KR20130087604A - 성막 장치 - Google Patents

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Abstract

성막 장치로서, L/UL실과, L/UL실에 연통하는 H실과, H실에 연통하면서 독립적인 제1 공간과 제2 공간으로 구분된 SP실과, 제1 공간 및 제2 공간에 각각 배치된 성막 유닛과, L/UL실, H실, 제1 공간 및 제2 공간에 독립적으로 설치되어 이들의 내부를 각각 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치와, L/UL실 및 H실을 관통하고, 제1 공간 및 제2 공간에 배치된 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 4개의 선로와, 피처리체를 왕로 또는 귀로를 따라 운반하는 반송 장치와, 제1 공간 및 제2 공간의 내부에서 반송 장치를 왕로에서 귀로로 옮기는 이동 기구를 구비한다.

Description

성막 장치{Deposition apparatus}
본 발명은 인라인식의 성막 장치에 관한 것으로, 특히 기판의 반송 시스템을 개량하여 공간 절약화를 도모함과 동시에 생산 효율을 향상시킨 성막 장치에 관한 것이다.
본원은 2011년 4월 11일에 일본 출원된 특원 2011-087583호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
예를 들면, 플라즈마 디스플레이나 액정 디스플레이에 이용되는 대형 유리 기판을 가공하는 데는, 진공 하에서 원하는 온도까지 승온시키는 가열 공정이나, 스퍼터링, CVD 또는 에칭 등의 가공 수단으로 복수층을 성막하는 여러 가지 성막 공정이 필요하다.
종래부터 여러 가지 성막 장치가 실용으로 제공되어 있다. 기판을 수평 상태로 성막하는 성막 장치에서는, 기판이 대형화되면, 이에 따라 장치도 대형화되는 문제를 구비하고 있다. 그 때문에, 최근에는 기판을 대략 직립시켜 성막 등을 행하는 세로형 방식의 성막 장치가 개발되어 있다.
도 5는 종래의 성막 장치의 기본 구성을 도시한 도면이다.
종래의 성막 장치(100)는 기판 착탈실(120), 1선로(라인) 상에 연결된 제1 내지 제3의 3개의 진공 처리실(가열실이나 성막실을 가리킴)(200, 220, 240), 기판 트레이를 대기측과 진공 처리실(200, 220, 240) 간에 반송하는 L/UL(Load/Unload: 사입/취출)실(140)을 구비한다.
또한, L/UL실(140) 내 및 각 진공 처리실(200, 220, 240) 내에는, 제1 반송 경로(왕로)(160)와 제2 반송 경로(180)(귀로)의 2개의 반송 경로(160, 180)가 설치되어 있다. 제1 반송 경로(160)는, 기판 트레이가 L/UL실(140)에서 각 진공 처리실(200, 220, 240)로 반송되는 왕로가 된다. 제2 반송 경로(180)는, 기판 트레이가 각 진공 처리실(200, 220, 240)로부터 가열실을 거쳐 L/UL실(140)로 반송되는 귀로가 된다.
또, 성막 장치(100)의 가장 뒷부분의 제3 진공 처리실(240)은, 기판 트레이를 제1 반송 경로(왕로)(160)에서 제2 반송 경로(귀로)(180)로 2개의 반송 경로(160, 180)에 대해 가로방향으로 이동시켜 이동 탑재하는 이동 탑재 기구(도시생략)를 구비하고 있다. 이 이동 탑재 기구는, 제1 반송 경로(160) 상의 기판 트레이를 일단 들어올리고 제2 반송 경로(180)로 이동 탑재하는 기구를 갖고 있다.
또, L/UL실(140)에는 진공 배기 장치(300)가 장착되어 있다. 가열실에는 가열 장치 및 진공 배기 장치(300)가 장착되어 있다. 각 진공 처리실(200, 220, 240)에는, 스퍼터링 장치 등의 성막 유닛(210, 230, 250) 및 진공 배기 장치(300)가 각각 장착되어 있다.
이러한 종래의 성막 장치(100)의 기본 동작에 대해 설명한다.
기판 착탈실(120)에서 기판 트레이에 기판을 올려놓으면, 이 기판 트레이는 L/UL실(140)로 반송되고, 이 L/UL실(140)이 진공 배기되어 고진공화된 후에, 진공 처리실(200) 내에 마련되어 있는 왕로가 되는 제1 반송 경로(160)로 반송된다.
기판 트레이(기판 캐리어)는 제1 반송 경로(160)로 반송되면서, 진공 처리실(200, 220, 240)에서 놓인 기판이 가열이나 성막 등의 진공 처리가 이루어진다.
진공 처리실(240)에서 기판이 진공 처리된 후, 기판 트레이는 귀로가 되는 제2 반송 경로(180)에 도시하지 않은 이동 탑재 기구에 의해 이동 탑재되고, 진공 처리실(200, 220, 240)에서 각각 성막 등의 진공 처리가 이루어진다. 기판 트레이는, 진공 처리된 기판을 올려놓은 상태로 L/UL실(140)을 거쳐 기판 착탈실(120)에서 기판이 분리된다.
