KR20190039891A - 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법 - Google Patents

하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법 Download PDF

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KR20190039891A
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스티븐 포페
랄프 린덴베르크
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판 운반 방향을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템은, 제1 기판-핸들링 챔버; 및 제1 기판 핸들링 챔버를 제1 트랙을 포함하는 제1 서브-챔버 및 제2 트랙을 포함하는 제2 서브-챔버로 파티셔닝하는 분리부를 포함하며, 제2 서브 챔버는 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 배열되고, 분리부는 제1 기판-핸들링 챔버의 전체 길이에 걸쳐 연장되고, 상기 시스템은, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 그리고 제2 서브-챔버의 업스트림에 배열되는 제2 기판-핸들링 챔버를 더 포함한다. 이러한 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법은, 제1 서브-챔버에서 하나 이상의 기판들을 아웃개싱하는 단계, 제2 기판-핸들링 챔버에서 하나 이상의 기판들을 운반하는 단계, 및 제2 서브-챔버에서 하나 이상의 기판들을 프로세싱하는 단계를 포함한다.

Description

하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법
본 개시내용의 실시예들은, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템, 및 이러한 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은, 더 상세하게는, 진공 코팅 시스템, 및 하나 이상의 기판들을 진공 코팅하기 위해 이러한 진공 코팅 시스템을 동작시키는 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은, 예컨대 디스플레이 제조, 더 상세하게는, OLED 디스플레이 제조에서의, 진공 코팅 시스템 및 하나 이상의 기판들을 진공 코팅하기 위한 방법에 관한 것이다.
[0001] 기판 상에서의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 스퍼터 증착, 열 증발, 및 화학 기상 증착을 포함한다. 스퍼터 증착 프로세스는, 기판 상에 재료 층(이를테면, 전도성 재료 또는 절연 재료의 층)을 증착하는 데 사용될 수 있다. 코팅된 재료들은, 여러 응용들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 하나의 애플리케이션은, 반도체 디바이스들을 생성하기 위한 것과 같은 마이크로전자 분야에 있다. 부가하여, 디스플레이들을 위한 기판들은 종종, 물리 기상 증착, 예컨대, 스퍼터 증착 프로세스, 또는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 코팅된다. 추가적인 애플리케이션들은, 절연 패널들, TFT를 갖는 기판들, 컬러 필터(color filter)들 등을 포함한다.
[0002] 기판들 상에 증착되는 층들의 품질(예컨대, 순도 및/또는 균질성)을 개선하기 위해, 기판들은 그들의 순도 레벨과 관련하여 높은 요구들을 충족시켜야 한다.
[0003] 위의 관점에서, 당업계의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는 시스템들 및 방법들이 유익하다. 본 개시내용은 특히, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 시스템들 및 방법들을 제공하는 것을 목적으로 하며, 특히, 당업계의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 하나 이상의 기판들을 코팅하기 위한 시스템들 및 방법들을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[0004] 상기된 바를 고려하여, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위해 이러한 진공 프로세싱 시스템을 동작시키기 위한 방법, 진공 코팅 시스템, 및 이러한 진공 코팅 시스템 내에서 하나 이상의 기판들을 코팅하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이익들, 및 특징들은, 청구항들, 상세한 설명, 및 첨부된 도면들로부터 명백하다.
[0005] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판 운반 방향을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 이러한 진공 프로세싱 시스템은, 제1 기판-핸들링(substrate-handling) 챔버, 및 제1 기판-핸들링 챔버를 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버로 파티셔닝하는 분리부(separation)를 포함한다. 제1 서브-챔버는 제1 트랙을 포함하며, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하도록 구성된다. 제2 서브-챔버는 제2 트랙을 포함하며, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하도록 구성된다. 추가로, 제2 서브-챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림(downstream)에 배열된다. 부가적으로, 분리부는, 제1 기판-핸들링 챔버의 전체 길이를 따라 연장된다. 진공 프로세싱 시스템은 제2 기판-핸들링 챔버를 더 포함한다. 제2 기판-핸들링 챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 그리고 기판 운반 방향에 대하여 제2 서브-챔버의 업스트림(upstream)에 배열된다.
[0006] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템이 본원에 설명된다. 특히, 제2 기판-핸들링 챔버는, 하나 이상의 기판들을 제1 트랙으로부터 제2 트랙으로 운반하기 위한 트랙 전환 모듈(switching track module)을 포함한다.
[0007] 본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 기판 운반 방향을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 이러한 진공 프로세싱 시스템은, 제1 기판-핸들링 챔버, 및 기판-핸들링 챔버를 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버로 파티셔닝하는 분리부를 포함한다. 제1 서브-챔버는 제1 트랙을 포함한다. 제2 서브-챔버는 제2 트랙을 포함한다. 추가로, 제2 서브-챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 배열된다. 부가적으로, 분리부는, 제1 기판-핸들링 챔버의 전체 길이를 따라 연장된다. 진공 프로세싱 시스템은 제2 기판-핸들링 챔버를 더 포함한다. 제2 기판-핸들링 챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 그리고 기판 운반 방향에 대하여 제2 서브-챔버의 업스트림에 배열된다.
[0008] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위해, 본원에 설명되는 바와 같은 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법이 제공된다. 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법은, a) 제1 서브-챔버에서 하나 이상의 기판들을 아웃개싱(outgas)하는 단계, b) 제2 기판-핸들링 챔버에서 하나 이상의 기판들을 운반하는 단계, 및 c) 제2 서브-챔버에서 하나 이상의 기판들을 프로세싱하는 단계를 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 본원에 설명된 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 제1 기판-핸들링 챔버는 코팅 챔버일 수 있으며, 더 구체적으로는, 제2 서브-챔버가 코팅 챔버일 수 있다. 추가로, 본원에 설명된 실시예들에 따라 하나 이상의 기판들을 코팅하기 위해 이러한 진공 코팅 시스템을 진공 동작시키기 위한 방법이 제공된다. 이러한 방법은 디스플레이 제조에서 수행될 수 있다.
[0010] 본 개시내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부된 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2는 본원에 설명된 더 추가적인 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 3은, 제2 기판-핸들링 챔버에서 증발기를 더 포함하는, 도 2에 따른 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 4는 본원에 설명된 실시예들에 따라 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 5는 본원에 설명된 더 추가적인 실시예들에 따라 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0011] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 관한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0012] 본 개시내용의 다양한 실시예들이 더 상세히 설명되기 전에, 본원에서 사용되는 일부 용어들 및 표현들에 관한 일부 양상들이 설명된다.
[0013] 본 개시내용에서, "진공 프로세싱 시스템"은, 적어도 제1 및 제2 기판-핸들링 챔버를 갖는 시스템으로서 이해될 수 있다. 제1 "기판-핸들링 챔버"는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 "진공 프로세싱 챔버"로서 이해될 수 있다. 제2 기판-핸들링 챔버는, 하나 이상의 기판들을 "기판 운반 배향의 변경"으로 제1 트랙으로부터 제2 트랙으로 운반하기 위한 "진공 운반 챔버"로서 이해될 수 있다. "기판 운반 배향의 변경"은 360° 미만일 수 있고, 특히, 90° 내지 180°의 범위일 수 있다. 특정 실시예들에서, 기판 운반 배향의 변경은 실질적으로 180°와 동일할 수 있다. 다시 말해서, 하나 이상의 기판들은, 제2 기판-핸들링 챔버를 빠져나갈 때, 제2 기판-핸들링 챔버로 들어가기 전의 하나 이상의 기판들의 운반 배향과 반대인 것으로서 이해될 수 있는 운반 배향을 갖는다. 기판 운반은 특히, 제1 기판-핸들링 챔버 외부에서, 그러나 여전히 진공 프로세싱 시스템 내에서 발생하는 것으로서 이해될 수 있다. 제2 기판-핸들링 챔버는, 하나 이상의 기판들의 진공 운반 및 진공 프로세싱을 수행하도록 구성될 수 있다. 제2 기판-핸들링 챔버는, 하나 이상의 기판들의 진공 프로세싱 및 진공 운반을 수행하도록 구성될 수 있다.
[0014] 진공 프로세싱 챔버는, 기술적 진공을 생성하기 위해 하나 이상의 진공 펌프들에 연결될 수 있다. 특히, 본원에 설명되는 바와 같은 진공 챔버는, 부기압(sub-atmospheric pressure), 예컨대, 10 mbar 또는 그 미만의 압력, 특히, 1 mbar 또는 그 미만의 압력으로 진공배기될 수 있는 챔버로서 이해될 수 있다. 예시적인 구성에 따르면, 진공 챔버는, 진공 프로세싱 챔버의 증착 영역에 프로세스 가스들을 삽입도록 구성되는 진공 프로세싱 챔버일 수 있다. 예컨대, 프로세스 가스들은 불활성 가스들, 이를테면 아르곤, 및/또는 반응성 가스들, 이를테면 산소, 질소, 수소 및 암모니아(NH3), 오존(O3) 등을 포함할 수 있다.
[0015] 따라서, 본원에 사용되는 바와 같은 "진공"이라는 용어는, 10 mbar 또는 그 미만의 진공 압력, 특히, 1 mbar 또는 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다.
[0016] 본 개시내용에서, 본원에 사용되는 바와 같은 "하나 이상의 기판들"은, 특히, 비가요성(inflexible) 기판들, 예컨대 유리 플레이트들 및 금속 플레이트들을 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 그들로 제한되지 않으며, "하나 이상의 기판들"이라는 용어는 또한, 웨브(web) 또는 포일(foil)과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, "하나 이상의 기판들"은 재료 증착에 적절한 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 운모 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 만들어질 수 있다. "하나 이상의 기판들"이라는 표현은 또한, "대면적"을 갖는 기판들을 포괄할 수 있다.
[0017] 부가적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 "대면적 기판"은 적어도 0.5 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 예를 들면, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2 기판들(0.73 × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5 또는 심지어 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 따라서, 기판은, GEN 5, GEN 6, GEN 7, GEN 7.5, GEN 8, GEN 8.5, GEN 10, GEN 11, 및 GEN 12로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 기판은, GEN 4.5, GEN 5, GEN 7.5, GEN 8.5, GEN 10, GEN 11, 및 GEN 12 또는 더 큰 세대 기판들로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 추가로, 기판 두께는, 0.1 내지 1.8 mm, 특히 약 0.9 mm 또는 그 미만, 이를테면 0.7 mm 또는 0.5 mm일 수 있다.
[0018] 본 개시내용에서, 본원에 사용되는 바와 같은 "분리부"는 유리하게, 진공 프로세싱 시스템의 적어도 제1 핸들링 챔버를 파티셔닝하도록 구성된다. 본원에 설명되는 바와 같은 분리부는 특히, 적어도 제1 서브-챔버와 제2 서브-챔버 사이의 차압(differential pressure)을 견디도록 구성될 수 있다. 특히, 분리부는, 10 hPa 미만의 차압을 견디도록 구성될 수 있다. 추가적인 특정 실시예들에서, 분리부는, 0.1 hPa 내지 10 hPa 범위의 차압을 견디도록 구성될 수 있다. 본원에 설명된 차압 범위들에서, 분리부는 유리하게, 외부(extraneous) 입자들(예컨대, 물 분자들)에 대해 불투과성일 수 있다. 특히, 분리부는, 본원에 설명된 차압 범위들에서 가스상 외부 입자들에 대해 불투과성일 수 있다.
[0019] 추가로, 분리부는, 1 mm 내지 200 mm의 범위, 바람직하게는 10 mm 내지 50 mm의 범위의 두께를 가질 수 있다.
[0020] 본원에 설명된 임의의 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 실시예들에서, 분리부는, 차압이 본원에 설명된 차압 범위들 중 하나를 초과하는 경우에 이러한 분리를 유리하게 보호하는 적어도 하나의 부가적인 재료를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 보호 재료는 특히, 자기-치유(self-healing) 재료들, 자기-회복(self-repairing) 재료들 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 보호 재료는 분리부에 통합될 수 있다. 본원에 설명된 임의의 실시예들과 결합가능한 다른 실시예에서, 보호 재료는 분리부의 적어도 하나의 측 상의 하나 이상의 층들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 층들은, 분리부의 적어도 하나의 측의 외측 둘레 표면을 실질적으로 따를 수 있다.
[0021] 본 개시내용에서, 제1 기판-핸들링 챔버의 "제1 서브-챔버" 및 "제2 서브-챔버"는, 제1 기판-핸들링 챔버 내의 2개의 별개의 챔버들로서 이해될 수 있다. "서브-챔버"라는 용어는, 볼륨(volume), 이를테면 룸(room) 등을 정의하는 임의의 용어들을 포괄할 수 있다.
[0022] 본 개시내용에서, 본원에 설명되는 바와 같은 "기판 운반 방향"은, 경로(이 경로를 따라 하나 이상의 기판들이 진공 프로세싱 시스템 내에서 이동함)로서 이해될 수 있다. "방향"이라는 용어는, 경로, 통로, 궤적 등과 같은, 시작점과 종점 사이의 연속적인 선을 정의하는 모든 각각의 용어들을 포괄할 수 있다. 추가로, 본원에 설명되는 바와 같은 기판 운반 방향을 따른 "기판 운반 배향"이라는 용어는 특히, 적어도, 기판 운반 방향을 따른 제1 기판 운반 배향 및 제2 기판 운반 배향을 포괄할 수 있다. 이러한 제1 기판 배향 및 제2 기판 배향은 특히 서로 상이할 수 있으며, 더 상세하게는, 서로 반대일 수 있다. 부가적으로, 제1 기판 운반 배향은, 제1 트랙을 따른 기판 운반 배향으로서 이해될 수 있다. 추가로, 제2 기판 운반 배향은, 제2 트랙을 따른 기판 운반 배향으로서 이해될 수 있다.
[0023] 하나 이상의 기판들은 시작점으로부터 종점으로 이동할 수 있음이 이해될 수 있다. 하나 이상의 기판들은 시작점으로부터 종점으로 연속적으로 이동할 수 있다. 일반적으로, 하나 이상의 기판들은, 특히, 프로세싱 동안, 제2 서브-챔버에서 연속적으로 이동할 수 있다. 스퍼터링 증착의 경우에, 하나 이상의 기판들은 제2 서브-챔버에서 연속적으로 이동한다. 하나 이상의 기판들은 시작점으로부터 종점으로 불연속적으로 이동할 수 있다. 일반적으로, 하나 이상의 기판들은, 로딩/언로딩 챔버, 제1 서브-챔버, 제2 핸들링-챔버에서 불연속적으로 이동할 수 있다. 정적 코팅(예컨대, OLED 제조)의 경우에, 하나 이상의 기판들은, 특히, 프로세싱 동안, 제2 서브-챔버에서 불연속적으로 이동한다.
[0024] 추가로, 본원에 설명되는 바와 같은 "업스트림/다운스트림"이라는 용어들은 특히, 본원에 구체적으로 정의된 "기판 운반 방향"과 관련하여 이해될 수 있다. 예컨대, 특정 지점이 주어지면, "업스트림"은 특히, 시작점과 상기 특정 지점 사이의 부분으로서 이해될 수 있다. "다운스트림"이라는 용어는, 특정 지점과 종점 사이의 부분으로서 이해될 수 있다.
[0025] 도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 기판 운반 방향을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(100)은, 제1 기판-핸들링 챔버(101) 및 제2 기판-핸들링 챔버(102)를 포함한다. 제1 기판-핸들링 챔버(101)는 분리부(W)에 의해 제1 서브-챔버(101A) 및 제2 서브-챔버(101B)로 추가로 파티셔닝된다. 분리부(W)는, 제1 기판-핸들링 챔버(101)의 전체 길이에 걸쳐 연장된다. 제1 서브-챔버(101A)는, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하기 위한 제1 트랙(101A1)을 포함한다. 부가적으로, 제2 서브-챔버(101B)는, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하기 위한 제2 트랙(101B1)을 포함한다.
[0026] 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 서브-챔버(101A)는, 진공 프로세싱 시스템에서 진공을 설정하는 데 유익하게 기여하고 그리고/또는 외부 입자들로 하여금 진공 프로세싱 시스템(100)으로부터 흡출(suck out)되게 하는 데 유리하게 기여하는 하나 이상의 흡입 배출구들(103)을 포함할 수 있다. 부가하여, 제2 서브-챔버(101B)에는 하나 이상의 흡입 배출구들이 배제될 수 있다. 다시 말해서, 진공 프로세싱 시스템(100)에서의 진공은, 오직 제1 서브-챔버(101A)의 흡입 배출구들(203)에 의해서만 설정될 수 있다.
[0027] 추가로, 제2 서브-챔버(101B)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(101A)의 다운스트림에 배열된다. 다시 말해서, 하나 이상의 기판들은, 진공 프로세싱 시스템(100)을 따라 이동할 때, 먼저 제1 서브-챔버(101A)를 통과한 다음 제2 서브-챔버(101B)를 통과한다.
[0028] 진공 프로세싱 시스템(100)은 제2 기판-핸들링 챔버(102)를 더 포함한다. 제2 기판-핸들링 챔버(102)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(101A)의 다운스트림에 배열된다. 제2 기판-핸들링 챔버(102)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제2 서브-챔버(101B)의 업스트림에 배열된다. 특히, 제2 기판-핸들링 챔버(102)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여, 제1 서브-챔버(101A)의 다운스트림에 그리고 제2 서브-챔버(101B)의 업스트림에 배열된다.
[0029] 구체적으로, 제1 기판-핸들링 챔버(101)의 전체 길이에 걸쳐 연장되는 분리부(W)는 특히, 기판-핸들링 챔버(101)의 일 단부로부터 다른 하나의 단부로 연장되는 분리부로서 이해될 수 있다. 분리부(W)는 유익하게, 제1 서브-챔버(101A) 및 제2 서브-챔버(101B)의 공유된 벽일 수 있다. 추가로, 분리부(W)는, 기판 운반 방향(D)과 물리적으로 교차하지 않는다. 다시 말해서, 하나 이상의 기판들은 분리부(W)를 통과할 수 없다. 하나 이상의 기판들은, 본 개시내용의 양상들에 따르면, 제1 기판-핸들링 챔버 내에서 제1 트랙으로부터 제2 트랙으로 운반되지 않는다. 대신에, 하나 이상의 기판들은, 진공 프로세싱 시스템 내에서, 제1 트랙으로부터 제1 기판-핸들링 챔버 외부의 제2 트랙으로 운반된다.
[0030] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 분리부는, 본원에 사용되는 바와 같이, "제1 기판-핸들링 챔버의 전체 길이에 걸쳐" 연장된다. "분리부"라는 용어는 특히, 제1 기판-핸들링 챔버를 "제1 서브-챔버" 및 "제2 서브-챔버"로 파티셔닝하는, 제1 기판-핸들링 챔버의 일 단부로부터 다른 하나의 단부로 연장되는 분리부로서 이해될 수 있다.
[0031] 추가로, 제1 기판-핸들링 챔버 및 제2 기판-핸들링 챔버는, 진공 펌핑, 가열과 같은 동작들을 견디고 그리고 유익하게는 하나 이상의 기판들, 및/또는 자기 부상 시스템, 및/또는 하나 이상의 트랙들로부터 외부 입자들(즉, 물 분자들)의 탈착(desorption)을 가능하게 하고 그리고/또는 가속화하도록 구성될 수 있는 진공 챔버일 수 있다. 가열의 경우에, 제1 기판-핸들링 챔버 및 제2 기판-핸들링 챔버는 가열 시스템을 포함할 수 있다.
[0032] 따라서, 종래의 진공 프로세싱 시스템들과 비교하여, 본원에 설명된 본 개시내용의 실시예들은 유리하게, 증가된 스루풋, 감소된 풋프린트, 운영 비용, 유지보수 비용 및 제조 비용의 감소를 제공한다. 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템은 유리하게, 기판들 상에 증착되는 층들의 개선된 품질, 예컨대, 순도 및/또는 균질성을 제공한다. 특히, 본원에 설명되는 바와 같은 제1 기판-핸들링 챔버를 제공함으로써, 하나 이상의 핸들링되는 기판들의 품질 및/또는 순도가 개선될 수 있다.
[0033] 더 구체적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 제1 기판-핸들링 챔버를 파티셔닝하는 분리부를 제공함으로써, 핸들링될 기판들의 품질 및/또는 순도가 유리하게 개선된다. 특히, 분리부는, 제1 기판-핸들링 챔버를, 본원에서 "2개의 별개의 서브-챔버들"의 구조로서 이해되는 제1 및 제2 서브-챔버로 분할한다.
[0034] "2개의 별개의 서브-챔버들"의 구조를 제공함으로써, 제1 서브-챔버는, 하나 이상의 기판들을 매우 광범위하게 전체적으로 아웃개싱하도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 외부 입자들(예컨대, 물 분자들)의 제거는, 제1 서브-챔버에서 매우 광범위하게 전체적으로 발생할 수 있다. 추가로, 제1 서브-챔버에서의 아웃개싱된 외부 입자들은, 제1 서브-챔버와 제2 서브-챔버 사이의 진공 펌프에 의해 설정되는 압력 구배(pressure gradient) 때문에, 유리하게, 제2 서브-챔버에 간섭하지 않을 수 있다.
[0035] 제2 서브-챔버는 하나 이상의 기판들을 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 제2 서브-챔버에서, 아웃개싱을 방지할 수 있거나 적어도 실질적으로 아웃개싱이 감소될 수 있으며, 더 상세하게는, 하나 이상의 기판들의 품질 및/또는 순도가 실질적으로 향상될 수 있다.
[0036] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 하나 이상의 진공 펌프들이 기술적 진공을 설정하기 위해 제1 기판-핸들링 챔버에 연결될 수 있다. 특정 실시예들에서, 하나 이상의 진공 펌프들은 오직 제1 서브-챔버에만 연결될 수 있고, 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버를 동시에 진공화(vacuuming)하도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 제2 서브-챔버는 어떠한 진공 펌프에도 연결되지 않을 수 있다.
[0037] 추가적인 실시예에서, 제1 서브-챔버는, 제2 서브-챔버에서 하나 이상의 기판들로부터 남아 있는 외부 입자들을 아웃개싱하도록 구성되는 오직 하나의 단일 진공 펌프에만 연결된다. 남아 있는 외부 입자들(예컨대, 물 분자들)은, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 그리고 기판 운반 방향에 대하여 제2 기판-핸들링 챔버의 업스트림에 배열되는 게이트 밸브를 통해서만 제2 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버로 이동할 수 있다. 다시 말해서, 이러한 외부 입자들은, 본원에 설명되는 바와 같은 분리부를 통과하여 제2 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버로 이동할 수는 없다.
[0038] 추가로, 제1 서브-챔버와 제2 서브-챔버 사이에 설정되는 차압은, 외부 입자들로 하여금 제2 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버로 이동하게 할 수 있다. 본원에 설명된 이러한 외부 입자들의 이러한 이동은, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 다운스트림에 그리고 기판 운반 방향에 대하여 제2 기판-핸들링 챔버의 업스트림에 배열되는 게이트 밸브가 개방일 때에만 발생할 수 있다. 제2 서브-챔버에서의 하나 이상의 기판들의 품질, 순도가 실질적으로 향상될 수 있다.
[0039] 추가로, 본원에 설명되는 바와 같은 제2 기판-핸들링 챔버를 제공하는 것은, 특히, 제1 기판-핸들링 구조의 "2개의 별개의 챔버들"의 구조를 고려할 때 유익할 수 있다. 제1 기판-핸들링 챔버 외부의, 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버 둘 모두에 대한 제2 핸들링 챔버의 특정 어레인지먼트(arrangement)는, 제1 트랙으로부터 제2 트랙으로의 하나 이상의 기판들의 운반을 가능하게 하면서 본원에 설명되는 바와 같은 "2개의 별개의 챔버들"의 구조를 보장할 수 있다.
[0040] 도 1을 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 트랙(101A1)은 제1 인-라인(in-line) 이송 및/또는 프로세싱 트랙일 수 있다. 추가로, 제2 트랙(101B1)은 제2 인-라인 이송 및/또는 프로세싱 트랙일 수 있다. 특히, 제1 트랙(101A1)은 제1 수직 이송 및/또는 프로세싱 트랙일 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제2 트랙은 제2 수직 이송 및/또는 프로세싱 트랙일 수 있다. 따라서, 유익하게는, 제1 기판-핸들링 챔버의 풋프린트, 더 일반적으로는, 전체로서 진공 프로세싱 시스템의 풋프린트가 감소될 수 있다.
[0041] 본 개시내용에서, "수직 이송 및/또는 프로세싱 트랙"은, 실질적으로 수직 배향(실질적으로 수직은 수직 +-15°로서 이해될 수 있음)으로 하나 이상의 기판들을 이송/프로세싱하도록 구성되는 것으로서 이해될 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "수직 방향" 또는 "수직 배향"과 같은 용어들은, "수평 방향" 또는 "수평 배향"과 구별하기 위한 것으로 이해된다.
[0042] 일부 실시예들에서, 하나 이상의 기판들은, 자기 부상 시스템을 포함할 수 있는 "이송 시스템"(도 1에 도시되지 않음)에 의해 이송될 수 있다. 예컨대, 자기 부상 시스템은, 하나 이상의 기판들의 중량의 적어도 일부가 자기 부상 시스템에 의해 지탱될 수 있도록 제공될 수 있다. 이어서, 하나 이상의 기판들은, 진공 프로세싱 시스템을 통해 제1 및/또는 제2 트랙들을 따라 본질적으로 무접촉으로 가이딩(guide)될 수 있다. 제1 및/또는 제2 트랙들을 따라 하나 이상의 기판들을 이동시키기 위한 드라이브가 제공될 수 있다.
[0043] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 기판-핸들링 챔버(102)는 하나 이상의 서브-챔버들 및/또는 하나 이상의 모듈들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 모듈들은, 트랙 전환 모듈, 이송 모듈 등으로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.
[0044] 특히, 제2 기판-핸들링 챔버(102)는, 하나 이상의 기판들을 제1 트랙(101A1)으로부터 제2 트랙(101B1)으로 운반하기 위한 트랙 전환 모듈(102A)을 포함할 수 있다. 실제로, 하나 이상의 기판들은, 제1 서브-챔버(101A)로 들어가고, 제1 트랙(101A1)을 따라 이동하고, 후속하여 제2 기판-핸들링 챔버(102)로 들어갈 수 있다. 트랙 전환 모듈(102A)에서, 하나 이상의 기판들은 유익하게, 제2 서브-챔버(101B)의 방향으로 추가로 이동하도록 "재-배향"될 수 있다. 후속하여, 하나 이상의 기판들은, 제2 기판-핸들링 챔버(102)를 빠져나오고, 제2 서브-챔버(101B)로 들어가고, 그리고 본원에 설명된 기판 운반 방향(D)을 따라, 제2 트랙(101B1)을 따라 추가로 이동할 수 있다. "재-배향된다"는 용어는 특히, 기판 운반 방향(D)을 따른 기판 운반 배향의 변경으로서 이해될 수 있다. 다시 말해서, 트랙 전환 모듈(102A)은, 기판 운반 방향(D)을 따라 기판 운반 배향을 변경할 수 있다. 하나 이상의 기판들은, 트랙 전환 모듈(101B1)을 빠져나갈 때, 트랙 전환 모듈(101B1)로 들어가기 전의 하나 이상의 기판들의 운반 배향과 반대일 수 있는 운반 배향을 갖는다.
[0045] 따라서, 본원에 설명되는 바와 같은 트랙 전환 모듈(102A)을 제공함으로써, 제1 트랙으로부터 제2 트랙으로의 운반은, 제1 기판-핸들링 챔버 외부의 제2 기판-핸들링 챔버에서 수행될 수 있다. 특히, 제1 기판-핸들링 챔버의 "2개의 별개의 서브-챔버들"의 구조가 유지될 수 있다.
[0046] 추가로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 트랙 전환 모듈은 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버에 연결될 수 있다.
[0047] 특히, 트랙 전환 모듈은, 하나 이상의 게이트 밸브들(도 1에 도시되지 않음)로 제1 서브-챔버에 연결될 수 있다. 하나 이상의 게이트 밸브들은 슬릿 밸브들 등일 수 있다. 하나 이상의 게이트 밸브들은 센서에 연결되고, 유익하게는, 하나 이상의 기판들의 원격 이송 및/또는 운반을 제공할 수 있다. 트랙 전환 모듈을 제1 서브-챔버와 연결하는 하나 이상의 게이트 밸브들은, 하나 이상의 기판들이 제1 서브-챔버로부터 제2 기판-핸들링 챔버로 이송될 때에만 개방될 수 있어서, 제2 서브-챔버에서의 외부 입자 오염이 실질적으로 방지된다. 특히, 제1 서브-챔버를 제2 기판-핸들링 챔버와 연결하는 게이트 밸브는 바람직하게는, 조정가능하게 개방 및 폐쇄될 수 있다.
[0048] 슬릿 밸브들은 하나 이상의 도어(door)들을 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 하나 이상의 도어들은 적어도 하나의 밀봉식 도어(sealed door)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 밀봉식 도어는 개방 또는 폐쇄될 수 있다. 개방 포지션으로부터 폐쇄 포지션으로 그리고 그 반대로의 전환은, 예컨대, 힌지(hinge)를 이용한 회전 운동을 통해 수행될 수 있다. 폐쇄 포지션에서, 적어도 하나의 밀봉식 도어는 유리하게, 제2 서브-챔버에서의 외부 입자 오염을 방지할 수 있다. 추가로, 폐쇄될 때, 적어도 하나의 밀봉식 도어는 유익하게, 진공 프로세싱 시스템에서의 차압의 설정 및/또는 유지를 가능하게 할 수 있다. 부가하여, 적어도 밀봉식 도어는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱 시스템 내의 하나의 영역으로부터 다른 하나의 영역으로 이송하기 위해 개방될 수 있다. 개방일 때, 적어도 밀봉식 도어의 밀봉은 제1 핸들링-챔버의 플랜지(flange)를 향해 이동할 수 있다.
[0049] 본원에 설명된 실시예들과 결합가능한 추가적인 실시예들에서, 하나 이상의 도어들은 적어도 하나의 슬라이딩(sliding) 도어를 포함할 수 있다. 특히, 적어도 하나의 슬라이딩 도어는, 기판 운반 방향에 대하여 횡방향으로 이동할 수 있다. 적어도 하나의 슬라이딩 도어의 횡방향 이동은 적절한 가이드에 의해 가능해질 수 있다.
[0050] 추가로, 트랙 전환 모듈은, 개방 연결을 통해 제2 서브-챔버와 연결될 수 있다.
[0051] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템(100)은 로딩/언로딩 챔버(도 1에 도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. "로딩/언로딩 챔버"라는 용어는 특히, 하나 이상의 기판들을 분위기(atmosphere)로부터 진공 프로세싱 시스템 내로 로딩하고 그리고 기판들을 프로세싱한 후에 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱 시스템으로부터 분위기로 다시 언로딩하기 위한 챔버로서 이해될 수 있다. 로딩/언로딩 챔버는 기판들을 아웃개싱하는 데 이미 사용되었을 수 있다.
[0052] 로딩/언로딩 챔버는 베르누이 홀더(Bernoulli holder) 등일 수 있다. 로딩/언로딩 챔버는, 클램프 오프너(clamp opener)들, 핀 어레이(pin array)들과 같은 부가적인 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이러한 부가적인 컴포넌트들은 유익하게, 하나 이상의 기판들을 들어 올리거나 하강시킬 수 있다. 추가로, 이러한 부가적인 컴포넌트들은 유리하게, 제1 및 제2 트랙들 및/또는 자기 부상 시스템과 함께 하나 이상의 기판들을 포지셔닝(position)할 수 있다. 특히, 이러한 부가적인 컴포넌트들은, 하나 이상의 기판들을, 제1 및 제2 트랙들 및/또는 자기 부상 시스템과 평행한 포지션으로 정렬시킬 수 있다.
[0053] 본원에 설명된 임의의 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 기판-핸들링 챔버는 로딩/언로딩 챔버를 포함할 수 있다. 특히, 제1 서브-챔버는 로딩 챔버를 포함할 수 있다. 추가로, 제2 서브-챔버는 언로딩 챔버를 포함할 수 있다. 더 구체적으로, 제1 서브-챔버는 로딩 챔버를 포함할 수 있는 한편 제2 서브-챔버는 언로딩 챔버를 포함할 수 있다.
[0054] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 실시예들에서, 진공 프로세싱 시스템은 외부 로딩/언로딩 챔버를 더 포함할 수 있다. 다시 말해서, 로딩/언로딩 챔버는, 제1 및 제2 기판-핸들링 챔버들 외부에, 그러나 여전히 진공 프로세싱 시스템 내에 배열된다.
[0055] 특히, 로딩/언로딩 챔버는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 업스트림에 배열될 수 있다. 추가로, 로딩/언로딩 챔버는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판 운반 방향에 대하여 제2 서브-챔버의 다운스트림에 배열될 수 있다. 더 구체적으로, 로딩/언로딩 챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 업스트림에 그리고 기판 운반 방향에 대하여 제2 서브-챔버의 다운스트림에 배열될 수 있다.
[0056] 특히, 로딩 서브-챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버의 업스트림에 배열될 수 있다. 추가로, 언로딩 서브-챔버는, 기판 운반 방향에 대하여 제2 서브-챔버의 다운스트림에 배열될 수 있다. 더 구체적으로, 기판 운반 방향에 대하여, 로딩 서브-챔버는 제1 서브-챔버의 업스트림에 배열되고 그리고 언로딩 서브-챔버는 제2 서브-챔버의 다운스트림에 배열된다.
[0057] 일반적으로, 본원에 설명되는 바와 같이 로딩/언로딩 챔버를 제공하는 것은 유리하게, 하나 이상의 기판들의 품질 및/또는 순도를 증가시킬 수 있다. 특히, 본원에 실시예들에서 설명되는 바와 같은 로딩 챔버는 유익하게, 제1 기판-핸들링 챔버에 들어가기 전에, 하나 이상의 기판들의 아웃개싱을 개선할 수 있다. 다시 말해서, 로딩 챔버는, 제1 보조 아웃개싱 챔버로서, 더 상세하게는, "사전-아웃개싱(pre-outgassing)" 챔버로 또한 칭해지는 예비 아웃개싱 챔버로서 사용될 수 있다.
[0058] 추가로, 본원에 실시예들에서 설명되는 바와 같은 언로딩 챔버는 유익하게, 제2 서브-챔버를 빠져나간 후에, 하나 이상의 프로세싱된 기판들의 품질 및/또는 순도를 개선할 수 있다. 언로딩 챔버는 유익하게, 제2 보조 아웃개싱 챔버로서, 더 상세하게는, "사후-아웃개싱(post-outgassing)" 챔버로 또한 칭해지는 마무리 아웃개싱 챔버로서 사용될 수 있다. 이러한 "사후-아웃개싱"은, 하나 이상의 기판들의 (특히, 층들의 특성들과 관련된) 원하는 특성들을 추가로 향상시킬 수 있다.
[0059] 또한, 본원에 설명된 실시예들에 따른 로딩/언로딩 챔버는 로딩/언로딩 챔버 분리부를 포함할 수 있다. 부가적으로, 로딩/언로딩 챔버 분리부는, 로딩/언로딩 챔버를 로딩 서브-챔버 및 언로딩 서브-챔버로 파티셔닝할 수 있다. 이러한 경우에, 로딩/언로딩 챔버 분리부는 유익하게는, 로딩/언로딩 챔버의 일 단부로부터 다른 하나의 단부로 연장된다. 다시 말해서, 본원에 설명된 바와 같은 하나 이상의 기판 운반 방향은 이러한 로딩/언로딩 챔버 분리부와 물리적으로 교차하지 않는다. 다시 말해서, 하나 이상의 기판들은 이러한 로딩/언로딩 챔버 분리부를 직접 통과할 수 없다.
[0060] 제1 기판-핸들링 챔버가 본원에 설명된 바와 같은 로딩/언로딩 챔버를 포함할 수 있는, 더 상세하게는, 로딩 및 언로딩 서브-챔버들이 제1 및 제2 서브-챔버들 내에 각각 위치될 수 있는 실시예들에서, 로딩/언로딩 챔버 분리부는 분리부(W)의 일부분일 수 있다. 다시 말해서, 분리부 및 로딩/언로딩 챔버 분리부는 단일 분리부일 수 있다.
[0061] 추가적인 실시예들에서, 로딩/언로딩 챔버는 제1 및 제2 기판-핸들링 챔버들 외부에 있을 수 있다. 이러한 경우에, 로딩/언로딩 챔버 분리부는 제1 기판-핸들링 챔버의 분리부와 상이할 수 있다. 다시 말해서, 로딩/언로딩 챔버 분리부는 제1 기판-핸들링 챔버의 분리부와 상이한 특성들을 가질 수 있다.
[0062] 또 다른 실시예에서, 로딩/언로딩 챔버 분리부는 제1 기판-핸들링 챔버 분리부의 연장일 수 있다. 다시 말해서, 로딩/언로딩 챔버 분리부 및 제1 기판-핸들링 챔버의 분리부는 단일 분리부이다.
[0063] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 로딩/언로딩 챔버는, 로딩/언로딩 시간을 모니터링하기 위한 그리고/또는 제1 기판-핸들링 챔버와의 연결을 위한 2개 이상의 게이트 밸브들을 포함할 수 있다. 이러한 게이트 밸브들은, 본원의 실시예들에서 설명된 바와 같은 슬릿 밸브들일 수 있다. 추가로, 게이트 밸브들은 유익하게, 기판 운반 방향을 따른 후속 챔버에서의 하나 이상의 기판들의 이송의 원격 모니터링을 제공할 수 있다. 원격 모니터링의 경우에, 게이트 밸브들은 임의의 타입의 센서들 등을 포함할 수 있다.
[0064] 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템은, 하나 이상의 기판들을 진공 코팅하기 위한 시스템일 수 있다. 특히, 제1 기판-핸들링 챔버는, 하나 이상의 기판들을 진공 코팅하기 위한 챔버일 수 있다. 더 상세하게는, 제2 서브-챔버가 코팅 챔버일 수 있다. "코팅 챔버"에 의해, 특히, 본원에 설명된 바와 같은 진공 챔버가 하나 이상의 증발 디바이스들(예컨대, 증발기들 등)을 더 포함한다는 것이 이해될 수 있다.
[0065] 추가적인 실시예들에서, 도 1에 예시된 바와 같은 진공 프로세싱 시스템은, 유리하게는, 디스플레이에 향상된 품질, 순도, 및/또는 실질적으로 감소된 제조 풋프린트를 제공하는 디스플레이 제조를 위한 시스템일 수 있다.
[0066] 도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 기판 운반 방향을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(200)은, 제1 기판-핸들링 챔버(201) 및 제2 기판-핸들링 챔버(202)를 포함한다. 제1 기판-핸들링 챔버(201)는 분리부(W)에 의해 제1 서브-챔버(201A) 및 제2 서브-챔버(201B)로 추가로 파티셔닝된다. 분리부(W)는, 제1 기판-핸들링 챔버(201)의 전체 길이에 걸쳐 연장된다. 제1 서브-챔버(201A)는, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하기 위한 제1 트랙(201A1)을 포함한다.
[0067] 또한, 제1 서브-챔버(201A)는, 진공 프로세싱 시스템에서 진공을 설정하는 데 유익하게 기여하고 그리고/또는 외부 입자들이 진공 프로세싱 시스템(200)으로부터 제거되게 하는 데 유리하게 기여하는 하나 이상의 흡입 배출구들(208)을 포함할 수 있다. 제2 서브-챔버(201B)에는 하나 이상의 흡입 배출구들이 배제될 수 있다. 다시 말해서, 진공 프로세싱 시스템(200)에서의 진공은, 오직 제1 서브-챔버(201A)의 흡입 배출구들(208)에 의해서만 설정될 수 있다.
[0068] 추가로, 제2 서브-챔버(201B)는, 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하기 위한 제2 트랙(201B1)을 포함한다. 부가적으로, 제2 서브-챔버(201B)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(201A)의 다운스트림에 배열된다. 추가로, 제2 서브-챔버는 제1 증발기(207)를 포함한다.
[0069] 도 2에 도시된 바와 같이, 진공 프로세싱 시스템은 제2 기판-핸들링 챔버(202)를 더 포함한다. 제2 기판-핸들링 챔버(202)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(101A)의 다운스트림에 배열된다. 제2 기판-핸들링 챔버(202)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제2 서브-챔버(201B)의 업스트림에 배열된다. 특히, 제2 기판-핸들링 챔버(202)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여, 제1 서브-챔버(201A)의 다운스트림에 그리고 제2 서브-챔버(201B)의 업스트림에 배열된다.
[0070] 도 2에 예시된 바와 같이, 진공 프로세싱 시스템(200)은 로딩/언로딩 챔버(204)를 더 포함한다. 로딩/언로딩 챔버(204)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림에 배열된다. 부가적으로, 로딩/언로딩 챔버(204)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림에 배열된다. 특히, 로딩/언로딩 챔버(204)는, 기판 운반 방향에 대하여 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림에 그리고 기판 운반 방향(D)에 대하여 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림에 배열된다.
[0071] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 제2 기판-핸들링 챔버(202)는 트랙 전환 모듈(202A)을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 트랙 전환 모듈(202A)은 유리하게, 제1 트랙(201A1)으로부터 제2 트랙(201B1)으로의 하나 이상의 기판들의 운반을 가능하게 할 수 있다. 추가로, 트랙 전환 모듈(202A)은, 게이트 밸브(205)로 제1 서브-챔버(201)에 연결될 수 있다. 이러한 경우에, 게이트 밸브(205)는 유익하게, 제1 서브-챔버(201A)로부터 제2 기판-핸들링 챔버(202)로의 하나 이상의 기판들의 이송, 및/또는 하나 이상의 기판들이 제1 서브-챔버(201A) 내에 유지되는 시간을 모니터링할 수 있다. 부가적으로, 트랙 전환 모듈(202A)은, 개방 연결(206)로 제2 서브-챔버(201B)에 연결될 수 있다. 개방 연결(206)은 유리하게, 트랙 전환 모듈(202A)로부터 제2 서브-챔버(201B)로의 하나 이상의 기판들의 이송을 모니터링할 수 있다. 게이트 밸브(205)는, 하나 이상의 기판들을 제1 서브-챔버로부터 제2 기판-핸들링 챔버로 이송할 때에만 개방 연결(206)과 동시에 개방될 수 있어서, 제1 서브-챔버로부터 제2 서브-챔버로의 아웃개싱된 외부 입자 오염이 실질적으로 방지된다.
[0072] 추가로, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같은 로딩/언로딩 챔버(204)는, 로딩/언로딩 챔버 분리부(W')에 의해 로딩 서브-챔버(204A) 및 언로딩 서브-챔버(204B)로 파티셔닝될 수 있다. 부가적으로, 로딩 서브-챔버(204A)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림에 배열될 수 있다. 추가로, 언로딩 서브-챔버(204B)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림에 배열될 수 있다. 특히, 로딩 서브-챔버(204A) 및 언로딩 서브-챔버(204B)는, 기판 운반 방향(D)에 대하여, 각각, 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림에 그리고 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림에 배열될 수 있다. 또한, 로딩/언로딩 챔버(204)는, 적어도 2개의 게이트 밸브들(205)로 제1 기판-핸들링 챔버(201)에 연결될 수 있다. 적어도 2개의 게이트 밸브들(205)은 유리하게, 하나 이상의 기판들의 로딩/언로딩 시간 및/또는 이송을 모니터링할 수 있다.
[0073] 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따르면, 하나 이상의 진공 펌프들(도 2에 도시되지 않음)이 기술적 진공을 생성하기 위해 진공 프로세싱 시스템에 연결될 수 있다. 특정 실시예들에서, 제1 서브-챔버가 하나 이상의 진공 펌프들에 연결되어, 하나 이상의 기판들을 유익하게 아웃개싱하기 위해 본원에 설명된 바와 같은 기술적 진공이 제공될 수 있다.
[0074] 더 구체적으로, 하나 이상의 진공 펌프들(도 2에 도시되지 않음)이 제1 서브-챔버에만 연결될 수 있으며, 제1 서브-챔버 및 제2 서브-챔버 내에 기술적 진공을 설정하도록 구성된다. 이러한 경우에, "기술적 진공"은, 제1 서브-챔버와 제2 서브-챔버 사이의 압력의 구배로서 이해될 수 있다. 특히, 제1 서브-챔버 내의 압력은 제2 서브-챔버 내의 압력보다 낮을 수 있다. 또한, 분리부는 유리하게, 외부 입자들(예컨대, 물 분자들)에 불투과성이도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 분리부는, 외부 분자들이 제1 기판-핸들링 챔버 내에서 제2 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버 내로 가는 것을 방지할 수 있다.
[0075] 특정 실시예들에서, 진공은 유리하게, 제1 서브-챔버에 연결된 단일 진공 펌프에 의해 설정될 수 있다. 남아 있는 외부 입자들(예컨대, 물 분자들)은 제2 챔버에서 하나 이상의 기판들로부터 아웃개싱될 수 있으며, 후속하여 및/또는 동시에, 본원에 설명된 바와 같은 진공 구배 때문에 제2 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버로 이송될 수 있다. 종래 기술의 종래의 시스템들과는 대조적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 분리부를 도입함으로써 진공 펌프들의 개수를 감소시키는 것은, 진공 프로세싱 시스템의 풋프린트를 적어도 실질적으로 감소시킬 수 있다.
[0076] 더 구체적으로, 진공 프로세싱 시스템(200)은, 본원에 설명된 진공 프로세싱 시스템(100)의 이익들/이점들과 동일한 이익들/이점들을 제공한다.
[0077] 도 3은, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하도록 추가적으로 구성될 수 있는 제2 기판-핸들링 챔버(302)를 포함하는, 도 2의 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템(300)의 개략적인 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 제2 기판-핸들링 챔버는, 제2 기판-핸들링 챔버 내에 포함되는, 기판 운반 방향의 전체 부분을 따라, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 제2 기판-핸들링 챔버는, 제2 기판-핸들링 챔버 내에 포함되는, 기판 운반 방향의 오직 일부분을 따라서만, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하도록 구성될 수 있다.
[0078] 도 3에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제2 기판-핸들링 챔버(302)는 특히, 기판 운반 방향(D)에 대하여 트랙 전환 모듈(202A)의 다운스트림에서 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 부가하여, 제2 기판-핸들링 챔버(302)는 제2 증발기(308)를 포함할 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 진공 프로세싱 시스템은, 제2 기판-핸들링 챔버 내에 배열되는 단일 증발기를 포함할 수 있다.
[0079] 도 4는 본원에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에 따라 진공 프로세싱 시스템(100, 200)을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법(400)의 흐름도를 도시한다. 방법은, 하나 이상의 기판들을, a) 제1 서브-챔버(101A, 201A)에서 아웃개싱하는 단계(401), b) 제2 기판-핸들링 챔버(102, 202)에서 운반하는 단계(402), 및 c) 제2 서브-챔버(101B, 201B)에서 프로세싱하는 단계(403)를 포함할 수 있다.
[0080] 도 5에 도시된 흐름도를 예시적으로 참조하면, 방법(500)은, 아웃개싱하는 단계(502) 전에 하나 이상의 기판들을 로딩하는 단계(501)를 더 포함할 수 있다. 부가적으로, 방법(500)은, 프로세싱하는 단계(504)에 후속하여 하나 이상의 기판들을 언로딩하는 단계(505)를 더 포함할 수 있다. 로딩하는 단계(501) 및 언로딩하는 단계(505)는, 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 로딩/언로딩 챔버에서 동작될 수 있다.
[0081] 특히, 방법(500)은, 하나 이상의 기판들을, 로딩하는 단계(501), 아웃개싱하는 단계(502), 운반하는 단계(503), 프로세싱하는 단계(504), 및 언로딩하는 단계(505)를 포함할 수 있다. 로딩하는 단계(501) 및 언로딩하는 단계(505)는, 본원에 설명된 바와 같은 로딩 서브-챔버 및 언로딩 서브-챔버에서 각각 수행될 수 있다.
[0082] 추가로, 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따르면, 방법은, 하나 이상의 기판들을 이송하는 단계를 한 번 이상 더 포함할 수 있다. 특히, 방법은, 하나 이상의 기판들을, 로딩하는 단계, 이송하는 단계, 탈착하는 단계, 운반하는 단계, 프로세싱하는 단계, 이송하는 단계, 및 언로딩하는 단계를 포함할 수 있다. 이송하는 단계는, 본원에 설명된 바와 같은 제1 및/또는 제2 서브-챔버들 내에서 수행될 수 있다.
[0083] 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따르면, 하나 이상의 기판들은 로딩 서브-챔버에서 로딩될 수 있다. 하나 이상의 기판들 각각에 대한 로딩 시간은 기판 사이즈에 의존할 수 있다. 일부 실시예들에서, 로딩 시간은 7 초 내지 10 초의 범위 내에 있을 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 로딩 시간은 6 초 미만일 수 있다. 특정 실시예들에서, 기판 당 로딩 시간은 실질적으로 6 초와 동일할 수 있다.
[0084] 후속하여, 하나 이상의 기판들은 제1 서브-챔버에서 이송될 수 있다. 아웃개싱은, 하나 이상의 기판들이 제1 서브-챔버에서 제1 트랙을 따라 이동하는 동안 발생할 수 있다. 이미 전술된 바와 같이, 아웃개싱은 유리하게, 제1 서브-챔버에 기술적 진공을 설정하기 위해 단일 진공 펌프를 사용하여 수행될 수 있다. 부가적으로, 아웃개싱을 위해 적용되는 압력은 5 × 103 Pa 미만일 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 아웃개싱 압력은 실질적으로 5 × 102 Pa와 동일할 수 있다.
[0085] 로딩 시간에 도달할 때, 하나 이상의 기판들은 후속하여 제2 기판-핸들링 챔버로 이송될 수 있다. 제2 기판-핸들링 챔버에서, 하나 이상의 기판들은 트랙 전환 모듈에 도달할 때까지 이동할 수 있다. 하나 이상의 기판들은 유익하게, 제2 서브-챔버의 방향으로 추가로 이동하도록 "재-배향"될 수 있다. 다시 말해서, 트랙 전환 모듈은, 기판 운반 방향(D)을 따라 하나 이상의 기판들의 배향을 변경할 수 있다. 하나 이상의 기판들은, 트랙 전환 모듈을 빠져나갈 때, 트랙 전환 모듈로 들어가기 전의 하나 이상의 기판들의 배향과 반대일 수 있는 기판 운반 배향을 따른 방향을 갖는다.
[0086] 일부 실시예들에서, 프로세싱은 오직 제2 서브-챔버에서만 수행될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 프로세싱은 제2 서브-챔버 및 제2 기판-핸들링 챔버에서 수행될 수 있다.
[0087] 후속하여, 하나 이상의 기판들은 제2 서브-챔버로 들어가도록 이송될 수 있다. 프로세싱은, 하나 이상의 기판들이 언로딩 서브-챔버의 방향으로 제2 트랙을 따라 이동하는 동안 발생할 수 있다.
[0088] 일단 프로세싱이 완료되면, 하나 이상의 기판들은 제2 서브-챔버를 빠져나가도록 이송될 수 있으며, 후속하여, 언로딩 서브-챔버 내로 들어갈 수 있다. 하나 이상의 기판들 각각에 대한 언로딩 시간은 기판 사이즈에 의존할 수 있다. 일부 실시예들에서, 언로딩 시간은 7 초 내지 10 초의 범위 내에 있을 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 언로딩 시간은 6 초 미만일 수 있다. 특정 실시예들에서, 기판 당 언로딩 시간은 실질적으로 6 초와 동일할 수 있다.
[0089] 본원에 설명되는 바와 같은 방법의 실시예들에서, 하나 이상의 기판들을, 로딩 서브-챔버로부터 제1 서브-챔버로, 제1 서브-챔버로부터 제2 기판-핸들링 챔버로, 트랙 전환 모듈로부터 제2 서브-챔버로, 그리고 제2 서브-챔버로부터 언로딩 서브-챔버로 이송하는 것은, 수동 게이트 밸브들에 의해 모니터링될 수 있고 그리고/또는 유리하게는, 임의의 타입들의 센서들 등을 포함하는 게이트 밸브들에 의해 원격으로 모니터링될 수 있다.
[0090] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 로딩 시간, 언로딩 시간, 아웃개싱 시간, 및/또는 프로세싱 시간은, 자동적으로 드라이빙되는 게이트 밸브들에 의해 조정될 수 있고 그리고/또는 유리하게는, 임의의 타입들의 센서들 등을 포함하는 게이트 밸브들에 의해 원격으로 조정될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 게이트 밸브들은 자기 부상 등에 의해 드라이빙될 수 있다.
[0091] 더 구체적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 임의의 진공 프로세싱 시스템을 동작시키는 본원에 설명되는 바와 같은 방법을 제공하는 것은, 유리하게, 하나 이상의 기판들의 품질 및/또는 순도를 향상시키고 그리고/또는 제조 풋프린트를 감소시킬 수 있다.
[0092] 추가로, 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 방법은 디스플레이 제조를 위해 수행될 수 있다. 특히, 본원에 설명된 방법은, OLED, PMOLED, AMOLED, 및 TFT로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 디스플레이를 제조하기 위해 수행될 수 있다.
[0093] 또한, 본원에 설명된 방법은, 하나 이상의 기판들을 진공 코팅하기 위해 수행될 수 있다.
[0094] 본 개시내용의 더 추가적인 양상에 따르면, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 하나 이상의 압력 조절기들, 하나 이상의 밸브들, 최종적으로는 압축기, 하나 이상의 질량 유동 제어기들, 및 하나 이상의 프로포셔닝 밸브(proportioning valve)들을 더 포함할 수 있다. 본 개시내용의 더 추가적인 양상에 따르면, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 결합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다.
[0095] 전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
[0096] 특히, 이러한 기재된 설명은, 최상의 모드(best mode)를 포함하는 본 개시내용을 개시하기 위해, 그리고 또한, 임의의 당업자로 하여금 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 제조하고 사용하고 그리고 임의의 포함된 방법들을 수행하는 것을 비롯하여 설명된 청구대상을 실시할 수 있도록 하기 위해, 예들을 사용한다. 전술한 내용에서 다양한 특정 실시예들이 개시되었지만, 위에서 설명된 실시예들의 상호 비-배타적인 특징들은 서로 결합될 수 있다. 특허가능한 범위는 청구항들에 의해 정의되며, 그리고 다른 예들은, 이들이 청구항들의 문언과 상이하지 않은 구조적 엘리먼트들을 갖는 경우 또는 이들이 청구항들의 문언과 실질적으로 차이들이 없는 등가의 구조적 엘리먼트들을 포함하는 경우, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (15)

  1. 기판 운반 방향(D)을 따라 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(100, 200, 300)으로서,
    - 제1 기판-핸들링(substrate-handling) 챔버(101, 201);
    - 분리부(separation)(W) ― 상기 분리부(W)는 상기 제1 기판-핸들링 챔버(101, 201)를,
    · 제1 트랙(101A1, 201A1)을 포함하는 제1 서브-챔버(101A, 201A), 및
    · 제2 트랙(101B1, 201B1)을 포함하는 제2 서브-챔버(101B, 201B)
    로 파티셔닝하고,
    상기 제2 서브-챔버(101B, 201B)는, 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제1 서브-챔버(101A, 201A)의 다운스트림(downstream)에 배열되고,
    상기 분리부(W)는, 상기 제1 기판-핸들링 챔버(101, 201)의 전체 길이에 걸쳐 연장됨 ―; 및
    - 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제1 서브-챔버(101A, 201A)의 다운스트림에 그리고 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제2 서브-챔버(101B, 201B)의 업스트림(upstream)에 배열되는 제2 기판-핸들링 챔버(102, 202)를 포함하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브-챔버(101A, 201A)는 상기 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하도록 구성되고 그리고 상기 제2 서브-챔버(101B, 201B)는 상기 하나 이상의 기판들을 이송 및/또는 프로세싱하도록 구성되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판-핸들링 챔버(102, 202)는, 상기 하나 이상의 기판들을 상기 제1 트랙(101A1, 201A1)으로부터 상기 제2 트랙(101B1, 201B1)으로 운반하기 위한 트랙 전환 모듈(switching track module)(202A)을 포함하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 트랙 전환 모듈(202A)은, 하나 이상의 게이트 밸브들(205)로 상기 제1 서브-챔버(201A)에 연결되고 그리고 하나 이상의 개방 연결들(206)로 상기 제2 서브-챔버(201B)에 연결되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 기판-핸들링 챔버(202)는 상기 하나 이상의 기판들의 운반 배향을 변경하도록 구성되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    로딩/언로딩 챔버(204)를 더 포함하며,
    상기 로딩/언로딩 챔버(204)는,
    - 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림; 및
    - 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림
    에 배열되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 로딩/언로딩 챔버(204)는 로딩/언로딩 챔버 분리부(W')를 포함하며,
    상기 로딩/언로딩 챔버 분리부(W')는 상기 로딩/언로딩 챔버(204)를,
    - 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제1 서브-챔버(201A)의 업스트림에 배열되는 로딩 서브-챔버(204A); 및
    - 상기 기판 운반 방향(D)에 대하여 상기 제2 서브-챔버(201B)의 다운스트림에 배열되는 언로딩 서브-챔버(204B)
    로 파티셔닝하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 로딩/언로딩 챔버 분리부(W')는 상기 분리부(W)의 일부분인, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 로딩 서브-챔버(204A) 및 상기 언로딩 서브-챔버(204B)는 각각 하나 이상의 게이트 밸브들(205)로 상기 제1 기판-핸들링 챔버(201)에 연결되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 서브-챔버(201B)는 적어도 하나의 증발기(207)를 포함하는 코팅 챔버인, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    오직 상기 제1 서브-챔버(201A)에만 연결되고 그리고 상기 제1 서브-챔버(201A) 및 상기 제2 서브-챔버(201B)를 동시에 진공화(vacuuming)하도록 구성되는 하나 이상의 진공 펌프들을 더 포함하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 진공 프로세싱 시스템(100, 200, 300)을 동작시키는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법(400)으로서,
    a) 제1 서브-챔버(101A, 201A)에서 하나 이상의 기판들을 아웃개싱(outgas)하는 단계(401);
    b) 제2 기판-핸들링 챔버(102, 202, 302)에서 상기 하나 이상의 기판들을 운반하는 단계(402); 및
    c) 제2 서브-챔버(101B, 201B)에서 상기 하나 이상의 기판들을 프로세싱하는 단계(403)를 포함하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    후속하는 시퀀스에서,
    a) 상기 제1 서브-챔버(101A, 201A)에서 상기 하나 이상의 기판들을 아웃개싱하는 단계(401);
    b) 상기 제2 기판-핸들링 챔버(102, 202, 302)에서 상기 하나 이상의 기판들을 운반하는 단계(402); 및
    c) 상기 제2 서브-챔버(101B, 201B)에서 상기 하나 이상의 기판들을 프로세싱하는 단계(403)
    를 포함하는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 프로세싱하는 단계(403)는, 상기 제2 기판-핸들링 챔버(302)에서 그리고 그에 후속하여 상기 제2 서브-챔버(201B)에서 수행되는, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, LCD, OLED, PMOLED, AMOLED, 및 TFT로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 디스플레이를 제조하기 위한 것인, 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 방법.
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