017514305A (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 真空処理システムのためのロードロックチャンバ、及び真空処理システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017514305A (ja) |
KR (1) | KR102261651B1 (ja) |
CN (1) | CN106232863B (ja) |
TW (1) | TW201606901A (ja) |
WO (1) | WO2015158384A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6674869B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2020-04-01 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ&サービス | ウェーハ搬送装置 |
JP2018190783A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置及び搬送方法 |
KR20190039891A (ko) * | 2017-09-18 | 2019-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법 |
DE102017011064A1 (de) | 2017-11-29 | 2019-05-29 | Singulus Technologies Ag | Vakuumschleuse und Verfahren zum Schleusen eines Substratträgers |
EP3753040A4 (en) * | 2018-02-13 | 2022-03-23 | bioMérieux, Inc. | LOAD LOCK CHAMBER ASSEMBLIES FOR SAMPLE ANALYSIS SYSTEMS AND RELATED MASS SPECTROMETER SYSTEMS AND METHODS |
DE102018004086A1 (de) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Singulus Technologies Ag | Durchlaufanlage und Verfahren zum Beschichten von Substraten |
KR102366179B1 (ko) * | 2019-08-23 | 2022-02-22 | 세메스 주식회사 | 반송 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
KR20230118645A (ko) * | 2020-12-17 | 2023-08-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 캐리어 이송 조립체를 위한 롤러, 기판 프로세싱 시스템,기판 프로세싱 시스템을 유지보수하는 방법, 및 디바이스를 제조하는 방법 |
TW202230583A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統及微粒去除方法 |
KR102567143B1 (ko) * | 2022-05-03 | 2023-08-14 | 이재철 | 진공증착장치 |
CN116153826B (zh) * | 2023-04-23 | 2023-06-27 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 化学气相沉积设备用负载锁定设备 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05202473A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | スパッタリング装置 |
US7473301B2 (en) * | 2002-09-17 | 2009-01-06 | Euv Llc | Adhesive particle shielding |
JP5395405B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び装置 |
-
2014
- 2014-04-16 WO PCT/EP2014/057804 patent/WO2015158384A1/en active Application Filing
- 2014-04-16 JP JP2016562783A patent/JP2017514305A/ja active Pending
- 2014-04-16 KR KR1020167032044A patent/KR102261651B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-16 CN CN201480078013.9A patent/CN106232863B/zh active Active
-
2015
- 2015-04-14 TW TW104111850A patent/TW201606901A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011119327A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置および基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106232863B (zh) | 2020-11-20 |
WO2015158384A1 (en) | 2015-10-22 |
CN106232863A (zh) | 2016-12-14 |
KR20160145164A (ko) | 2016-12-19 |
TW201606901A (zh) | 2016-02-16 |
KR102261651B1 (ko) | 2021-06-04 |
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