WO2013118764A1 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

成膜装置及び成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013118764A1
WO2013118764A1 PCT/JP2013/052709 JP2013052709W WO2013118764A1 WO 2013118764 A1 WO2013118764 A1 WO 2013118764A1 JP 2013052709 W JP2013052709 W JP 2013052709W WO 2013118764 A1 WO2013118764 A1 WO 2013118764A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
unit
mask
film forming
carry
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/052709
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
優 西村
景一 山口
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Publication of WO2013118764A1 publication Critical patent/WO2013118764A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Definitions

  • the present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method.
  • Patent Document 1 discloses a technique for forming a thin film on a substrate by vapor deposition.
  • the substrate is carried into a vacuum processing container, and after alignment (positioning of the substrate with respect to the mask) is performed by an alignment apparatus, the substrate is held on a holding table. Then, when the holding table slides in the horizontal direction, the substrate is transported to the vicinity of the vapor deposition apparatus, and the gas raw material supplied from the vapor deposition apparatus flies and adheres to the substrate, thereby forming a film on the substrate.
  • a plurality of substrates are continuously conveyed and formed into a film.
  • the tact time (film forming process time / substrate), which is the film forming process time per substrate, varies, and the operating rate of the apparatus is reduced.
  • the substrate is transported to the film forming unit where the film forming process such as vapor deposition in the film forming apparatus is performed, and the film forming process is performed.
  • the tact time is increased due to an increase in the film forming time when the distance between the transferred substrates is increased.
  • the operating rate of the apparatus is reduced.
  • the film forming apparatus by keeping this tact time constant at a predetermined value, the operating rate of the apparatus can be maintained at a high level.
  • a mask for vapor deposition is continuously used a predetermined number of times. That is, the mask is returned to the substrate carry-in position again until it is used a predetermined number of times, and is used for cleaning after being used a predetermined number of times. Therefore, problems such as a decrease in mask accuracy due to a mask temperature increase due to continuous use and a decrease in production efficiency due to mask replacement occur.
  • the performance of the organic EL element deteriorates. Therefore, it is necessary to prevent excessive moisture from adsorbing to the mask. For this reason, it is desirable to return the mask to the substrate loading position in a vacuum atmosphere without exposing it to the atmosphere containing moisture.
  • a method of shortening the film forming processing time can be considered in order to make the tact time constant.
  • the deposition temperature must be increased.
  • the quality of the produced film is deteriorated. Therefore, in order to keep the tact time constant while keeping the film quality good (without shortening the film forming process time), the dispersion of the alignment time is absorbed by a predetermined mechanism, It is preferable to make the interval as short and uniform as possible.
  • an object of one aspect is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of forming a high-quality film and improving the operating rate (system tact) of the apparatus.
  • FIG. 6 is a flowchart showing substrate acceleration / deceleration control processing according to the first to fourth embodiments.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a horizontal transport mechanism for a substrate according to the first to fourth embodiments. The figure which showed the roller with a taper.
  • FIG. 10 is a view showing another example of the horizontal transport mechanism for a substrate according to the first to fourth embodiments.
  • FIG. 6 is a view showing an example of a vertical transfer mechanism for a substrate according to the first to fourth embodiments.
  • the film forming apparatus is an apparatus for forming a film under vacuum (1.0E ⁇ 5 Pa to 0.1 Pa) using a glass substrate, a tray for carrying the substrate, and a shadow mask.
  • the mask and the tray may be integrated, or separate items may be used in combination.
  • an integrated mask tray is taken as an example.
  • the mask tray is introduced into the film forming unit in close contact with the substrate in order to form a predetermined pattern on the substrate.
  • the mask may be a fine mask or an area mask.
  • the film formation surface may be face-up, face-down, or a film formation surface that is set up vertically.
  • face down is taken as an example.
  • the film forming apparatus according to each embodiment of the present invention is provided with a buffer mechanism that absorbs variations in various processing times to maintain a constant tact time of the film forming apparatus and achieve a high apparatus operating rate. It is characterized by.
  • the substrate is carried into the film forming apparatus and the mask tray is mounted on the substrate, the substrate is subjected to film forming processing with the mask tray mounted, and then the mask is formed at a predetermined position.
  • the substrate is transported together with the mask tray until the tray is removed from the substrate and the substrate is carried out of the apparatus. Therefore, in the following description, even if the substrate transported in the film forming apparatus is simply described as “substrate” or “mask tray”, the mask tray is removed from the substrate after the mask tray is mounted on the substrate.
  • the film forming apparatus transports the “substrate with the mask tray mounted”, but the present invention is not necessarily limited thereto, and the film forming apparatus according to the present embodiment may be used for transporting only the substrate, for example. Applicable.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to the first embodiment.
  • the film forming apparatus 1 includes a substrate carry-in unit 10, a carry-in side buffer unit 20, a first adjustment unit 30, a film formation unit 40, a second adjustment unit 50, a carry-out side buffer unit 60, a substrate carry-out unit 70, and a return unit 80.
  • the substrate carry-in unit 10 carries in the substrate by opening and closing the gate valve V3, aligns it with the mask tray carried into the substrate carry-in unit 10 from the return unit 80, and causes the substrate to adhere to the mask tray by the chuck mechanism.
  • the carry-in buffer unit 20 connects the substrate carry-in unit 10 and the first adjustment unit 30, and can temporarily store the substrate before carrying it into the first space forming the first adjustment unit 30. It has a storage room with more than steps.
  • the carry-in buffer unit 20 is one of buffer mechanisms that absorb variations in processing time for substrate loading and alignment, and stores substrates mounted on a mask tray in one or more storage chambers.
  • the carry-in buffer unit 20 may have a plurality of storage chambers. In that case, each storage room can operate independently. If the movements of the buffers before and after the storage room are linked, even if the buffers have different functions, the movement of one buffer affects the movement of the other buffer and adversely affects the function of the other buffer. There is a case. For this reason, all the storage rooms can be operated separately. The same applies to the carry-out side buffer unit 60.
  • the storage chamber of the carry-in buffer unit 20 can be operated in one direction (from bottom to top in FIG. 1). By making the storage room movable only in one direction, the return time of the storage room can be made unnecessary.
  • the first adjusting unit 30 is connected to the film forming unit 40 and transports the substrate to the film forming unit 40 while controlling acceleration / deceleration of the substrate in the first space.
  • the film forming unit 40 forms a desired film by adhering vapor deposition gases from a plurality of vapor deposition sources 41 while conveying the loaded substrate in the substrate conveyance direction.
  • FIG. 2 schematically shows a film forming unit 40 according to the first embodiment and a film forming unit 40 according to second to fourth embodiments to be described later.
  • the substrate S mounted on the mask tray M is held in a face-down state (the film forming surface faces downward).
  • the periphery of the mask tray M is fixed by a gripping member 136.
  • the mask tray M and the substrate S are transported by transmitting power from a motor (not shown) and rotating the roller 132a inside the apparatus.
  • a vacuum pump P48 is provided at the bottom of the film forming unit 40 so as to keep the inside of the film forming unit 40 in a desired vacuum state.
  • Each of the plurality of vapor deposition sources 41 stores a desired vapor deposition material.
  • Each vapor deposition material evaporates at each vapor deposition source 41, becomes gas G, and is led from the nozzle 44 of the vapor deposition head 42 to the space in the film forming unit 40.
  • a shutter 43 capable of shutting off the gas G of each vapor deposition material is provided above the opening of the nozzle 44, and the diffusion of the gas G of each vapor deposition material is controlled by opening and closing the shutter 43. In FIG. 2, only the second shutter 43 from the right of the page is open. Therefore, the substrate is formed with the gas G of the second vapor deposition material from the right on the paper surface, and the gases G of the other vapor deposition materials are shut off.
  • the vapor deposition source may be a crucible.
  • the substrate formed by the film forming unit 40 is transported into the second adjusting unit 50.
  • the second adjustment unit 50 conveys the substrate unloaded from the film formation unit 40 while controlling the acceleration / deceleration of the substrate in the second space in the second adjustment unit 50.
  • the front and rear substrates are not affected without affecting the transport speed of the substrate on which the mask tray during film formation is mounted in the vapor deposition area in the film formation unit 40.
  • the mask tray interval can be optimally reduced according to the set film formation speed.
  • the carry-out side buffer unit 60 connects the second adjustment unit 50 and the substrate carry-out unit 70, and has one or more stages that can temporarily store the substrate after being carried out of the second space of the second adjustment unit 50.
  • the carry-out side buffer unit 60 is one of a buffer mechanism that absorbs variations at the time of carrying out the substrate and a relief space in case of trouble on the carry-out side (such as a carry-out robot), and stores the deposited substrate in each storage chamber.
  • the carry-out side buffer unit 60 may have a plurality of storage chambers. In that case, each storage room can operate independently. Further, the storage chamber of the carry-out side buffer unit 60 can operate the substrate on which the mask tray is mounted in one direction (from top to bottom in FIG. 1).
  • the carry-in buffer unit 20 and the carry-out buffer unit 60 can be separated from each other by a gate valve.
  • a gate valve V1 is interposed between the first adjusting unit 30 and the film forming unit 40, and a valve V2 is interposed between the film forming unit 40 and the second adjusting unit 50.
  • each unit can be maintained independently.
  • the substrate carry-out unit 70 removes the deposited substrate from the mask tray by dechucking, carries out the substrate by opening and closing the gate valve V4, and carries the mask tray into the return unit 80.
  • the return unit 80 connects the substrate carry-in unit 10 and the substrate carry-out unit 70, and returns the mask tray after the substrate is detached at the substrate carry-out unit 70 to the substrate carry-in unit 10.
  • the return unit 80 can transport the mask tray in a vacuum and return the mask tray to the substrate carry-in unit 10 while maintaining the vacuum.
  • the return unit 80 can be provided with a mask cooling mechanism or a mask cleaning mechanism for preventing the mask tray to be repeatedly used from being heated to a high temperature.
  • the film forming apparatus 1 can include a dedicated mask stocker (loading mask stocker 90a) for loading an unused mask tray. Further, the film forming apparatus 1 can include a dedicated mask stocker (unloading mask stocker 90b) for carrying out used mask trays. The used mask tray is unloaded from the unloading mask stocker 90b, and after cleaning, is loaded from the unloading mask stocker 90a as an unused mask tray.
  • the return unit 80 includes mask replacement units 81a and 81b for replacing the mask tray.
  • the mask exchange unit 81a carries in an unused mask tray from the carry-in mask stocker 90a through the gate valve V5. Unused mask trays are stocked in the carry-in mask stocker 90a.
  • the mask exchange unit 81b carries out the used mask tray from the carry-out mask stocker 90b via the gate valve V6. Used mask trays are stocked in the unloading mask stocker 90b.
  • the mask tray is replaced, the space for transporting the substrate is vacuumed from the atmosphere by the mask load lock (see mask load lock 91 in FIG. 4) connected to the carry-in mask stocker 90a and the carry-out mask stocker 90b. Switch from vacuum to atmosphere.
  • the used mask tray and the unused mask tray can be automatically exchanged without affecting the tact time.
  • a mask tray that has been used a predetermined number of times by counting the number of times of use by a control device 100 described later is automatically replaced.
  • the mask can be replaced without returning the mask tray to atmospheric pressure by the mask load lock when the mask is replaced.
  • the substrate carry-in unit 10, the carry-in side buffer unit 20, the first adjustment unit 30, the film forming unit 40, the second adjustment unit 50, the carry-out side buffer unit 60, the substrate carry-out unit 70, and the return unit 80 are provided in an annular shape. It has been. For this reason, the internal space of each part is hold
  • the overall configuration of the film forming apparatus 1 according to the present embodiment has been described above. According to such a configuration, it is possible to absorb variations in various processing times by the buffer mechanism, to keep the tact time of the film forming apparatus 1 constant, and to increase the apparatus operating rate. In addition, since the number of mechanisms in the film forming apparatus 1 is small and the configuration is simple, the footprint of the film forming apparatus 1 can be reduced.
  • the buffer mechanism of the film forming apparatus 1 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.
  • FIG. 3 schematically shows a buffer mechanism of the film forming apparatus 1 according to the first embodiment and second and third embodiments described later.
  • the glass substrate is carried into the substrate carry-in position 10P through V3 from the lower left.
  • the mask tray circulates in the apparatus in one direction (here, clockwise on the paper surface).
  • the film forming apparatus 1 includes a carry-in buffer unit 20 between the substrate carry-in unit 10 (alignment mechanism unit) and the film forming unit 40.
  • the carry-in side buffer unit 20 has a retracting space 20A, a pulsation absorbing space 20B, and a standby space 20C as a buffer mechanism, thereby absorbing alignment processing time, variation in each processing time, variation in substrate loading timing, and the like. To do.
  • the film forming apparatus 1 includes a carry-out side buffer unit 60 between the substrate carry-out unit 70 and the film forming unit 40.
  • the carry-out side buffer unit 60 includes a retreat space 60A, a relieving space 60B, and a pulsation absorbing space 60C as a buffer mechanism.
  • the retreat space 60A absorbs variations in processing times, variations in substrate carry-out timing, and the like.
  • a plurality of relief spaces 60B are provided between the film forming unit 40 and the substrate unloading unit 70 as a buffer mechanism for unloading that prevents the substrate from stopping in the vapor deposition area even when a trouble occurs on the unloading side (such as a unloading robot). It has been.
  • the pulsation absorbing space 60 ⁇ / b> C absorbs variations in substrate carry-out timing and substrate carry-out processing time.
  • (1) Board loading position 10P In the substrate carry-in unit 10, the substrate is carried in from the carry-in port by opening and closing the gate valve V3, and is placed on the mask tray carried in from the return unit 80 side. At that time, the substrate carry-in unit 10 performs alignment between the substrate and the mask tray. The substrate for which alignment has been completed is sucked onto the mask tray.
  • the evacuation space 20A is a space for evacuating the substrate mounted on the mask tray that has been aligned and chucked.
  • the retreat space 20 ⁇ / b> A is provided at a position closest to the substrate carry-in position 10 ⁇ / b> P among a plurality of storage chambers provided in the carry-in buffer unit 20.
  • the evacuation space 20A By providing the evacuation space 20A, the substrate mounted on the mask tray can be immediately moved to the upper part immediately after completion of the above processing at the substrate carry-in position 10P that is likely to become a bottleneck in processing time. That is, the retreat space 20A has a function of retreating the substrate mounted on the mask tray immediately after alignment is completed. Thereby, the alignment of the next substrate can be immediately executed in the substrate carry-in unit 10 without interfering with the alignment of the next substrate.
  • Pulsation absorption space 20B The evacuation space 20A is an absorption space for suppressing rate limiting due to variations in the previous processing (for example, the substrate loading position 10P), whereas the pulsation absorption space 20B is used for the subsequent processing (for example, the first adjustment unit 30). This is an absorption space for preventing variation in the acceleration / deceleration process.
  • the pulsation absorbing space 20B absorbs variations in chuck and alignment time (such as retry). Further, the pulsation absorbing space 20B absorbs variations in substrate loading timing and pulsations. In addition, the pulsation absorbing space 20B absorbs variations in processing time of each mechanism.
  • the pulsation absorbing space 20B When the pulsation absorbing space 20B is provided, the following effects are obtained. For example, a plurality of substrates mounted on the mask tray are stored in the pulsation absorbing space 20B while the alignment continues to be successful in the substrate carry-in unit 10. When alignment retry occurs in the substrate carrying-in unit 10, the pulsation absorbing space 20B carries out the accumulated substrate to the film forming unit 40 side. In the meantime, if the substrate carry-in unit 10 succeeds in alignment and transports the substrate to the pulsation absorbing space 20B, the substrate processing in the film forming unit 40 is not delayed, and the substrate in which the retry occurred during alignment is made the previous substrate. Can be followed.
  • the processing time of each mechanism so that the processing of the substrate carry-in timing at the substrate carry-in position 10P and the substrate conveyance to the film forming unit 40 is not directly affected. Can absorb the variation.
  • the tact time is made constant (for example, 120 seconds), the throughput can be prevented from being lowered, and good film formation by vapor deposition can be realized.
  • Standby space 20C When the substrate (upper transfer) on which the mask tray is mounted is carried into the vapor deposition space 40A of the film forming unit 40 from the transfer start position 30P, the standby space 20C immediately receives the substrate on which the next mask tray is mounted. This is a space for waiting the substrate on which the mask tray is mounted so that it can be raised to the transport start position 30P.
  • the standby space 20 ⁇ / b> C is provided at a position closest to the transfer start position 30 ⁇ / b> P among the plurality of storage chambers provided in the carry-in side buffer unit 20.
  • the next tray can be moved to the transfer start position, thereby preventing a delay in transfer to the vapor deposition space 40A. , It is possible to prevent a decrease in throughput.
  • Transfer start position 30P is provided in the first adjustment unit 30, and has a function of lifting the substrate on which the mask tray that has been waiting in the standby space 20C is mounted, and an additional load for transfer to the vapor deposition space 40A. It has a deceleration function and a function of adjusting the transfer start time to the vapor deposition space 40A.
  • the substrate is not immediately started to be transferred, but is kept at the transfer start position 30P, and is transferred after a predetermined tact time has elapsed since the previous substrate started to be transferred. Is started. Thereby, the board
  • the space at the transfer start position 30P also serves as an acceleration / deceleration area for film formation transfer. Thereby, the acceleration / deceleration space (corresponding to the first space) for stabilizing the speed before reaching the vapor deposition space can be reduced.
  • the substrate on which the mask tray is mounted is accelerated once more than the film forming speed and then decelerated, so that the ascending / descending time of the substrate is ensured and the interval between the substrates is minimized. A predetermined tact time is realized.
  • the vapor deposition space 40A is provided in the film forming unit 40 and is a space for forming a film on the substrate by vapor deposition.
  • the substrate on which the mask tray is mounted slides from left to right on the paper surface in the vapor deposition space 40A. Due to the operation of acceleration / deceleration control in the first adjusting unit 30, the transport time of the substrate in the vapor deposition space 40A is constant, and the film forming process time is constant. Thereby, in the vapor deposition which concerns on this embodiment, tact time is controlled uniformly and a high quality film
  • Transport end position 50P The conveyance end position 50 ⁇ / b> P is provided in the second adjustment unit 50.
