KR20160145164A - 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템 - Google Patents

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20160145164A
KR20160145164A KR1020167032044A KR20167032044A KR20160145164A KR 20160145164 A KR20160145164 A KR 20160145164A KR 1020167032044 A KR1020167032044 A KR 1020167032044A KR 20167032044 A KR20167032044 A KR 20167032044A KR 20160145164 A KR20160145164 A KR 20160145164A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load lock
lock chamber
vacuum
chamber
substrate
Prior art date
Application number
KR1020167032044A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102261651B1 (ko
Inventor
파비오 피에라리시
토마스 게벨
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160145164A publication Critical patent/KR20160145164A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102261651B1 publication Critical patent/KR102261651B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버(122; 422; 522)가 설명된다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들, 및 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스(425)를 포함한다. 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(127; 427; 527)을 더 포함한다. 추가로, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템이 설명된다.

Description

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템{LOAD LOCK CHAMBER FOR A VACUUM PROCESSING SYSTEM AND VACUUM PROCESSING SYSTEM}
[0001] 본 발명의 실시예들은 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버, 및 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다.
[0002] 기판들은 종종, 예컨대, 고-진공 조건들 하에서, 5*10-4 hPa 내지 0.5 hPa의 범위 내의 압력들에서, 진공 코팅 플랜트(plant)들에서 코팅된다. 플랜트 생산성을 증가시키기 위해, 그리고 각각의 기판에 대한 전체 설비, 그리고 특히, 고-진공 섹션을 진공배기(evacuate)시켜야 하는 요건을 피하기 위해, 로드 및 언로드 락(load and unload lock)들이 기판들을 위해 사용된다.
[0003] 현대의 인-라인 코팅 플랜트들에서 생산성을 증가시키고, 재료 플럭스 레이트(material flux rate)를 개선하기 위해, 별개의 로드 및 언로드 락 챔버들이 사용되고 있다. 단순한 소위 3-챔버 코팅 유닛은, 기판이 대기압으로부터, 순차적인 진공 코팅 섹션(프로세스 챔버)의, 예컨대 p = 1*10-3 hPa 내지 p = 1.0 hPa의 적절한 전환 압력(transition pressure)으로 펌핑되는 로드 락, 및 벤팅(venting)에 의해, 상기 기판이 다시 대기압 레벨로 조정되는 언로드 락으로 구성된다.
[0004] 로드 락 챔버들의 태스크는, 가능한 신속하게, 프로세스 범위에 대한 충분한 그리고 충분히 낮은 전환 압력으로 진공배기되는 것이다. 언로드 락 챔버들의 태스크는, 가능한 신속하게, 대기압으로 벤팅되는 것이다. 그 후에, 기판이 언로드 락 챔버로부터 언로딩된 후에, 로드 락 챔버는 다시 진공배기된다.
[0005] 동시에, 지난 수 년 동안, 진공 프로세스 동안의 더 적은 오염에 대한 소망이 증가되었다. 예컨대, 디스플레이들을 생산하는 경우에, 입자들에 의한 오염의 용인이 감소되었고, 품질의 기준, 그리고 또한, 고객이 기대하는 품질이 증가되었다. 오염은, 예컨대, 프로세싱 시스템의 챔버들이 진공으로 적절하게 진공배기되지 않은 경우에, 프로세스 시스템에서의 운송 시스템 또는 컴포넌트들이 프로세스 동안에 입자들을 생성하는 경우에, 프로세싱될 기판이 진공배기된 프로세스 시스템 내로 입자들을 도입하는 경우에, 및 이와 동일한 종류의 경우에, 발생할 수 있다. 따라서, 동작 동안에, 증착 시스템에서, 제품 품질에 영향을 미치는 복수의 가능한 오염 입자 소스들이 존재한다. 컴포넌트들을 세정하고 교환하는 것뿐만 아니라, 프로세스 시스템에서의 계속되는 진공 펌핑은 제품의 오염 리스크를 감소시키기 위한 방법이다. 그럼에도 불구하고, 위에서 명시된 바와 같이, 프로세스는 가능한 가장 빠르게, 가장 효율적인 방식으로 수행되어야 한다. 세정 및 교환 절차들은 유지보수를 위한 시간이 걸리고, 이는 그 후에, 생산 시간을 위해 사용될 수 없다.
[0006] 상기된 바를 고려하면, 본 발명의 목적은, 본 기술분야에서의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 진공 프로세싱 챔버를 위한 로드 락 챔버, 및 진공 프로세싱 시스템을 제공하는 것이다.
[0007] 상기된 바를 고려하여, 독립 청구항들에 따른, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버, 및 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 본 발명의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은, 종속 청구항들, 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하게 된다.
[0008] 일 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버가 제공된다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들; 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스; 및 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩(trap)을 포함한다.
[0009] 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버; 및 대기 조건들로부터 진공 프로세싱 챔버 내로 기판을 이송하도록 구성된, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버를 포함한다.
[0010] 추가적인 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 로드 락 챔버 벽들을 갖고, 진공 로드 락 챔버 내로의 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 로드 락 챔버 밖으로의 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버를 포함한다. 로드 락 챔버는 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버를 더 포함하며, 여기에서, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버는 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 기판 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버로부터 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템은, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 포함한다.
[0011] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명되는 방법 단계를 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 단계들은, 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터, 이들 둘의 임의의 조합, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치가 동작하는 방법들에 관한 것이다. 그러한 방법은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.
[0012] 본 발명의 위에서 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략학 요약된 본 발명의 더 상세한 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버에 연결된 로드 락 챔버를 도시한다.
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서의 입자 트랩 재료의 예시적인 탈착(desorption)/아웃개싱(outgassing) 레이트의 개략도를 도시한다.
도 3은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 펌프 다운 동안의 시간에 걸친 압력의 개략도를 도시한다.
도 4는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버에 연결된 로드 락 챔버를 도시한다.
도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버를 갖는 프로세싱 시스템을 도시한다.
[0013] 이제 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 그러한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로서 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 설명되거나 또는 예시된 특징들은, 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들과 함께 또는 대해 사용될 수 있다. 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0014] 게다가, 다음의 설명에서, 로드 락 챔버는 진공 프로세싱 시스템을 위한 챔버로서 이해되어야 한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는 대기 조건들로부터 낮은 압력 또는 진공으로의 전환 챔버를 제공할 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 대기 조건들에서 전달되고 있는 기판을 수용하기 위한 기판 입구, 및 프로세싱 챔버와 같은 진공 챔버에 연결되도록 적응된 기판 출구를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 진공으로 진공배기가능할 수 있고, 진공 펌프들과 같은 각각의 장비를 포함할 수 있다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 및/또는 진공(예컨대, 프로세싱) 챔버 내에서 기판을 운송하기 위한 기판 우송 시스템을 가질 수 있다. 로드 락 챔버는 기판 입구 및 기판 출구에서 진공 밀봉가능 밸브를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 진공 밀봉가능 밸브는, 게이트 밸브, 슬릿 밸브, 및 슬롯 밸브로 구성된 그룹으로부터 제공될 수 있다.
[0015] 본원에서 사용되는 바와 같은 "입자 트랩"이라는 용어는, 더스트(dust) 입자들, 챔버 컴포넌트로부터의 이동 부분들의 마모에 의해 생성되는 입자들, 증착 프로세스 동안에 생성되는 입자들, 기판 및/또는 캐리어에 의해 진공 챔버에 도입되는 입자들 등과 같은, 진공 챔버에서의 입자들을 포획(capture)할 수 있는 디바이스로서 이해되어야 한다. 특히, 본원에서 지칭되는 바와 같은 입자 트랩은, 패시브(passive) 입자 트랩일 수 있고, 이는 특히, 입자 트랩이 전력 등에 의해 활성화되거나 또는 공급될 필요가 없다는 것을 의미한다. 패시브 입자 트랩은, 입자들이 입자 트랩을 통과하는 경우에, 입자들을 포획하는 입자 트랩일 수 있다.
[0016] 도 1은, 프로세싱 챔버(524)에 연결된 로드 락 챔버(522)를 도시한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 서로 관련되어 있는, 프로세싱 챔버와 같은 진공 챔버 및 로드 락 챔버는 진공 프로세싱 시스템으로서 설명될 수 있다. 로드 락 챔버(522)는 로드 락 챔버 내로 기판(510)을 도입하기 위한 입구(523)를 가질 수 있다. 로드 락 챔버의 입구(523)는, 프로세싱될 각각의 재료, 예컨대, 로드 락 챔버(522) 내로 로딩될 기판의 사이즈 또는 기판 배치(batch)의 사이즈에 대해 적응될 수 있다. 개별적인 또는 기판들의 배치인, 프로세싱될 기판이, 대기 조건들에서, 각각의 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버 입구(523)로 전달될 수 있다. 예컨대, 기판 또는 기판 배치는, 기판(들)을 위한 운송 트랙, 운송 밴드-컨베이어, 기판(들)을 운반하는 로봇, 단일 기판들 또는 기판 배치들을 위한 단일 캐리어 지지부들을 포함하는 캐리어 시스템 등에 의해 전달될 수 있다. 로드 락 챔버(522) 내로 프로세싱될 기판(들)을 도입하기 위해, 입구(523)가 개방될 수 있고, 로드 락 챔버는 대기 조건들을 겪는다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(522)는, 입구가 개방되고, 기판들이 로드 락 챔버에 도입되는 경우에, 벤팅되는 것으로 설명될 수 있다.
[0017] 프로세싱될 기판(110)이 로드 락 챔버(522)에 배치되는 경우에, 로드 락 챔버(522)는, 로드 락 챔버 입구(523)를 폐쇄시킴으로써, 폐쇄될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버에 기판을 배치하는 것은, 로드 락 챔버 내의 기판 지지부 또는 트랙 시스템 위로, 기판을 핸들링(handling)하는 로봇에 의해, 로드 락 챔버 내로 기판을 이송하는 것을 포함할 수 있다. 대안적으로, 기판은, 아래에서 상세히 설명될 바와 같이, 컨베이어 벨트 또는 트랙 시스템에 의해, 로드 락 챔버 내로 운송될 수 있다. 기판이 로드 락 챔버에 있는 경우에, 로드 락 챔버는, 예컨대, 로드 락 챔버를 낮은 압력, 낮은 진공, 또는 중간 진공에 이르게 하기 위해, 진공배기될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는 약 1 mbar의 전형적인 압력에 이르게 될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서의 진공의 신뢰가능한 정착(installation)을 보장하기 위해, 로드 락 챔버에, 각각, 예컨대 진공 펌프들 및 진공 밀봉부들이 장비될 수 있다.
[0018] 몇몇 실시예들에 따르면, 기판은, 정의된 시간 간격 동안, 기판 지지부에 의해 로드 락 챔버에서 홀딩(hold)될 수 있거나, 또는 추가로, 프로세싱 챔버(524)와 같은 진공 챔버와 관련될 수 있는, 로드 락 챔버(522)의 출구(525)에 접근하도록 연속적으로 이동될 수 있다. 예컨대, 기판이 정의된 시간 간격 동안 로드 락 챔버에서 홀딩될지, 또는 추가로 연속적으로 이동될지는, 로드 락 챔버가 일부로 있는 시스템에 따라 좌우될 수 있다. 일 예에서, 로드 락 챔버 내에서의 기판의 홀딩 또는 이동은, 로드 락 챔버와 프로세싱 챔버 사이의 이송 메커니즘에 따라 좌우된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 프로세싱 시스템들에서 기판의 운송 경로의 일부를 제공할 수 있다.
[0019] 몇몇 실시예들에서, 진공배기되고 있는 로드 락 챔버(522)는, 슬루스 또는 밸브(525) 등을 개방함으로써, 프로세싱 챔버(524)를 향하여 개방될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(522) 및 프로세싱 챔버(524)는 연결될 수 있거나, 또는 슬루스 또는 밸브(525)를 통해 서로 관련되어 놓여 있을 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버는 진공 프로세싱 챔버이다. 일 예에서, 프로세싱 챔버는, 예컨대, 약 10-8 mbar 내지 약 10-5 mbar의 최종 진공(베이스 압력)을 가짐으로써, 로드 락 챔버보다 더 높은 진공(즉, 더 낮은 압력)을 가질 수 있다. 기판은, 로드 락 챔버에 존재하는 압력 조건들로 인해, 프로세싱 챔버에서의 진공 조건들을 본질적으로 방해하지 않으면서, 로드 락 챔버로부터 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 프로세싱 챔버에서, 기판은, 아래에서 상세히 참조될 바와 같이, 원하는 프로세스를 받을 수 있다.
[0020] 일반적으로, 제품(기판)에 대한 입자 규격들이 계속 더 엄격하게 되어 왔다. 한층 더 우수한 오염 감소가 프로세싱 시스템에서 바람직하다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 벽들 중 하나에 위치된 입자 트랩을 제공한다. 도 1에서, 로드 락 챔버(522)에서, 벽들(528, 529, 530, 및 531)에 입자 트랩(527)이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버에서의 입자들을 포획하기 위한 접착제(adhesive)를 포함할 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버가 제공된다. 로드 락 챔버는 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들, 및 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에, 또는 임의의 다른 가능한 캐리어 충돌 프리(collision free) 위치에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 일반적으로, 입자 트랩은 챔버 내부의 임의의 프리 위치에 위치될 수 있고 ― 이는 운송 영역만이 블로킹되지 않아야 한다는 것을 의미할 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 입자들이 프로세싱 챔버에 진입하고 그리고/또는 기판 및/또는 캐리어를 오염시키는 리스크가 발생하기 전에, 로드 락 챔버에서 입자들을 포획하는 것을 허용한다. 특히, 로드 락 챔버에서의 벽들 중 하나 또는 그 초과에 위치되어 있는 입자 트랩은, 로드 락 챔버를 벤팅하거나 또는 펌핑 다운하는 동안에, 이러한 시간들 동안의 높은 가스 속도/유동 및 입자 운송 가속으로 인해, 로드 락 챔버에 존재하는 입자들을 포획할 수 있다. 예컨대, 몇몇 입자들은 로드 락 챔버의 진공 펌프에 의해 제거될 수 없다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 하나 또는 그 초과의 소위 "데드 존(dead zone)(들)"을 포함하는 기하형상을 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 데드 존은, 예컨대 진공 펌프에 의해 로드 락 챔버를 낮은 압력 또는 진공 조건에 이르게 하기 위해 수행되는 진공배기 프로세스와 무관하게 입자 축적이 발생되는 로드 락 챔버의 존 또는 구역으로서 이해될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버의 데드 존(들)은, 벤팅 프로세스, 벤팅 장비, 벤팅 입구 위치, 펌프 다운 배기 라인 연결 위치, 및 챔버 설계에 따라 좌우될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 데드 존(들)은, 로드 락 챔버가 벤팅되고 그리고/또는 기판이 로드 락 챔버 내로 로딩되는 방향에 따라 좌우된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 데드 존(들)은 로드 락 챔버에서의 진공 생성 디바이스(들)의 위치, 및 진공 생성 디바이스(들)의 수집 영역(gathering)에 따라 좌우될 수 있다.
[0023] 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는, 예컨대, 로드 락 챔버의 벤팅 및 펌핑 다운 동안에, 높은 가스 속도를 갖는 구역들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 입자 트랩은, 입자들을 포획할(입자들이 통과할) 가능성이 더 높은 이러한 구역들 중 하나에 또는 가까이 위치된다.
[0024] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 발명자들은, 입자 축적이 i.a. 챔버 벽들에서 발생하는 것을 발견하였다. 예컨대, (다시, 로드 락 챔버의 기하형상, 진공 생성 디바이스, 기판 입구, 기판 출구의 위치 등에 따라) 로드 락 챔버의 바닥이 데드 존일 수 있고, 입자가 축적되는 경향이 있을 수 있다. 도 1에서, 2개의 데드 존들(540 및 541)이 예시적으로 도시된다.
[0025] 몇몇 실시예들에서, 챔버 벽들에 축적되는 입자들은, 기판이 프로세싱 챔버로 이송되는 경우에, 기판 및/또는 캐리어로 이동될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버로부터 진공 챔버로의 기판의 이송 동안에, 기판 및/또는 캐리어는, 예컨대 진동 또는 흔들림에 의해, 기판 및/또는 캐리어에 놓인 입자들을 제거할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서 펌프들에 의해 포획되지 않은 입자들은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 로드 락 챔버 벽들에 위치된 입자 트랩에 의해 포획될 수 있다. 특히, 입자 트랩은 접착성 재료를 포함할 수 있다.
[0026] 몇몇 실시예들에서, 챔버 벽들 중 하나 또는 그 초과에 위치되어 있는 입자 트랩은, 자기 재료, 정전 디바이스들, 접착성 재료 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버에서의 입자 트랩은 오염 입자들을 포획할 수 있고 홀딩할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 입자 트랩은, 포획될 입자들(이는 ― 결국 ― 로드 락 챔버 외부에 존재하는 입자들의 성질에 따라 좌우될 수 있음), 프로세싱될 기판, 로드 락 챔버 사이즈, 챔버 재료, 기판 캐리어 재료 등에 따라, 재료들을 포함할 수 있다.
[0027] 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버의 하나 또는 그 초과의 벽들에 위치된 입자 트랩은, 접착성 포일(foil), 접착성 시트, 접착성 플레이트, 접착성 재료를 위한 캐리어, 글루(glue)를 갖는 캐리어, 접착성 재료의 롤(예컨대, 접착성 포일) 등을 포함할 수 있다.
[0028] 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩의 접착제는, 실리콘-프리 재료, 폴리올레핀 재료, 아크릴 접착제, 아크릴 발포(foam) 접착제, 폴리에틸렌 막, PET, OPP, PES, 테사-필름(Tesa-Film), 알루미늄 또는 일반적으로 금속 포일, 및 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 트랩은 폴리프로필렌 막 상의 발포 접착제를 포함할 수 있다.
[0029] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 입자 트랩을 위해 사용되는 재료들은, 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버에 존재하는 바와 같은 진공 조건들에서, 예컨대, 낮은 아웃개싱 레이트를 가짐으로써, 낮은 오염 리스클를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버에서 입자 트래핑을 위해 사용되는 재료는, 낮은, 1 시간 동안의 아웃개싱 값 a1h를 가질 수 있다. a1h 값은 1 시간 동안의 재료의 아웃개싱 양을 설명한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서의 입자 트랩을 위해 또는 그러한 입자 트랩에 사용되는 재료는, 전형적으로는 약 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm2), 더 전형적으로는 약 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2), 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2.5 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2)의 a1h 아웃개싱 값을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 1 시간 동안의 아웃개싱 값 a1h는 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm2) 미만이다.
[0030] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩으로서 사용되는 재료의 낮은 아웃개싱 레이트는, 입자 트랩에 의한 로드 락 챔버 내의 낮은 오염에 대해 유익할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 위에서 설명된 바와 같은 낮은 아웃개싱 레이트를 갖는 입자 트랩은, 프로세스 사이클을 위한 시간 노력을 낮은 레벨로 유지하는 것, 또는 적어도, 프로세스 사이클을 증가시키지 않는 것을 허용하고, 이는, i.a. 로드 락 챔버의 진공배기 프로세스 및 그 지속기간에 의해 영향을 받는다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩을 위한 각각의 재료를 사용하는 것은, 입자 트랩에 의해 도입되는, 로드 락 챔버에서의 부가적인 아웃개싱 오염을 방지하고, 진공배기 프로세스 및 프로세스 사이클의 연장을 방지하고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에 대한 고객의 용인을 증가시킬 수 있다.
[0031] 도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩, 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 접착성 재료를 포함하는 입자 트랩을 이용한 탈착 측정의 개략도(200)를 도시한다. 도 2의 가로 좌표는 분 단위의 시간을 도시하는 한편, 도면(200)의 세로 좌표는 커브(210)에서의 시간당 및 면적당 유량(Q'/A [mbarl/s+cm2])를 도시한다. 도면(200)에서 도시된 유량은 시간이 증가됨에 따라 감소되고, 약 1.35 E-06 [mbar*l/s*cm2]의 a1h 아웃개싱 값을 발생시킨다. 도 3은, 로드 락 챔버에 대한 펌프 다운 시간을 표시하는, 초 단위의 시간에 걸친 mbar 단위의 압력을 도시하는 개략도(300)를 도시한다. 2개의 커브들은, 입자 트랩을 갖지 않는 로드 락 챔버(커브(320)), 및 입자 트랩을 갖는 로드 락 챔버(커브(310))에 대한 펌프 다운 시간을 도시한다. 이러한 예에서, 위에서 설명된 바와 같은 폴리프로필렌 막 및 발포 접착제를 포함하는 접착성 재료가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩으로서 사용되었다. 약 2E-01 mbar의 압력까지 아래로, 펌핑 시간에 대한 입자 트랩의 영향은, 2개의 커브들이 실질적으로 서로 오버래핑하기 때문에, 무시가능한 정도인 것을 볼 수 있다. 더 낮은 압력으로 아래로 가면 그리고 시간이 증가됨에 따라, 입자 트랩을 갖는 로드 락 챔버가, 입자 트랩을 갖지 않는 로드 락 챔버보다 약간의 무시가능한 더 긴 펌프 다운 시간을 갖는다.
[0032] 도 1로 돌아가면, 로드 락 챔버는, 실질적으로 6개의 벽들(예컨대, 4개의 측벽들, 상단 벽, 및 바닥 벽)을 갖는 직육면체의 형상을 갖는 것으로서 예시적으로 도시된다. 입자 트랩은 (도 1의 실시예에서 도시된 바와 같이) 로드 락 챔버의 각각의 벽에 제공될 수 있거나, 또는 로드 락 챔버의 1개, 2개, 3개, 4개, 또는 5개의 벽들과 같이 벽들의 일부에만 제공될 수 있다. 일 예에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버의 데드 존들 중 하나로서의 바닥 벽에만 제공된다. 또한 추가적인 실시예에서, 입자 트랩은, 예컨대, 로드 락 챔버에서의 데드 존들에 따라, 벽의 일부 또는 수개의 벽들의 부분들에만 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 임의의 가능한 캐리어 충돌 프리 위치에 위치될 수 있다.
[0033] 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 특히, 입자 트랩이 접착성 시트, 접착성 포일, 또는 접착성 플레이트를 포함하는 경우들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 트랩은, 전형적으로는 약 0.5 m2 내지 5 m2, 더 전형적으로는 약 내지 약, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 0.2 m2 내지 10 m2의 범위에 있는 사이즈를 가질 수 있다.
[0034] 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩, 특히, 입자 트랩 시트, 입자 트랩 포일, 입자 트랩 플레이트 등, 특히, 접착성 재료를 포함하는 입자 트랩은, 로드 락 챔버의 적어도 하나의 벽에 부착될 수 있거나 또는 고정될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버의 적어도 하나의 벽에 제거가능하게 부착될 수 있거나 또는 고정될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는, 프레임, 클램핑 디바이스, 입자 트랩을 붙이기 위한 영역, 입자 트랩을 고정시키기 위한 보어(bore)들, 입자 트랩 지지부 등과 같은 입자 트랩 고정 디바이스를 제공할 수 있다. 예컨대, 입자 트랩 고정 디바이스는 낮은 아웃개싱 레이트들을 갖는 금속 또는 다른 재료로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩 고정 디바이스는 로드 락 챔버 벽들과 동일한 재료로 제조된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩 고정 디바이스는 로드 락 챔버의 벽에 입자 트랩을 위치시키는 것을 허용할 수 있다. 예컨대, 입자 트랩 고정 디바이스는, 특히, 입자 트랩이 벽 근처에 위치되거나, 벽을 커버하거나, 또는 벽에 부착 또는 고정될 수 있도록, 로드 락 챔버의 벽 상에 제공될 수 있다.
[0035] 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 챔버 벽과 접촉하는 경우에, 또는 로드 락 챔버 벽에 대해, 전형적으로는 3 cm 미만, 더 전형적으로는 2 cm 미만, 그리고 한층 더 전형적으로는 1 cm 미만의 거리를 갖는 경우에, 챔버 벽에 위치된 것일 수 있다. 이는, 데드 존들에 또는 가까이 입자 트랩을 위치시키는 것에 대해 동일하게 적용된다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같이, 입자 트랩이 로드 락 챔버의 챔버 벽에 위치되는 것은, 로드 락 챔버에서의 임의의 가능한 캐리어 충돌 프리 위치, 예컨대, 입자 트랩이 기판 캐리어, 기판 캐리어의 로봇, 로드 락 챔버에 존재하는 기판 트래킹 시스템, 기판 트래킹 시스템의 로봇 등의 동작을 방해하지 않는 임의의 위치에 입자 트랩이 위치되는 것을 의미할 수 있거나 또는 포함할 수 있다. 일 예에서, 캐리어 충돌 프리 위치는 캐리어 그 자체를 포함하지 않는다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 입자 트랩이 로드 락 챔버의 벽에 위치되는 것은, 입자 트랩이, 예컨대 고정 디바이스에 의해, 벽 상에 고정되거나 또는 부착되는 것과 같이, 벽 상에 있는 것으로서 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 고정 디바이스는 벽 상에 직접적으로 제공되지만, 입자 트랩이 반드시 로드 락 챔버 벽과 접촉할 필요는 없다. 다른 실시예들에서, 입자 트랩의 적어도 일부가 로드 락 챔버 벽과 접촉한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 로드 락 챔버 볼륨을 향하는, 입자들을 포획하기 위한 포획 표면을 갖는다.
[0036] 대안적으로, 입자 트랩 시트, 입자 트랩 포일 등의 형태인 입자 트랩은, 입자 트랩 와인딩(winding)/언와인딩(unwinding) 시스템에 의해, 로드 락 챔버의 벽에 제공될 수 있다. 일 예에서, 입자 트랩 언와인딩 롤 및 입자 트랩 와인딩 롤은 로드 락 챔버 외부에 위치된다. 입자 트랩은 언와인딩 롤로부터 로드 락 챔버 내로 가이딩될 수 있고, 이는, 슬루스(예컨대, 팽창성 진공 슬루스), 게이트 밸브, 슬릿 밸브, 또는 슬롯 밸브를 통해 로드 락 챔버 내로 입자 트랩을 통과시킴으로써 수행될 수 있다. 로드 락 챔버 내의 입자 트랩은 로드 락 챔버의 벽에 위치되고, 예컨대 다시, 슬루스, 슬릿 밸브 등을 통해, 로드 락 챔버 외부의 입자 트랩 와인딩 롤로 가이딩된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 입자 트랩 언와인딩 롤로부터 입자 트랩 와인딩 롤 또는 리와인딩 롤로, 연속적으로 이동할 수 있거나, 또는 단계적으로 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일 실시예에서, 입자 트랩 언와인딩 롤 및 입자 트랩 와인딩 롤이 로드 락 챔버 내에 제공될 수 있다. 이러한 경우에서, 언와인딩 및 와인딩 롤을 위한 롤 지지부는 낮은 아웃개싱 값을 갖는 금속 또는 어떠한 재료로 제조될 수 있다.
[0037] 도 1에 대하여 위에서 명시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 진공 챔버에 연결가능할 수 있다. 진공 챔버에 대한 연결을 허용하기 위해, 각각의 연결 디바이스들, 수용 디바이스들, 및 밀봉 디바이스들이 로드 락 챔버에 제공될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는, 진공 챔버에 로드 락 챔버를 연결시키기 위한 플랜지, 보어들, 볼트들, 스크루들 등을 포함할 수 있다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버로부터 진공 챔버로 기판을 이송하는 것을 허용하는, 갭 슬루스, 로드 밸브 등과 같은 기판 출구를 더 포함할 수 있다. 본원에서 예시적으로 설명되는 도면들에서, 로드 락 챔버는 프로세싱 챔버에 연결된 것으로 도시된다. 그러나, 로드 락 챔버가 또한, 다른 진공 챔버들에 연결될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 로드 락 챔버가 연결될 수 있는 진공 챔버는, 버퍼(buffer) 챔버, 가열 챔버, 이송 챔버, 사이클-시간-조정 챔버, 증착 소스들을 갖는 증착 챔버 등으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들에 연결될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버가 일부로 있는 진공 프로세싱 시스템이 진공 프로세싱 챔버를 포함할 수 있음에도, 프로세싱 챔버가 아닌 진공 챔버에 직접적으로 연결될 수 있다.
[0038] 위에서 명시된 바와 같이, 로드 락 챔버와 프로세스 챔버의 조합은 본원에서 프로세싱 시스템이라고 표시될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 챔버는, 기판을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버; 및 대기 조건들로부터 진공 프로세싱 챔버 내로 기판을 이송하기 위한 로드 락 챔버를 포함하며, 로드 락 챔버는 로드 락 챔버 볼륨을 둘러싸는 벽들을 갖는다. 진공 프로세싱 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버, 및 로드 락 챔버에서의 입자 트랩은, 예컨대, 위에서 상세히 설명된 기하형상, 재료, 및 피처들에 관하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 예컨대, 입자 트랩은 접착성 시트, 접착성 포일, 접착성 플레이트 등과 같은 접착성 재료를 포함할 수 있다.
[0039] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 로드 락 챔버 벽들을 갖고, 진공 로드 락 챔버 내로의 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 로드 락 챔버 밖으로의 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버를 포함한다. 로드 락 챔버는, 아래에서 상세히 설명되는 바와 같은 운송 시스템과 같은, 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버를 더 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버는 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 기판 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버로부터 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 진공 프로세싱 시스템은, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 예컨대, 위에서 호명된 재료들을 포함함으로써, 위에서 언급된 형상을 가짐으로써, 위에서 언급된 재료 값들을 가짐으로써, 및 이와 동일한 종류의 것에 의해, 위에서 상세히 설명된 바와 같은 입자 트랩일 수 있다.
[0040] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 지칭되는 바와 같은 프로세싱 챔버는, 가열 프로세스, 냉각 프로세스, 세정 프로세스, 전-처리 프로세스, 위치결정 프로세스, 증착 프로세스 등과 같은 프로세스를 기판에 대해 수행하는데 적합할 수 있다.
[0041] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버는, 예컨대, 회전가능한 스퍼터링 타겟들과 같은 스퍼터링 타겟들을 포함함으로써, 스퍼터 프로세스에 대해 적응될 수 있다. 이에 대한 전형적인 구현들에 따르면, DC 스퍼터링, 펄스 스퍼터링, RF 스퍼터링, 또는 MF 스퍼터링이, 본원에서 설명되는 진공 프로세싱 챔버에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 5 kHz 내지 100 kHz, 예컨대 30 kHz 내지 50 kHz의 범위에 있는 주파수들을 이용하는 중간 주파수 스퍼터링이, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 챔버에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 진공 프로세싱 챔버는, PVD 프로세스, CVD 프로세스, PECVD 프로세스, 기화 프로세스, 마이크로파 프로세스 등에 대해 적응될 수 있다.
[0042] 도 1에서 도시된 프로세싱 챔버(524)는, 프로세싱 동안에 기판이 놓일 수 있는 기판 지지부(512)를 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 도 1의 프로세싱 챔버(524)는 기판(110) 상에 재료를 증착하기 위한 증착 소스(513)를 더 포함한다. 도 1에서 도시된 실시예에서, 프로세싱될 기판(110)은 실질적으로 수평인 방향으로 홀딩되고, 증착 프로세스는 실질적으로 수직인 방향으로 발생할 수 있다.
[0043] 도 2는, 프로세싱 챔버(424)에 연결되어 있는 로드 락 챔버(422)의 실시예를 도시한다. 로드 락 챔버(422)의 바닥 벽(430)에, 입자 트랩(427)이 위치된다. 도 4에서 도시된 입자 트랩(427)은 위에서 설명된 바와 같은 입자 트랩일 수 있다. 로드 락 챔버(422)는 펌프와 같은 진공 생성 디바이스(435)를 포함할 수 있다. 도 2에서 도시된 실시예에서, 기판은, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버에서, 본질적으로 수직으로-배향된다. 수직으로 배향된 기판이, 수 도만큼의 경사에 대해 안정적인 운송을 허용하기 위해, 프로세싱 시스템에서의 수직, 즉 90° 배향으로부터 약간의 편차를 가질 수 있고, 즉, 기판들이, ± 20° 또는 그 미만, 예컨대 ± 10° 또는 그 미만의 수직 배향으로부터의 편차를 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0044] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 대면적 기판들에 대해 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어들이 복수의 기판들을 갖는 각각의 캐리어들 또는 대면적 기판들은 적어도 0.67 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 전형적으로, 사이즈는, 약 0.67 m2(0.73 x 0.92 m ― Gen 4.5) 또는 그 초과, 더 전형적으로는 약 2 m2 내지 약 9 m2, 또는 심지어 최대 12 m2일 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들, 시스템들, 챔버들, 슬루스들, 및 밸브들이 제공되는, 기판들 또는 캐리어들은, 본원에서 설명되는 바와 같이, 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2 기판들(0.73 x 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 시스템은, 예컨대 정적 증착을 이용하는 TFT 제조에 대해 구성될 수 있다.
[0045] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버, 그러한 로드 락 챔버의 컴포넌트들, 예컨대, 기판 지지부 또는 트래킹 시스템, 슬릿 밸브들 또는 슬루스들, 또는 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 챔버는, 글래스 기판들, 또는 플라스틱 재료로 제조된 기판들, 즉, 예컨대 디스플레이들의 제조를 위해 사용되는 기판들과 같은 기판들을 포함하는 기판들을 핸들링하도록 적응될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대 PVD, 즉, 디스플레이 마켓을 위한 대면적 기판들 상의 스퍼터 증착과 같은 디스플레이 제조를 위해 활용될 수 있다.
[0046] 위에서 명시된 바와 같이, 로드 락 챔버는 진공 펌프들과 같은 진공 생성 디바이스들을 포함할 수 있고, 예컨대, 챔버 도어들, 윈도우들, 슬릿 밸브들, 또는 슬루스들에 각각의 밀봉부들을 제공함으로써, 로드 락 챔버 내에서 진공을 유지하도록 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 1 mbar 미만의 진공을 제공하도록 적응된다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버는, 전형적으로는 약 0.01 mbar 내지 약 1 mbar, 더 전형적으로는 약 0.1 mbar 내지 약 1 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 0.5 mbar 내지 약 1 mbar의 진공을 제공하도록 적응된다.
[0047] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 프로세싱 챔버는 고 진공 챔버이도록 적응될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에서 진공을 생성하고 유지하기 위해, 각각의 진공 펌프들, 밀봉부들, 밸브들, 및 슬루스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 챔버는 약 10-5 mbar 미만의 진공을 제공하도록 적응된다. 몇몇 예들에서, 프로세싱 챔버는, 전형적으로는 약 10-12 mbar 내지 약 10-5 mbar, 더 전형적으로는 약 10-9 mbar 내지 약 10-5 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 10-7 mbar 내지 약 10-5 mbar의 압력을 갖는 초-고 진공을 제공하도록 적응된다.
[0048] 도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)을 도시한다. 프로세싱 시스템은, 제 1 진공 챔버(101), 제 2 진공 챔버(102), 제 3 진공 챔버(103), 및 제 4 진공 챔버(121)를 포함한다. 진공 챔버들은, 챔버들 내에서 진공이 생성되는, 증착 챔버들 또는 다른 프로세싱 챔버들일 수 있다. 도 5에서, 프로세싱 시스템 외부의 대기 조건들로부터 프로세싱 시스템의 챔버들 내의 진공 조건들로의 전환을 제공하는 로드 락 챔버(122)를 볼 수 있다. 로드 락 챔버(122)는 위에서 상세히 설명된 바와 같은 로드 락 챔버일 수 있고, 하나 또는 그 초과의 벽들에서 입자 트랩(127)을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(122) 및 진공 챔버들(101, 102, 103, 및 121)은 운송 시스템에 의한 선형 운송 경로들을 통해 연결된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 운송 시스템은 수개의 운송 트랙들(161, 163, 164)을 포함하는 듀얼 트랙 운송 시스템을 포함할 수 있다. 도 5에서 보이는 예에서, 운송 시스템은, 운송 경로를 따르는 기판들의 회전을 허용하는 회전 모듈(150)을 더 포함한다. 예컨대, 디스플레이 제조를 위해 전형적으로 사용되는 대면적 기판들이 기판 프로세싱 시스템(100)에서의 선형 운송 경로들을 따라 운송될 수 있다. 전형적으로, 선형 운송 경로들은, 예컨대 라인을 따라 배열된 복수의 롤러들을 갖는 선형 운송 트랙들과 같은 운송 트랙들(161 및 163)에 의해 제공된다.
[0049] 전형적인 실시예들에 따르면, 운송 트랙들 및/또는 회전 트랙들은, 대면적 기판들의 바닥에서 운송 시스템에 의해, 그리고 본질적으로 수직으로 배향된 대면적 기판들의 상단에서 가이딩 시스템에 의해 제공될 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 도 5에서 도시된 진공 챔버들(122, 121, 101, 102, 및 103)과 같은 진공 챔버들에서의 듀얼 트랙 운송 시스템들, 즉, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로를 갖는 운송 시스템들은, 고정된 듀얼 트랙 시스템, 이동가능한 단일 트랙 시스템, 또는 이동가능한 듀얼 트랙 시스템에 의해 제공될 수 있다. 고정된 듀얼 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 여기에서, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙은 측방향으로 변위될 수 없고, 즉, 기판은 운송 방향에 대해 수직인 방향으로 이동될 수 없다. 이동가능한 단일 트랙 시스템은, 기판이 제 1 운송 경로 또는 제 2 운송 경로 상에 제공될 수 있도록, 측방향으로, 즉, 운송 방향에 대해 수직으로 변위될 수 있는 선형 운송 트랙을 가짐으로써, 듀얼 트랙 운송 시스템을 제공하고, 여기에서, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로는 서로로부터 멀리 있다. 이동가능한 듀얼 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 여기에서, 운송 트랙들 양자 모두는 측방향으로 변위될 수 있고, 즉, 운송 트랙들 양자 모두는, 제 1 운송 경로로부터 제 2 운송 경로로, 그리고 그 반대로 이들의 각각의 위치를 스위칭할 수 있다.
[0051] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버, 및 로드 락 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템을 이용하여, 프로세싱 시스템에서 오염을 감소시키는 것이 가능하다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따른 입자 트랩을 사용하는 것은, 로드 락 챔버에서 입자들을 포획하기 위한 쉽고 복잡하지 않은 방식을 허용하면서, 동시에, 정의된 아웃개싱 레이트와 같은 정의된 재료 특성들을 갖는 각각의 재료들을 사용함으로써, 오염 리스크가 감소된다. 입자 트랩이 로드 락 챔버의 벽에 위치되어, 매우 소형이고 공간-절약적이면서, 로드 락 챔버의 데드 존들에서의 효율적인 입자 포획을 허용할 뿐만 아니라, 또한, 입자 트랩의 쉬운 조립 및 교환을 허용한다.
[0052] 전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버(122; 422; 522)로서,
    로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들(430; 528; 529; 530; 531);
    상기 로드 락 챔버를 진공배기(evacuating)시키기 위한 진공 생성 디바이스(425); 및
    적어도, 상기 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(trap)(127; 427; 527)
    을 포함하는,
    로드 락 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 접착제(adhesive), 특히, 접착성 포일(foil) 또는 글루(glue)를 포함하는,
    로드 락 챔버.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 적어도, 베이스 재료(base material), 특히 폴리프로필렌 막, 폴리에틸렌 막, PET, OPP, PES 또는 금속 포일, 및 발포ing(foaming) 접착제, 특히 아크릴 접착제 또는 글루를 포함하는 접착제를 포함하는,
    로드 락 챔버.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 약 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2)의 1 시간 동안의 아웃개싱(outgassing) 값 a1h를 갖는 재료를 포함하는,
    로드 락 챔버.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 약 0.2 m2 내지 약 10 m2, 특히 약 0.5 m2 내지 10 m2의 면적을 갖는,
    로드 락 챔버.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 실질적으로 약 0.05 mbar 내지 약 1 mbar의 범위에 있는 진공을 제공하도록 적응되는,
    로드 락 챔버.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 벽들(430; 528; 529; 530; 531)은 적어도 하나의 측벽(529; 531), 바닥 벽(430; 530), 및 상단 벽(528)을 포함하고, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 바닥 벽(430; 530)에 위치되는,
    로드 락 챔버.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 로드 락 챔버에서 상기 입자 트랩을 홀딩(holding)하기 위한 금속 고정 디바이스를 포함하는,
    로드 락 챔버.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)을 언와인딩(unwinding) 및 리와인딩(rewinding)하기 위한 언와인딩/리와인딩 시스템을 포함하는,
    로드 락 챔버.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는 하나 또는 그 초과의 데드 존(dead zone)(들)을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존(들)의 기하형상은, 특히 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 벤팅(venting) 동안에, 입자들의 축적을 가능하게 하고, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 로드 락 챔버의 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존들에 위치되는,
    로드 락 챔버.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 로드 락 챔버와 상기 프로세싱 챔버 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 로봇 또는 트랙(track) 디바이스를 포함하는,
    로드 락 챔버.
  12. 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템으로서,
    상기 기판(410; 510)을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버(424; 524); 및
    대기 조건들로부터 상기 진공 프로세싱 챔버 내로 상기 기판(410; 510)을 이송하도록 구성된, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 로드 락 챔버(122; 422; 522)
    를 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버(424, 524)에서의 진공은, 약 10-8 mbar 내지 약 10-5 mbar의 범위에 있는 압력을 갖는 초-고 진공인,
    진공 프로세싱 시스템.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 진공 프로세싱 시스템은, 상기 프로세싱 챔버(424; 524)에서의 증착 프로세스, 특히 스퍼터 프로세스, 또는 PVD 또는 CVD 프로세스에 대해 적응되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  15. 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템으로서,
    로드 락 챔버 벽들(430; 528; 529; 530; 531; 430)을 갖고, 상기 진공 로드 락 챔버 내로의 상기 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 상기 로드 락 챔버 밖으로의 상기 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버(122; 422; 522) ― 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는 상기 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함함 ―;
    상기 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버(424; 524) ― 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522) 및 상기 프로세싱 챔버(424; 524)는 상기 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 상기 기판 운송 시스템에 의해, 상기 로드 락 챔버로부터 상기 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 상기 프로세싱 챔버로 이송될 수 있음 ―; 및
    적어도, 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(127; 427; 527)
    을 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템.
KR1020167032044A 2014-04-16 2014-04-16 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템 KR102261651B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2014/057804 WO2015158384A1 (en) 2014-04-16 2014-04-16 Load lock chamber for a vacuum processing system and vacuum processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160145164A true KR20160145164A (ko) 2016-12-19
KR102261651B1 KR102261651B1 (ko) 2021-06-04

Family

ID=50543046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167032044A KR102261651B1 (ko) 2014-04-16 2014-04-16 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2017514305A (ko)
KR (1) KR102261651B1 (ko)
CN (1) CN106232863B (ko)
TW (1) TW201606901A (ko)
WO (1) WO2015158384A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109819663A (zh) * 2017-09-18 2019-05-28 应用材料公司 真空处理系统和用于真空处理一个或多个基板的方法
US11456198B2 (en) 2019-08-23 2022-09-27 Semes Co., Ltd. Transfer unit and substrate treating apparatus including ihe same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6674869B2 (ja) * 2016-08-30 2020-04-01 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス ウェーハ搬送装置
JP2018190783A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び搬送方法
DE102017011064A1 (de) * 2017-11-29 2019-05-29 Singulus Technologies Ag Vakuumschleuse und Verfahren zum Schleusen eines Substratträgers
US10872754B2 (en) * 2018-02-13 2020-12-22 Biomerieux, Inc. Load lock chamber assemblies for sample analysis systems and related mass spectrometer systems and methods
DE102018004086A1 (de) * 2018-05-18 2019-11-21 Singulus Technologies Ag Durchlaufanlage und Verfahren zum Beschichten von Substraten
WO2022128112A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Applied Materials, Inc. Roller for a carrier transport assembly, substrate processing system, method of maintaining a substrate processing system, and method of manufacturing a device
TW202230583A (zh) * 2020-12-22 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及微粒去除方法
KR102567143B1 (ko) * 2022-05-03 2023-08-14 이재철 진공증착장치
CN116153826B (zh) * 2023-04-23 2023-06-27 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 化学气相沉积设备用负载锁定设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05202473A (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 Dainippon Ink & Chem Inc スパッタリング装置
US20020063084A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Mu-Tsang Lin Apparatus and method for reducing contamination in a wafer transfer chamber
JP2002353086A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Sony Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20040050317A1 (en) * 2002-09-17 2004-03-18 Klebanoff Leonard Elliott Adhesive particle shielding
JP2011119327A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置および基板処理システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03118815A (ja) * 1989-10-03 1991-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
JP5395405B2 (ja) * 2008-10-27 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05202473A (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 Dainippon Ink & Chem Inc スパッタリング装置
US20020063084A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Mu-Tsang Lin Apparatus and method for reducing contamination in a wafer transfer chamber
JP2002353086A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Sony Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20040050317A1 (en) * 2002-09-17 2004-03-18 Klebanoff Leonard Elliott Adhesive particle shielding
JP2011119327A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置および基板処理システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109819663A (zh) * 2017-09-18 2019-05-28 应用材料公司 真空处理系统和用于真空处理一个或多个基板的方法
US11456198B2 (en) 2019-08-23 2022-09-27 Semes Co., Ltd. Transfer unit and substrate treating apparatus including ihe same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017514305A (ja) 2017-06-01
CN106232863A (zh) 2016-12-14
TW201606901A (zh) 2016-02-16
WO2015158384A1 (en) 2015-10-22
KR102261651B1 (ko) 2021-06-04
CN106232863B (zh) 2020-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102261651B1 (ko) 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템
US8070408B2 (en) Load lock chamber for large area substrate processing system
US20100255196A1 (en) Treatment system for flat substrates
US8408858B2 (en) Substrate processing system having improved substrate transport system
US20180374732A1 (en) Apparatus for transportation of a substrate, apparatus for vacuum processing of a substrate, and method for maintenance of a magnetic levitation system
US20050199493A1 (en) Arrangement for transporting a flat substrate in a vacuum chamber
US7806641B2 (en) Substrate processing system having improved substrate transport system
WO2015174981A1 (en) Particle removal device and method of operating thereof
US11597998B2 (en) Vacuum lock and method for transferring a substrate carrier
CN107567653B (zh) 负载锁定腔室、真空处理系统和抽空负载锁定腔室的方法
TWI647743B (zh) 用於處理基板上薄膜之設備，以及用於提供氣密製程分離壁之方法
US20110303148A1 (en) Full-enclosure, controlled-flow mini-environment for thin film chambers
WO2016188550A1 (en) Lock chamber, inline substrate processing system and method of operating an inline substrate processing system
KR101632043B1 (ko) 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치
WO2018210408A1 (en) Apparatus for processing a substrate, processing system and method therefor
KR20190039891A (ko) 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법
US20090285665A1 (en) Substrate processing module exchange unit, vacuum coating installation, method of exchanging a substrate processing module for a vacuum coating installation, and use of a substrate processing module exchange unit
JP3236279U (ja) スパッタリングターゲットの真空保管庫
JP6957576B2 (ja) ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法
KR20190120061A (ko) 게이트 밸브의 제어 방법
JPS6369533A (ja) 連続真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant