JP2016084495A

JP2016084495A - 金属膜と保護膜とを形成する成膜方法および成膜装置

Info

Publication number: JP2016084495A
Application number: JP2014216913A
Authority: JP
Inventors: 雄一中田; Yuichi Nakata; 俊樹前田; Toshiki Maeda
Original assignee: Japan Steel Works Ltd
Current assignee: Japan Steel Works Ltd
Priority date: 2014-10-24
Filing date: 2014-10-24
Publication date: 2016-05-19

Abstract

【課題】小型の成膜装置で、品質が高い金属膜と保護膜とからなる成膜成形品を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置（１）を物理的蒸着手段を備えた高真空室（３）と、プラズマ重合手段を備えた低圧室（４）とから構成する。低圧室（４）は、成形品を出し入れする開閉扉（６）と成形品を搬送する搬送手段（９）とを設ける。そして低圧室（４）と高真空室（３）は隣接させてバルブ（７）を介して接続する。まず、開閉扉（６）を開けて低圧室（４）に成形品（２４）を搬入し、次いでバルブ（７）を開けて搬送手段（９）により高真空室（３）に搬送してバルブ（７）を閉じ、高真空室（３）で物理的蒸着手段により金属膜を形成する。そしてバルブ（７）を開けて低圧室（４）に搬送後、バルブ（７）を閉じて低圧室（４）でプラズマ重合手段により保護膜を形成する。低圧室（４）を大気圧に戻し、開閉扉（６）を開けて成膜成形品を得る。
【選択図】図４

Description

本発明は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の物理的蒸着法により成形品に金属膜を形成し、その上にプラズマ重合により保護膜を形成する成膜方法、およびそのような成膜方法を実施する成膜装置に関するものである。

樹脂成形品の表面に数十ｎｍ〜数μｍオーダの金属膜が成膜されている成形品として、例えば車両に装備されているドアレバーやランプ、あるいは化粧品容器や家具の装飾部品等を挙げることがきる。このような成膜された成形品は、軽量であり、金属光沢によって高級感を感じさせるので適用分野が増えている。成形品は従来周知のように射出成形によって得られるが、これに成膜する成膜方法も従来周知で、色々な方法がある。例えば成膜しようとする被成膜品をステージに載せてステンレス、アルミニウム等のターゲットに対向させておき、数Ｐａ〜数十Ｐａ程度のアルゴンガス雰囲気中でターゲットには数ｋＶの負の電圧を、ステージには正の電圧を印加して、放電によってプラズマを発生させてアルゴン正イオンをターゲットにスパッタリングさせ、ターゲットから放出されたターゲット分子によって薄膜を形成するスパッタリングが知られている。この他に、真空容器の中に基板と蒸発源とを収納して成膜する真空蒸着、基板に数ｋＶの負の電圧を印加し数Ｐａのアルゴンガスの圧力下で真空成膜をするイオンプレーティング等も知られており、これらはいずれも物理的蒸着と言うことができる。このような物理的蒸着によって金属膜を成膜するには所定の真空度にすることができる真空室を備えた成膜装置によって実施されている。

物理的蒸着により金属膜が形成された成形品は、一般的に金属膜を保護するために高分子膜からなる保護膜が形成されている。高分子膜は、いわゆるプラズマ重合によって形成されるようになっている。プラズマ重合は、モノマーからなる原料ガスを供給し低圧下で放電を行ってモノマーを重合させ、これを被成膜品に蒸着させる方法である。プラズマ重合は、所定の低圧にすることができる低圧室を備えた成膜装置によって実施されている。物理的蒸着により金属膜を形成した後に、プラズマ重合を実施すると、金属膜の上に重合した高分子層からなる保護膜が形成された成形品が得られる。

ところで、スパッタリングを実施する成膜装置つまりスパッタリング装置と、プラズマ重合を実施する成膜装置つまりプラズマ重合装置は、それぞれ異なる装置からなるが、これらを１台の装置にまとめた成膜装置も周知である。具体的には、成膜装置には１室の真空室が設けられており、該真空室にはスパッタリング用の電極およびターゲットとアルゴンガスの供給孔とが設けられていると共に、プラズマ重合用の電極とモノマーの原料ガスの供給孔とが設けられている。従って該真空室においてスパッタリングを実施して成形品に金属膜を形成した後にプラズマ重合を実施して高分子膜の保護膜を形成することができる。

特開平５−３３５３９９号公報

スパッタリング装置とプラズマ重合装置とを１台の装置にまとめた他の成膜装置が特許文献１において提案されている。特許文献１に記載の装置は、半導体集積回路を製造するための装置であるが成膜装置ということもできる。この装置は、基板にスパッタリングが実施されて金属膜が形成されるスパッタ室と、プラズマ重合によって金属膜の上にいわゆるレジスト膜が形成されるプラズマ重合室と、所定パターンに描画されたレジスト膜が現像により固定されると共にレジスト膜の保護なしに露出した状態の金属膜がエッチングにより除去される現像・エッチング室と、レジスト膜が除去されるアッシング室とがそれぞれ独立して設けられている。なお、プラズマ重合室でレジスト膜が形成された基板は一旦装置外に搬送されて、外部の他の装置においてレーザ等によりレジスト膜に所定のパターンが描画された後、再び装置内に搬入されて現像・エッチング室において現像・エッチングされるようになっている。特許文献１に記載の成膜装置においては、スパッタ室、プラズマ重合室、現像・エッチング室、アッシング室は、前記したように独立しているが、これらはそれぞれ気密的に開閉が可能なバルブを介して所定の搬送室に接続されている。搬送室は基板を搬送する複数台の搬送装置が格納された部屋であり、これらの搬送装置を駆動することによって装置外から基板を一旦搬送室に搬送し、各部屋に入れることができ、各部屋で処理された基板を搬送室に取り出して、装置外部に搬出することができる。搬送室には、外部から基板を搬入したり外部に搬出するための出入口が設けられ該出入口も所定のバルブによって気密的に閉鎖されている。スパッタ室、プラズマ重合室、現像・エッチング室、アッシング室はいずれもそれぞれの処理に必要な真空度に維持されているが、搬送室も所定の真空度に維持されている。

特許文献１に記載の成膜装置において半導体集積回路を製造するには次のようにする。気密性を備えた所定のキャリアボックスに基板を入れる。キャリアボックスは気密的に開閉が可能な開閉扉を備え、内部は所定の真空度にされている。このようなキャリアボックスを特許文献１に記載の成膜装置の搬送室の出入口に接続する。キャリアボックスの開閉扉を開くと共に出入口のバルブを開くとキャリアボックスと搬送室は連通する。搬送装置を駆動して基板をキャリアボックスから取り出して搬送室に取り込む。搬送室とスパッタ室とを接続しているバルブを開いて搬送室内に取り込まれた基板をスパッタ室に搬入しバルブを閉じる。スパッタリングを実施して基板に金属膜を形成する。再びバルブを開き、基板を搬送装置内に取り込みバルブを閉じる。次いで搬送室とプラズマ重合室を接続しているバルブを開いて基板をプラズマ重合室に入れバルブを閉じる。プラズマ重合により基板にレジスト膜を形成する。再びバルブを開き基板を搬送室内に取り込みバルブを閉じる。レジスト膜が形成された基板を搬送装置により再びキャリアボックスに搬送する。搬送室の出入口とキャリアボックスの開閉扉を閉じる。キャリアボックスに入れられた基板は、キャリアボックスによって外部に搬送され、レーザー等によりレジスト層に所定のパターンが描画される。所定のパターンが描画された基板はキャリアボックスに入れられて再び特許文献１に記載の成膜装置の搬送室に接続される。前記した方法と同様にしてキャリアボックスから搬送室内に基板が入れられる。搬送室と現像・エッチング室とを接続しているバルブを開き、基板を現像・エッチング室に入れてバルブを閉じる。現像・エッチング室において現像とエッチングが施され、所定のパターンで金属膜がエッチングされた基板が得られる。再びバルブを開いて基板が搬送室に取り込まれ、その後バルブが閉じられる。搬送室とアッシング室とを接続しているバルブを開き、基板をアッシング室に搬入後バルブを閉じる。レジスト膜を除去するアッシングを実施する。再びバルブを開いて基板を搬送室に取出しバルブを閉じる。搬送装置により基板をキャリアボックスに入れ、出入口のバルブとキャリアボックスの開閉扉を閉め、搬送室からキャリアボックスを分離する。

特許文献１に記載の成膜装置は、各部屋が所定の真空度を維持した状態でバルブが開閉されて基板が搬送されるので、真空度の低下は最小限に抑えることができる。つまりスパッタリング、プラズマ重合等の各処理を行うときに、その都度基板を大気に開放しないで済むので、必要な真空度を得るためのエネルギーが無駄にならないで済む。さらには基板は各工程間で大気に露出しないので、塵埃等により汚染される虞もない。

従来のようにスパッタリング装置とプラズマ重合装置が別々の装置から構成されていても金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品を得ることはできる。また１室の真空室を備え、該真空室を共用してスパッタリングもプラズマ重合も実施できる成膜装置によっても、同様の成膜成形品を得ることはできる。さらには特許文献１に記載の成膜装置のように、スパッタ室とプラズマ重合室とが設けられ、これらが搬送室を介して接続されている装置によっても、同様の成膜成形品を得ることはできる。しかしながらそれぞれの装置には解決すべき問題も見受けられる。まず、スパッタリング装置とプラズマ装置が別々の装置から構成されている場合には、各処理を実施する毎に成形品を装置に搬入し、搬出しなければならない。そうすると各装置においてその都度所定の真空度を得るために負圧源によって空気を吸引したり、大気に開放しなければならない。つまり真空度を得るためのエネルギーが無駄になってしまう。また中間完成品の成形品が大気に露出すると塵埃等で汚染されてしまう危険もある。そうすると品質の高い成膜成形品は得られない。１室の真空室によってスパッタリングもプラズマ重合も実施するようになっている成膜装置の場合には、処理の度に成形品を大気に開放する必要はない。そうすると真空度を得るためのエネルギーは最小限で済む。また成形品が塵埃等に汚染される虞もない。しかしながらこのような成膜装置においては他の問題がある。まず、金属膜の色調に影響を及ぼしてしまう問題がある。プラズマ重合を実施するときにはモノマーの原料ガスを真空室内に供給するようにするが、これはわずかに真空室の内壁に付着することがある。このような付着した原料ガスがスパッタリング時に浮遊して成形品に形成される金属膜に混入すると金属膜の色調が悪化してしまう。またスパッタリングを実施するための真空が得にくくなる問題もある。一般的にスパッタリングを実施するための真空度は、プラズマ重合を実施するときに必要となる真空度より高い。そうするとスパッタリングを実施するために高真空にすることになるが、プラズマ重合を繰り返し実施した真空室では内壁に原料ガスが付着してしまい、この付着した原料ガスによって所望の真空度が得られにくくなっていく。つまり装置の使用回数が増えると真空を得るための処理時間が長くなる傾向がある。

特許文献１に記載の成膜装置においては、スパッタ室もプラズマ重合室も独立しているので、プラズマ重合時に供給される原料ガスが原因となってスパッタリングの処理を妨げることもないし真空度を得るための処理時間が長くなることもない。また各部屋は搬送室を介して違いに連結されているし、搬送室も含めて全ての部屋は所定の真空度に維持されているので、処理を行う度に大気圧から真空を得る必要もない。つまり真空を得るためのエネルギーは最小限で済む。また成形品は大気に露出しないので塵埃等により汚染されることもない。しかしながら問題も見受けられる。まず特許文献１に記載の成膜装置においては、格別に搬送室が必要になっている。格別に搬送室が設けられている理由は、搬送装置は一般的にモータ等の駆動部が設けられていたり複雑な機構からなり真空を汚染する可能性もあるので、このような搬送装置をスパッタ室やプラズマ重合室等の各処理を行う部屋に収納するのは問題があると見なされているためであると考えられる。あるいは、モータ等の複雑な機構を部屋の外に設けるとしても、動力を伝達するための軸部等は外部からの貫通孔を通じて室内に入れられる必要があり、このような構造は真空度の維持を難しくしてしまうので、搬送装置をスパッタ室やプラズマ重合室に設けることは問題があると見なされているためであると考えられる。いずれにしても特許文献１に記載の成膜装置は、搬送装置を設けるために搬送室を設けなければならない。そうすると搬送室の分だけ装置が大型化するという問題がある。基板の搬送に時間を要する問題もある。なぜならば搬送室は各部屋に接続しなければならないし、内部には複数の搬送装置が設けられているので必然的に広い部屋になっているからであり、部屋が広いと搬送に時間を要することになる。搬送室については、気密を維持するのが難しいという問題もある。各部屋に接続するためのバルブ数も多いのでその分だけ気密が破れる可能性があるからであり、気密を確実に確保するために装置の製造コストが高くなってしまう。スパッタ室の真空度が低下し易いという問題もある。前記したようにスパッタ室に要求される真空度はプラズマ重合室に要求される真空度より高い。また他の部屋に要求される真空度もスパッタ室より低い。そうするとそれぞれのバルブを開けて各部屋が搬送室に連通する度に搬送室の真空度は変化する。このような搬送室の真空度はスパッタ室よりもかなり低い状態になっているはずである。そして前記したように搬送室は必然的に広くせざるを得ない。このように広くて真空度の低い搬送室とスパッタ室とがバルブが開けられることによって連通するとスパッタ室の真空度がかなり下がってしまう。つまり、特許文献１に記載の成膜装置は、装置全体が真空度が維持されるように考えられているが、スパッタ室に限定して考えると、真空度の維持は必ずしも十分ではない。

したがって本発明は、品質が高い金属膜と保護膜とからなる成膜成形品を成膜することができ、スパッタリング、プラズマ重合を得るときに必要な真空を得るためのエネルギーが小さく、小型でその製造コストも少なくて済む成膜装置によって実施できる成膜方法、および成膜装置を提供することを目的としている。

本発明は、物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた低圧室とからなる成膜装置として構成し、低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉と成形品を搬送する搬送手段とを設ける。そして低圧室と高真空室は隣接させてバルブを介して接続する。本発明の成膜方法は、このような成膜装置において、開閉扉を開けて低圧室に成形品を搬入し、次いで搬送手段により高真空室に搬送し、高真空室で物理的蒸着手段つまりスパッタリングにより金属膜を形成する。そして搬送手段により低圧室に搬送後、低圧室でプラズマ重合手段により保護膜を形成する。開閉扉を開けて金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品を得るようにする。

すなわち、請求項１に記載の発明は、前記目的を達成するために、高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法であって、前記低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして前記高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続し、前記成膜方法は、前記開閉扉が開かれた状態の前記低圧室に成形品を搬入して前記開閉扉を閉じる搬入工程と、前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記高真空室に搬送し前記バルブを閉じる第１の搬送工程と、前記高真空室において物理的蒸着を実施して成形品に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記低圧室に搬送し前記バルブを閉じる第２の搬送工程と、前記低圧室においてプラズマ重合を実施して成形品に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記低圧室を大気圧にして前記開閉扉を開いて成形品を取り出す取出工程とからなることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の成膜方法において、前記成膜方法は、前記低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化するイオンボンバード工程も含み、該イオンボンバード工程は前記搬入工程後、前記第１の搬送工程の前に実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。
請求項３に記載の発明は、高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、第１〜ｎの低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法であって、前記第１〜ｎの低圧室は、それぞれ外部から成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして前記高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続し、前記成膜方法は、前記開閉扉が開かれた状態の前記第１〜ｎの低圧室の所定の１室に成形品を搬入して前記開閉扉を閉じる搬入工程と、該所定の１室において前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記高真空室に搬送し前記バルブを閉じる第１の搬送工程と、前記高真空室において物理的蒸着を実施して成形品に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記所定の１室または前記第１〜ｎの低圧室の他の１室に搬送し前記バルブを閉じる第２の搬送工程と、前記所定の１室または前記他の１室においてプラズマ重合を実施して成形品に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記所定の１室または前記他の１室を大気圧にして前記開閉扉を開いて成形品を取り出す取出工程とからなることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の成膜方法において、前記成膜方法は、前記所定の１室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化するイオンボンバード工程も含み、該イオンボンバード工程は前記搬入工程後、前記第１の搬送工程の前に実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。
請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の成膜方法において、前記搬入工程を実施した直後の前記第１〜ｎの低圧室と前記取出工程を実施しようとする前記第１〜ｎの低圧室とを所定の管路によって連通し、内圧を一致させるようにすることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかの項に記載の成膜方法において、前記金属膜成形工程はスパッタリングにより実施し、前記高真空室に複数個のターゲットを設けて複数方向から金属原子を放出するようにして実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法として構成される。

請求項７に記載の発明は、物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた低圧室とからなり、前記低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記低圧室において前記プラズム重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の成膜装置において、前記低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項９に記載の発明は、物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた第１〜ｎの低圧室とからなり、前記第１〜ｎの低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記第１〜ｎの低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、
前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記第１〜ｎの低圧室において前記プラズム重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記第１〜ｎの低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１１に記載の発明は、請求項９または１０に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室は、相互に連結管によって連結され、該連結管には開閉弁が介装されていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１２に記載の発明は、請求項７〜１１のいずれかの項に記載の成膜装置において、前記物理的蒸着手段はスパッタリングを実施するようになっており、前記高真空室には複数個のターゲットが設けられ、それによって複数の方向から金属原子が放出されるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。

以上のように本発明によると、高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法として構成されている。そして低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続している。このような装置において、本発明の成膜方法は、開閉扉が開かれた状態の低圧室に成形品を搬入して開閉扉を閉じる搬入工程と、バルブを開いて搬送手段により成形品を高真空室に搬送しバルブを閉じる第１の搬送工程と、高真空室において物理的蒸着を実施して成形品に金属膜を形成する金属膜形成工程と、バルブを開いて搬送手段により成形品を低圧室に搬送しバルブを閉じる第２の搬送工程と、低圧室においてプラズマ重合を実施して成形品に保護膜を形成する保護膜形成工程と、低圧室を大気圧にして開閉扉を開いて成形品を取り出す取出工程とから構成されている。そうすると成形品は金属膜形成工程を経て保護膜形成工程が実施されるまで外気に触れることがないので塵埃等の汚れが付着することはない。また物理的蒸着蒸着とプラズマ重合は別々の部屋で実施されるので金属膜にモノマー等の異物が混入することもない。つまり品質の高い成膜成形品が得られる。また搬送手段は低圧室に設けられているので、搬送手段を収納するために格別に搬送室等の部屋を別途設ける必要がない。そうすると成膜装置を小型にすることができると共に、成形品を高真空室と低圧室との間で搬送するとき搬送の距離が最小になるので搬送に要する時間が短くて済む。またそのような搬送室等の部屋が不要な分だけ、気密を維持するためのバルブ等の個数が少なくて済み装置が安価に提供できる。ところで低圧室は高真空室に比して要求される真空度は低い。搬送手段は気体の発生源となり得る重合膜等が付着して真空度を低下させる要因になり得るが、本発明では搬送手段は低圧室に設けられているので、高真空室については真空度を低下させる問題も生じない。さらに本発明によると低圧室が大気に開放されるのは開閉扉が開く搬入工程と取出工程だけである。その後開閉扉を閉じて空気を抜く必要があるのは低圧室であり真空を引く容積が小さくて済む。つまり真空を引くためのエネルギーが最小で済む。また他の発明によると、成膜方法は、低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化するイオンボンバード工程も含み、該イオンボンバード工程は搬入工程後、第１の搬送工程の前に実施するように構成されている。そうすると成形品の表面が浄化された後に金属膜と保護膜とが形成されるので、さらに品質の高い成膜成形品が得られる。さらに他の発明によると、高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、第１〜ｎの低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法として構成され、第１〜ｎの低圧室は、それぞれ外部から成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続している。このような装置において各工程を実施するとき、搬入工程、保護膜形成工程、取出工程は、第１〜ｎの低圧室のいずれか１室で実施できる。そうすると他の低圧室でも並行して同様の工程を実施することができる。これによって各低圧室、高真空室において複数の工程を実質的に同時に実施することができ並行して成膜成形品が製造できることになる。つまり装置の稼働率が高くなり成膜のコストを小さくできる。また他の発明によると、搬入工程を実施した直後の第１〜ｎの低圧室と取出工程を実施しようとする第１〜ｎの低圧室とを所定の管路によって連通し、内圧を一致させるように構成されている。そうすると、搬入工程を実施して大気圧に戻ってしまった低圧室は、これから取出工程を実施しようとする低圧室に連通することによって実質的に１／２の真空度に戻すことができ、真空に引くためのエネルギーが節約できる。さらに他の発明によると、金属膜成形工程はスパッタリングにより実施し、高真空室に複数個のターゲットを設けて複数方向から金属原子を放出するようにして実施するように構成されている。スパッタリングにおいてターゲットをイオン化したアルゴンガスによって衝突させターゲットから金属原子が放出されると金属原子は実質的に直進する。この金属原子が成形品に蒸着して金属膜が形成されるが、ターゲットから陰になっている部分は金属膜が付着し難い。一般的に、成形品は所定のターンテーブルに置かれて回転するようにしてターゲットから陰になる部分が生じないようにしているが、この発明のように複数のターゲットが複数の方向から金属原子を放出するようにするとターゲットから陰になる部分を少なくすることができ、効率よく金属膜を形成できるだけでなく成形品に一様に金属膜を形成することができる。

本発明の実施の形態に係る成膜装置を模式的に示す正面断面図である。本発明の実施の形態に係る成膜装置の搬送装置を模式的に示す図で、その（ア）（イ）は搬送装置の停止状態と駆動状態のそれぞれを示す正面図である。本発明の実施の形態に係る成膜装置の搬送装置を構成する部材を模式的に示す図で、その（ア）は第１のテーブルを、その（イ）（ウ）は第２のテーブルを、その（エ）はハンド部をそれぞれ示す上面図である。本発明の実施の形態に係る成膜装置において金属膜と保護膜とからなる成膜成形品を得る成膜方法を模式的に示す図で、その（ア）〜（カ）はそれぞれの工程における成膜装置の正面断面図である。本発明の他の実施の形態に係る成膜装置を模式的に示す上面図である。

以下本発明の実施の形態を説明する。本実施の形態に係る成膜装置１は、図１に概略的に示されているように、物理的蒸着により成形品に金属膜を成膜する高真空室３と、プラズマ重合により成形品に保護膜を成膜する低圧室４とから構成されている。低圧室４には一方の端面において気密的に閉じられる開閉扉６が設けられ、成膜される成形品を外部から室内に搬入したり、成膜された成形品つまり成膜成形品を外部に取り出すことができるようになっている。本発明の実施の形態において、低圧室４と高真空室３は隣接しておりこれらは開閉可能なバルブ７を介して気密的に接続されている。また低圧室４内には、後でその構造を詳しく説明するように搬送装置９が設けられている。搬送装置９は、バルブ７を開いて連通した状態の低圧室４と高真空室３の間で成形品を双方向に搬送する装置である。このように搬送装置９が低圧室４内に設けられているので、換言すると、搬送装置９を設けるための部屋を格別に設ける必要がないので、成膜装置１が小型に構成されている。成形品の搬入・取出しが低圧室４の開閉扉６からのみ実施される点、従って大気に開放されるのが低圧室４だけになっている点、低圧室４と高真空室３がバルブ７によって直接接続されていて他の部屋が介在していない点、搬送装置９が低圧室４内に設けられている点が本発明の特徴になっている。

高真空室３においては物理的蒸着を実施するために必要な部材、つまり物理的蒸着手段が設けられている。物理的蒸着には、真空蒸着、イオンプレーティング等のように色々な方法があるが、本実施の形態においては高真空室においてスパッタリングが実施されるようになっている。このようなスパッタリングを実施する装置は周知であるので詳しくは説明しないが、高真空室３には、成形品を載置するステージ１１、金属膜の材料であるターゲット１２、ターゲット１２に直流電圧を印加するためのマグネトロン電極１３が設けられ、図には示されていないがマグネトロン電極１３に電圧を供給する電力装置、高真空室３内を所定の真空度に吸引する負圧源、真空内３にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給装置等も設けられている。ステージ１１は回転すると共に上下にスライドしステージ１１上に載置された成形品がムラ無く均一に成膜されるようになっている。このように構成されているので、バルブ７を閉鎖して高真空室３を負圧源により吸引して所定の真空度にし、アルゴンガス供給装置からガス圧が数Ｐａ〜数１０Ｐａ程度になるようにアルゴンガスを供給し、ステージ１１が陽極にターゲット１２が陰極になるように数ｋＶの電圧を印加してグロー放電を発生させると、周知のようにアルゴンガスがプラズマ化して、アルゴン陽イオンがターゲット１２に衝突し金属原子が放出される。放出された金属原子によってステージ１１上の成形品に金属膜が形成されることになる。

低圧室４には、プラズマ重合により保護膜を形成するプラズマ重合手段が設けられている。プラズマ重合手段も周知であるので詳しくは説明しないが、低圧室４には高周波電圧が印加される高周波電極１５、図示されていないが、この高周波電極１５に電圧を供給する電力装置、低圧室４内を所定の真空度に吸引する負圧源、低圧室４内にヘキサメチルジシロキサン等のモノマーからなる原料ガスを供給する原料ガス供給装置、等が設けられている。なお、本実施の形態においては搬送装置９はその上部が成形品やそのホルダを載せると共に把持するハンド部になっており、このハンド部も電極になっている。このように構成されているので、従来周知のように、バルブ７と開閉扉６を閉鎖した状態で真空源によって低圧室４を所定の真空度に吸引し、原料ガス供給装置から原料ガスを供給し、高周波電極１５に高周波電圧を印加すると、高周波グロー放電つまりプラズマ放電が発生し、原料ガスが分解されて成形品の表面に重合膜が形成される。つまり成形品に保護膜が形成されることになる。なお、本実施の形態に係る成膜装置１においては、低圧室４はいわゆるイオンボンバードも実施できるようになっている。つまりイオンボンバード手段も備えており、低圧室４には、図に示されていないがアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給装置が設けられている。低圧室４を所定の真空度に減圧し、アルゴンガスを供給後、高周波電極１５に高周波電圧を印加するとプラズマ放電が発生する。これにより正に帯電したアルゴンガスイオンを成形品の表面に衝突させ、表面から不純物を除去することができる。

本実施の形態において、前記したように搬送装置９は低圧室４に設けられている。所定の真空度に減圧されることになる低圧室４にとって、搬送装置９が減圧の妨げになるようなことがないように、そして搬送装置９を設けることによって低圧室４の気密性に影響が出ることがないように、さらには低圧室４内で搬送装置９自身が減圧による影響を受けにくいように、搬送装置９は留意して設計されている。搬送装置９を説明する。

搬送装置９は、図２の（ア）に概略的に示されているように、第１〜３のテーブル１８、１９、２０から構成されている。第１のテーブル１８は、低圧室４内に設けられているレール２２の上にスライド可能に設けられている。第２のテーブル１９は、第１のテーブルの上面に設けられている図示されないレールの上にスライド可能に設けられ、第３のテーブル２０は第２のテーブルの上面に設けられている図示されないレールの上にスライド可能に設けられている。第１〜３のテーブル１８、１９、２０は高真空室３の方向にスライドするようになっており、成形品２４あるいは成形品２４とこれを把持するホルダとを第３のテーブル２０に載置した状態で、所定の駆動機構によって図２の（イ）に示されているようにスライドすると、成形品２４あるいは成形品２４とホルダとが高真空室３に搬入できるようになっている。

搬送装置９の駆動機構は複数の機構から構成されている。図３の（ア）は第１のテーブル１８を上面から見た図であるが、第１のテーブル１８には、その側方にボールネジ機構２５が設けられボールナット２６が第１のテーブル１８に固着されているボールネジ２７はサーボモータ２９によって回転するようになっている。ただしボールネジ２７は、マグネットカップリング３０によって低圧室４の壁を挟んでサーボモータ２９の駆動軸と非接触的にカップリングされており、サーボモータ２９は低圧室４の外部に設けられている。これによってサーボモータ２９が低圧室４の減圧の妨げになることもなく、サーボモータ２９の故障の可能性もない。そして低圧室４には回転力の伝達用の軸を貫通させる必要もなく低圧室４の気密性を損なうこともない。サーボモータ２９を駆動するとボールネジ２７が回転してボールナット２６と第１のテーブル１８とがスライドすることになる。

図３の（イ）には、第１のテーブル１８が点線で示されているが、第１のテーブル１８には２個の歯付アイドラ３２、３２が回転可能に軸支され、歯付アイドラ３２、３２にはタイミングベルト３３が掛け回されている。タイミングベルト３３は、所定の箇所が低圧室４に対して固定されている。例えば、図３の（イ）においては低圧室４の壁に固着されている第１の固定部材３５によってタイミングベルト３３が固定されているように示されているが、低圧室４の床部に固定されている他の部材によって固定されていてもよい。タイミングベルト３３は、さらに第２の固定部材３６によって、他の箇所が第２のテーブル１９に固定されている。このように構成されているので、図３の（ウ）に示されているように、低圧室４に対して第１のテーブル１８がスライドすると、第１の固定部材３５によって固定されているタイミングベルト３３が歯付アイドラ３２、３２に案内されて送り出され、第２のテーブル１９は第１のテーブル１８に対して相対的にスライドすることになる。低圧室４に対する第２のテーブル１９のスライドの距離は、第１のテーブル１８のスライドの距離の２倍になる。当業者であれば容易に理解できるので説明を省略するが、第３のテーブル２０も同様の機構により第２のテーブル１９に対してスライドされるようになっている。これによって第１のテーブル１８がスライドすると、第３のテーブル２０はその３倍の距離スライドすることになる。第２、３のテーブル１９、２０をスライドする駆動機構は、このようにシンプルな構造からなり、格別にモータ等を備えていないので、気体が発生したり、減圧下で故障することはない。

第３のテーブル２０にはその上面に図３の（エ）に示されているようなハンド部３８が設けられている。成形品２４あるいは成形品２４を把持したホルダはこのハンド部３８によって支持され、そしてハンド部３８から外されるようになっている。

本実施の形態に係る成膜装置１によって、金属膜と保護膜とが成膜された成膜成形品を得る、成膜方法を説明する。まず準備工程として、バルブ７を閉鎖した状態にして高真空室３を所定の真空度になるように減圧する。このとき開閉扉６は開いていても閉じていてもどちらでもよいが、開いているものとする。図４の（ア）に示されているように、搬入工程を実施する。すなわちロボットアーム等の所定の装置により成形品２４を低圧室４に入れ、搬送装置９のハンド部３８に載置する。開閉扉６を閉じる。低圧室４の空気を吸引し減圧する。次いでイオンボンバード工程を実施する。具体的にはアルゴンガスを低圧室４に所定量供給し、高周波電極１５に高周波電圧を印加するとプラズマ放電が発生し、図４の（イ）に示されているように、正に帯電したアルゴンガスイオンが成形品２４の表面に衝突して表面を浄化する。なお成形品の表面が清浄であればイオンボンバード工程は省略可能である。次いで第１の搬送工程を実施する。つまり図４の（ウ）に示されているようにバルブ７を開いて高真空室３と低圧室４とを連通させ、搬送装置９を駆動して成形品２４を高真空室３に搬送する。成形品２４をステージ１１上の載置したら搬送装置９を元の状態に戻す。つまりスライドして低圧室４に収納する。バルブ７を閉じる。スパッタリングにより金属膜形成工程を実施する。すなわち高真空室３を所定の真空度になるように真空引きし、アルゴンガスを供給する。マグネトロン電極１３とステージ１１に電圧を印加してグロー放電を発生させるとアルゴンガスがプラズマ化して、図４の（エ）に示されているように、アルゴン陽イオンがターゲット１２に衝突し金属原子が放出され成形品２４に蒸着する。このときステージ１１を回転させて成形品２４に均一に金属膜が形成されるようにする。第２の搬送工程を実施する。具体的には図４の（オ）に示されているようにバルブ７を開いて高真空室３と低圧室４とを連通させ、搬送装置９を駆動して成形品２４を低圧室４に搬送する。バルブ７を閉じる。プラズマ重合により保護膜形成工程を実施する。低圧室４は所定の真空度になっているので真空引きは格別必要ではないが、必要に応じて真空引きを行う。原料ガスを供給し高周波電極１５に高周波電圧を印加すると、高周波グロー放電つまりプラズマ放電が発生し、図４の（カ）に示されているように、原料ガスが分解されて成形品２４の表面に重合膜からなる保護膜が形成される。最後に取出工程を実施する。具体的には、図示されない所定の弁を開く等して低圧室４内を大気圧に戻す、いわゆる大気パージ処理を実施し、開閉扉６を開き、ロボットアーム等の装置により低圧室４内の成膜された成形品２４、つまり成膜成形品を取り出す。

次に、図５によって、本発明の他の実施の形態に係る成膜装置１’を説明する。前実施の形態に係る成膜装置１と同様の部材については同じ番号を付して説明を省略するが、この実施の形態に係る成膜装置１’は、前実施の形態に係る成膜装置１といくつかの点で相違している。まず低圧室４ａ、４ｂは２部屋設けられている点が相違している。すなわち第１、２の低圧室４ａ、４ｂが設けられている。これらの第１、２の低圧室４ａ、４ｂは、開閉扉６ａ、６ｂが設けられ、それぞれバルブ７ａ、７ｂを介して高真空室３に接続されている。次の相違点として、前実施の形態にはない構造として連結管４０がある。連結管４０は第１、２の低圧室４ａ、４ｂを互いに接続しており開閉弁４１が介装されている。この開閉弁４１を開くと第１、２の低圧室４ａ、４ｂは連通するようになっている。高真空室３におけるターゲットも相違している。本実施の形態においてはターゲットは第１、２のターゲット１２’、１２’’からなる。第１のターゲット１２’は高真空室３の天井に設けられているが、第２のターゲット１２’’は高真空室３の側方の壁面に設けられている。つまり成膜される成形品から見ると異なる２方向に第１、２のターゲット１２’、１２’’が位置することになる。これによって金属膜がムラ無く成膜されることになる。

この実施の形態に係る成膜装置１’においては、例えば次のように成形品に成膜することができる。すなわち成形品を第１の低圧室４ａに搬入し、イオンボンバード工程を実施した後に高真空室３に搬送してスパッタリングにより金属膜を形成する。金属膜が形成された成形品は第２の低圧室４ｂに搬送してプラズマ重合により保護膜を形成し、取出工程により取り出す。このようにすると高真空室３においてスパッタリングしているときに、次の成形品を第１の低圧室４ａに搬入してイオンボンバード工程を実施することができる。同様に、同時に第２の低圧室４ｂでプラズマ重合を実施することもできる。このようにすれば最大３個の成形品を並行して処理することができるので効率が高い。あるいは、次のように成形品に成膜することもできる。まず成形品を第１の低圧室４ａに搬入してイオンボンバード工程を実施する。これを搬送して高真空室３においてスパッタリングした後に第１の低圧室４ａに戻し、第１の低圧室４ａにおいてプラズマ重合を実施する。このとき並行して第２の低圧室４ｂに他の成形品を搬入してイオンボンバード工程を実施し、その後高真空室３に搬送してスパッタリングし、これを第２の低圧室４ｂに戻しプラズマ重合を実施する。

ところで、第１、２の低圧室４ａ、４ｂは搬入工程、取出工程において大気に開放されるようになっている。そうすると再度減圧するときに大量のエネルギーが必要になる。そこで、開閉弁４１を開閉して連結管４０を連通させ、減圧に要するエネルギーを節約するようにする。具体的には、第１、２の低圧室４ａ、４ｂのいずれか一方が搬入工程の完了直後で、かつ他方が取出工程の開始直前のときに実施する。このとき開閉扉６ａ、６ｂは閉じられているが、一方の部屋は大気圧になっており、他方の部屋は減圧された状態になっている。開閉弁４１を開いて第１、２の低圧室４ａ、４ｂを連絡管４０を介して連通させると、第１、２の低圧室４ａ、４ｂは略１／２に減圧された状態になる。開閉弁４１を閉じる。一方の部屋を必要な真空度まで減圧するとき、減圧に要するエネルギーが少なくて済む。他方の部屋は取出工程を実施する。

本発明の実施の形態は色々は変形が可能である。例えば、搬送装置５は前記したような形態に限定されず、例えばソレノイド等の駆動装置によって駆動されるようにしてもよい。また第２の実施の形態に係る成膜装置１’も、さらに変形が可能である。具体的には、低圧室を３室以上設けて第１〜ｎの低圧室とし、これらをバルブ７、７、…を介して高真空室３に接続してもよい。

１成膜装置３高真空室
４低圧室６開閉扉
７バルブ９搬送装置
１１ステージ１２ターゲット
１３マグネトロン電極１５高周波電極
１８第１のテーブル１９第２のテーブル
２０第３のテーブル２２レール
２４成形品２５ボールネジ機構
２６ボールナット２７ボールネジ
２９サーボモータ３０マグネットカップリング
３２歯付アイドラ３３タイミングベルト
４０連結管４１開閉弁

請求項７に記載の発明は、物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた低圧室とからなり、前記低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記低圧室において前記プラズマ重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の成膜装置において、前記低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項９に記載の発明は、物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた第１〜ｎの低圧室とからなり、前記第１〜ｎの低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記第１〜ｎの低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、
前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記第１〜ｎの低圧室において前記プラズマ重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記第１〜ｎの低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１１に記載の発明は、請求項９または１０に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室は、相互に連結管によって連結され、該連結管には開閉弁が介装されていることを特徴とする成膜装置として構成される。
請求項１２に記載の発明は、請求項７〜１１のいずれかの項に記載の成膜装置において、前記物理的蒸着手段はスパッタリングを実施するようになっており、前記高真空室には複数個のターゲットが設けられ、それによって複数の方向から金属原子が放出されるようになっていることを特徴とする成膜装置として構成される。

Claims

高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法であって、
前記低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして前記高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続し、
前記成膜方法は、前記開閉扉が開かれた状態の前記低圧室に成形品を搬入して前記開閉扉を閉じる搬入工程と、
前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記高真空室に搬送し前記バルブを閉じる第１の搬送工程と、
前記高真空室において物理的蒸着を実施して成形品に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記低圧室に搬送し前記バルブを閉じる第２の搬送工程と、
前記低圧室においてプラズマ重合を実施して成形品に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記低圧室を大気圧にして前記開閉扉を開いて成形品を取り出す取出工程とからなることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
請求項１に記載の成膜方法において、前記成膜方法は、前記低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化するイオンボンバード工程も含み、該イオンボンバード工程は前記搬入工程後、前記第１の搬送工程の前に実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
高真空室において物理的蒸着により金属膜を形成し、第１〜ｎの低圧室においてプラズマ重合により保護膜を形成して、成形品に金属膜と保護膜とを形成して成膜成形品を得る成膜方法であって、
前記第１〜ｎの低圧室は、それぞれ外部から成形品を出し入れする開閉扉を設けると共に成形品の搬送手段を設け、そして前記高真空室に対して隣接させてバルブを介して接続し、
前記成膜方法は、前記開閉扉が開かれた状態の前記第１〜ｎの低圧室の所定の１室に成形品を搬入して前記開閉扉を閉じる搬入工程と、
該所定の１室において前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記高真空室に搬送し前記バルブを閉じる第１の搬送工程と、
前記高真空室において物理的蒸着を実施して成形品に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記バルブを開いて前記搬送手段により成形品を前記所定の１室または前記第１〜ｎの低圧室の他の１室に搬送し前記バルブを閉じる第２の搬送工程と、
前記所定の１室または前記他の１室においてプラズマ重合を実施して成形品に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記所定の１室または前記他の１室を大気圧にして前記開閉扉を開いて成形品を取り出す取出工程とからなることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
請求項３に記載の成膜方法において、前記成膜方法は、前記所定の１室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化するイオンボンバード工程も含み、該イオンボンバード工程は前記搬入工程後、前記第１の搬送工程の前に実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
請求項３または４に記載の成膜方法において、前記搬入工程を実施した直後の前記第１〜ｎの低圧室と前記取出工程を実施しようとする前記第１〜ｎの低圧室とを所定の管路によって連通し、内圧を一致させるようにすることを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
請求項１〜５のいずれかの項に記載の成膜方法において、前記金属膜成形工程はスパッタリングにより実施し、前記高真空室に複数個のターゲットを設けて複数方向から金属原子を放出するようにして実施することを特徴とする金属膜と保護膜とが形成された成膜成形品の成膜方法。
物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた低圧室とからなり、
前記低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、
前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記低圧室において前記プラズム重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置。
請求項７に記載の成膜装置において、前記低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置。
物理的蒸着手段を備えた高真空室と、プラズマ重合手段を備えた第１〜ｎの低圧室とからなり、
前記第１〜ｎの低圧室は、成形品を出し入れする開閉扉が設けられていると共に前記高真空室と前記第１〜ｎの低圧室間で成形品を搬送する搬送手段が設けられ、そして前記高真空室に対して隣接すると共にバルブを介して接続され、
前記高真空室において前記物理的蒸着手段により金属膜が形成され、そして前記第１〜ｎの低圧室において前記プラズム重合手段により保護膜が形成されて、金属膜と保護膜とからなる成膜成形品が得られるようになっていることを特徴とする成膜装置。
請求項９に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室はイオンボンバード手段も備え、前記第１〜ｎの低圧室において高周波電圧によりイオン化した不活性ガスを成形品の表面に衝突させて該表面を浄化できるようになっていることを特徴とする成膜装置。
請求項９または１０に記載の成膜装置において、前記第１〜ｎの低圧室は、相互に連結管によって連結され、該連結管には開閉弁が介装されていることを特徴とする成膜装置。
請求項７〜１１のいずれかの項に記載の成膜装置において、前記物理的蒸着手段はスパッタリングを実施するようになっており、前記高真空室には複数個のターゲットが設けられ、それによって複数の方向から金属原子が放出されるようになっていることを特徴とする成膜装置。