  • the substrate mounted with the mask tray after being transferred from the vapor deposition space 40A and accelerated / decelerated in the acceleration / deceleration space (corresponding to the second space) is stopped.
  • the substrate at the transfer end position 50P is lifted down to the retreat space 60A.
  • the space at the transfer end position 50P also serves as an acceleration / deceleration area for film transfer. Thereby, the acceleration / deceleration space (corresponding to the second space) until the substrate stops after the substrate is transported through the vapor deposition space 40A can be reduced.
  • the mask tray can be moved up and down by accelerating the substrate once more than the film formation speed and then stopping. Further, by providing a space at the transfer end position 50P, a retreat place for the substrates after the vapor deposition process is secured, and it is avoided that the substrates immediately after the vapor deposition collide with each other in the vapor deposition space 40A.
  • the retreat space is a space for retreating the substrate (upper transport) that is in close contact with the mask tray stopped at the transport end position.
  • the storage chamber is provided at a position closest to the transfer end position.
  • the substrate is moved to the retreat space to prepare for receiving the next substrate.
  • the substrate that has entered the evacuation space is immediately moved to the lower storage room, and the evacuation space is basically an empty space.
  • Relief space 60B The carry-out side buffer unit 60 has, in addition to a storage chamber (for example, a retreat space 60A) normally used, a relief space 60B that is used in an emergency and serves as one or more storage chambers for urgently retracting a substrate.
  • the relief space 60B is a space for completing the processing for a substrate for which processing has been started and temporarily holding the substrate after completion.
  • the substrate after execution is saved in the relief space 60B.
  • the substrate before the start of conveyance to the vapor deposition space 40A is stopped from being conveyed to the vapor deposition space 40A, and the substrate after the conveyance to the vapor deposition space 40A is immediately performed after performing the vapor deposition process without delay, To the relief space 60B.
  • the substrate Since the relief function does not work if the substrate is loaded into the film forming unit 40 in a state where the substrate exists in all of the relief space 60B, the substrate is stored so that the substrate is not carried into the vapor deposition space 40A for the number of relief spaces 60B or more.
  • the number of chambers used is monitored, and the substrate processing start timing is controlled so that there is no substrate that cannot be relieved.
  • the substrate carrying-out unit 70 or a substrate carry-out stop from the substrate carry-out unit 70 occurs, the substrate being processed in the vapor deposition space 40A is normally treated and then relieved to the relief space 60B, resulting in a decrease in yield. Can be prevented.
  • Pulsation absorption space 60C The pulsation absorbing space 60 ⁇ / b> C is a space that absorbs variations in substrate carry-out timing and substrate carry-out processing time. At the position of the pulsation absorption space 60C, since there is no alignment retry or the like as in the pulsation absorption space 60C, the conveyance delay is small. For this reason, in this embodiment, the storage chamber of the pulsation absorption space 60C is set to be smaller than the two storage chambers of the pulsation absorption space 20B provided in the carry-in buffer unit 20. In this way, the number of storage chambers inside the buffer is set to an appropriate value.
  • the number of steps inside the buffer is too large, the time from the previous process to the vapor deposition process will become longer, and this may cause a decrease in the performance of the deposited film and a decrease in yield, so the number of stages in the storage chamber is designed to avoid this. ing.
  • the retreat space 80A is a space for retreating the mask tray when the mask tray at the substrate carry-out position 70P is ready to be conveyed.
  • the mask tray temporarily stops at the substrate carry-out position 70P.
  • the mask tray is immediately moved to the retreat space 80A to prepare for receiving the next mask tray.
  • the mask tray transported to the evacuation space 80A is moved immediately to make an empty space basically. Accordingly, since the mask tray can be moved immediately after the substrate is dechucked from the mask tray at the substrate carry-out position 70P, it is possible to prevent a decrease in throughput.
  • Cooling mechanism / cleaning mechanism 80B The mask tray is heated by the vapor deposition process. Moreover, since the inside of the film-forming apparatus 1 is a vacuum atmosphere, heat conduction is bad. Therefore, it is necessary to actively cool the mask tray. Therefore, the mask tray is cooled by the cooling mechanism / cleaning mechanism 80B in the return unit 80. Thereby, the temperature rise of the mask used repeatedly can be suppressed.
  • the cooling mechanism / cleaning mechanism 80B a method of cooling while stopping or passing the mask tray in a non-contact type, or a method of cooling the mask tray in a contact type by stopping the mask tray and placing the mask tray on a stage, for example. Etc. At that time, there are a method of cooling with a fixed stop time and passage speed, and a method of changing the stop time and passage speed while measuring the temperature of the mask tray.
  • the cooling mechanism / cleaning mechanism 80B may be a multistage stage system having a vertical drive shaft.
  • the cooling mechanism / cleaning mechanism 80B the mask tray being conveyed can be cleaned while being cooled by simultaneously executing the cooling mechanism and the cleaning mechanism.
  • the cleaning process is performed by heat, it is necessary to provide a mechanism for performing the cleaning process before the cooling process.
  • the cooling and cleaning processes can be executed while the mask tray is returned to the substrate carry-in position 10P.
  • an increase in the temperature of the mask tray can be suppressed, and pattern blurring and adhesion deterioration with the mask tray can be prevented.
  • organic substances adhering to the mask tray are removed by dry cleaning. Cleaning by various process methods such as UV light, ozone O 3 , plasma treatment, baking, etc. can be used.
  • Pulsation buffer 80C In the pulsation buffer 80C, the mask stocker is provided only with a place for placing an unused mask tray and a used mask tray. Further, by temporarily storing the mask tray in each of the buffer units described above, the number of mask trays that can be used in the film forming apparatus changes.
  • the pulsation buffer 80 ⁇ / b> C stores and buffers the mask trays that are not housed in the above-described buffer units among the mask trays that change due to this. Thereby, the number of mask trays processed in the film forming apparatus can be kept constant.
  • the pulsation buffer 80 ⁇ / b> C is an example of one or more stages of mask storage chambers that temporarily store the mask tray before returning it from the substrate carry-out unit 70 to the substrate carry-in unit 10.
  • the number of mask trays stored in the pulsation buffer 80C decreases.
  • the pulsation absorption space 20B, the pulsation absorption space 60C, and the relief space 60B are not used, the number of mask trays stored in the pulsation buffer 80C increases.
  • the mask tray moves at an independent timing in the film forming apparatus 1, the movement time varies, but the time difference is absorbed by the pulsation buffer 80C.
  • Standby space 80D is a space for waiting the next mask tray so that the next mask tray can be moved to the substrate carry-in position 10P as soon as the mask tray at the substrate carry-in position 10P is moved.
  • the standby space 80D it is possible to immediately move the next mask tray to the substrate loading position 10P after completion of alignment and chuck processing at the substrate loading position 10P, which tends to be a bottleneck in processing time, thereby preventing a decrease in throughput. it can.
  • the standby space 80D is provided so that processing is not rate-determining at the substrate carry-in position 10P.
  • the mask unloading function of the mask exchange unit 81b of FIG. 1 is provided in the evacuation space 80A.
  • the mask unloading function can be performed at any position in the return unit 80. It may not be 80A.
  • the mask exchange unit 81b functions to move the used mask tray that has exceeded the number of uses to the carry-out mask stocker 90b. Specifically, of the mask tray that returns from the substrate carry-out position to the substrate carry-in position 10P, the mask that needs to be exchanged is carried from the mask exchange unit 81b to the carry-out mask stocker 90b. At the time of unloading, the unloading mask stocker 90b is in a high vacuum state.
  • the evacuation space 80A enters a mask tray receiving standby state from the substrate carry-out position 70P.
  • the buffer for the mask exchanged with the carry-out mask stocker 90b is secured in an empty state, and the buffer is secured until the mask can be moved.
  • the tact time of the film forming apparatus 1 does not decrease.
  • a new mask tray can be carried in by making the replaced mask tray empty.
  • the standby space 80D has the function of carrying in and moving the mask of the mask exchange part 81a of FIG. 1, but the standby space 80D may be located anywhere in the return part 80. Good.
  • the mask exchange unit 81b loads the unused mask tray into the space. In this manner, the mask exchange unit 81a carries in an unused mask tray into the return unit 80 in place of carrying out the used mask tray of the mask exchange unit 81b.
  • the mask exchange unit 81a puts the mask tray into a waiting state for receiving the mask tray from the pulsation buffer 80C. Thereby, it is possible to carry in the mask while keeping the vapor deposition chamber of the film forming unit 40 and the return unit 80 in a high vacuum. Even if the mask trays are carried in one by one and the mask trays are replaced, the tact time of the film forming apparatus 1 does not decrease. By making the replaced mask tray empty, it is possible to prevent an excess or deficiency in the number of mask trays introduced into the film forming apparatus.
  • the control unit 100 controls each unit attached to the film forming apparatus 1, such as a vacuum pump and various drive mechanisms. Further, the controller 100 controls the gas G amount of the vapor deposition material introduced from the vapor deposition head and the opening / closing of each gate valve as needed.
  • the control unit 100 is also connected to a host computer (not shown).
  • the control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), and HDD (Hard Disk Drive).
  • the CPU executes vapor deposition processing and acceleration / deceleration processing according to various recipes stored in these storage areas.
  • the recipe describes process conditions, such as process time, pressure (gas exhaust), gas flow rate, acceleration / deceleration time in the first and second adjusting units 30 and 50, and the like.
  • Control unit 100 determines the replacement time of the mask tray based on the number of times of use and the vapor deposition time.
  • the mask tray replacement time may be determined by measuring the thickness of the mask tray. An ID is previously assigned to the mask tray.
  • the replacement timing of the mask tray is controlled for each mask tray ID by the scheduler in the control unit 100. In this way, the control unit 100 determines whether or not to replace the mask tray from the use state of the mask tray. If it is determined to replace the mask tray, the controller 100 automatically carries out the determined mask tray, Control is performed to automatically carry in unused mask trays.
  • FIG. 4 is a configuration diagram of an unloading mask stocker 90b according to the first and other embodiments described later.
  • the load lock is disposed above, but may be disposed below.
  • a mask stocker configuration example 1 First, a mask stocker configuration example 1 will be described.
  • the mask load lock 91 is connected via the gate valve V7 on the upper side surface of the unloading mask stocker 90b, and the connecting portion of the unloading mask stocker 90b and the return unit 80 (mask exchange unit 81b) is Does not have a valve.
  • the used masks M1, M2, and M3 are moved upward in the carry-out mask stocker 90b and stocked in an upper order.
  • mask stocker configuration example 2 Next, mask stocker configuration example 2 will be described.
  • the mask load lock 91 is connected to the upper part of the unloading mask stocker 90b via the gate valve V7, and the connecting portion of the unloading mask stocker 90b and the return unit 80 (mask exchange unit 81b) is the gate valve. They are connected via V6.
  • the gate valve V6 is provided to facilitate maintenance.
  • the mask replacement line 92 is connected inline to the upper side surface of the carry-out mask stocker 90b via the gate valve V7.
  • the connecting portion between the carry-out mask stocker 90b and the return portion 80 (mask exchange portion 81b) is connected via a gate valve V6.
  • the gate valve V6 is provided to facilitate maintenance.
  • the mask exchange mechanism can be constructed in multiple ways, such as in-line connection, transfer by an automatic transfer robot, and load lock. Further, there may or may not be a gate valve between the return unit 80 and the gate. However, in the case where there is a gate valve between the return unit 80, moisture from the load lock side can be prevented from entering the vapor deposition chamber of the return unit 80 or the film forming unit 40.
  • FIGS. 5 to 7 are diagrams showing an example of the operation of the carry-out mask stocker according to the first and other embodiments.
  • the mask stocker operation example 1 First, the mask stocker operation example 1 will be described. As shown in S11 of FIG. 5, the gate valve V6 is controlled to be opened. At this time, the gate valve V7 is controlled to be closed. Next, as shown in S12 of FIG. 5, the mask tray M1 to be unloaded is moved to the unloading mask stocker 90b. Next, as shown in S13 of FIG. 5, the gate valve V6 is controlled to be closed, the mask tray M1 is moved to the upper stage of the carry-out mask stocker 90b, and stocked by top-packing.
  • Mask Stocker Operation Example 2 shows a case where the mask trays M2 and M3 are unloaded following S11 to S13 in FIG.
  • the gate valve V6 is controlled to open again, and the mask tray M2 is moved to the unloading mask stocker 90b.
  • the gate valve V7 is controlled to be closed.
  • the gate valve V6 is controlled to be closed, and the mask tray M2 moved to the carry-out mask stocker 90b.
  • M3 is moved to the upper stage of the unloading mask stocker 90b.
  • the mask trays M1, M2, and M3 are stocked in an upper order.
  • the used mask tray is stocked in a state where it can be immediately taken out from the return section 80. That is, if the mask tray is left below the carry-out mask stocker 90b, the mask tray needs to be moved before the next used mask tray is received. On the other hand, if the mask tray is stocked in an upper order, the processing can be performed in a short time even when the used mask is taken out from the mask load lock 91.
  • the acceleration / deceleration and time are not changed by the conveyance speed, and only the processing start timing is controlled.
  • the method (1) has an advantage that the conveyance control is simple because the conveyance starts at regular intervals. In order to accurately grasp the position of the preceding mask tray, it is necessary to use a plurality of transport mechanisms in combination, and a complicated and expensive transport system is required. In addition, in the case of roller conveyance where the substrate position cannot be confirmed, it is necessary to start conveyance at a fixed timing. In this case, there is a risk that a collision occurs when the preceding substrate is delayed due to a trouble or the like.
  • the method (3) changes the maximum speed, the influence on the apparatus size can be reduced. However, the range of usable speeds for the transport mechanism is widened, which may increase the cost of the mechanism unit. .
  • the method (5) can determine the stable speed position and is effective when there is a restriction on the distance of the free drive shaft necessary for speed transfer.
  • FIGS. 10 high-speed pattern
  • FIG. 11 low-speed pattern: the maximum transfer time in FIG. 10 is changed
  • FIG. 12 shows a case where the maximum transport speed and the maximum transport time are changed (low speed pattern).
  • FIG. 8 is a flowchart showing acceleration / deceleration processing of the substrate according to the first and other embodiments described later.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a horizontal transfer operation of a substrate according to the first and other embodiments described later.
  • 10 to 12 are diagrams showing an example of the acceleration / deceleration control of the substrate according to the first and other embodiments described later. Values necessary for the acceleration / deceleration control in FIGS. 10 to 12 are set in advance in the recipe.
  • the substrate SB that has completed the lift-up process waits for the start of the acceleration / deceleration control process.
  • the control unit 100 performs control so as to start the acceleration / deceleration control process at a fixed timing each time. That is, the control unit 100 determines whether 120 seconds have elapsed after the substrate SA on which the previous mask tray is mounted has started transporting (step S100 in FIG. 8), and steps until the 120 seconds have elapsed. The process of S100 is repeated, and when 120 seconds have elapsed, the process proceeds to the next step.
  • the control unit 100 starts transporting the substrate SB and accelerates the substrate SB based on the recipe (step S102 of FIG. 8). For example, in FIG. 10, the transfer of the substrate SB is started at time t0, and as shown in S44 of FIG. 9, the substrate SB is accelerated to the maximum transfer speed, and the interval with the previous substrate SA is shortened. . In FIG. 10, the substrate SB reaches the maximum transport speed at time t1.
  • the control unit 100 transports the substrate SB at a predetermined speed for a predetermined time based on the recipe (step S104 in FIG. 8).
  • the substrate SB is transported at a constant speed from time t1 to time t2.
  • the control unit 100 decelerates and conveys the substrate SB to the film deposition conveyance speed based on the recipe (Step S106 of FIG. 8).
  • the deceleration control is performed from time t2, and since the film formation conveyance speed is reached at time t3, the deceleration control is stopped and the film formation conveyance speed is controlled.
  • S46 of FIG. 9 when the substrate SB reaches the film forming conveyance speed, the distance between the substrate SA and the substrate SB becomes constant.
  • the substrate SB on which the mask tray is mounted enters the film forming unit 40, and the vapor deposition process is performed at the film forming conveyance speed.
  • the substrate on which the mask tray is mounted needs to be stable at the film forming conveyance speed before the substrate on which the mask tray is mounted enters the vapor deposition region of the film forming unit 40.
  • the substrate SB on which the previous mask tray is mounted moves about 3000 mm and the interference disappears, lift-up of the substrate SC on which the next mask tray is mounted is started.
  • the area enclosed by the graphs in FIGS. 10 to 12 is the moving distance of the substrate on which the mask tray is mounted. 10 and FIG. 11, since the film forming conveyance speed is different, the time to start deceleration (time t2 in FIG. 10, time t4 in FIG. 11) and the time to reach the film forming conveyance speed (time t3 in FIG. 10, FIG. 11). Are different in time t5).
  • the film forming transport speed is the same.
  • the maximum transport speed is larger than that in FIG. 11, so that the arrival time t1 ′ up to the maximum transport speed is as shown in FIG. This is later than the arrival time t1 up to the maximum transport speed, and the deceleration start time t2 ′ is earlier than the time t2 in the case of FIG.
  • the substrate is formed by the vapor deposition process in a state where the distance between the substrates on which the mask tray is mounted is constant by the acceleration / deceleration control process executed by the first adjustment unit 30.
  • the control unit 100 may execute acceleration / deceleration control based on one recipe selected from a plurality of recipes for setting acceleration and deceleration controls shown in FIGS. 10, 11, and 12, respectively.
  • the slopes of acceleration and deceleration are the same in any of FIGS. 10, 11, and 12. This is to prevent the substrate from slipping on the transport mechanism (roller transport mechanism or the like described later). Therefore, the movement distance of the substrate is controlled by changing the maximum speed or changing the transfer time at the maximum speed without changing the inclination of acceleration and deceleration. Thereby, the carrying process is started every tact time of 120 seconds, and the deposition process is performed on the substrate for a predetermined film formation time. In the case of changing the transfer time without changing the transfer speed of the substrate on which the mask tray is mounted, the acceleration / deceleration time is controlled by the maximum speed to shorten the transfer time, or the combination thereof can be controlled. The acceleration / deceleration control process is also executed in the second adjustment unit 50 in the same manner.
  • control unit 100 accelerates and decelerates the substrate in order to optimize the conveyance speed of the substrate in the first space of the first adjustment unit 30 and the distance from the substrate in front of the substrate. Control to do.
  • substrate can be optimized and the film-forming time can be made uniform.
  • control unit 100 controls the transport speed of the substrate in the second space of the second adjustment unit 50 so that the substrate is accelerated and decelerated in order to optimize the distance between the substrate and the subsequent substrate. .
  • substrate can be optimized and the raising / lowering operation time can be ensured.
  • horizontal transport mechanism roller transport can be used, or roller transport and other mechanisms can be combined. As an example, a construction example of a horizontal transport mechanism is shown.
  • FIG. 13 is a view showing an example of a horizontal transport mechanism for a substrate according to the first and other embodiments described later.
  • power is transmitted from the atmosphere to the vacuum by the motor 130 in the atmosphere while the inside and the outside are sealed through the magnetic fluid seal 131, and the rollers 132a and 132b inside the apparatus are rotated.
  • the mask tray M and the substrate S are transported.
  • the side rollers 133 are provided in the vicinity of the chamber side wall 134 in order to restrain the mask tray M in the transport direction.
  • the side roller 133 may be changed to a tapered roller 132b (in this case, a tray-side V-groove 132c) or the like.
  • the mask tray and the substrate are decelerated after acceleration in the acceleration / deceleration section while being constrained in the transport direction, and are transported through the constant-speed transport section, which is the film formation area, through the free area of the predetermined section, and are deposited.
  • the horizontal transport mechanism controls the acceleration / deceleration area and the deposition constant speed area separately.
  • the internal rollers 132a and 132b are not rotated by power transmission.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of another substrate horizontal transport mechanism.
  • FIG. 15 shows a roller transport that transmits power by rack and pinion. Unlike the roller conveyance in FIG. 13, the power is transmitted by a motor-side pinion 135 and a mask tray-side rack (not shown). That is, a small-diameter circular gear called a pinion 135 is rotated by power from a motor, and the rotation is transmitted to a mask tray side rack with teeth on a flat plate-like bar, whereby the rotational movement of the pinion is transmitted to the rack. Convert to linear motion. Thereby, a mask tray can be reliably conveyed, without slipping. At this time, it is also possible to use a mechanism for guiding the mask tray moving direction uniaxially as described above.
  • FIG. 16 is a diagram showing an example of a vertical transport mechanism for a substrate according to the first and other embodiments described later.
  • the vertical transport mechanism according to this embodiment there are four tray receiving claws 61 in the horizontal direction with respect to one mask tray M, and the mask trays are separated from four places. To support. As the mask tray receiving claw moves up and down, the mask tray is conveyed in the vertical direction. In the storage chamber, a state in which the substrate on which the mask tray is mounted is held by the tray receiving claw 61 is defined as a storage chamber.
  • the tray receiving claw 61 has a lifting mechanism composed of a ball screw 64 and a guide linear bush 63 constrained on one axis, and the tray receiving claw 61 is horizontally moved by rotating the spline shaft 65. It consists of two axes of a receiving claw storage mechanism 62 (rack and pinion) that moves in the direction.
  • the individual tray receiving claws 61 can be moved up and down independently by the lifting mechanism, and fluctuations in conveyance can be suppressed.
  • the elevating mechanism power is transmitted to the ball screw 64 to elevate and lower the mask tray M supported by the tray receiving claw 61.
  • the tray receiving claw 61 rotates, and it becomes difficult to fix the tray in the horizontal direction.
  • a guide linear push 63 is provided that is constrained to one axis so that the tray receiving pawl does not rotate. With this configuration, vertical conveyance of the mask tray M is realized.
  • the four tray receiving claws 61 are horizontally displaced from the other tray receiving claws and are provided at different positions so that the receiving claws do not collide with each other when moved up and down.
  • the tray receiving claw 61 When the tray receiving claw 61 reaches the uppermost position and the tray receiving claw 61 is left as it is, when the next mask tray is lowered to the lowermost position to receive it, the receiving claw 61 hits the lower mask tray. End up. Therefore, the tray receiving claw 61 is retracted to the outside and then lowered to the lowest position.
  • a rack and pinion is used as the retraction mechanism (receiving claw storage mechanism). In the rack and pinion, the tray catching claw moves outward as the spline shaft rotates. Thereby, the tray receiving claw 61 moves to the outside of the paper surface. In this manner, the tray receiving claw 61 can be stored by the receiving claw storage mechanism 62. This can prevent interference with other mask trays during elevation.
  • each storage chamber can move independently in one direction.
  • the film forming apparatus 1 according to the first embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 1 according to the first embodiment, the tact time of the system can be increased by the buffer mechanism that absorbs the variation in various processing times. In addition, since the number of mechanisms in the film forming apparatus 1 is small and the configuration is simple, the footprint of the film forming apparatus 1 can be reduced.
  • FIG. 17 is a diagram schematically illustrating a film forming apparatus according to the second embodiment.
  • the film forming apparatus 1 includes a substrate carry-in unit 10, a carry-in side buffer unit 20, a first adjustment unit 30, a film formation unit 40, a second adjustment unit 50, a carry-out side buffer unit 60, a substrate carry-out unit 70, and a return unit 80.
  • the difference from the first embodiment is that the position of the substrate carry-in unit 10 is shifted toward the front of the page, and a space for arranging the alignment mechanism and the chuck mechanism is added above the substrate carry-in unit 10 and the substrate carry-out unit 70. is there.
  • the return unit 80 is arranged at a position shifted by one step from the film forming unit 40 toward the front side of the drawing.
  • a mechanical mechanism 15 such as an alignment mechanism or a chuck mechanism can be attached to the upper portion of the substrate carry-in portion 10.
  • a CCD camera for alignment is disposed on the upper part of the substrate carry-in unit 10 for performing alignment between the substrate and the mask tray, and the substrate and the mask tray are aligned by the CCD camera.
  • the mechanism can be simplified by disposing the mechanical mechanism 15 on the upper portion.
  • a mechanical mechanism 75 such as a chuck mechanism (not shown) on the substrate carry-in portion 10 side and a dechuck mechanism on the substrate carry-out portion 70 side is easily arranged.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to the third embodiment.
  • the film forming apparatus 1 includes a substrate carry-in unit 10, a carry-in side buffer unit 20, a first adjustment unit 30, a film formation unit 40, a second adjustment unit 50, a carry-out side buffer unit 60, a substrate carry-out unit 70, and a return unit 80.
  • a mechanical mechanism 15 such as an alignment mechanism or a chuck mechanism can be attached to an upper portion of a substrate loading load lock (substrate loading portion 10) connected to the gate valves V3 and V9. It is. Further, a mechanical mechanism 75 such as a dechuck mechanism can be attached to an upper portion of a substrate carrying load lock (substrate carrying unit 70) connected to the gate valves V4 and V10.
  • the substrate loading load lock (substrate loading unit 10) and the substrate loading load lock (substrate loading unit 70) according to the present embodiment.
  • the mask tray can be replaced at the same time in two upper and lower stages, thereby further reducing the tact time.
  • the alignment mechanism and the chuck mechanism have two or more stages. By performing the alignment operation and the chucking operation at the same time, it is possible to simultaneously carry in and out from the substrate carry-in unit 10.
  • FIG. 19 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to the fourth embodiment.
  • the film forming apparatus 1 includes a substrate carry-in unit 10, a substrate rotating unit 10a, an alignment unit 10b, a carry-in buffer unit 20, a first adjustment unit 30, a film formation unit 40, a second adjustment unit 50, and a carry-out buffer unit 60. , A mask dechuck part 70b, a substrate rotating part 70a, a substrate carry-out part 70, and a return part 80.
  • the film forming apparatus 1 further includes a part that stocks the chucking mechanism by the chucking stock part 93.
  • a chucking stock portion 93 is provided in case of an emergency such as a failure of the chucking mechanism.
  • the film forming apparatus 1 further includes a carry-in mask stocker 90a, a carry-in mask stocker load lock 91a, a carry-out mask stocker 90b, and a carry-out mask stocker load lock 91b, thereby performing mask exchange as described above.
  • the substrate carry-in unit 10 carries the substrate S and places the substrate S on the mask tray M. In this state, the chucking stage is lowered and the substrate S is adsorbed to the chucking stage by intermolecular force. Thereby, the bending of the large glass substrate S is eliminated.
  • the substrate rotating unit 10a performs the alignment by the alignment unit 10b after inverting the substrate S and then chucking the substrate S face up.
  • the arrangement position of the substrate rotation unit 10a and the alignment unit 10b may be reversed. In that case, after aligning the substrate S by the alignment unit 10b, the substrate S is reversed by the substrate rotating unit 10a, and the substrate S is conveyed face up to the vapor deposition module.
  • the part that performs the alignment operation and the part that performs the chucking operation are separated, but the substrate carry-in unit 10, the substrate rotating unit 10a, and the alignment unit 10b are all a kind of buffer mechanism.
  • the mask dechuck part 70b, the substrate rotating part 70a, and the substrate carry-out part 70 are all types of buffer mechanisms.
  • the film forming apparatus 1 according to the fourth embodiment is basically constructed only by horizontal movement, and is configured so that a mechanical mechanism such as an alignment mechanism or a chuck mechanism can be easily attached to the upper part or the lower part of each part. ing.
  • FIG. 20 An example of a film forming apparatus according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
  • a plurality of mask trays M in which a tray carrying the substrate S and a mask for pattern formation are integrated, and a chucking stage C for holding the substrate S horizontally are used.
  • the plurality of mask trays M and the plurality of chucking stages C need to be returned to the substrate carry-in unit 10 and the alignment unit 10b simultaneously or continuously.
  • a return route 80 is provided with a transfer route capable of transferring a plurality of mask trays M and a plurality of chucking stages C in succession at the same time.
  • the return unit 80 includes a route 1 for transporting a plurality of mask trays M and a route 2 for transporting a plurality of chucking stages C.
  • Route 1 and route 2 are independent conveyance routes, and the mask tray M and the chucking stage C are conveyed along these routes without interference. Therefore, by increasing the transport speed of one of the mask tray M and the chucking stage C, the return unit 80 can pass either one.
  • Route 1 and Route 2 are arranged in the same vacuum chamber of the return unit 80.
  • the inside of the return unit 80 may be the atmosphere.
  • the substrate S is loaded into the substrate loading unit 10 by opening and closing the gate valve V3.
  • the chucking stage C is stocked in the chucking stock unit 93, and the route 2 of the return unit 80 is forwarded so as to be paired with the substrate S that is carried in, and is carried into the substrate carry-in unit 10.
  • the substrate S is placed on the chucking stage C. In this state, the substrate S is adsorbed on the surface of the chucking stage C by the adsorption mechanism.
  • the substrate rotating unit 10a reverses the chucking stage C with the substrate S adsorbed to the chucking stage C, and then transports it to the alignment unit 10b.
  • the substrate rotating unit 10a reverses the chucking stage C, the substrate S mounted on the mask tray M is attracted to the chucking stage C in a face-down state.
  • the alignment unit 10b performs alignment between the mask tray M and the substrate S on the chucking stage C.
  • FIG. 21 shows an example in which the substrate S on the chucking stage C is placed in a state aligned with the mask tray M.
  • the mask tray M is provided with a frame rail 84a at the top and a frame rail 84b at the bottom.
  • the rails 84a and 84b are in contact with the roller R and move the mask tray M by the rotation of the roller R. Therefore, the rails 84a and 84b are made of hard metal.
  • the mask tray M is transported by the transport roller R.
  • the substrate rotating unit 10a reverses the chucking stage C while the substrate S is attracted to the chucking stage C.
  • the mask tray M is roller-conveyed using the upper frame rail 84a before the rotation, and is roller-conveyed using the lower frame rail 84b after the rotation.
  • the substrate S can be transported by rollers either face up or face down.
  • the rails 84a and 84b are provided in the x direction and the y direction. Therefore, the mask tray M can be conveyed by rollers in the x direction and the y direction.
  • the mask tray M formed by the film forming unit 40 is conveyed to the mask dechuck unit 70b by the roller R1 that rotates in the x direction.
  • the mask dechuck part 70b separates the chucking stage C placed on the mask tray M together with the substrate S adsorbed on the chucking stage C.
  • the separated mask tray M is lifted by the lifting mechanism 85 at the mask dechuck part 70b.
  • the mask tray may be suspended by a mechanism (not shown) that suspends the mask tray M.
  • the retracted roller R2 rotating in the y direction is returned to the original position, and the rail 84b of the mask tray M is brought into contact with the roller R2.
  • the separated mask tray M is conveyed by a roller while changing the traveling direction at 90 ° C. from the x direction to the y direction.
  • the mask tray M conveyed to the return unit 80 is lowered by an elevating mechanism (not shown), and the rail 84b of the mask tray M is brought into contact with the roller R1 that rotates in the x direction.
  • the mask tray M is roller-conveyed while changing the traveling direction at 90 ° C. from the y direction to the x direction.
  • the chucking stage C is roller-transferred by changing the traveling direction at 90 ° C. from the x direction to the y direction.
  • the substrate S adsorbed to the chucking stage C on the mask tray M is carried into the film forming unit 40 whose speed and interval are controlled via the carry-in buffer unit 20 and the first adjusting unit 30, and the deposition gas is attached. Thus, a desired film is formed.
  • the substrate S is formed in a face-down state.
  • the speed and interval of the substrate S adsorbed to the chucking stage C on the mask tray M is controlled through the second adjustment unit 50 and the carry-out side buffer unit 60.
  • the mask dechuck part 70b separates the chucking stage C placed on the mask tray M together with the substrate S adsorbed on the chucking stage C.
  • the mask tray M separated from the chucking stage C is forwarded to the alignment unit 10b via the route 1 of the return unit 80.
  • the chucking stage C and the substrate S are transported to the substrate rotating unit 70a.
  • the substrate S is reversed together with the chucking stage C by the substrate rotating unit 70a, the film forming surface is turned upward, and then the substrate S is transferred to the substrate carry-out unit 70.
  • the configuration of the substrate carry-out unit 70 is opposite to the configuration of the substrate carry-in unit 10 described above. That is, the chucking stage C and the substrate S are separated by the substrate carry-out unit 70.
  • the substrate S is unloaded from the substrate unloading unit 70 by opening and closing the gate valve V4.
  • the chucking stage C separated from the substrate S is collected in the chucking stock section 93 by opening and closing the valve 13.
  • the return unit 80 connects the alignment unit 10b and the mask dechuck unit 70b, and returns the mask tray M to the alignment unit 10b (route 1). In this way, the mask tray M is forwarded and used repeatedly. However, if necessary, the used mask tray M is transferred from the return unit 80 to the mask stocker 90b, and the unused mask tray M is supplied from the mask stocker 90a to the return unit 80. M is exchanged.
  • the return unit 80 connects the substrate carry-in unit 10 and the substrate carry-out unit 70 and returns the chucking stage C to the substrate carry-in unit 10 (route 2). In this way, the chucking stage C is forwarded and used repeatedly.
  • route 1 and the route 2 may be provided in the upper and lower stages of the return unit 80, respectively.
  • Each route is preferably provided in the same space. However, each route may be provided in another space.
  • the mask tray M and the chucking stage C used in the description of this modification are examples of work members used for transporting the substrate S or forming a film in the film forming apparatus 1.
  • the mask and the tray can each be a work member. Therefore, the return part 80 should just have the route which can convey at least 2 or more types of workpiece members independently, without interfering, respectively.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to the fifth embodiment.
  • the film forming apparatus 1 according to the fifth embodiment has a configuration capable of continuous film formation of an organic film forming process and a metal electrode film forming process as an example of optimally producing a plurality of processes.
  • the left side of FIG. 23 is a film forming apparatus that performs organic film formation
  • the right side of FIG. 23 is a film forming apparatus that forms a metal film to be a metal electrode, both of which are the film forming apparatus of the fourth embodiment. It has the same configuration.
  • the difference from the film forming apparatus according to the fourth embodiment is that a film forming apparatus that performs organic film formation and a film forming apparatus that forms a metal film are connected by a transfer unit 170b.
  • the transfer unit 170b the substrate S is conveyed by rollers.
  • the transfer method of the substrate S is not limited to this, and may be transferred by a robot, for example.
  • the substrate S is carried in from the left end as shown in the upper part of FIG. 23, and an organic film is formed by vapor deposition in the film forming unit 40a.
  • a metal film is formed on the substrate S by vapor deposition in the film forming unit 40b after passing through the transfer unit 170b.
  • the substrate S on which the organic film and the metal film are continuously formed is carried out from the right end.
  • the chucking stage C as a work member for transporting the substrate S without bending can be handled in common in a film forming process by organic vapor deposition and a film forming process by metal vapor deposition. Therefore, the chucking stage C chucks the substrate S by the substrate carry-in unit 10 and dechucks the substrate S by the substrate carry-out unit 70 through the film forming units 40a and 40b, as shown in the middle stage of FIG. Thereafter, the process returns from the return units 80a and 80b to the substrate carry-in unit 10. In this way, the chucking stage C is forwarded and used repeatedly.
  • the mask tray a mask tray M1 for organic film formation and a mask tray M2 for metal film formation having different patterns are used. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 23, the mask tray M1 is mounted with the substrate S aligned by the alignment unit 10b, passes through the film forming unit 40a, and is separated by the substrate transfer unit 170a. The return unit 80a returns to the alignment unit 10b.
  • the substrate S separated from the mask tray M1 is transported by a roller through the transfer unit 170b and carried into the alignment unit 170.
  • the mask tray M2 places the substrate S aligned by the alignment unit 170, passes through the film forming unit 40b, separates the substrate S by the mask dechuck unit 70b, and then returns from the return unit 80b to the alignment unit 170. In this way, the mask trays M1 and M2 are repeatedly used by being routed through different paths (return portions 80a and 80b).
  • a several vapor deposition process can be performed continuously and a several different film
  • membrane can be continuously formed into a film.