그런데, 일반적으로 L/UL실에서는 기판 캐리어의 반송 이외에 진공 배기와 대기압 개방이 행해진다. 따라서, 진공 처리 장치의 택트는 이 L/UL실의 배기, 벤트 시간에 의해 영향을 받는다.
그러나, 종래의 성막 장치에서는, L/UL실의 기판 교체구에는 기판 트레이가 단수밖에 배치되지 않았다. 따라서, 기판 착탈부에서 기판 트레이가 미처리 기판의 안착 또는 처리 기판의 분리를 행하고 있는 동안에 L/UL실에서는 기판의 사입이나 취출을 행할 수 없는 체류 시간이 길어지고, 택트에 악영향이 생겨 기판의 진공 처리 효율이 저하되는 문제를 구비하고 있다.
또한, 인라인식의 성막 장치에서는, 기판을 보유지지한 기판 트레이는 연속 설치된 진공실 안을 일렬로 반송되어 있다. 따라서, 종래예의 장치에 의해 생산량 즉 진공 처리량을 증대시키는 데는, 기판 트레이의 반송 속도를 높이거나 장치를 증설하는 것을 요구한다. 그러나, 통상 기판 트레이는 가능한 범위의 높은 속도로 반송되고 있으므로, 반송 속도를 더 높이는 것은 어렵다. 따라서, 남은 수단은 장치의 증설인데, 장치의 증설은 비례적으로 장치 비용을 증대시키는 것 외에 장치의 점유 면적도 그것에 따라 증대하는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 일본특허공개 2005-340425호 공보
본 발명은 이러한 종래의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 공간 절약화를 도모함과 동시에 기판의 반송 시스템을 개량하여 생산성을 향상시킨 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 태양에 관한 성막 장치는, L/UL실과, 상기 L/UL실에 연통하는 H실과, 상기 H실에 연통하면서 독립적인 제1 공간과 제2 공간으로 구분된 SP실과, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 각각 배치된 성막 유닛과, 상기 L/UL실, 상기 H실, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 독립적으로 설치되어 이들의 내부를 각각 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치와, 상기 L/UL실 및 상기 H실을 관통하고, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 배치된 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 4개의 선로와, 피처리체를 상기 왕로를 따라 상기 L/UL실로부터 상기 H실을 통과하여 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로 각각 운반하고, 상기 귀로를 따라 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로부터 상기 H실을 통과하여 상기 L/UL실로 상기 피처리체를 운반하는 반송 장치와, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부에서 상기 반송 장치를 상기 왕로에서 상기 귀로로 옮기는 이동 기구를 구비해도 된다.
본 발명의 제2 태양에 관한 성막 장치는, 상기 제1 태양에 있어서, 상기 L/UL실은 2개의 도어 밸브를 개재하여 RT기구에 접속되어 있고, 상기 RT기구는 제1 RT기구, 제2 RT기구, 제3 RT기구를 구비하며, 상기 제3 RT기구와 상기 제1 RT기구의 사이에서는 상기 제1 공간으로 반송하는 피처리체를 처리하고, 상기 제3 RT기구와 상기 제2 RT기구의 사이에서는 상기 제2 공간으로 반송하는 피처리체를 처리해도 된다.
본 발명의 제3 태양에 관한 성막 장치는, 상기 제1 또는 제2 태양에 있어서, 상기 반송 장치는 상기 피처리체를 세로형으로 반송해도 된다.
본 발명의 제4 태양에 관한 성막 장치는, 상기 제1 내지 제3 태양 중 어느 하나에 있어서, 상기 성막 유닛이 스퍼터용 캐소드이어도 된다.
본 발명의 제5 태양에 관한 성막 장치는, 상기 제1 내지 제3 태양 중 어느 하나에 있어서, 상기 성막 유닛이 CVD용 평행 평판형 전극이어도 된다.
본 발명의 제6 태양에 관한 성막 장치는, 상기 제1 내지 제5 태양 중 어느 하나에 있어서, 상기 반송 장치는 그 하부에 원주형상의 슬라이드 샤프트를 구비하고, 상기 선로는 상기 반송 장치를 유도하는 U자 형상의 홈을 구비한 복수의 롤러이며, 상기 슬라이드 샤프트 또는 롤러 중 한쪽의 적어도 접촉부가 실리콘, 알루미늄, 산소 및 질소를 포함한 벌크체로 구성되고, 상기 슬라이드 샤프트 또는 롤러 중 다른 쪽의 적어도 접촉부가 스테인레스강으로 구성되어도 된다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 공간 절약화를 도모함과 동시에 기판의 반송 시스템을 개량하여 생산성을 향상시킨 성막 장치를 제공하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 성막 장치의 일 구성예를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 기판이 탑재되는 트레이의 일례를 도시한 사시도이다.
도 3은 트레이의 하부 지지 기구의 일례를 도시한 사시도이다.
도 4는 트레이의 상부 지지 기구의 일례를 도시한 단면도이다.
도 5는 종래의 성막 장치의 일 구성예를 모식적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 성막 장치의 일 구성예를 모식적으로 도시한 단면도로서, 성막 장치를 위쪽에서 본 도면이다. 도 1에서, 지면 깊이 방향이 중력 방향이다. 도 1에 도시된 성막 장치에서는, 기판(피처리체)을 장착한 트레이가 세운 상태(기판의 피처리면이 중력 방향에 평행하게 된 상태)로 반송된다. 따라서, 도 1의 성막 장치(1)는 세로형 반송 방식의 장치이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)는 L/UL실(Load/Unload: 사입/취출실)(10), H실(가열실)(20), SP실(스퍼터법을 이용한 성막실)(30)이 차례대로 배치되어 이루어진다. 또한, L/UL실(10)의 앞에는, POS기구(트레이에 장착/트레이로부터 탈착되는 기판(피처리체)의 착탈실)(40)와 RT기구(회전 모드를 구비한 트레이의 이동 기구)(50)가 배치되어 있다.
각 실 사이는 병렬로 배치된 2개의 도어 밸브를 개재하여 연통되어 있다. RT기구(50)와 L/UL실(10)의 사이에는 2개의 도어 밸브(61)가 설치되어 있다. 마찬가지로, L/UL실(10)과 가열실(20)의 사이에는 2개의 도어 밸브(62)가 설치되어 있다. 가열실(20)과 성막실(30)의 사이에는 2개의 도어 밸브(63)가 설치되어 있다.
성막실(30)은, 독립적인 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)으로 구분된다. 이와 함께, L/UL실(10), 가열실(20) 및 성막실(30)의 상기 제1 공간(30A) 및 제2 공간(30B)의 내부를 각각 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치(12, 22,32(32A, 32B))가 각각 독립적으로 설치되어 있다. 즉, 성막실(30)을 구성하는 독립적인 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)에는, 각각의 공간 안을 전속으로 배기 가능한 진공 배기 장치(32A, 32B)가 개별로 설치되어 있다.
L/UL실(10)은, 대기압에 개방된 상태로 RT기구(50)와의 사이에서 트레이(70)의 사입(반입)과 취출(반출)을 행한다. L/UL실(10)에는, 그 내부를 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치(12)가 설치되어 있다. L/UL실(10)은, 그 중앙부에 격벽(11)이 배치되어 있다. 이에 의해, L/UL실(10)의 실내가 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)으로 구분되어 있다. 제1 공간(10A)은, 성막실(30)의 제1 공간(30A)으로 반송하는 기판(피처리체)(2)을 취급한다. 제2 공간(10B)은, 성막실(30)의 제2 공간(30B)으로 반송하는 기판(피처리체)(2)을 취급한다.
도 1은, 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)이 격벽(11)에 의해 완전히 구획되고 서로 독립적인 공간은 되지 않고 서로 일부 연통한 구성예를 나타내고 있다. 그러나, 도시하지 않았지만, 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)은 반드시 서로 연통한 공간일 필요는 없고, 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)이 서로 독립적인 공간을 이루도록 격벽(11)을 설치해도 된다. 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)이 연통한 구성의 경우에는 진공 배기 장치가 최소 하나 있으면 되기 때문에, 저비용의 시스템을 구축할 수 있다.
상술한 구성 대신에 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)을 독립적인 공간으로 한 구성의 경우는, 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)에 개별로 진공 배기 장치를 설치해도 된다. 그러나, 제1 공간(10A)과 제2 공간(10B)의 각 배기 시간대를 처리 택트 시간에 따라 전환하는 기구를 갖게 함으로써, 진공 배기 장치를 하나로 하는 것도 가능하다. 또, 진공 처리와 유지보수 등의 작업을 별개로 행할 수 있는 장점이 있기 때문에, 서로 독립적인 공간으로 하는 구성이어도 된다.
L/UL실(10)은, 2개의 도어 밸브(61)를 개재하여 상기 L/UL실(10)의 앞(전단)에 배치된 RT기구(50) 및 POS기구(40)에 접속되어 있다.
도어 밸브(61)의 한쪽은, 제1 POS기구(40A) 및 제1 RT기구(51A)를 경유하는 트레이(70A(70))를 L/UL실(10)로 반입출시키는 경우에 이용한다. 도어 밸브(61)의 다른 쪽은, 제2 POS기구(40B) 및 제2 RT기구(51B)를 경유하는 트레이(70B(7O))를 L/UL실(10)로 반입출시키는 경우에 이용한다.
POS기구(40)는 제1 POS기구(40A)와 제2 POS기구(40B)로 구성되고, 외부로부터 운반되어 온 기판(피처리체)(2)을 트레이(70)에 장착함과 동시에, 처리 완료한 기판(2)을 트레이(70)로부터 분리하여 외부로 운반한다.
상기 RT기구(50)는 제1 RT기구(51A), 제2 RT기구(51B), 제3 RT기구(51C)로 구성되고, POS기구(4O)에 있어서 트레이(70)에 장착된 기판(2)을 L/UL실(10)로 반송함과 동시에, L/UL실(10)에서 언로드된 처리 완료한 트레이(70)를 POS기구(40)로 반송한다.
제1 POS기구(40A) 및 제1 RT기구(51A)에서는, L/UL실(10)의 제1 공간(10A)으로 반송하는 기판(2)을 취급한다. 제2 POS기구(40B) 및 제2 RT기구(51B)에서는, L/UL실(10)의 제2 공간(10B)으로 반송하는 기판(2)을 취급한다.
L/UL실(10)에서는 RT기구(50)로부터 트레이(70)가 반송될 때는 대기압으로 개방되어 있지만, 반송 후는 도어 밸브(61)가 닫히고 진공 배기 장치(12)에 의해 배기되어 고진공 상태가 되고 나서, 가열실(20)과의 사이에 배치된 도어 밸브(62)를 열고 트레이(70)를 반송한다. 가열실(20)로 트레이(70)를 반송한 후는, 이웃의 가열실(20)과의 도어 밸브(62)가 닫히고 다시 대기압으로 되돌려져 다음 트레이(70)의 반송이 행해진다. 이 때, L/UL실(10)은 가열실(20)과의 도어 밸브(62)가 닫힌 후에 대기압으로 개방된다. 따라서, 가열실(20)의 내부 공간은 항상 고진공 상태가 유지된다.
가열실(H실)(20)에는 가열 장치(23)가 설치되어 있고, 기판(2)을 성막에 적합한 온도까지 승온한다. 가열실(20)에는, 그 내부를 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치(22)가 설치되어 있다. 가열실(20)도 마찬가지로, 그 중앙부에는 리플렉터(반사판의) 기능을 구비한 격벽(21)이 배치되어 있고, 가열실 안이 제1 공간(20A)과 제2 공간(20B)으로 구분되어 있다. 제1 공간(20A)은 성막실(30)의 제1 공간(30A)으로 반송하는 기판(피처리체)(2)을 취급하고, 제2 공간(20B)은 성막실(3O)의 제2 공간(30B)으로 반송하는 기판(피처리체)(2)을 취급한다.
도 1에서는, 제1 공간(20A)과 제2 공간(20B)이 격벽(21)에 의해 완전히 구획되고 서로 독립적인 공간은 되지 않고 (도시하지 않았지만, 격벽(21)의 상부나 하부에서) 서로 일부 연통한 구성예를 나타내고 있다. 그러나, 도시하지 않았지만, 제1 공간(20A)과 제2 공간(20B)은 반드시 서로 연통한 공간일 필요는 없고, 제1 공간(20A)과 제2 공간(20B)이 서로 독립적인 공간을 이루도록 격벽(21)을 설치해도 된다. 제1 공간(20A)과 제2 공간(20B)이 연통한 구성의 경우에는 진공 배기 장치가 최소 하나 있으면 되기 때문에, 저비용의 시스템을 구축할 수 있다. 이에 대해, 독립적인 공간으로 한 구성의 경우에는, 각각의 공간을 각각 진공 배기하는 진공 배기 장치가 개별로 최소 하나 필요하게 되는데, 진공 처리와 유지보수 등의 작업을 개별로 행할 수 있는 장점이 있기 때문에, 서로 독립적인 공간으로 하는 구성이어도 된다.
성막실(SP실)(30)은, 2개의 도어 밸브(63)를 개재하여 가열실(H실)(20)에 접속되어 있다.
도어 밸브(63)의 한쪽은, 가열실(H실)(20)에서 열처리된 기판(피처리체)(2)이 탑재된 트레이(70A(70))를 성막실(30)의 제1 공간(30A)으로 반입하거나, 혹은 성막실(30)의 제1 공간(30A)으로부터 성막 후의 트레이(70A(70))를 가열실(H실)(2O)로 반출하는 경우에 이용한다. 마찬가지로 도어 밸브(63)의 다른 쪽은, 가열실(H실)(20)에서 열처리된 기판(피처리체)(2)이 탑재된 트레이(70B(7O))를 성막실(30)의 제2 공간(30B)으로 반입하거나, 혹은 성막실(3O)의 제2 공간(30B)으로부터 성막 후의 트레이(70B(7O))를 가열실(H실)(2O)로 반출하는 경우에 이용한다.
성막실(SP실)(30)에서는, 성막 유닛(33)에 의해 기판(2)이 성막 처리된다.
특히, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)에서는, 성막실(30)은 독립적인 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)으로 구분되고, 각각의 내부를 진공 배기하기 위해 진공 배기 장치(32) 및 성막 유닛(33)이 각 공간마다 배치되어 있다. 즉, 진공 배기 장치(32A)와 성막 유닛(33A)은 제1 공간(30A)용이고, 진공 배기 장치(32B)와 성막 유닛(33B)은 제2 공간(30B)용이다.
본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치는, 독립적인 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)에서 각각 성막 처리를 행할 수 있다. 따라서, 2장의 기판(피처리체)에 대해 동시에(병행하여) 성막 처리를 행하는 것이 가능하여 생산성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 성막실(30)을 독립적인 2개의 공간으로 구분하고 있으므로, 장치를 증설할 필요가 없어 장치의 저비용화, 공간 절약화를 도모할 수도 있다. 또, 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)이 서로 독립적인 공간이 되어 있으므로, 한쪽은 진공 처리(예를 들면, 성막 처리)를 하면서 다른 쪽은 유지보수 처리(예를 들면, 타겟 교환)의 작업을 하는 것이 동시에 가능하게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치는, 그 운영에 있어서 높은 자유도가 있어 플렉시블한 가동 상황을 실현할 수 있다.
성막 유닛(33)으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 스퍼터용 타겟을 구비한 캐소드나 CVD용 평행 평판형 전극을 들 수 있다.
이러한 성막 장치(1)에 있어서, 피처리체인 기판(2)은 반송 장치에 탑재되어 반송되면서 가열이나 성막 등의 처리가 이루어진다.
기판(2)을 반송하는 반송 장치는, 기판(2)을 보유지지하는 트레이(70)(캐리어)와 기판(2)이 보유지지된 트레이(70)를 반송하는 선로(80)를 구비한다. 또한, 반송 장치는 기판(2)을 세로형으로 반송한다.
여기서, 기판(2)을 세로로 배치(세로형 반송) 하는 이유는, 주로 대형의 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이가 보급됨에 따라 기판 자체가 대형화, 박형화한 것에 의한다. 기판을 가로로 배치한 경우는 성막 장치 자체의 설치 면적이 그것에 따라 대형화되므로, 세로형으로 함으로써 공간 절약화를 도모하는 취지이다. 또한, 가로 배치의 경우는, 기판(2)의 자중에 따른 휨이 생겨 평탄성을 유지하기가 어려워 균일한 성막이 어려워지기 때문이다.
또, 지지대 상에 기판을 가로로 배치하여 스퍼터 다운으로 성막하는 방법도 있지만, 이 경우에는 성막면에 이물질이 부착되어 막 중에 혼입하여 막 특성이나 디바이스 특성을 저하시킬 우려가 있기 때문에, 채용은 삼가하는 것이 좋을 것이다.
본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)에서는, 상기 성막실(30)에서 상기 제1 공간(30A) 및 상기 제2 공간(30B)에는 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 선로(80)가 4개(왕로의 선로와 귀로의 선로를 1세트로 한 경우는 2세트) 있고, 이 4개의 선로(80)는 모두 상기 L/UL실(10) 및 상기 가열실(20)을 관통하도록 배치되어 있다.
본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)에 있어서, 성막실(30)의 제1 공간(30A) 및 제2 공간(30B)에는, 트레이(70)가 L/UL실(10)로부터 가열실(20)을 거쳐 상기 제1 공간(30A) 및 상기 제2 공간(30B)으로 반송되는 왕로가 되는 제1 선로(81A, 81B)와, 성막실(30)의 제1 공간(30A) 및 제2 공간(30B)으로부터 가열실(20)을 거쳐 L/UL실(10)로 반송되는 귀로가 되는 제2 선로(82A, 82B)가 각각 설치되어 있다. 이들 제1 선로(81A, 81B) 및 제2 선로(82A, 82B)는 모두 상기 L/UL실(10) 및 상기 가열실(20)을 관통하여 배치되어 있다.
또한, 성막 장치(1)는, 트레이(70)를 제1 선로(81A, 81B)(왕로)에서 제2 선로(82A, 82B)(귀로)로 선로에 대해 가로방향으로 이동시켜 이동 탑재하는 이동 기구(도시생략)를 구비하고 있다. 이 이동 기구는, 제1 선로(81A, 81B) 상의 트레이(70)를 일단 들어올려 제2 선로(82A, 82B)에 이동 탑재하는 기구를 갖고 있다.
도 2는, 트레이(70)의 개략 구성을 도시한 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 트레이(70)는 알루미늄 등으로 이루어진 테두리 형상의 프레임(71)과, 프레임(71)의 상변에 따르도록 설치된 마그넷(72)과, 프레임(71)의 하변에 따르도록 설치된 원주형상의 슬라이더 샤프트(73)와, 기판(2)의 하중을 받으면서 기판(2)의 수평도를 유지하기 위한 기판 받침(74)과, 기판(2)을 트레이(70)에 보유지지시키기 위한 클램프(75)와, 기판(2) 둘레의 비성막 영역을 덮기 위한 마스크(76)를 구비하고 있다.
선로(80)는, 트레이(70)의 하중을 지지하면서 트레이(70)를 반송 가능하게 구성된 하부 지지 기구(84)와, 트레이(70)의 상부를 비접촉으로 지지 가능하게 구성된 상부 지지 기구(88)를 구비하고 있다. 트레이(70)는, 하부 지지 기구(84) 및 상부 지지 기구(88)에 의해 대략 수직으로 보유지지된 상태로 이동 가능하게 구성되어 있다.
도 3은, 하부 지지 기구(84)의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 하부 지지 기구(84)는 모터(85)와 롤러(86)를 구비하고 있다.
롤러(86)는, 트레이(70)를 유도하는 U자 형상의 홈부(86a)를 구비하고 있다. 모터(85)가 구동함으로써 롤러(86)가 회전하고, 롤러(86) 상을 트레이(70)가 수평 이동하도록 구성되어 있다. 구체적으로 트레이(70)의 하부에 설치된 슬라이더 샤프트(73)가 롤러(86)의 홈부(86a)에 걸어맞춤하고(계합(係合)), 트레이(70)가 수평 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 도 4는 상부 지지 기구(88)의 구성을 도시한 설명도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상부 지지 기구(88)에는 복수의 마그넷(89)이 설치되어 있다. 그리고, 트레이(70)의 상변에도 마그넷(72)이 장착되어 있고, 마그넷(89)과 마그넷(72)이 수직 방향으로 대향하도록, 또한 서로의 마그넷(89, 72)이 흡착하도록 배치된다.
이와 같이 구성함으로써, 마그넷(89, 72)끼리 서로 흡착하고 트레이(70)를 수직 상태로 보유지지하는 것이 가능하게 된다. 즉, 기판(2)을 수직 보유지지함으로써, 기판(2)의 대형화에 따른 성막 장치(1)의 설치 면적의 증대를 억제할 수 있음과 동시에 대형 기판(2)의 휨에 의한 영향을 회피할 수 있다.
특히, 본 실시형태의 성막 장치(1)에서는, 슬라이드 샤프트(73) 또는 하부 지지 기구(84)의 롤러(86) 중 한쪽의 적어도 접촉부가 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 산소(O) 및 질소(N)를 포함한 벌크체로 구성되고, 슬라이드 샤프트(73) 또는 롤러(86) 중 다른 쪽의 적어도 접촉부가 SUS(스테인레스강)으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
슬라이드 샤프트(73) 또는 롤러(86)의 접촉부를 상기와 같은 재료에 의해 구성함으로써, 슬라이드 샤프트(73)와 롤러(86)의 마모를 억제할 수 있고, 마모에 의한 더스트의 발생을 저감할 수 있는 것 외에 장치의 장수명화를 도모할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)는, 제1 선로(왕로)(81A, 81B)를 따라 이동하는 트레이(반송 장치)(70)에 의해 기판(피처리체)(2)은 상기 L/UL실(10)로부터 상기 가열실(20)을 통과하여 성막실(30)의 제1 공간(30A) 및 제2 공간(30B)의 내부로 각각 운반되고, 성막실(30)에서 성막한다. 그 후, 상기 기판(2)을 올려놓는 반송 장치는, 각각 상기 제1 공간(30A) 및 상기 제2 공간(30B)의 내부에서 이동 장치에 의해 제1 선로(왕로)(81A, 81B)에서 제2 선로(귀로)(82A, 82B)로 옮겨진다. 그 후, 제2 선로(82A, 82B)를 따라 상기 제1 공간(30A) 및 상기 제2 공간(30B)의 내부로부터 상기 가열실(20)을 통과하여 상기 L/UL실(10)로 운반된다.
본 발명의 실시형태에서는, 상기와 같이 왕로와 귀로를 각각 설치함으로써 기판의 반송 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, L/UL실(10)에서의 기판의 사입이나 취출을 단시간에 행할 수 있고 택트(tact)를 단축할 수 있다. 이에 의해, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에서는 생산성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치(1)를 이용하여 기판(2)에 성막할 때의 동작을 도 1에 기초하여 설명한다.
또, 이하의 설명에서는, 성막실(30)의 제1 공간(30A)에서 성막 처리가 이루어지는 기판(2)의 이동에 대해 설명하지만, 제2 공간(30B)에서 성막 처리가 이루어지는 기판(2)에 대해서도 제1 공간(30A)의 경우와 동일하다.
우선, 기판(2)이 다른 곳에서 수평 상태로 성막 장치(1)의 P0S기구(40)의 앞까지 반송되어 온다. 그 후, 옆으로 쓰러진(눕혀진) 상태가 된 트레이(도시생략)에 기판(2)을 탑재한 후, 트레이를 수직 상태가 되도록 일어서게 한다. POS기구(40)에 나타낸 트레이(70(2))는 이 일어선 상태의 것이다. 이 때, 기판(2)은 트레이(70)의 기판 받침(74)에 접촉한 상태가 되어 있고, 기판(2)은 클램프(75)에서 트레이(70)에 보유지지된다(도 2 참조).
기판(2)이 탑재된 트레이(70)는, RT기구(50)의 제1 RT기구(51A)를 개재하여 제3 RT기구(51C)로 반송한다. 제3 RT기구(51C)에서는, 트레이(70)를 L/UL실(10)의 제1 공간(10A)으로 반송 가능한 방향으로 한다.
그리고, L/UL실(10)의 도어 밸브(61)를 개방 상태로 한 후, 트레이(70)를 왕로가 되는 제1 선로(81A)에 올려놓고, 트레이(70)를 제1 선로(81A)에서 L/UL실(10)의 제1 공간(10A)으로 반송한다.
또한, 후술하는 바와 같이, L/UL실(10)에서는 성막 처리된 기판(2)을 올려놓은 트레이(70)가 제2 선로(82A)(귀로)에서 반송되어 오기 때문에, 이 트레이(70)를 RT기구(50)로 반송한다.
트레이(70)가 L/UL실(10)로 반송되면, 도어 밸브(61)를 폐쇄 상태로 하고, 그 후, 진공 배기 장치(12)에서 실내를 배기하여 L/UL실(10)을 진공 상태로 한다. L/UL실(10) 안이 진공 상태가 된 후, 이웃의 가열실(20)과의 도어 밸브(62)를 개방 상태로 하여 트레이(70)를 제1 선로(81A)에서 가열실(20)의 제1 공간(20A)으로 반송한다.
L/UL실(10)에서는, 트레이(70)의 반송 후는 가열실(20)과의 도어 밸브(62)를 폐쇄 상태로 하고, 다시 대기압으로 되돌려져 다음 트레이(70)의 반송이 행해진다. 이 때, L/UL실(10)은 가열실(20)과의 도어 밸브(62)가 닫힌 후에 대기압으로 개방되기 때문에, 가열실(20)의 고진공은 유지된다.
트레이(70)가 가열실(20)로 반송되면, 도어 밸브(62)를 폐쇄 상태로 한다.
그 후, 가열 장치(63)에서 기판(2)을 성막에 적합한 온도까지 가열한다. 기판(2)의 가열이 완료되면, 성막실(30)과의 도어 밸브(63)를 개방 상태로 하여 트레이(70)를 제1 선로(81A)에서 성막실(30)로 반송한다. 또한, 성막실(30)에서 성막 처리된 기판(2)을 탑재한 트레이(70)가 제2 선로(82A)(귀로)에서 반송된다.
트레이(70)의 반송 후는, 성막실(30)과의 도어 밸브(63)를 폐쇄 상태로 한다.
성막실(30)에서는, 성막 유닛(33)에 의해 기판(2)이 성막 처리된다. 여기서, 이 성막 장치(1)에서는, 성막실(30)에서의 성막 공정은 트레이(70)를 고정 정지시켜 성막을 행하는 고정 성막 방식을 채용하고 있다. 또한, 기판(2)의 둘레에는 마스크(76)가 배치되어 있기 때문에(도 2 참조), 기판(2)의 필요한 영역만 성막되도록 구성되어 있다.
여기서, 이 성막 장치(1)는 성막실(30)이 독립적인 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B)으로 구분되고, 각 공간마다 성막 유닛(33)이 배치되어 있음과 동시에, 상기 제1 공간(30A) 및 상기 제2 공간(30B)에는 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 선로가 4개 배치되어 있다. 즉, 성막실(30)에 있어서, 제1 공간(30A)과 제2 공간(30B) 각각에 트레이(70)가 배치되고, 동시에(병행하여) 각각의 트레이(70)에 탑재되어 있는 기판(2)을 성막할 수 있다.
성막이 완료되면, 이동 기구(도시생략)에 의해 상기 트레이(70)를 선로에 대해 가로 이동시켜 왕로가 되는 제1 선로(81A)로부터 귀로가 되는 제2 선로(82A)로 이동 탑재한다.
그 후, 트레이(70)는 제2 선로(82A)를 반송되어 성막실(30)로부터 가열실(20)을 거쳐 L/UL실(10)로 도출된다.
가열실(20)과의 도어 밸브(63)를 개방 상태로 하여 트레이(70)를 가열실(20)의 제1 공간(20A)으로 반송한다.
또한, 성막실(30)에는 성막 전의 기판(2)을 탑재한 트레이(70)가 가열실(20)로부터 제1 선로(81A)(왕로)에서 반송된다.
트레이(70)가 가열실(20)로 반송되면, 도어 밸브(63)를 폐쇄 상태로 한다.
L/UL실(10)과의 도어 밸브(62)를 개방 상태로 하여 트레이(70)를 L/UL실(10)의 제1 공간(10A)으로 반송한다. 또한, 가열실(20)에는 성막 전의 기판(2)을 탑재한 트레이(70)가 L/UL실(10)로부터 제1 선로(81A)(왕로)에서 반송된다.
트레이(70)가 L/UL실(10)로 반송되면, 도어 밸브(62)를 폐쇄 상태로 한다.
트레이(70)를 가열실(2O)로부터 L/UL실(10)로 반송할 때는, L/UL실(10)은 진공 배기 장치(12)에 의해 고진공으로 유지되어 있는데, 트레이(70)의 반송 후는 가열실(20)과의 도어 밸브(62)가 닫히고, 그 후, L/UL실(10)은 대기압으로 개방된다. L/UL실(10)이 대기압으로 되돌아오면, 트레이(70)는 RT기구(50)의 제3 RT부(51C)로 반송된다. 이 때, L/UL실(10)은 가열실(20)과의 도어 밸브(62)가 닫히고 나서 대기압으로 개방되기 때문에, 가열실(20)의 고진공은 유지된다.
RT기구(51C)로 반송된 트레이(70)는, 제3 RT부(51C)로부터 제1 RT부(51A)를 개재하여 POS기구(40)의 제1 POS기구(40A)로 반송된다.
그 후, POS기구(40)(제1 POS기구(40A))에서 성막 완료한 기판(2)은 트레이(70)로부터 분리되어 외부로 운반된다.
이와 같이, 본 발명의 실시형태에서는 왕로와 귀로를 각각 설치함으로써 기판의 반송 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, L/UL실에서의 피처리체의 사입이나 취출을 단시간에 행할 수 있고 택트를 단축할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에서는, 성막실에서 독립적인 제1 공간과 제2 공간에서 각각 성막 처리를 행할 수 있기 때문에, 2장의 기판에 대해 동시에(병행하여) 성막 처리를 행할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 성막실을 독립적인 2개의 공간으로 구분하고 있으므로, 장치를 증설할 필요가 없어 장치의 저비용화, 공간 절약화를 도모할 수 있다.
그 결과, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치는, 공간 절약화를 도모함과 동시에 기판의 반송 시스템을 개량하여 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.
본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에서는, SP실이 독립적인 제1 공간과 제2 공간으로 구분되고, 각 공간마다 성막 유닛이 배치되어 있다. 독립적인 제1 공간과 제2 공간에서 각각 성막 처리를 행할 수 있기 때문에, 2장의 기판(피처리체)에 대해 동시에(병행하여) 성막 처리를 행할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, SP실을 독립적인 2개의 공간으로 구분하고 있으므로, 장치를 증설할 필요가 없어 장치의 저비용화, 공간 절약화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에서는, 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 4개의 선로가 상기 L/UL실, H실 및 SP실을 관통하여 배치되고, 피처리체는 상기 왕로를 따라 상기 L/UL실로부터 상기 H실을 통과하여 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로 각각 운반되고, SP실에서 성막한 후, 상기 피처리체는 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부에서 이동 기구에 의해 왕로에서 귀로로 옮겨지고, 귀로를 따라 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로부터 상기 H실을 통과하여 상기 L/UL실로 운반되어 있으므로, 왕로와 귀로를 각각 설치함으로써 피처리체의 반송 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, L/UL실에서의 피처리체의 사입이나 취출을 단시간에 행할 수 있고 택트를 단축할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 관한 성막 장치에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변경이 가능하다.
본 발명은, 기판을 세로형 반송하는 인라인식의 성막 장치에 널리 적용 가능하다.
1 성막 장치
2 기판(피처리체)
1O L/UL실
20 가열실(H실)
30 성막실(SP실)
40 P0S기구
5O RT기구
70 트레이
81A, 81B 제1 선로(왕로)
82A, 82B 제2 선로(귀로)

Claims (6)

  1. L/UL실;
    상기 L/UL실에 연통하는 H실;
    상기 H실에 연통하면서 독립적인 제1 공간과 제2 공간으로 구분된 SP실;
    상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 각각 배치된 성막 유닛;
    상기 L/UL실, 상기 H실, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 독립적으로 설치되어 이들의 내부를 각각 진공 배기하기 위한 진공 배기 장치;
    상기 L/UL실 및 상기 H실을 관통하고, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에 배치된 각각 왕로와 귀로로 이루어지는 4개의 선로;
    피처리체를 상기 왕로를 따라 상기 L/UL실로부터 상기 H실을 통과하여 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로 각각 운반하고, 상기 귀로를 따라 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부로부터 상기 H실을 통과하여 상기 L/UL실로 상기 피처리체를 운반하는 반송 장치;
    상기 제1 공간 및 상기 제2 공간의 내부에서 상기 반송 장치를 상기 왕로에서 상기 귀로로 옮기는 이동 기구;를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 L/UL실은 2개의 도어 밸브를 개재하여 RT기구에 접속되어 있고,
    상기 RT기구는 제1 RT기구, 제2 RT기구, 제3 RT기구를 구비하며,
    상기 제3 RT기구와 상기 제1 RT기구의 사이에서는, 상기 제1 공간으로 반송하는 피처리체를 처리하고,
    상기 제3 RT기구와 상기 제2 RT기구의 사이에서는, 상기 제2 공간으로 반송하는 피처리체를 처리하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 반송 장치는, 상기 피처리체를 세로형 반송하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 유닛이 스퍼터용 캐소드인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  5. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 유닛이 CVD용 평행 평판형 전극인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 장치는 그 하부에 원주형상의 슬라이드 샤프트를 구비하고,
    상기 선로는 상기 반송 장치를 유도하는 U자 형상의 홈을 구비한 복수의 롤러이며,
    상기 슬라이드 샤프트 또는 상기 롤러 중 한쪽의 적어도 접촉부가 실리콘, 알루미늄, 산소 및 질소를 포함한 벌크체로 구성되고,
    상기 슬라이드 샤프트 또는 상기 롤러 중 다른 쪽의 적어도 접촉부가 스테인레스강으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105849310B (zh) * 2013-12-23 2018-11-27 应用材料公司 用于在真空工艺期间保持基板的保持设备、用于在基板上沉积层的设备及用于输送保持设备的方法
TWI551530B (zh) * 2014-06-09 2016-10-01 All Ring Tech Co Ltd Material handling methods and devices
CN108138304A (zh) * 2015-10-25 2018-06-08 应用材料公司 用于在基板上真空沉积的设备和用于在真空沉积期间掩蔽基板的方法
CN109496350B (zh) * 2017-06-08 2023-02-17 株式会社爱发科 基板导向件及载体
JP2019119903A (ja) 2017-12-28 2019-07-22 キヤノントッキ株式会社 基板加熱装置及び成膜装置
CN114906617B (zh) * 2022-05-06 2024-03-12 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司 一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
JP2002337028A (ja) * 2001-05-11 2002-11-26 Ntn Corp 微小部品供給装置
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
JP2008121806A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fukui Byora Co Ltd 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸
JP4839405B2 (ja) * 2007-04-16 2011-12-21 株式会社アルバック コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法
KR101290884B1 (ko) * 2007-12-06 2013-07-29 가부시키가이샤 알박 진공 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5222945B2 (ja) * 2008-08-29 2013-06-26 株式会社アルバック マグネトロンスパッタカソード及び成膜装置
JP5393209B2 (ja) * 2009-03-11 2014-01-22 株式会社アルバック 成膜装置
JP2010244626A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置

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