  • the transfer unit 170b by providing a pressure gradient inside the organic film forming side and metal film forming side apparatuses connected by the transfer unit 170b, the conductance in the apparatus between the organic film forming side and the metal film forming side is reduced, The valve provided in the transfer unit 170b can be eliminated.
  • the pressure gradient (eg, 10 ⁇ 2 Pa) inside the apparatus on the organic film forming side is about 10 ⁇ 2 lower than the pressure (eg, 10 ⁇ 4 Pa) inside the apparatus on the metal film forming side. It is preferable to attach.
  • two film forming apparatuses that perform organic film formation ⁇ metal film formation are connected.
  • the present invention is not limited to this.
  • three or more film forming apparatuses are connected so that the process of forming different films can be repeated a plurality of times, such as organic film formation ⁇ metal film formation ⁇ organic film formation ⁇ metal film formation.
  • four film forming apparatuses may be connected to perform the steps of organic film formation ⁇ metal film formation ⁇ organic film formation ⁇ metal film formation.
  • the buffer has a mechanism that operates independently at all stages.
  • the buffer can continue to operate continuously in one direction (up / down).
  • ⁇ Has a mechanism to return the mask while holding the vacuum with the mask return mechanism.
  • the mask return mechanism can have a mask cooling mechanism.
  • the mask return part can have a mask cleaning mechanism.
  • the mask can be replaced automatically.
  • the deposition chamber, buffer mechanism, and mask return mechanism are separated by a gate valve, and maintenance can be performed independently.
  • Processes can be processed at different film formation speeds, and even at different speeds, the process can be performed with optimal tray spacing.
  • a film is formed on the substrate by vapor deposition, but the film forming apparatus according to the present invention is not limited to this, and the substrate may be formed by CVD, sputtering, or the like.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　基板を搬入する基板搬入部と、前記搬入された基板を成膜する成膜部と、前記成膜された基板を搬出する基板搬出部と、前記基板搬入部と前記基板搬出部とを連結するリターン部と、前記成膜部と連結し、第１の空間において基板の搬送速度を調整しながら該基板を該成膜部まで搬送する第１の調整部と、前記成膜部と連結し、第２の空間において基板の搬送速度を調整しながら該成膜部から搬出された該基板を搬送する第２の調整部と、前記基板搬入部と前記第１の調整部とを連結し、前記第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬入側バッファ部と、前記第２の調整部と前記基板搬出部とを連結し、前記第２の空間内から搬出した後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬出側バッファ部と、を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。

Description

成膜装置及び成膜方法
　本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
　基板に薄膜を成膜する方法として、蒸着やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等がある。例えば、特許文献１には、蒸着により基板に薄膜を成膜する技術が開示されている。特許文献１では、基板は真空処理容器内に搬入され、アライメント装置によってアライメント（マスクに対する基板の位置決め）が行われた後、保持台に保持される。そして、保持台が水平方向にスライドすることにより、基板が蒸着装置の近傍に搬送され、蒸着装置から供給される気体原料が飛来し、基板に付着することにより、基板上に膜が成膜される。複数の基板が同様に連続して搬送され、成膜される。
特開２００７－１６９７２８号公報
　しかしながら、基板のアライメントは必ずしも一回で成功するとは限らない。このため、基板毎にアライメントの処理時間にばらつきが生じる。また、前工程、後工程、各機構部の処理時間にもばらつきが生じる。今までの成膜装置では、これらのばらつきにより基板１枚当たりの成膜処理時間であるタクトタイム（成膜処理時間／基板）にばらつきが生じ、装置の稼働率が低下していた。例えば、基板は、成膜装置内の蒸着等の成膜処理が実施される成膜部へ搬送され成膜処理される。成膜部へ連続して基板を搬送する場合、搬送される基板同士の間隔が大きくなると成膜処理時間が大きくなることにより、タクトタイムは大きくなってしまう。結果として、装置の稼働率が低下することになる。成膜装置では、このタクトタイムを所定の値に一定に保つことで、装置の稼働率を高い状態に維持することができる。
　特に近年、ガラス基板の大型化によりガラス基板の撓みが大きいため、アライメントの精度を高めることが難しくなっている。その結果、上記アライメント時間のばらつきがタクトタイムの悪化の原因として無視できない課題となっている。
　更に、成膜装置により、有機ＥＬ素子（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｄｅｖｉｃｅ）を蒸着して形成する工程では、蒸着のためのマスクを所定回数使用し続ける。つまり、マスクは、所定回数使用されるまで再び基板搬入位置まで戻され、所定回数使用された後、クリーニングするために交換される。そのため、連続的な使用によるマスクの温度上昇によるマスク精度の低下やマスク交換による生産効率の低下といった課題が発生する。特に、有機ＥＬ素子に水分が付着すると有機ＥＬ素子の性能が低下する。よって、マスクに余分な水分が吸着することを抑止する必要がある。このため、マスクは水分を含む大気中に暴露せず、真空雰囲気下で基板搬入位置まで戻すことが望ましい。
　更に、処理室内でのアライメント時間に多くの時間を費やした場合には、タクトタイムを一定にするために成膜処理時間を短縮する方法が考えられる。このとき、成膜処理時間を短縮するためには蒸着温度を高くしなければならない。ところが、蒸着温度を高くすると生成された膜質が悪くなる。よって、膜質を良好に保ちながら（成膜処理時間を短縮せずに）、タクトタイムを一定にするには、所定の機構によりアライメント時間のばらつきを吸収し、連続して搬送される基板同士の間隔をできるだけ短くかつ均一にすることが好ましい。
　上記課題に対して、一側面では、良質な膜を成膜するとともに装置の稼働率（システムタクト）の向上を図ることが可能な成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明の一の観点によれば、
　基板を搬入する基板搬入部と、
　前記搬入された基板を成膜する成膜部と、
　前記成膜された基板を搬出する基板搬出部と、
　前記基板搬入部と前記基板搬出部とを連結するリターン部と、
　前記成膜部と連結し、第１の空間において基板の搬送速度を調整しながら該基板を該成膜部まで搬送する第１の調整部と、
　前記成膜部と連結し、第２の空間において基板の搬送速度を調整しながら該成膜部から搬出された該基板を搬送する第２の調整部と、
　前記基板搬入部と前記第１の調整部とを連結し、前記第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬入側バッファ部と、
　前記第２の調整部と前記基板搬出部とを連結し、前記第２の空間内から搬出した後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬出側バッファ部と、
を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。
　また、上記課題を解決するために、本発明の他の観点によれば、
　基板を搬入する基板搬入部と、
　前記搬入された基板を成膜する成膜部と、
　前記成膜された基板を搬出する基板搬出部と、
　前記基板搬入部と前記基板搬出部とを連結するリターン部と、
　前記成膜部と連結し、第１の空間において基板の搬送速度を調整しながら該基板を該成膜部まで搬送する第１の調整部と、
　前記成膜部と連結し、第２の空間において基板の搬送速度を調整しながら該成膜部から搬出された該基板を搬送する第２の調整部と、
　前記基板搬入部と前記第１の調整部とを連結し、前記第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬入側バッファ部と、
　前記第２の調整部と前記基板搬出部とを連結し、前記第２の空間内から搬出した後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬出側バッファ部と、
を備える成膜装置にて使用され、
　前記第１の空間における基板の搬送速度を、該基板の前の基板との間隔を適正化するための速度に制御する工程と、
　前記成膜部に搬送された基板を成膜する工程と、
　前記第２の空間における基板の搬送速度を、該基板の前の基板との間隔を適正化するための速度に制御する工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法が提供される。
　一態様によれば、良質な膜を成膜するとともに装置の稼働率の向上を図ることができる。
第１実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図。 第１～第４実施形態に係る成膜部を模式的に示した図。 第１～第３実施形態に係る成膜装置のバッファ機構を示した図。 第１～第４実施形態に係る搬出用マスクストッカの構成図。 第１～第４実施形態に係る搬出用マスクストッカの動作の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る搬出用マスクストッカの動作の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る搬出用マスクストッカの動作の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の加減速制御処理を示したフローチャート。 第１～第４実施形態に係る基板の水平搬送動作の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の加減速制御の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の加減速制御の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の加減速制御の一例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の水平搬送機構の一例を示した図。 テーパ付きコロを示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の水平搬送機構の他の例を示した図。 第１～第４実施形態に係る基板の垂直搬送機構の一例を示した図。 第２実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図。 第３実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図。 第４実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図。 第４実施形態に係る成膜装置の一実施例を示した図。 第４実施形態に係る成膜装置の一実施例においてマスクトレイに置かれた基板の搬送を説明するための図。 第４実施形態に係る成膜装置の一実施例においてマスクトレイのｘ、ｙ方向への搬送を説明するための図。 第５実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図。
　以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　＜はじめに＞
　本発明の各実施形態にかかる成膜装置は、ガラス基板と基板を運ぶトレイとシャドウマスクを使用して真空（１．０Ｅ－５Ｐａ～０．１Ｐａ）下にて成膜する装置である。マスクとトレイは一体でも良いし、別々の物を組み合わせて使用しても良い。以下では、一体式のマスクトレイを例に挙げて説明する。マスクトレイは、基板に所定のパターンを形成するために基板と密着した状態で成膜部内に導入される。マスクは、ファインマスクであっても、エリアマスクであっても良い。成膜面はフェイスアップ、フェイスダウン、成膜面を垂直に立てたものでも構わない。本発明の各実施形態にかかる成膜装置では、フェイスダウンを例に挙げる。本発明の各実施形態にかかる成膜装置は、様々な処理時間のばらつきを吸収するようなバッファ機構を設けて、成膜装置のタクトタイムを一定に維持し、高い装置稼働率を実現することを特徴とする。
　なお、本実施形態では、成膜装置内に基板が搬入され、その基板にマスクトレイが装着された後は、基板はマスクトレイが装着された状態で成膜処理され、その後所定の位置でマスクトレイが基板から取り外され、基板が装置外に搬出されるまで、基板はマスクトレイとともに搬送される。よって、以下の説明において、成膜装置内を搬送される基板を単に「基板」又は「マスクトレイ」と記載していても、基板にマスクトレイが装着された後、マスクトレイが基板から取り外されるまでは、「マスクトレイとともに搬送される基板」又は「基板とともに搬送されるマスクトレイ」を意味する。なお、本実施形態では、成膜装置は「マスクトレイが装着された基板」を搬送するが、必ずしもこれに限られず、本実施形態に係る成膜装置は、例えば基板のみを搬送する場合にも適用可能である。
　＜第１実施形態＞
［成膜装置の全体構成］
　まず、本発明の第１実施形態に係る成膜装置の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図である。成膜装置１は、基板搬入部１０、搬入側バッファ部２０、第１の調整部３０、成膜部４０、第２の調整部５０、搬出側バッファ部６０、基板搬出部７０、リターン部８０を有する。
　基板搬入部１０は、ゲートバルブＶ３の開閉により基板を搬入し、リターン部８０から基板搬入部１０に搬入されるマスクトレイとともにアライメントし、チャック機構により基板をマスクトレイに密着させる。
　搬入側バッファ部２０は、基板搬入部１０と第１の調整部３０とを連結し、第１の調整部３０内を形成する第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する。搬入側バッファ部２０は、基板搬入時やアライメントの処理時間のばらつきを吸収するバッファ機構の一つであり、マスクトレイに装着された基板を１段以上の収納室に収納する。搬入側バッファ部２０は、複数段の収納室を有していてもよい。その場合、各収納室は独立して稼動可能である。収納室前後のバッファで動きを連動させてしまうと、異なる機能を有するバッファであっても、一のバッファの動きが、他のバッファの動きに影響を与え、他のバッファの機能に悪影響を与える場合がある。このため、収納室はすべて別々に動作可能となっている。搬出側バッファ部６０も同様である。
　また、搬入側バッファ部２０の収納室は、一方向に（図１では下から上へ）稼動可能である。収納室を一方向にのみ移動可能とすることにより、収納室の戻り時間を不要とすることができる。
　第１の調整部３０は、成膜部４０と連結し、第１の空間において基板の加減速を制御しながら基板を成膜部４０まで搬送する。成膜部４０は、搬入された基板を基板搬送方向に搬送させながら、複数の蒸着源４１からの蒸着ガスの付着により所望の膜を成膜する。
　図２は、第１実施形態に係る成膜部４０及び後述する第２～第４実施形態に係る成膜部４０を模式的に示す。成膜部４０では、図２に示したように、マスクトレイＭに装着された基板Ｓが、フェイスダウン(成膜面が下向き)の状態で保持されている。マスクトレイＭは、把持部材１３６により周辺部を固定されている。図示しないモータより動力伝達を行い、装置内部のコロ１３２ａを回転させることにより、マスクトレイＭ及び基板Ｓの搬送を行う。
　成膜部４０の底部には真空ポンプＰ４８が設けられ、成膜部４０の内部を所望の真空状態に保持するようになっている。複数の蒸着源４１には、それぞれ所望の蒸着材料が収納されている。各蒸着材料は、各蒸着源４１にて蒸発し、ガスＧとなって蒸着ヘッド４２のノズル４４から成膜部４０内の空間に導かれる。ノズル４４の開口の上部には、各蒸着材料のガスＧを遮断可能なシャッター４３が設けられ、シャッター４３の開閉により、各蒸着材料のガスＧの拡散が制御される。図２では、紙面の右から２番目のシャッター４３のみ開いている。よって、基板は、紙面の右から２番目の蒸着材料のガスＧにより成膜され、その他の蒸着材料のガスＧは遮断される。なお、蒸着源はるつぼであってもよい。
　図１に戻り、成膜部４０にて成膜された基板は、第２の調整部５０内に搬送される。第２の調整部５０は、第２の調整部５０内の第２の空間において基板の加減速を制御しながら成膜部４０から搬出された基板を搬送する。
　第１の調整部３０及び第２の調整部５０では、成膜部４０内の蒸着エリアにて成膜中のマスクトレイが装着されている基板の搬送速度に影響を与えることなく、前後の基板を加速又は減速することが可能である。具体的には、センサの位置情報とマスクトレイの検出情報を得ることにより、加減速の領域においてタクトタイムを一定にするようにマスクトレイを加速及び減速することができる。つまり、センサで所定のマスクトレイの位置情報を得ておき、所定の位置からレシピに応じてタクトタイムに合わせた加減速の制御を行う。これにより、成膜部４０における成膜スペース内の基板のタクトタイムを一定にすることができる。これにより、異なる成膜プロセス毎に異なる成膜速度を設定しても、設定された成膜速度に応じてマスクトレイの間隔を最適に詰めてプロセス処理することができる。このようにして成膜時間を一定の成膜速度に制御することにより、本実施形態に係る蒸着により成膜された膜は、均一かつ良質となる。
　搬出側バッファ部６０は、第２の調整部５０と基板搬出部７０とを連結し、第２の調整部５０の第２の空間内から搬出された後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する。搬出側バッファ部６０は、基板搬出時のばらつきを吸収するバッファ機構と搬出側（搬出ロボット等）のトラブル時の救済スペースの一つであり、成膜された基板を各収納室に収納する。搬出側バッファ部６０は、複数段の収納室を有していてもよい。その場合、各収納室は独立して稼動可能である。また、搬出側バッファ部６０の収納室は、マスクトレイが装着されている基板を一方向に（図１では上から下へ）稼動可能である。
　なお、搬入側バッファ部２０及び搬出側バッファ部６０はゲートバルブにより各空間を分離可能となっている。第１の調整部３０と成膜部４０との間にはゲートバルブＶ１が介在し、成膜部４０と第２の調整部５０との間にはバルブＶ２が介在する。同様に、搬入側バッファ部２０、搬出側バッファ部６０、リターン部８０をゲートバルブにて分離すれば、各部を独立でメンテナンスすることができる。
　基板搬出部７０は、成膜された基板をデチャックによりマスクトレイから離脱させ、ゲートバルブＶ４の開閉により基板を搬出し、マスクトレイをリターン部８０に搬入する。
　リターン部８０は、基板搬入部１０と基板搬出部７０とを連結し、基板搬出部７０にて基板を離脱した後のマスクトレイを基板搬入部１０まで戻す。リターン部８０により、真空中でマスクトレイを搬送させ、真空を保持したままマスクトレイを基板搬入部１０まで戻すことができる。ここでは図示していないが、リターン部８０に、繰り返し使うマスクトレイの高温化防止のためのマスク冷却機構やマスククリーニング機構を設けることができる。
　マスクトレイは一定期間使用後、交換される。このため、成膜装置１は、未使用のマスクトレイを搬入するための専用マスクストッカ（搬入用マスクストッカ９０ａ）を備えることができる。また、成膜装置１は、使用済みのマスクトレイを搬出するための専用マスクストッカ（搬出用マスクストッカ９０ｂ）を備えることができる。使用済マスクトレイは搬出用マスクストッカ９０ｂから外部に搬出され、クリーニング後、未使用マスクトレイとして搬入用マスクストッカ９０ａから搬入される。
　リターン部８０には、マスクトレイを交換するマスク交換部８１ａ、８１ｂがある。マスク交換部８１ａは、ゲートバルブＶ５を介して搬入用マスクストッカ９０ａから未使用のマスクトレイを搬入する。搬入用マスクストッカ９０ａには未使用のマスクトレイがストックされている。マスク交換部８１ｂは、ゲートバルブＶ６を介して搬出用マスクストッカ９０ｂから使用済のマスクトレイを搬出する。搬出用マスクストッカ９０ｂには使用済のマスクトレイがストックされる。また、マスクトレイの交換時、搬入用マスクストッカ９０ａ及び搬出用マスクストッカ９０ｂに連結されたマスク用ロードロック（図４のマスク用ロードロック９１参照）にて基板を搬送する空間を大気から真空又は真空から大気に切り替えることができる。
　これによれば、タクトタイムに影響を与えることなく、使用済みマスクトレイと未使用マスクトレイを自動で交換することができる。実際には、後述する制御装置１００にて、使用回数をカウントして所定回数使用されたマスクトレイは、自動的に交換される。
　以上の搬入用マスクストッカ９０ａ、搬出用マスクストッカ９０ｂにより、マスク交換時、マスク用ロードロックにより、マスクトレイを大気圧に戻すことなく、マスク交換が可能である。また、基板搬入部１０、搬入側バッファ部２０、第１の調整部３０、成膜部４０、第２の調整部５０、搬出側バッファ部６０、基板搬出部７０、リターン部８０は環状に設けられている。このため、各部の内部空間は真空状態に保持され、真空雰囲気にて蒸着処理及び搬送処理を行うことができる。
　以上、本実施形態にかかる成膜装置１の全体構成について説明した。かかる構成によれば、バッファ機構により様々な処理時間のばらつきを吸収し、成膜装置１のタクトタイムを一定に保ち、装置稼働率を高めることができる。また、成膜装置１内の機構が少なく、構成がシンプルであるため、成膜装置１のフットプリントを小さくすることができる。以下に、本実施形態に係る成膜装置１のバッファ機構について図３を参照しながら詳述する。
　［成膜装置のバッファ機構］
　図３は、第１実施形態及び後述する第２、第３実施形態に係る成膜装置１のバッファ機構を模式的に示す。ガラス基板は左下からＶ３を介して基板搬入位置１０Ｐに搬入される。また、マスクトレイは装置内を一方方向（ここでは、紙面上で時計回り）に循環している。
　成膜装置１は、基板搬入部１０（アライメント機構部）と成膜部４０との間に搬入側バッファ部２０を有する。搬入側バッファ部２０は、バッファ機構として内部に退避スペース２０Ａ、脈動吸収スペース２０Ｂ及び待機スペース２０Ｃを有し、これにより、アライメントの処理時間、各処理時間のばらつき、基板搬入タイミングのばらつき等を吸収する。
　また、成膜装置１は、基板搬出部７０と成膜部４０の間に搬出側バッファ部６０を有する。搬出側バッファ部６０は、バッファ機構として内部に退避スペース６０Ａ、救済スペース６０Ｂ及び脈動吸収スペース６０Ｃを有する。退避スペース６０Ａは、各処理時間のばらつき、基板搬出タイミングのばらつき等を吸収する。救済スペース６０Ｂは、搬出側（搬出ロボット等）のトラブルが生じた場合でも蒸着エリアでの基板停止を防止する搬出用のバッファ機構として、成膜部４０と基板搬出部７０との間に複数設けられている。脈動吸収スペース６０Ｃは、基板搬出タイミングや基板搬出処理時間のばらつきを吸収する。
　以下では、基板搬入から、成膜、搬出までの一連の動作と各バッファ機構の作用について、図３を参照しながら説明する。
　（１）基板搬入位置１０Ｐ
　基板搬入部１０では、ゲートバルブＶ３の開閉により搬入口から基板が搬入され、リターン部８０側から搬入されたマスクトレイ上に置かれる。その際、基板搬入部１０では、基板とマスクトレイとのアライメントが実行される。アライメントが完了した基板は、マスクトレイに吸着される。
　（２）退避スペース２０Ａ
　退避スペース２０Ａは、アライメント及びチャックが完了したマスクトレイに装着された基板を退避させるスペースである。退避スペース２０Ａは、搬入側バッファ部２０内に設けられた複数段の収納室のうち基板搬入位置１０Ｐに最も近い位置に設けられている。退避スペース２０Ａを設けることで、処理時間のボトルネックになりやすい基板搬入位置１０Ｐでの上記処理完了後、すぐにマスクトレイに装着された基板を上部に移動できる。つまり、退避スペース２０Ａは、アライメントが完了し、マスクトレイに装着された基板を直ぐに退避させる機能を有する。これにより、次の基板のアライメントの妨げにならず、基板搬入部１０内で次の基板のアライメントを直ちに実行することができる。
　以上の効果を得るために、退避スペース２０Ａは、常時空きにしておく方がよい。これにより、基板搬入位置１０Ｐでの処理時間を最短にし、基板搬入位置１０Ｐでの処理が完了したらすぐにトレイを退避スペース２０Ａに退避できる。
　（３）脈動吸収スペース２０Ｂ
　退避スペース２０Ａが、前の処理（例えば基板搬入位置１０Ｐ）のばらつきによる律速を抑止するための吸収スペースであるのに対して、脈動吸収スペース２０Ｂは、後の処理（例えば第１の調整部３０の加減速処理）にばらつきを生じさせないための吸収スペースである。
　具体的には、脈動吸収スペース２０Ｂは、チャック、アライメント時間のばらつき（リトライなど）を吸収する。また、脈動吸収スペース２０Ｂは、基板搬入タイミングのばらつき、脈動を吸収する。脈動吸収スペース２０Ｂは、その他、各機構の処理時間のばらつきを吸収する。
　脈動吸収スペース２０Ｂを設けた場合、次のような効果を有する。たとえば、基板搬入部１０にてアライメントが成功し続ける間、脈動吸収スペース２０Ｂには、マスクトレイに装着された基板が複数貯まる。基板搬入部１０にてアライメントのリトライが生じたときに、脈動吸収スペース２０Ｂは、貯まっている基板を成膜部４０側へ搬出する。その間に、基板搬入部１０ではアライメントを成功させ、脈動吸収スペース２０Ｂに基板を搬送すれば、成膜部４０での基板処理を遅延させずに、アライメント時にリトライが発生した基板を前の基板に追従させることができる。これにより、リトライ発生時の遅延が生じても装置の稼働率の低下を防止できる。また、搬入側バッファ部２０に脈動吸収スペース２０Ｂを設けることで、基板搬入位置１０Ｐでの基板搬入タイミングと成膜部４０への基板搬送との処理を直接影響が無いように各機構の処理時間のばらつきを吸収できる。これにより、蒸着スペース４０Ａにおいて、タクトタイムを一定（例えば、１２０秒）にし、スループットの低下防止と蒸着による良好な成膜を実現できる。
　（４）待機スペース２０Ｃ
　待機スペース２０Ｃは、マスクトレイが装着されている基板（上部搬送）が、搬送開始位置３０Ｐから成膜部４０の蒸着スペース４０Ａに搬入されたら、次のマスクトレイが装着されている基板をすぐに搬送開始位置３０Ｐに上昇できるようにマスクトレイが装着されている基板を待機させるスペースである。待機スペース２０Ｃは、搬入側バッファ部２０内に設けられた複数段の収納室のうち搬送開始位置３０Ｐに最も近い位置に設けられている。最上段の搬送開始位置３０Ｐに存在するトレイ（上部搬送）が蒸着スペース４０Ａに搬入されたらすぐに次のトレイを搬送開始位置に移動することができ、蒸着スペース４０Ａへの搬送の遅延を防止し、スループットの低下を防止できる。
　（５）搬送開始位置３０Ｐ
　搬送開始位置３０Ｐは、第１の調整部３０内に設けられ、待機スペース２０Ｃに待機していたマスクトレイが装着されている基板をリフトアップさせる機能と、蒸着スペース４０Ａへの搬送のための加減速機能と、蒸着スペース４０Ａへの搬送開始時間を調整する機能とを有する。
　基板は、蒸着スペース４０Ａへの搬送開始準備が完了してもすぐに搬送を開始せずに搬送開始位置３０Ｐで待機させ、前の基板が搬送開始してから所定のタクトタイムが経過した後に搬送が開始される。これにより、マスクトレイの間隔を一定に保持し、かつ前後のマスクトレイを衝突させることなく基板を搬送することができる。
　このように基板を搬送開始位置３０Ｐにて待機させる時間を確保することにより、基板搬送時や待機スペース２０Ｃにおける処理時間のばらつきを吸収し、スループットの低下を防止できる。また、搬送開始位置３０Ｐのスペースは成膜搬送の加減速領域を兼ねている。これにより、蒸着スペース到達前に速度を安定するための加減速スペース（第１の空間に相当）を小さくすることができる。第１の調整部３０ではマスクトレイが装着されている基板を一度成膜速度以上に加速させてから減速させることにより、その基板の昇降時間を確保し、かつ基板の間隔を最短化することにより所定のタクトタイムを実現する。
　（６）蒸着スペース４０Ａ
　蒸着スペース４０Ａは、成膜部４０内に設けられ、蒸着により基板に成膜を施すためのスペースである。マスクトレイが装着されている基板は、蒸着スペース４０Ａにて紙面の左から右に向かってスライド移動する。第１調整部３０における加減速制御の作用により、蒸着スペース４０Ａ内の基板の搬送時間は一定であり、成膜処理時間は一定である。これにより、本実施形態に係る蒸着では、タクトタイムが均一に制御され、高い装置稼働率で、良質な膜を形成することができる。
　（７）搬送終了位置５０Ｐ
　搬送終了位置５０Ｐは、第２の調整部５０内に設けられている。搬送終了位置５０Ｐのスペースでは、蒸着スペース４０Ａから搬送され、加減速スペース（第２の空間に相当）にて加減速された後のマスクトレイが装着されている基板を停止させる。搬送終了位置５０Ｐの基板は、退避スペース６０Ａへリフトダウンされる。搬送終了位置５０Ｐのスペースは、成膜搬送の加減速領域を兼ねている。これにより、基板が蒸着スペース４０Ａを搬送された後、停止するまでの加減速スペース（第２の空間に相当）を小さくすることができる。搬送終了位置５０Ｐを含む第２の調整部５０では、基板を一度成膜速度以上に加速させてから停止させることにより、マスクトレイの昇降時間を確保することができる。また、搬送終了位置５０Ｐのスペースを設けることで、蒸着処理後の基板の退避場所を確保し、蒸着直後の基板同士が蒸着スペース４０Ａにて衝突することを回避する。
　（８）退避スペース６０Ａ
　退避スペースは、搬送終了位置に停止したマスクトレイに密着された基板（上部搬送）を退避するスペースである。搬出側バッファ部６０内に設けられた複数段の収納室のうち搬送終了位置に最も近い位置に設けられている。搬送終了位置に基板が停止したらすぐに退避スペースに基板を移動させ、次の基板の受け入れ準備を行う。退避スペースに入った基板はすぐに下の収納室に移動させ、退避スペースは基本的に空きスペースにする。これにより、停滞無く搬送終了位置からの基板の受け入れを可能とし、基板の移動を確保すると共に、搬送終了位置での基板の衝突を防止することができる。
　（９）救済スペース６０Ｂ
　搬出側バッファ部６０は、通常時に用いられる収納室（例えば、退避スペース６０Ａ）の他に、非常時に用いられ、基板を緊急退避させる１段以上の収納室としての救済スペース６０Ｂを有する。救済スペース６０Ｂは、処理が開始されている基板については処理を完了させ、完了後の基板を一時的に保持しておくためのスペースである。基板搬出部７０でのトラブル（例えば、搬出ロボットのトラブル等）やモジュールからの基板搬出停止が生じたとき、処理済の基板を蒸着スペースにそのまま置いておくと、不要な膜が基板に付着したり、熱により生成された膜の質を悪くさせたりする。そこで、システムが停止しても仕掛かっている基板の処理は、中断せずにすべて実行し、実行後の基板は、救済スペース６０Ｂに退避させる。このように、非常時において基板を蒸着スペース４０Ａから救済スペース６０Ｂに退避させることにより、蒸着スペース４０Ａ内で基板が停止することを回避することができる。つまり、蒸着スペース４０Ａへの搬送開始前の基板については、蒸着スペース４０Ａへの搬送を停止し、蒸着スペース４０Ａへの搬送開始後の基板は、遅滞なく蒸着処理を実行後、速やかに蒸着スペース４０Ａから救済スペース６０Ｂに移動させることになる。
　救済スペース６０Ｂのすべてに基板が存在する状態で成膜部４０に基板が搬入されると救済機能が働かないため、救済スペース６０Ｂの空き枚数分以上は蒸着スペース４０Ａへ基板を搬入しないように収納室の使用数が監視され、救済できない基板がないように基板の処理開始のタイミングが制御される。これにより、基板搬出部７０でのトラブルや、基板搬出部７０からの基板搬出停止が生じたときも蒸着スペース４０Ａ内で処理中の基板を正常に処理後、救済スペース６０Ｂに救済し、歩留まり低下を防止できる。
　（１０）脈動吸収スペース６０Ｃ
　脈動吸収スペース６０Ｃは、基板搬出タイミングや基板搬出処理時間のばらつきを吸収するスペースである。脈動吸収スペース６０Ｃの位置では、脈動吸収スペース６０Ｃのようなアライメントのリトライ等がないため、搬送遅延は少ない。このため、本実施形態では、搬入側バッファ部２０に設けた脈動吸収スペース２０Ｂの二段の収納室と比べて、脈動吸収スペース６０Ｃの収納室は一段と少なく設定する。このように、バッファ内部の収納室の段数は適正値に設定される。バッファ内部の段数が多すぎると、前の処理から蒸着処理までの時間が長くなり、蒸着した膜の性能低下や歩留り低下の要因となりうるため、これを回避するように収納室の段数が設計されている。
　（１１）退避スペース８０Ａ
　退避スペース８０Ａは、基板搬出位置７０Ｐにあるマスクトレイが搬送できる状態になった際、そのマスクトレイを退避するスペースである。マスクトレイは、基板搬出位置７０Ｐにて一旦停止する。そのマスクトレイから基板が離脱したら、マスクトレイはすぐに退避スペース８０Ａに移動させ、次のマスクトレイの受け入れ準備を行う。
　退避スペース８０Ａに搬送されたマスクトレイはすぐに移動させ、基本的に空きスペースにする。これにより、基板搬出位置７０Ｐにて基板をマスクトレイからデチャックした後、すぐにマスクトレイを移動できるため、スループットの低下を防止できる。
　（１２）冷却機構／クリーニング機構８０Ｂ
　蒸着処理によりマスクトレイは高温になっている。また、成膜装置１内は真空雰囲気であるため、熱伝導が悪い。よって、マスクトレイを積極的に冷却させる必要がある。そこで、リターン部８０内の冷却機構／クリーニング機構８０Ｂにてマスクトレイを冷却する。これにより、繰り返し使用するマスクの温度上昇を抑えることができる。冷却機構／クリーニング機構８０Ｂでは、非接触型でマスクトレイを停止もしくは通過させながら冷却する方法や、マスクトレイを停止させて、例えばステージ上にマスクトレイを置いて接触型でマスクトレイを冷却する方法等を使用する。その際、停止時間や通過速度を一定として冷却する方法と、マスクトレイの温度を測定しながら停止時間や通過速度を変更する方法がある。
　冷却機構／クリーニング機構８０Ｂは、上下駆動軸を持たせ、多段化したステージ方式であってもよい。冷却機構／クリーニング機構８０Ｂでは、冷却機構とクリーニング機構とを同時に実行することにより、搬送されるマスクトレイを冷却しながらクリーニングすることができる。ただし、熱によりクリーニング処理を行う場合には、冷却処理の前にクリーニング処理を行う機構を設ける必要がある。リターン部８０の中にこ冷却機構／クリーニング機構８０Ｂを設けることで、マスクトレイを基板搬入位置１０Ｐまで戻す間に冷却及びクリーニングの処理を実行できる。マスクトレイを繰り返し使用する場合、マスクトレイの温度上昇を抑えることができると共に、マスクトレイとのパターンボケ、密着性悪化などを防止できる。
　クリーニング機構では、例えば、マスクトレイに付着した有機物などをドライクリーニングで除去する。ＵＶ光、オゾンＯ３、プラズマ処理、ベーキングなど色々なプロセス方式によるクリーニングを用い得る。
　マスクトレイをクリーニングすることにより、マスクトレイに付着した有機物を除去し、マスクトレイの使用寿命を長くできる。また、成膜時にマスクトレイに付着したパーティクルを除去することで、ガラス基板へのパーティクル源を除去し、歩留まり向上が期待できる。
　（１３）脈動バッファ８０Ｃ
　脈動バッファ８０Ｃは、マスクストッカには、未使用のマスクトレイと使用済のマスクトレイとを置く場所しか設けられていない。また、前述した各バッファ部にマスクトレイが一時収納されることにより、成膜装置内での使用可能なマスクトレイの枚数が変わる。脈動バッファ８０Ｃは、これにより変動するマスクトレイのうち前述した各バッファ部に収納されていない状態のマスクトレイを格納し、バッファリングする。これにより、成膜装置内で処理するマスクトレイ数を一定に保つことができる。脈動バッファ８０Ｃは、マスクトレイを基板搬出部７０から基板搬入部１０まで戻す前に一時収納する一段以上のマスク収納室の一例である。
　脈動吸収スペース２０Ｂ、脈動吸収スペース６０Ｃ、救済スペース６０Ｂ等にマスクトレイが一時収納されたときには、脈動バッファ８０Ｃに格納されるマスクトレイの枚数が減る。一方、脈動吸収スペース２０Ｂ、脈動吸収スペース６０Ｃ、救済スペース６０Ｂが使われていない状態のときは、脈動バッファ８０Ｃに格納されるマスクトレイの枚数が増える。このように、成膜装置１内では独立したタイミングでマスクトレイが移動するため、移動時間のばらつきが生じるが、その時間差を脈動バッファ８０Ｃにて吸収する。
　これにより、各所にマスクトレイが収納された状態のときにも基板搬入位置へ搬送するマスクトレイが不足することを防止し、スループット低下を防止することができる。また、各所にマスクトレイが収納されていない状態の時にも脈動バッファ８０Ｃにマスクトレイを収納可能とすることで、成膜装置１内のマスクトレイが渋滞してスループットが低下する事態を回避できる。
　（１４）待機スペース８０Ｄ
　待機スペース８０Ｄは、基板搬入位置１０Ｐのマスクトレイが移動したらすぐに次のマスクトレイを基板搬入位置１０Ｐに移動できるように次のマスクトレイを待機させるスペースである。待機スペース８０Ｄを設けることで、処理時間のボトルネックになりやすい基板搬入位置１０Ｐでのアライメント及びチャック処理完了後、すぐに次のマスクトレイを基板搬入位置１０Ｐに移動できるため、スループットの低下を防止できる。待機スペース８０Ｄは、基板搬入位置１０Ｐで処理が律速しないように設けられている。
　（リターン部８０の機能）
　（水分吸着防止）
　リターン部８０を減圧状態に保持し、使用したマスクトレイを大気に戻さずにリターン部８０を経由して元の位置である基板搬入位置１０Ｐに戻すことで、マスクトレイへの余分な水分吸着を防止することができる。
　（冷却、クリーニング）
　また、前述のように、リターン部８０にマスクトレイの冷却機構及びクリーニング機構を持つことにより、マスクトレイへの水分吸着を防止し、有機ＥＬ素子への特性劣化や歩留まり低下を防止することができる。
　マスクトレイの冷却機構／クリーニング機構８０Ｂにより、マスクを繰り返し使用できる寿命が長くなることによるコストダウン、パーティクル発生源を減らすことによる歩留まり向上などの効果が得られる。
　（マスク交換）
　本実施形態では、図１のマスク交換部８１ｂのマスク搬出の機能を、退避スペース８０Ａに持たせているが、マスク搬出の機能は、リターン部８０内のいずれかの位置であれば、退避スペース８０Ａでなくてもよい。マスク交換部８１ｂは、使用回数を超えた使用済マスクトレイを搬出用マスクストッカ９０ｂに移動させるように機能する。具体的には、基板搬出位置から基板搬入位置１０Ｐに戻るマスクトレイのうち、交換が必要となるマスクは、マスク交換部８１ｂから搬出用マスクストッカ９０ｂに運ばれる。搬出時、搬出用マスクストッカ９０ｂは高真空状態とする。マスクトレイを１枚搬出用マスクストッカ９０ｂに搬出したら、退避スペース８０Ａは、基板搬出位置７０Ｐからのマスクトレイ受け入れ待機状態にする。マスクトレイの冷却プロセスや後段への移動は搬出用マスクストッカ９０ｂと交換したマスク分のバッファを空いた状態に確保し、マスク搬入移動が行えるところまでバッファの空きを確保する。これにより、成膜部４０の蒸着室やリターン部８０を高真空に持続したままマスクトレイの搬出が可能である。これによれば、１枚ずつマスクトレイの搬出を行い、マスクトレイの交換を行っても、成膜装置１のタクトタイムの低下を生じさせない。また、交換したマスクトレイ分を空きとすることにより、新しいマスクトレイの搬入を可能とする。
　本実施形態では、図１のマスク交換部８１ａのマスク搬入移動の機能を、待機スペース８０Ｄに持たせているが、リターン部８０内のいずれかの位置であれば、待機スペース８０Ｄでなくてもよい。
　マスク交換部８１ｂは、退避スペース８０Ａから搬出用マスクストッカ９０に使用済みのマスクトレイが搬出されたことにより空きが生じた場合、そのスペースに未使用のマスクトレイを搬入する。このように、マスク交換部８１ａは、マスク交換部８１ｂの使用済みマスクトレイの搬出の替わりとして未使用のマスクトレイをリターン部８０に搬入する。
　１枚のマスクトレイがをリターン部８０に搬入されたとき、マスク交換部８１ａは、脈動バッファ８０Ｃからのマスクトレイの受け入れ待機状態にする。これにより、成膜部４０の蒸着室やリターン部８０を高真空に持続したままマスクの搬入が可能である。１枚ずつマスクトレイの搬入を行い、マスクトレイの交換を行っても、成膜装置１のタクトタイムの低下を生じさせない。交換したマスクトレイ分を空きとすることにより、成膜装置内に導入されるマスクトレイの枚数に過不足が生じないようにすることができる。
　（制御部）
　制御部１００は、成膜装置１に取り付けられた各部、たとえば真空ポンプや各種の駆動機構等を制御する。また、制御部１００は、随時、蒸着ヘッドから導入される蒸着材料のガスＧ量や各ゲートバルブの開閉を制御する。制御部１００は、ホストコンピュータ（図示せず）等とも接続されている。
　制御部１００は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit），ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、ＨＤＤ（Hard　Disk　Drive）を有する。ＣＰＵはこれらの記憶領域に格納された各種レシピに従って蒸着処理や加減速処理を実行する。レシピにはプロセス条件であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、ガス流量、第１及び第２の調整部３０，５０における加減速時間などが記載されている。
　制御部１００は、使用回数や蒸着時間によりマスクトレイの交換時期を判定する。マスクトレイの膜厚を測ってマスクトレイの交換時期を判定してもよい。マスクトレイには予めＩＤが付与されている。マスクトレイの交換時期は制御部１００内のスケジューラによりマスクトレイＩＤ毎に制御される。このようにして、制御部１００は、マスクトレイの使用状態からマスクトレイを交換するか否かを判定し、マスクトレイを交換すると判定した場合、自動的にその判定されたマスクトレイを搬出し、自動的に未使用のマスクトレイを搬入するように制御する。
　［マスクストッカ構成例］
　次に、本実施形態に係るマスクストッカ構成例について図４を参照しながら説明する。ここでは、搬出用マスクストッカ９０ｂを例に挙げて説明する。図４は、第１及び後述する他の実施形態に係る搬出用マスクストッカ９０ｂの構成図である。
　本実施形態では、ロードロックが上方に配置されているが、下方に配置されていてもよい。
　（マスクストッカ構成例１）
　まず、マスクストッカ構成例１について説明する。図４のＳ１では、マスク用ロードロック９１が搬出用マスクストッカ９０ｂの上部側面にてゲートバルブＶ７を介して連結され、搬出用マスクストッカ９０ｂとリターン部８０（マスク交換部８１ｂ）の連結部分はバルブを有しない。使用済マスクＭ１，Ｍ２，Ｍ３は搬出用マスクストッカ９０ｂを上方に向かって移動し、上詰めでストックされる。
　（マスクストッカ構成例２）
　次に、マスクストッカ構成例２について説明する。図４のＳ２では、マスク用ロードロック９１が搬出用マスクストッカ９０ｂの上部にゲートバルブＶ７を介して連結され、搬出用マスクストッカ９０ｂとリターン部８０（マスク交換部８１ｂ）の連結部分はゲートバルブＶ６を介して連結されている。ゲートバルブＶ６は、メンテナンスを容易にするために設けられている。
　（マスクストッカ構成例３）
　最後に、マスクストッカ構成例３について説明する。図４のＳ３では、マスク交換用ライン９２が搬出用マスクストッカ９０ｂの上部側面にゲートバルブＶ７を介してインライン接続されている。搬出用マスクストッカ９０ｂとリターン部８０（マスク交換部８１ｂ）の連結部分はゲートバルブＶ６を介して連結されている。ゲートバルブＶ６は、メンテナンスを容易にするために設けられている。
　以上のように、マスク交換機構は、インライン接続、自動搬送ロボットによる搬送、ロードロックによる搬出など、複数の方式が構築可能である。またリターン部８０との間のゲートバルブはあっても無くても良い。ただし、リターン部８０との間のゲートバルブがある場合は、ロードロック側からの水分がリターン部８０や成膜部４０の蒸着室内に入ることを防ぐことができる。
　［マスクストッカ動作例］
　次に、本実施形態に係るマスクストッカ動作例について図５～図７を参照しながら説明する。ここでは、搬出用マスクストッカ９０ｂを用いた搬出動作を例に挙げて説明する。図５～図７は、第１及びその他の実施形態に係る搬出用マスクストッカの動作の一例を示した図である。
　（マスクストッカ動作例１）
　まず、マスクストッカ動作例１について説明する。図５のＳ１１に示したように、ゲートバルブＶ６を開に制御する。このとき、ゲートバルブＶ７は閉に制御されている。次に、図５のＳ１２に示したように、搬出対象のマスクトレイＭ１を搬出用マスクストッカ９０ｂに移動する。次に、図５のＳ１３に示したように、ゲートバルブＶ６を閉に制御し、マスクトレイＭ１を搬出用マスクストッカ９０ｂの上段に移動させ、上詰めでストックする。
　（マスクストッカ動作例２）
　次に、マスクストッカ動作例２について説明する。マスクストッカ動作例２は、図５のＳ１１～Ｓ１３に続いて、マスクトレイＭ２、Ｍ３を搬出する場合を示す。図６のＳ２１及びＳ２２に示したように、ゲートバルブＶ６を再び開に制御し、マスクトレイＭ２を搬出用マスクストッカ９０ｂに移動する。このとき、ゲートバルブＶ７は閉に制御されている。次に、図６のＳ２２及びＳ２３に示したように、マスクトレイＭ３を搬出用マスクストッカ９０ｂに移動した後、ゲートバルブＶ６を閉に制御し、搬出用マスクストッカ９０ｂに移動させたマスクトレイＭ２、Ｍ３を搬出用マスクストッカ９０ｂの上段に移動する。これにより、マスクトレイＭ１、Ｍ２、Ｍ３は上詰めでストックされる。
　このようにして使用済マスクトレイは、リターン部８０からすぐに搬出できる状態にストックされる。つまり、搬出用マスクストッカ９０ｂの下方にマスクトレイを残しておくと、次の使用済マスクトレイを受け入れる前にマスクトレイの移動が必要になる。一方、マスクトレイを上詰めでストックしておけば、マスク用ロードロック９１から使用済みマスクを取り出すときにも処理を短時間で行える。
　（マスクストッカからの搬出動作例３）
　次に、本実施形態に係るマスクストッカからの搬出動作例について図７を参照しながら説明する。使用済マスクトレイをマスク用ロードロック９１側に搬出するときは、図７のＳ３１に示したように、マスク用ロードロック９１を真空にする。次に、図７のＳ３２に示したように、マスク用ロードロック９１に使用済マスクトレイＭ１を搬出する。次に、図７のＳ３３に示したように、マスクトレイＭ２、Ｍ３を上詰めにし、順番にマスク用ロードロック９１に搬出する。
　これによれば、搬出用マスクストッカ９０ｂへの水分の持込を防止し、マスクトレイへの水分の付着を最小限に抑えることができる。また、マスク用ロードロック９１のみ大気開放する構成にすることにより、搬出用マスクストッカ９０ｂを使用できない時間を最小限に抑えることができる。以上、図５～図７に説明した搬出用マスクストッカ９０ｂの動作は、搬入用マスクストッカ９０ａの動作においても同様である。
　［加減速制御］
　同一の成膜装置１において、特に異なるプロセス処理の場合に異なるプロセス速度で成膜処理したいという要求がある。しかし、プロセス速度を変更したときも、マスクトレイが装着されている基板の間隔は最適に詰めて効率よく成膜処理する必要がある。基板の間隔は支障がない範囲で最も近づいた距離であり、それより近づくと衝突の危険があり、成膜時に指定されたトレイ間隔より遠ざかると生産性が低下してしまう。
　すべての搬送速度に対して、加減速制御により基板の入替時間（昇降動作時間）を確保する必要があり、かつ、蒸着スペースに到達する前に一定の成膜搬送速度に安定している事が求められる。
　これらの課題を実現するためには、以下の搬送制御方式が考えられる。
（１）成膜搬送は搬送速度により加減速度や時間は変更せず、処理開始タイミングのみを制御する。
（２）最高搬送時間を変更する。
（３）最高搬送速度を変更する。
（４）加減速度を変更する。
（５）最高搬送時間と最高搬送速度を変更する。
　（１）の方式は一定間隔で搬送開始するため、搬送制御が簡略という利点がある。先行するマスクトレイの位置が正確に把握するためには、複数の搬送機構を組み合わせて使用する必要があり、複雑かつ高価な搬送システムが必要となる。また基板位置が確認できないコロ搬送のような場合は、一定タイミングで搬送開始する必要がある。この場合、先行する基板がトラブルなどで遅れていた場合に衝突が発生するリスクがある。
　（２）の方式は時間のみの変更となるが、複数の搬送速度に対応できるだけの加減速距離を確保する必要があり、対応する速度差が大きいと装置サイズが大きくなる問題がある。
　（３）の方式は最高速度を変えるため、装置サイズに影響を小さくすることができるが、搬送機構に対し、使用可能速度の範囲が広がってしまい、機構部のコストアップにつながる可能性がある。
　（４）の方式は加減速度が変わるため、トルク調整や機構によっては滑りなども考慮する必要がでてくる。
　（５）の方式はセンサ位置を固定にするだけでなく、速度安定位置も決めることができ、速度乗り移りに必要なフリーな駆動軸の距離に制約がある場合に有効である。
　一定の条件にて成膜搬送速度を高速と低速の２パターンで動作する例を図１０（高速パターン）、図１１（低速パターン：図１０の最高搬送時間を変更）にそれぞれ示す。図１２は、最高搬送速度と最高搬送時間とを変更した場合（低速パターン）を示す。
（加減速制御処理）
　次に、本実施形態に係る加減速制御の一例について図８～図１２を参照しながら説明する。ここでは、搬出用マスクストッカ９０ｂを用いた搬出動作を例に挙げて説明する。図８は、第１及び後述する他の実施形態に係る基板の加減速処理を示したフローチャートである。図９は、第１及び後述する他の実施形態に係る基板の水平搬送動作の一例を示した図である。図９では、タクトタイムが１２０秒、２５ｍｍ／秒で基板が３０００ｍｍ毎に処理したときの動作イメージを示す。図１０～図１２は、第１及び後述する他の実施形態に係る基板の加減速制御の一例を示した図である。図１０～図１２の加減速制御に必要な値は、予めレシピに設定されている。
　図８の加減速制御処理を開始する前に、図９のＳ４１に示したように、直前の基板ＳＡが成膜速度で搬送され、３０００ｍｍほど移動した時点で、前の基板ＳＡとの干渉がなくなったら、制御部１００は、次の基板ＳＢのリフトアップを開始する。なお、基板ＳＡの直前の基板Ｓ０も基板ＳＡと所定の間隔をおいて成膜速度で搬送されている。
　ついで、図９のＳ４２に示したように、リフトアップ処理が完了した基板ＳＢは、加減速制御処理の開始を待つ。リフトアップ時間のばらつき吸収や加減速制御処理の簡略化のため、制御部１００は、毎回一定タイミングで加減速制御処理を開始するように制御する。つまり、制御部１００は、前のマスクトレイが装着されている基板ＳＡが、搬送を開始した後、１２０秒が経過したかを判定し(図８のステップＳ１００)、１２０秒が経過するまでステップＳ１００の処理を繰り返し、１２０秒が経過したら次のステップに進む。次に、図９のＳ４３に示したように、制御部１００は、基板ＳＢの搬送を開始し、レシピに基づき基板ＳＢを加速する（図８のステップＳ１０２）。例えば、図１０では、時刻ｔ０に基板ＳＢの搬送が開始され、図９のＳ４４に示したように、基板ＳＢは最高搬送速度まで加速して搬送され、前の基板ＳＡとの間隔を短縮する。図１０では、基板ＳＢは、時刻ｔ１で最高搬送速度に到達する。
　次に、制御部１００は、レシピに基づき基板ＳＢを所定時間、所定速度で搬送する（図８のステップＳ１０４）。図１０では、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間、基板ＳＢは一定速度で搬送される。次に、図９のＳ４５に示したように、制御部１００は、レシピに基づき成膜搬送速度まで基板ＳＢを減速して搬送する（図８のステップＳ１０６）。例えば、図１０では、時刻ｔ２から減速制御され、時刻ｔ３にて成膜搬送速度に到達したため、減速制御を止め、成膜搬送速度を維持するように制御されている。図９のＳ４６に示したように、基板ＳＢが、成膜搬送速度に到達したときに、基板ＳＡと基板ＳＢとの間隔は一定となる。
　上記の例では、所定時間経過によって、搬送を開始する例を記載したが、所定位置に到達したかを検出して搬送開始のタイミングにする場合や、時間経過かつ所定位置に到達したかを確認して搬送開始のタイミングにする方法等がある。
　この状態で、図９のＳ４７に示したように、マスクトレイが装着されている基板ＳＢは成膜部４０に入り、成膜搬送速度で蒸着処理が実行される。このように、成膜部４０の蒸着領域にマスクトレイが装着されている基板が入る前にマスクトレイが装着されている基板は成膜搬送速度に安定している必要がある。前のマスクトレイが装着されている基板ＳＢが３０００ｍｍ程移動し、干渉がなくなったら次のマスクトレイが装着されている基板ＳＣのリフトアップを開始する。
　図１０～図１２のグラフで囲まれた面積がマスクトレイが装着されている基板の移動距離となる。図１０と図１１では成膜搬送速度が異なるため、減速を開始する時刻(図１０の時刻ｔ２、図１１の時刻ｔ４)及び成膜搬送速度に到達する時刻(図１０の時刻ｔ３、図１１の時刻ｔ５)が異なっている。
　また、図１１と図１２では成膜搬送速度は同じであるが、図１２では最高搬送速度が図１１の場合より大きい値を持つため、最高搬送速度までの到達時刻ｔ１'が図１１の場合の最高搬送速度までの到達時刻ｔ１より遅くなり、減速開始の時刻ｔ２'は図１１の場合の時刻ｔ２より早くなっている。
　以上により、第１の調整部３０にて実行される加減速制御処理によって、マスクトレイが装着されている基板の間隔が一定となった状態で、基板は蒸着処理により成膜される。なお、制御部１００は、図１０、図１１、図１２に示した加速及び減速の制御をそれぞれ設定する複数のレシピから選択した一つのレシピに基づき加減速制御を実行してもよい。
　なお、図１０、図１１、図１２のいずれの場合も加速及び減速の傾きは同じである。これは、基板が搬送機構（後述するコロ搬送機構等）上ですべらないようにするためである。よって、加速及び減速の傾きは変えずに、最高速度を変えたり、最高速度による搬送時間を変えたりして基板の移動距離を制御する。これにより、タクトタイム１２０秒毎に搬送処理を開始し、所定の成膜時間基板に蒸着処理を施すようにする。マスクトレイが装着されている基板の搬送速度を変えずに搬送時間を変える場合、加減速の時間を最高速度により制御し搬送時間を短縮する場合、またはそれらの組み合わせの制御も考えられる。なお、第２の調整部５０においても同様に加減速制御処理が実行される。
　以上に説明したように、制御部１００は、第１の調整部３０の第１の空間における基板の搬送速度を、その基板の前の基板との間隔を適正化するために基板を加速後減速するように制御する。これにより、前の基板との間隔を適正化し、成膜時間を均一にすることができる。
　また、制御部１００は、第２の調整部５０の第２の空間における基板の搬送速度を、その基板の後の基板との間隔を適正化するために基板を加速後減速するように制御する。これにより、後の基板との間隔を適正化し、昇降動作時間を確保することができる。
［水平搬送機構例］
　次に、第１の調整部３０及び第２の調整部５０及びリターン部８０にて用いられる水平搬送機構について説明する。水平搬送機構は、コロ搬送を用いることもできるし、コロ搬送と他の機構とを組み合わせることも可能である。一例として、水平搬送機構の構築例を示す。
　（コロ搬送）
　図１３は、第１及び後述する他の実施形態に係る基板の水平搬送機構の一例を示した図である。本実施形態に係る水平搬送機構では、磁性流体シール１３１を通じて内部と外部とを密閉しながら、大気中のモータ１３０より大気中から真空内に動力伝達を行い、装置内部のコロ１３２ａ、１３２ｂを回転させ、マスクトレイＭ及び基板Ｓの搬送を行う。サイドコロ１３３は、マスクトレイＭを搬送方向に拘束するためチャンバ側壁１３４付近に設けられている。
　サイドコロ１３３は、図１４に示したように、テーパ付きのコロ１３２ｂ(この際トレー側Ｖ溝１３２ｃ)などに変更してもよい。これにより、マスクトレイ及び基板は、搬送方向に拘束されながら、加減速区間で加速後減速し、所定区間のフリー領域を経て、成膜領域である定速搬送区間を搬送され、成膜される。このようにして、水平搬送機構は、加減速エリア、蒸着定速エリアを分けて制御する。フリー領域では、動力伝達による内部のコロ１３２ａ、１３２ｂの回転は行われない。
　（ラック　アンド　ピニオンにより動力伝達を行うコロ搬送）
　しかし、図１３に示したコロ搬送では、トルク量によってはマスクトレイがすべる恐れがある。よって、以下ではマスクトレイがすべらない機構として、ラック　アンド　ピニオンにより動力伝達を行う例について、図１５を参照しながら説明する。
　図１５は、他の基板の水平搬送機構の一例を示した図である。図１５では、ラック　アンド　ピニオンにより動力伝達を行うコロ搬送を示す。図１３のコロ搬送と異なり、動力はモータ側ピニオン１３５、マスクトレイ側のラック（図示しない）により動力伝達を行う。すなわち、モータからの動力によりピニオン１３５と呼ばれる小口径の円形歯車を回転させ、その回転を平板状の棒に歯がつけられたマスクトレイ側のラックに伝えることにより、ピニオンの回転運動をラックの直線運動に変換する。これにより、マスクトレイを、すべらずに確実に搬送することができる。この際、前記同様マスクトレイ移動方向を一軸にガイドする機構を併用することも可能である。
　［垂直搬送機構例（バッファ機構例）］
　搬入側バッファ部２０、搬出側バッファ部６０、搬入用マスクストッカ９０ａ及び搬出用マスクストッカ９０ｂでは、複数段の収納室が独立して駆動し、かつ一方向に連続動作可能な機構が必要となる。
　以下ではその一例として、搬出側バッファ部６０にて用いられる垂直搬送機構の構築例を説明する。搬入側バッファ部２０、搬入用マスクストッカ９０ａ及び搬出用マスクストッカ９０ｂについても同様の機構を有するため、ここでは説明を省略する。
　図１６は、第１及び後述する他の実施形態に係る基板の垂直搬送機構の一例を示した図である。図１６の左側にその２つを示したように、本実施形態に係る垂直搬送機構では、１つのマスクトレイＭに対して水平方向に４つのトレイ受け爪６１があり、マスクトレイを４箇所より支持する。マスクトレイ受け爪が昇降することにより、マスクトレイは垂直方向に搬送される。前記の収納室はこのトレイ受け爪６１でマスクトレイが装着されている基板が保持された状態のことを収納室として定義している。
　図１６の右側に示したように、このトレイ受け爪６１は、ボールネジ６４と一軸に拘束するガイド用リニアブッシュ６３からなる昇降機構、及び、スプライン軸６５が回転することによりトレイ受け爪６１を水平方向に移動させる受け爪収納機構６２（ラック　アンド　ピニオン）の２軸より構成されている。
　上記昇降機構により個々のトレイ受け爪６１は、独立した昇降を行うことができ、搬送の揺らぎを抑制することができる。上記昇降機構では、ボールネジ６４に動力を伝えてトレイ受け爪６１に支持されたマスクトレイＭを昇降させる。しかし、ボールネジ６４の回転運動による昇降動作では、トレイ受け爪６１が回転し、水平方向にてトレイが固定されにくくなる。このため、トレイ受け爪が回転しないように一軸に拘束するガイド用リニアプッシュ６３が設けられている。この構成により、マスクトレイＭの垂直搬送が実現する。
　また、４つのトレイ受け爪６１は、他のトレイ受け爪と水平方向にずらして、異なる位置に設けられ、上下動したときに受け爪同士が衝突しないようになっている。
　トレイ受け爪６１が一番上の位置に到達し、トレイ受け爪６１がそのまま出た状態で次のマスクトレイを受け取りに一番下の位置まで下降すると、下のマスクトレイに受け爪６１が当たってしまう。そこで、トレイ受け爪６１を外側に退避させてから一番下の位置まで下降させる。その退避機構（受け爪収納機構）として、ラック　アンド　ピニオンが用いられる。ラック　アンド　ピニオンでは、スプライン軸が回転することにより、トレイ受け爪が外側に移動する。これにより、トレイ受け爪６１が紙面の外側に移動する。このようにして受け爪収納機構６２によりトレイ受け爪６１を収納することができる。これによって、昇降時に他のマスクトレイとの干渉を防止することができる。
　マスクトレイが降下して一番下まで移動すると、水平方向の搬送コロ（図示せず）が横から出て、マスクトレイを受け取る。マスクトレイが上昇して上方まで移動すると、水平方向の搬送コロが一度退避し、マスクトレイを一番上まで上昇させてから、搬送コロが横から出てくる。そこで、マスクトレイを少し下げて搬送コロに載せ、マスクトレイを垂直搬送から水平搬送へ導く。その後、トレイ受け爪６１を退避させて一番下まで下降させる。以上の機構及び動作を繰り返すことにより、各収納室は一方向にそれぞれ単独で移動可能となる。
　以上、第１実施形態にかかる成膜装置１について説明した。第１実施形態にかかる成膜装置１によれば、様々な処理時間のばらつきを吸収するバッファ機構によりシステムのタクトタイムを高めることができる。また、成膜装置１内の機構が少なく、構成がシンプルであるため、成膜装置１のフットプリントを小さくすることができる。
　＜第２実施形態＞
　［成膜装置の全体構成］
　次に、本発明の第２実施形態に係る成膜装置の全体構成ついて、図１７を参照しながら説明する。図１７は、第２実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図である。成膜装置１は、基板搬入部１０、搬入側バッファ部２０、第１の調整部３０、成膜部４０、第２の調整部５０、搬出側バッファ部６０、基板搬出部７０、リターン部８０を有する。
　第１実施形態と異なる点は、基板搬入部１０の位置が紙面の手前方向にずれ、アライメント機構、チャック機構を配置するスペースが基板搬入部１０及び基板搬出部７０の上部に追加された点である。
　本実施形態では、リターン部８０は、成膜部４０に対して紙面の手前方向に一段ずれた位置に配置されている。これにより、基板搬入部１０の上部にアライメント機構、チャック機構等のメカ機構１５を取り付け可能となる。具体的には、基板とマスクトレイとのアライメントを行う基板搬入部１０の上部にアライメントするためのＣＣＤカメラを配置し、ＣＣＤカメラで基板とマスクトレイとの位置合わせを行う。このように、本実施形態に係る成膜装置１では、上部にメカ機構１５を配置することにより、機構をシンプルにすることができる。また、基板搬入部１０側のチャック機構（図示せず）及び基板搬出部７０側のデチャック機構等のメカ機構７５も配設しやすい構造となっている。
　その他、次のような特徴を有する。
（１）マスクトレイの移動軸が多い。
（２）成膜部４０（蒸着エリア）とリターン部８０の配置上、メンテナンス性が良い。
（３）アライメント後のマスクトレイを上方に退避し、トレイの搬出と次トレイの搬入を同時に行いタクトタイムを短縮することができる。
（４）マスク交換用のマスク用ロードロック９１ａ、９１ｂとはゲートバルブＶ７，Ｖ８で仕切られていて、搬入用マスクストッカ９０ａ及び搬出用マスクストッカ９０ｂ内を大気開放せずにマスクの交換が可能である。
　＜第３実施形態＞
　［成膜装置の全体構成］
　次に、本発明の第３実施形態に係る成膜装置の全体構成ついて、図１８を参照しながら説明する。図１８は、第３実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図である。成膜装置１は、基板搬入部１０、搬入側バッファ部２０、第１の調整部３０、成膜部４０、第２の調整部５０、搬出側バッファ部６０、基板搬出部７０、リターン部８０を有する。
　第１実施形態と異なる点は、ゲートバルブＶ３、Ｖ９に接続される基板搬入用ロードロック（基板搬入部１０）の上部にアライメント機構、チャック機構等のメカ機構１５が取り付け可能となっている点である。また、ゲートバルブＶ４、Ｖ１０に接続される基板搬出用ロードロック（基板搬出部７０）の上部にもデチャック機構等のメカ機構７５が取り付け可能となっている。
　また、本実施形態にかかる基板搬入用ロードロック（基板搬入部１０）及び基板搬出用ロードロック（基板搬出部７０）にて調圧が可能である。更に、マスクトレイは上下２段で同時に入れ替え可能であり、これにより、タクトタイムを更に短縮できる。
　なお、アライメント機構、チャック機構は２段以上になっていることが好ましい。アライメント動作とチャック動作とを同時に行うことによって、基板搬入部１０から同時に搬入及び搬出することが可能になる。
　＜第４実施形態＞
　［成膜装置の全体構成］
　次に、本発明の第４実施形態に係る成膜装置の全体構成ついて、図１９を参照しながら説明する。図１９は、第４実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図である。成膜装置１は、基板搬入部１０、基板回転部１０ａ、アライメント部１０ｂ、搬入側バッファ部２０、第１の調整部３０、成膜部４０、第２の調整部５０、搬出側バッファ部６０、マスクデチャック部７０ｂ、基板回転部７０ａ、基板搬出部７０、リターン部８０を有する。
　成膜装置１は、更に、チャッキングストック部９３によりチャッキング機構をストックする部を有する。チャッキング機構の故障などの緊急時に備えて、チャッキングストック部９３が設けられている。
　成膜装置１は、更に、搬入用マスクストッカ９０ａ、搬入用マスクストッカロードロック９１ａ、搬出用マスクストッカ９０ｂ、搬出用マスクストッカロードロック９１ｂを有し、これにより前述したようにマスク交換を行う。
　基板搬入部１０は、基板Ｓを搬入し、マスクトレイＭ上に基板Ｓを載せる。その状態で、チャッキングステージを下降させ、基板Ｓを分子間力によりチャッキングステージに吸着させる。これにより、大型のガラス基板Ｓの撓みをなくす。
　基板回転部１０ａは、基板Ｓを反転させた後、基板Ｓをフェイスアップでチャッキングした状態で、アライメント部１０ｂによりアライメントを実行する。
　基板回転部１０ａとアライメント部１０ｂの配置位置が逆になってもよい。その場合、アライメント部１０ｂにより基板Ｓをアライメントした後、基板回転部１０ａにより基板Ｓを反転させ、基板Ｓをフェイスアップで蒸着モジュールに搬送する。
　第４実施形態では、アライメント動作を行う部とチャッキング動作を行う部とを分けているが、基板搬入部１０、基板回転部１０ａ、アライメント部１０ｂはすべてバッファ機構の一種である。同様に、マスクデチャック部７０ｂ、基板回転部７０ａ、基板搬出部７０もすべてバッファ機構の一種である。
　第４実施形態に係る成膜装置１では、基本的には水平移動のみで構築されており、アライメント機構やチャック機構等のメカ機構を各部の上部や下部に容易に取り付け可能なように構成されている。
　アライメント部１０ｂと搬入側バッファ部２０との配置を分けることにより、水平移動のみでもアライメント機構や基板搬入時間のばらつき・脈動の吸収が可能である。搬入側バッファ部２０を多段化すれば、より長時間のばらつき・脈動を吸収することができる。
　（実施例）
　次に、第４実施形態に係る成膜装置の一実施例ついて、図２０を参照しながら説明する。図２０に示されるように、基板Ｓを運ぶトレイとパターン形成のためのマスクとが一体化したマスクトレイＭ、及び基板Ｓを水平に保持するためのチャッキングステージＣは、それぞれ複数使用される。量産時において、連続生産を行うためには、複数のマスクトレイＭ及び複数のチャッキングステージＣは、同時又は連続的に基板搬入部１０及びアライメント部１０ｂに戻される必要がある。
　そこで、本実施例では、リターン部８０に複数のマスクトレイＭ及び複数のチャッキングステージＣを連続して同時に搬送可能な搬送ルートが設けられる。図２０に示したように、リターン部８０には、複数のマスクトレイＭが搬送されるルート１と、複数のチャッキングステージＣが搬送されるルート２とがある。ルート１とルート２とは、互いに独立した搬送ルートであり、マスクトレイＭとチャッキングステージＣとは、干渉なくこれらのルートを搬送される。そのため、マスクトレイＭとチャッキングステージＣとのいずれか一方の搬送速度を速くすることで、リターン部８０にていずれか他方を追い越すことができる。
　ルート１とルート２とは、リターン部８０の同一真空室内に配置される。ただし、リターン部８０内は大気であってもよい。
　基板Ｓは、ゲートバルブＶ３の開閉により基板搬入部１０に搬入される。チャッキングステージＣはチャッキングストック部９３にストックされており、搬入されてくる基板Ｓと対になるようにリターン部８０のルート２を回送し、基板搬入部１０に搬入される。
　基板搬入部１０では、チャッキングステージＣ上に基板Ｓが載置される。その状態で、基板Ｓは、吸着機構によりチャッキングステージＣの表面に吸着される。
　基板回転部１０ａは、基板ＳがチャッキングステージＣに吸着した状態でチャッキングステージＣを反転させた後、アライメント部１０ｂに搬送する。基板回転部１０ａがチャッキングステージＣを反転させることによって、マスクトレイＭに装着された基板Ｓは、フェイスダウンの状態でチャッキングステージＣに吸着される。
　アライメント部１０ｂは、マスクトレイＭとチャッキングステージＣ上の基板Ｓとのアライメントを実行する。
　図２１には、チャッキングステージＣ上の基板Ｓが、マスクトレイＭにアライメントされた状態で載置されている一例を示す。マスクトレイＭには、上部に枠体のレール８４ａが設けられ、下部に枠体のレール８４ｂが設けられている。レール８４ａ、８４ｂは、ローラＲと接触して、ローラＲの回転によりマスクトレイＭを移動させる。よって、レール８４ａ、８４ｂは、硬質金属で構成されている。この状態で、マスクトレイＭは、搬送ローラＲにより搬送される。前述の通り、基板回転部１０ａは、基板ＳがチャッキングステージＣに吸着した状態でチャッキングステージＣを反転させる。よって、マスクトレイＭは、回転前には上部の枠体のレール８４ａを使ってローラ搬送され、回転後には下部の枠体のレール８４ｂを使ってローラ搬送される。これにより、基板Ｓをフェイスアップ、フェイスダウンのいずれでもローラ搬送することができる。
　また、レール８４ａ、８４ｂは、ｘ方向、及びｙ方向に設けられている。よって、マスクトレイＭは、ｘ方向、及びｙ方向にローラ搬送することができる。一例としては、図２２に示したように、成膜部４０にて成膜されたマスクトレイＭは、ｘ方向へ回転するローラＲ１によりマスクデチャック部７０ｂへ搬送される。マスクデチャック部７０ｂは、マスクトレイＭ上に載置されているチャッキングステージＣをそのチャッキングステージＣに吸着された基板Ｓと共に分離する。分離後のマスクトレイＭは、マスクデチャック部７０ｂにて、昇降機構８５により持ち上げられる。なお、昇降機構８５に替えて、マスクトレイＭを吊り下げる機構（図示せず）により、マスクトレイを吊り下げるようにしてもよい。
　その状態で、退避していたｙ方向へ回転するローラＲ２を元の位置に戻し、マスクトレイＭのレール８４ｂをローラＲ２に接触させる。このようにして、分離後のマスクトレイＭは、ｘ方向からｙ方向に９０℃進行方向を変えてローラ搬送される。リターン部８０に搬送されたマスクトレイＭは、図示しない昇降機構により下降され、ｘ方向へ回転するローラＲ１にマスクトレイＭのレール８４ｂを接触させる。このようにして、マスクトレイＭは、ｙ方向からｘ方向に９０℃進行方向を変えてローラ搬送される。
　基板搬出部７０においても同様に、チャッキングステージＣは、ｘ方向からｙ方向に９０℃進行方向を変えてローラ搬送される。
　マスクトレイＭ上でチャッキングステージＣに吸着された基板Ｓは、搬入側バッファ部２０及び第１の調整部３０を経て速度や間隔が制御された成膜部４０に搬入され、蒸着ガスの付着により所望の膜を成膜する。成膜部４０では、基板Ｓがフェイスダウンの状態で成膜される。
　マスクトレイＭ上でチャッキングステージＣに吸着された基板Ｓは、第２の調整部５０及び搬出側バッファ部６０を経て速度や間隔が制御される。マスクデチャック部７０ｂは、マスクトレイＭ上に載置されているチャッキングステージＣをそのチャッキングステージＣに吸着された基板Ｓと共に分離する。チャッキングステージＣから分離したマスクトレイＭは、リターン部８０のルート１を介して、アライメント部１０ｂに回送される。
　チャッキングステージＣ及び基板Ｓは、基板回転部７０ａに搬送される。基板Ｓは、基板回転部７０ａにてチャッキングステージＣとともに反転され、成膜面を上向きにした後、基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０の構成は、前述の基板搬入部１０の構成と反対に構成される。すなわち、チャッキングステージＣと基板Ｓとは、基板搬出部７０にて分離される。基板Ｓは、ゲートバルブＶ４の開閉により基板搬出部７０から搬出される。基板Ｓから分離したチャッキングステージＣは、バルブ１３の開閉によりチャッキングストック部９３に回収される。
　リターン部８０は、アライメント部１０ｂとマスクデチャック部７０ｂとを連結し、マスクトレイＭをアライメント部１０ｂまで戻す（ルート１）。このようにしてマスクトレイＭは回送されて繰り返し使用される。ただし、必要に応じて、使用済のマスクトレイＭが、リターン部８０からマスクストッカ９０ｂに渡され、未使用のマスクトレイＭが、マスクストッカ９０ａからリターン部８０に供給されることで、マスクトレイＭの交換が行われる。
　また、リターン部８０は、基板搬入部１０と基板搬出部７０とを連結し、チャッキングステージＣを基板搬入部１０まで戻す（ルート２）。このようにしてチャッキングステージＣは回送されて繰り返し使用される。
　なお、ルート１とルート２とは、リターン部８０の上下段にそれぞれ設けられてもよい。各ルートは、同一空間内に設けられることが好ましい。ただし、各ルートは、別空間内に設けられてもよい。
　以上、本変形例の説明で使用したマスクトレイＭ及びチャッキングステージＣは、成膜装置１にて基板Ｓの搬送又は成膜に使用されるワーク部材の一例である。マスクとトレイとが一体化されていない場合には、マスク及びトレイがそれぞれワーク部材となり得る。よって、リターン部８０は、少なくとも２種類以上のワーク部材を独立してそれぞれ干渉せずに搬送可能なルートを有していればよい。
　＜第５実施形態＞
　［成膜装置の全体構成］
　次に、本発明の第５実施形態に係る成膜装置の全体構成ついて、図２３を参照しながら説明する。図２３は、第５実施形態に係る成膜装置を模式的に示した図である。第５実施形態に係る成膜装置１は、複数工程を最適に生産する一例として、有機成膜工程とメタル電極成膜工程との連続成膜が可能な構成を有する。
　図２３の左側は有機成膜を行う成膜装置であり、図２３の右側は、メタル電極となる金属膜の成膜を行う成膜装置であり、いずれも第４実施形態の成膜装置と同様の構成を有する。第４実施形態の成膜装置と構成上異なる点は、有機成膜を行う成膜装置と金属膜の成膜を行う成膜装置とが、転送部１７０ｂにより繋がっている点である。転送部１７０ｂでは、基板Ｓをローラ搬送させる。ただし、基板Ｓの搬送方法はこれに限られず、例えば、ロボットにより搬送させてもよい。
　基板Ｓは、図２３の上段に示したように左端部から搬入され、成膜部４０ａにて蒸着により有機膜が成膜される。基板Ｓは、転送部１７０ｂを経て、成膜部４０ｂにて蒸着により金属膜が成膜される。有機膜と金属膜とが連続成膜された基板Ｓは、右端部から搬出される。
　基板Ｓをたわみなく搬送するためのワーク部材としてのチャッキングステージＣは、有機蒸着による成膜工程及び金属蒸着による成膜工程で共通で扱うことができる。よって、チャッキングステージＣは、図２３の中段に示したように、基板搬入部１０にて基板Ｓをチャックし、成膜部４０ａ、４０ｂを通って、基板搬出部７０にて基板Ｓをデチャック後、リターン部８０ａ、８０ｂから基板搬入部１０まで戻る。このようにしてチャッキングステージＣは回送されて繰り返し使用される。
　一方、マスクトレイは、パターンが異なる有機成膜用のマスクトレイＭ１と金属成膜用のマスクトレイＭ２とが使用される。よって、図２３の下段に示したように、マスクトレイＭ１は、アライメント部１０ｂにてアライメントされた基板Ｓを載せ、成膜部４０ａを通り、基板転送部１７０ａにて基板Ｓを分離させた後、リターン部８０ａからアライメント部１０ｂまで戻る。
　マスクトレイＭ１と分離した基板Ｓは、転送部１７０ｂをローラ搬送され、アライメント部１７０に搬入される。マスクトレイＭ２は、アライメント部１７０にてアライメントされた基板Ｓを載せ、成膜部４０ｂを通り、マスクデチャック部７０ｂにて基板Ｓを分離させた後、リターン部８０ｂからアライメント部１７０まで戻る。このようにしてマスクトレイＭ１、Ｍ２は、別々の経路（リターン部８０ａ、８０ｂ）を回送されて繰り返し使用される。
　以上、第５実施形態に係る成膜装置１によれば、複数の蒸着工程を連続的に行い、複数の異なる膜を連続成膜することができる。また、転送部１７０ｂでつながった有機成膜側と金属膜成膜側の装置内部に圧力勾配を設けることによって、有機成膜側と金属膜成膜側との装置内のコンダクタンスを下げることで、転送部１７０ｂに設けられたバルブを不要とすることができる。例えば、有機成膜側の装置内部の圧力（例えば、１０－２Ｐａ）は、金属膜成膜側の装置内部の圧力（例えば、１０－４Ｐａ）より１０－２程度低くなるように圧力勾配をつけることが好ましい。
　なお、第５実施形態に係る成膜装置１では、有機成膜→金属膜成膜を行う成膜装置を２つ接続したが、これに限られない。例えば、有機成膜→金属膜成膜→有機成膜→金属膜成膜というように、異なる膜を成膜する工程を複数回繰り返すことが可能なように成膜装置を３つ以上接続してもよい。例えば、照明用の有機膜を形成する場合に有機成膜→金属膜成膜→有機成膜→金属膜成膜の工程を行うために４つの成膜装置を接続させてもよい。
＜まとめ＞
　以上に説明したように、第１～第５実施形態に係る成膜装置１では、様々な処理時間のばらつきを吸収するようなバッファ機構を設けて、システムのタクトタイムを高めることができる。まとめとして、第１～第５実施形態に係る成膜装置１の特徴をもう一度述べる。
　基板搬入部（アライメント機構部）と蒸着部の間に各処理時間のばらつき、基板搬入タイミングのばらつき等を吸収するバッファ機構を有するシステムである。
　蒸着部と基板搬出の間に各処理時間のばらつき、基板搬出タイミングのばらつき等を吸収するバッファ機構を有するシステムである。
　蒸着部と基板搬出の間に蒸着エリアでの基板停止を防止する搬出用のバッファ機構を有するシステムである。
　バッファが全段独立して動作する機構を持つ。
　バッファが一方向（上方／下方）に連続して稼動し続けることが可能である。
　成膜中のマスクトレイに影響なく前後のマスクを加減速することが可能である。
　マスクリターン機構により真空保持のまま、マスクを戻す機構を持つ。
　マスクリターン部にマスク冷却機構を持つことができる。
　マスクリターン部にマスククリーニング機構を持つことができる。
　未使用のマスクを搬入するための専用マスクストッカを持つことができる。
　使用済みのマスクを搬出するための専用マスクストッカを持つことができる。
　マスクの入替が自動で行うことができる。
　マスク交換時にマスク用ロードロック以外は大気圧に戻すことなく、マスク交換が可能である。
　タクトに影響なく使用済みマスクと未使用マスクの交換が可能である。
　蒸着室とバッファ機構、マスクリターン機構をゲートバルブにて分離し、独立してメンテナンスを行うことができる。
　異なる成膜速度でプロセス処理することができ、異なる速度でもトレイ間隔を最適に詰めてプロセス処理することができる。
　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る成膜装置及び成膜方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明に係る成膜装置及び成膜方法の技術的範囲に属するものと了解される。
　例えば、上記各実施形態では蒸着により基板に成膜したが、本発明に係る成膜装置ではこれに限らず、ＣＶＤやスパッタリング等によって基板を成膜してもよい。
　本国際出願は、２０１２年２月６日に出願された米国仮出願６１／５９５，２１２号に基づく優先権及び２０１２年４月２０日に出願された日本国特許出願２０１２－０９６８６４号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容を本国際出願に援用する。
　１　　　　　　　成膜装置
　１０　　　　　　基板搬入部
　２０　　　　　　搬入側バッファ部
　３０　　　　　　第１の調整部
　４０　　　　　　成膜部
　４１　　　　　　蒸着源
　５０　　　　　　第２の調整部
　６０　　　　　　搬出側バッファ部
　７０　　　　　　基板搬出部
　８０　　　　　　リターン部
　８１ａ　　　　　マスク交換部
　８１ｂ　　　　　マスク交換部
　９０ａ　　　　　搬入用マスクストッカ
　９０ｂ　　　　　搬出用マスクストッカ
　１００　　　　　制御部

Claims (20)

  1. 　基板を搬入する基板搬入部と、
    　前記搬入された基板を成膜する成膜部と、
    　前記成膜された基板を搬出する基板搬出部と、
    　前記基板搬入部と前記基板搬出部とを連結するリターン部と、
    　前記成膜部と連結し、第１の空間において基板の搬送速度を調整しながら該基板を該成膜部まで搬送する第１の調整部と、
    　前記成膜部と連結し、第２の空間において基板の搬送速度を調整しながら該成膜部から搬出された該基板を搬送する第２の調整部と、
    　前記基板搬入部と前記第１の調整部とを連結し、前記第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬入側バッファ部と、
    　前記第２の調整部と前記基板搬出部とを連結し、前記第２の空間内から搬出した後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬出側バッファ部と、
    を備えることを特徴とする成膜装置。
  2. 　前記基板搬入部、前記搬入側バッファ部、前記第１の調整部、前記成膜部、前記第２の調整部、前記搬出側バッファ部、前記基板搬出部、前記リターン部は環状に設けられることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　更に、基板に所定のパターンを形成するためのマスクを交換するマスク交換部を備え、
    　前記基板搬入部は、前記搬入された基板をマスクに装着し、
    　前記基板搬出部は、前記搬出された基板をマスクから離脱し、
    　前記搬入側バッファ部及び前記搬出側バッファ部は、前記マスクに装着された基板を前記各収納室に収納することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  4. 　前記搬入側バッファ部及び前記搬出側バッファ部は、それぞれ複数段の収納室を有し、各収納室は独立して稼動可能であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  5. 　前記搬入側バッファ部の収納室及び前記搬出側バッファ部の収納室は、前記マスクに装着された基板をそれぞれ一方向に稼動可能であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  6. 　前記搬出側バッファ部は、通常時に用いられる前記１段以上の収納室の他に、非常時に用いられ、基板を緊急退避させる１段以上の救済室を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  7. 　更に、前記第１の空間における基板の搬送速度を、該基板の前の基板との間隔を適正化するために加速後減速するように制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  8. 　前記制御部は、前記第２の空間における基板の搬送速度を、該基板の後の基板との間隔を適正化するために加速後減速するように制御することを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
  9. 　前記基板搬入部、前記搬入側バッファ部、前記第１の調整部、前記成膜部、前記第２の調整部、前記搬出側バッファ部、前記リターン部及び該基板搬入部は、真空状態に保持されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  10. 　前記リターン部は、前記マスクを前記基板搬出部から前記基板搬入部まで戻す前に一時収納する一段以上のマスク収納室を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  11. 　前記マスク交換部は、未使用のマスクを搬入するための搬入用マスクストッカに連結される搬入用マスク交換部と、使用済のマスクを搬出するための搬出用マスクストッカに連結される搬出用マスク交換部とに分かれてマスクの交換を行うことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
  12. 　前記成膜部、前記搬入側バッファ部及び前記搬出側バッファ部は、ゲートバルブにより分離されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  13. 　前記リターン部は、搬送されるマスクを冷却する冷却機構を有することを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。
  14. 　前記リターン部は、搬送されるマスクをクリーニングするクリーニング機構を有することを特徴とする請求項１３に記載の成膜装置。
  15. 　前記搬入側バッファ部は、下端部にて前記基板搬入部と連結され、上端部にて前記第１の調整部と連結され、
    　前記搬出側バッファ部は、下端部にて前記基板搬出部と連結され、上端部にて前記第２の調整部と連結されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  16. 　前記リターン部は、基板の搬送又は成膜に使用される少なくとも２種類以上のワーク部材を独立してそれぞれ搬送可能なルートを有していることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  17. 　前記成膜装置は、２つ以上設けられ、連続して複数の成膜を実行することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  18. 　基板を搬入する基板搬入部と、
    　前記搬入された基板を成膜する成膜部と、
    　前記成膜された基板を搬出する基板搬出部と、
    　前記基板搬入部と前記基板搬出部とを連結するリターン部と、
    　前記成膜部と連結し、第１の空間において基板の搬送速度を調整しながら該基板を該成膜部まで搬送する第１の調整部と、
    　前記成膜部と連結し、第２の空間において基板の搬送速度を調整しながら該成膜部から搬出された該基板を搬送する第２の調整部と、
    　前記基板搬入部と前記第１の調整部とを連結し、前記第１の空間内に搬入する前に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬入側バッファ部と、
    　前記第２の調整部と前記基板搬出部とを連結し、前記第２の空間内から搬出した後に基板を一時収納可能な１段以上の収納室を有する搬出側バッファ部と、
    を備える成膜装置にて使用され、
    　前記第１の空間における基板の搬送速度を、該基板の前の基板との間隔を適正化するための速度に制御する工程と、
    　前記成膜部に搬送された基板を成膜する工程と、
    　前記第２の空間における基板の搬送速度を、該基板の前の基板との間隔を適正化するための速度に制御する工程と、
    を含むことを特徴とする成膜方法。
  19. 　前記第１の空間における基板の搬送速度及び前記第２の空間における基板の搬送速度はそれぞれレシピに設定された手順により制御することを特徴とする請求項１８に記載の成膜方法。
  20. 　更に、前記マスクの使用状態から前記マスクを交換するか否かを判定する工程と、
    　前記マスクを交換すると判定した場合、自動的に該判定されたマスクを搬出し、自動的に未使用のマスクを搬入する工程を含むことを特徴とする請求項１８に記載の成膜方法。
PCT/JP2013/052709 2012-02-06 2013-02-06 成膜装置及び成膜方法 WO2013118764A1 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261595212P 2012-02-06 2012-02-06
US61/595,212 2012-02-06
JP2012096864 2012-04-20
JP2012-096864 2012-04-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013118764A1 true WO2013118764A1 (ja) 2013-08-15

Family

ID=48947525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/052709 WO2013118764A1 (ja) 2012-02-06 2013-02-06 成膜装置及び成膜方法

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW201346050A (ja)
WO (1) WO2013118764A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014084270A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用の薄膜形成装置と薄膜形成方法
CN106460164A (zh) * 2014-02-20 2017-02-22 因特瓦克公司 用于衬底的双面处理的系统及方法
WO2018225185A1 (ja) * 2017-06-07 2018-12-13 シャープ株式会社 マスク洗浄装置およびマスク洗浄方法
EP3358611A4 (en) * 2015-09-29 2019-07-10 Nikon Corporation PRODUCTION SYSTEM
JP2020002458A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、有機デバイスの製造装置および有機デバイスの製造方法
JP2020096129A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 株式会社アルバック ロードロックチャンバ及び真空処理装置
CN113046694A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6088964B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-01 株式会社東芝 半導体製造装置
TWI569353B (zh) * 2015-07-15 2017-02-01 精曜有限公司 取放腔室
JP7191922B2 (ja) * 2020-11-30 2022-12-19 キヤノントッキ株式会社 搬送装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
JP7212662B2 (ja) * 2020-11-30 2023-01-25 キヤノントッキ株式会社 搬送装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
JP7177130B2 (ja) * 2020-11-30 2022-11-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び足場ユニット
JP7344236B2 (ja) * 2021-02-08 2023-09-13 キヤノントッキ株式会社 搬送装置、成膜装置及び制御方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235904A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池製造システム
JP2008056966A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Kyocera Corp 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235904A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池製造システム
JP2008056966A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Kyocera Corp 成膜装置及び成膜方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014084270A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用の薄膜形成装置と薄膜形成方法
JPWO2014084270A1 (ja) * 2012-11-28 2017-01-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用の薄膜形成装置と薄膜形成方法
CN106460164A (zh) * 2014-02-20 2017-02-22 因特瓦克公司 用于衬底的双面处理的系统及方法
EP3108030A4 (en) * 2014-02-20 2017-08-23 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
EP3358611A4 (en) * 2015-09-29 2019-07-10 Nikon Corporation PRODUCTION SYSTEM
WO2018225185A1 (ja) * 2017-06-07 2018-12-13 シャープ株式会社 マスク洗浄装置およびマスク洗浄方法
JP2020002458A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、有機デバイスの製造装置および有機デバイスの製造方法
JP7296204B2 (ja) 2018-06-29 2023-06-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、有機デバイスの製造装置および有機デバイスの製造方法
JP2020096129A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 株式会社アルバック ロードロックチャンバ及び真空処理装置
CN113046694A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201346050A (zh) 2013-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013118764A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP4359640B2 (ja) 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
KR101516819B1 (ko) 기판의 처리 장치
KR100310249B1 (ko) 기판처리장치
JP2008027572A (ja) ディスク被覆システム
US6638860B2 (en) Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device
KR102164404B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI603418B (zh) 成膜裝置
JP2007149948A (ja) 真空処理装置
JP2007311724A (ja) 基板搬送方法及び基板処理装置
JP6363927B2 (ja) 気相成長装置における基板搬送方法及び装置
JP2002237507A (ja) 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法
CN102386053A (zh) 衬底处理装置和制造半导体器件的方法
KR20100135626A (ko) 기판이송장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템
TWI614853B (zh) 成膜裝置
JP4709912B2 (ja) 基板処理方法および半導体装置の製造方法
KR20100131055A (ko) 유기금속화학증착 공정용 웨이퍼 자동 반송 및 측정 장치
KR102198732B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록매체
JP6027837B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2011142193A1 (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
KR100978856B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
WO2011142192A1 (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
KR101578078B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP2006077279A (ja) 真空処理装置
JP2008120640A (ja) 薄板製造装置および薄板製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13746704

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13746704

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP