CN113046694A - 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于抑制成膜精度降低或者卡紧性能变差的成膜装置。本发明的成膜装置配备有：掩膜一体型载置器，所述掩膜一体型载置器保持基板并且兼用作进行成膜动作时的掩膜；输送机构，所述输送机构在输送方向上输送所述掩膜一体型载置器；处理部，所述处理部对被保持于所述掩膜一体型载置器的基板进行处理；以及温度调整机构，所述温度调整机构在所述输送方向上配置于所述处理部的上游侧或者下游侧，用于调整所述掩膜一体型载置器的温度。

Description

成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一边输送基板一边进行成膜的成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造过程中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，通过将从成膜装置的蒸发源蒸发出的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩膜对基板进行成膜，形成有机物层或金属层。
在这种成膜装置或包含有该成膜装置的成膜系统中，存在有所谓的成组式的系统和串列式的系统。
在成组式的成膜系统中，在基板上进行成膜的多个成膜室呈组状地配置在设有输送机器人的输送室的周围，基板被输送机器人依次输送到各个成膜室进行成膜，由此，形成构成有机发光元件的多层的膜。
另一方面，在串列式的成膜系统中，搭载有成膜用的基板的输送载置器被辊式或者磁性悬浮式的输送机构输送给呈直线状配置的多个成膜室，并且，被成膜。
串列式的成膜系统具有第一输送路径，所述第一输送路径包括：将基板送入的装载部、对被搭载于输送载置器的基板进行成膜的成膜部、以及将基板送出的卸载部。另外，串列式的成膜系统具有第二输送路径，所述第二输送路径回收未搭载基板的输送载置器。
在串列式的成膜系统中，基板被从成膜系统的外部送入第一输送路径的装载部。被送入的基板被机器人以成膜面朝向上方的状态载置到从第二输送路径输送且没有搭载基板的输送载置器的上面。输送载置器吸附保持基板。对于被保持于输送载置器的基板，每个输送载置器上下(表里)反转，在成膜面朝向下方的状态下，被输送给成膜部。在成膜部，利用配置在基板的下方的成膜源，经由与输送载置器一起被输送的掩膜，对搭载于输送载置器的基板进行成膜。
成膜完毕之后，被输送到卸载室中的输送载置器再次表里反转，在基板的成膜面朝向上方的状态下，被输送给第二输送路径。在第二输送路径中移动的输送载置器解除基板的保持。接着，利用送出机器人只将基板输送到排出室，被送出到成膜系统的外部。解除对基板的保持且没有搭载基板的输送载置器被沿着第二输送路径输送，返回到与第一输送路径的装载部相对应的位置，用于保持新的基板。
专利文献1(韩国登录专利第10－1764023号)公开了一种在串列式的成膜系统中采用输送载置器兼用作掩膜的掩膜一体型载置器的结构。
现有技术文献
专利文献
韩国登录专利第10－1764023号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在采用掩膜一体型载置器的成膜系统中，由于在成膜工序中从蒸发源等产生的热的缘故，掩膜一体型载置器和基板等被加热。但是，由于掩膜一体型载置器比基板配置得更靠近蒸发源侧，因此，容易受到辐射热的影响，另外，由于材质与基板不同，因此，在掩膜一体型载置器与基板之间产生热膨胀的差异。其结果是，在掩膜一体型载置器与基板之间产生位置偏移，成为使成膜精度降低的一个重要因素。另外，因位置偏移而使得掩膜一体型载置器卡紧基板的位置变化，卡紧并保持基板的卡紧性能也变差。
本发明的目的是提供一种能够抑制成膜精度降低或者卡紧性能变差的成膜装置及成膜方法。
解决课题的手段
本发明的成膜装置，其特征在于，配备有：掩膜一体型载置器，所述掩膜一体型载置器保持基板，并且，兼用作进行成膜动作时的掩膜；输送机构，所述输送机构在输送方向上输送所述掩膜一体型载置器；处理部，所述处理部对于被保持于所述掩膜一体型载置器的基板进行处理；温度调整机构，所述温度调整机构在所述输送方向上配置于所述处理部的上游侧或者下游侧，用于调整所述掩膜一体型载置器的温度。
发明的效果
根据本发明，在采用掩膜一体型载置器的成膜装置中，能够抑制成膜精度降低或者卡紧性能变差。
附图说明
图1是表示采用掩膜一体型载置器的有机EL显示装置的成膜装置的概念图。
图2是根据本发明的一种实施方式的成膜装置的剖视示意图。
图3是根据本发明的另外一种实施方式的成膜装置的剖视示意图。
图4是根据本发明的进一步的另外一种实施方式的成膜装置的剖视示意图。
图5是根据本发明的再进一步的另外一种实施方式的成膜装置的剖视示意图。
图6是表示电子器件的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图对于本发明的优选实施方式进行说明。但是，下面所述的结构部件的尺寸、材质、形状以及它们的相对配置、或者装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件等，可以根据应用发明的装置的结构或各种条件而适当地改变，并非用于将本发明的范围限定于下面所述的实施方式。另外，对于同样的结构部件，原则上采用相同的附图标记，省略其说明。
本发明优选适用于对成膜对象物进行通过蒸发实施的成膜的成膜装置，典型地，可以适用于为了制造有机EL面板而对基板蒸镀有机材料和/或金属性材料等来进行成膜的成膜装置。作为成膜对象物的基板的材料只要是能够卡紧的材料即可，除了玻璃之外，也可以选择高分子材料的膜、金属、硅等材料。基板例如也可以是在玻璃基板上层积有聚酰亚胺等的薄膜的基板或者硅晶片。作为成膜材料，除了有机材料之外，也可以选择金属性材料(金属、金属氧化物等)等。
<成膜装置的整体结构>
图1是表示有机EL显示装置的成膜装置100的整体结构的概念图，表示采用掩膜一体型输送载置器的成膜装置的结构。
概略地说，成膜装置100包括成膜输送路径100a和返回输送路径100b，通过配备有用于在成膜输送路径100a与返回输送路径100b之间回收及供应输送载置器C的载置器回收输送路径100c、以及载置器供应输送路径100d，构成循环型输送路径。输送载置器C是保持基板并且兼用作进行成膜动作时的掩膜的掩膜一体型载置器。在不采用掩膜一体型输送载置器C、而单独地使用输送载置器和掩膜的成膜装置的情况下，在成膜输送路径100a与返回输送路径100b之间，还配备有掩膜回收输送路径和掩膜供应输送路径。
成膜装置100包括构成循环型输送路径的各结构部件，例如基板送入/对准室101、反转室103、成膜室105、基板反转/排出室107。
成膜室105配备有对基板G进行处理(例如，成膜)的一个或者两个以上的真空容器。根据实施方式，还存在这样的情况：对准室与基板送入室分离，以输送方向为基准，在基板送入室的下游侧配置对准室。在不使用掩膜一体型载置器C的成膜装置的情况下，将掩膜送入对准室，在成膜室105的下游侧进一步配置掩膜分离室。
在根据本实施方式的成膜装置100中，从成膜装置外部将基板G在输送方向上送入，将基板G定位并保持在输送载置器C上，一边使输送载置器C在成膜输送路径100a上移动，一边对基板G实施成膜处理，之后，将成膜过的基板G排出。在返回输送路径100b中，排出成膜过的基板G，将不搭载基板G的输送载置器C向基板送入位置侧输送。在不使用掩膜一体型输送载置器C的成膜装置的情况下，返回输送路径100b与输送载置器C一起将掩膜也输送到基板送入位置侧。
下面，参照图1对于成膜装置100的动作及处理更详细地进行说明。
在成膜装置100的成膜输送路径100a中，从成膜装置外部将基板G送入基板送入/对准室101，支承于设置在基板送入/对准室101内的基板支承单元上，调整与掩膜一体型载置器C的相对位置。
这时，基板G以元件形成区域所在的成膜面朝向上方的状态被送入。并且，设置在基板送入/对准室101内的基板支承单元支承基板G的周缘部，或者，设置在下部(容器的底面或基板台等)的支承用销上升，支承基板G的底面。
并且，基板送入/对准室101对由基板支承单元支承的基板G与之前被送入的掩膜一体型输送载置器C的相对位置进行调整。因此，基板支承单元上升，被其支承的基板G向输送载置器C接近，如果达到规定的接近距离(计测位置)，则进行基板G与输送载置器C的对准动作。
在对准动作中，利用对准照相机对基板G和预先形成于输送载置器C的对准标记进行拍摄，计测两者的位置偏移量及方向。输送载置器C的对准标记形成在掩膜的开口图案区域的外侧，但是，并不局限于此。基于计测出的位置偏移量和方向，由输送载置器C的输送驱动系统(例如，磁悬浮输送系统)对输送载置器C进行移动，由此，进行位置调整(对准)。或者，根据实施方式，也可以通过移动设置有基板支承单元的台，进行位置调整。
并且，当基板G与输送载置器C的相对位置偏移量落入规定的阈值内时，基板支承单元进一步上升，使基板G接近输送载置器C，更具体地说，使基板G接近掩膜的开口图案区域，之后，利用设置于输送载置器C的基板保持机构(例如，静电吸盘、粘附卡盘以及/或者卡紧机构)吸附并保持基板G。
在基板G与输送载置器C的对准完毕之后，通过辊输送或者磁悬浮输送方式将输送载置器C送入反转室103中。
接着，保持有基板G的输送载置器C被反转室103的旋转驱动装置200(图中未示出)上下反转(表里反转)。例如，旋转驱动装置将保持有基板G的输送载置器C以行进方向为轴旋转180度。由此，输送载置器C以及基板G的上下反转，基板G变成输送载置器C的卡紧面的下方侧，基板G的成膜面朝向下方。根据实施方式，旋转驱动装置也可以包括对准机构，对于在保持基板G的输送载置器C被送入反转室103的过程中和/或从反转室103的反转过程中发生的基板G与输送载置器C的位置偏移进行调整。
反转了的输送载置器C通过辊输送或者磁悬浮输送方式被送入成膜室105。
在成膜室105中，一边使保持有基板G的输送载置器C以规定的速度移动，一边从配置在成膜室105下部的蒸发源使有机EL发光材料蒸发，对基板G进行真空成膜。根据实施方式，成膜室105可以整体作为一个真空容器来构成，也可以将多个真空容器沿着基板G的输送方向配置。在后者的情况下，在多个真空容器的每一个中，固定有蒸发源，基板G一边被掩膜一体型输送载置器C保持着进行输送，一边进行成膜处理。但是，本发明也可以构成为将输送载置器C固定，一边使蒸发源相对于输送载置器C相对地移动，一边进行成膜处理。
根据本发明的一种实施方式，成膜装置100还包括用于调整输送载置器的温度的温度调整机构。温度调整机构用于在配置于成膜室105的一个或者两个以上的真空容器中，在进行基板G的成膜处理之前和/或之后，对于保持基板G的输送载置器C的温度进行调整。
完成了成膜处理的输送载置器C被输送到基板反转/排出室107。在基板反转/排出室107内，旋转驱动装置(图中未示出)使输送载置器C以行进方向为轴旋转180度。由此，变成基板G的成膜面朝向上方。
接着，基板G从输送载置器C被解除卡紧，由设置在基板反转/排出室107内的基板支承单元支承。并且，基板G被图中未示出的排出机构输送到下个工序。
在基板反转/排出室107排出基板G而变成没有搭载基板G的状态的输送载置器C沿着载置器回收输送路径100c被输送到返回输送路径100b的起点位置。
没有搭载基板G的输送载置器C沿着返回输送路径100b被输送到基板送入/对准室101侧。在输送载置器C被使用过的情况下，为了清洗或维护等，从返回输送路径100b被排出到成膜装置100的外部，将新的输送载置器C供应给基板送入/对准室101。
由此，根据本发明的一种实施方式的成膜装置100形成循环型的输送路径。
<输送载置器C的温度调整机构>
图2是根据本发明的一种实施方式的配备有输送载置器C的温度调整机构的成膜系统的剖视示意图。图2是图1所示的成膜室105的剖视示意图，但是，并不局限于此。图2也可以作为进行基板G的任意的处理室或者输送载置器C与基板G的对准的对准室的剖视示意图。
如前面所述，在根据本发明的实施方式的成膜装置中，沿着输送载置器C(即，基板G)的输送路径配置一个或者多个用于进行基板G的规定的处理(例如，成膜)的真空容器。在配备有多个真空容器的情况下，在各个真空容器内进行的基板G的处理没有必要是相同的工序(例如，成膜工序)，也可以是不同的工序。另外，即使在多个真空容器中进行同样的成膜工序，在各个容器中进行成膜的材料的种类也可以不同。根据实施方式，一边在真空容器内对输送载置器C进行输送，一边进行成膜工序，或者，输送载置器C被固定，一边使蒸发源移动，一边实施成膜工序。
参照图2，成膜装置100至少包括容器22、输送辊24和温度调整机构26。
容器22限定出设置输送机构的空间，输送机构对保持基板G的输送载置器C进行输送。也存在容器22是被保持在高真空状态，对基板G进行规定的处理的真空容器的情况。但是，图2中所示的剖视图不是对基板G进行规定的处理的空间(处理部)，而是关于在基板G的输送方向上的处理部的上游侧或者处理部的下游侧的空间的剖视图。
输送辊24是用于输送掩膜一体型输送载置器C的输送机构的一个例子。输送辊24支承输送载器C的两侧部，将输送载置器C向所希望的方向(输送方向)输送。作为输送机构，也可以代替输送辊24而使用磁悬浮机构，在这种情况下，由于输送载置器C从磁悬浮用导轨分隔开地进行输送，因此，在输送过程中，不产生颗粒。
温度调整机构26是用于冷却或者加热输送载置器C，调整输送载置器C的温度的机构。温度调整机构26例如也可以构成为在与输送载置器C隔开规定的间隔的状态下，夺取来自于输送载置器C的辐射热，或者将辐射热传递给输送载置器C，由此，调整输送载置器C的温度。另外，温度调整机构26也可以构成为与输送载置器C接触而与输送载置器C进行热交换(热传导)，由此，调整输送载置器C的温度。
根据一种实施方式，温度调整机构26包括能够与输送载置器C接近或者接触来调整输送载置器C的温度的温度调整用板26a。例如，温度调整用板26a是用于冷却输送载置器C的冷却板、或者用于加热输送载置器C的加热板。
冷却板为在板状的构件上形成冷却用流体可以流动的流路，或者埋入有管的形态，或者也可以是具有冷却用流体的入口和出口的贮水槽(reservoir)的形态。并且，冷却用流体并不限于液体，也可以是气体。
加热板也可以与冷却板一样为使用高温的流体的形态。或者，加热板也可以是利用电力等的加热板或者将发热线圈埋入板状的构件中的形态。
如图2或者图4所示，温度调整用板26a配置在输送载置器C的下侧。在这种情况下，由于基板G被保持于输送载置器C的底面(基板保持面)，因此，温度调整用板26a被配置成与输送载置器C的底面相对向，在与输送载置器C隔开规定的距离的状态下，调整输送载置器C的温度。另一方面，如图3或者图5所示，温度调整用板26a也可以配置在输送载置器C的上侧。在这种情况下，由于基板G被保持于输送载置器C的底面，因此，温度调整用板26a被配置成与输送载置器C的底面相对向，在与输送载置器C隔开规定的距离的状态下，调整输送载置器C的温度，或者，如图3所示，在能够升降温度调整用板26a的情况下，也可以使温度调整用板26a与输送载置器C接触来调整输送载置器C的温度。由此，可以缩短输送载置器C的温度调整所需的必要时间。
温度调整机构26还包括用于使温度调整用板26a升降的升降机构26b。升降机构26b通过使温度调整用板26a升降，使输送载置器C与温度调整用板26a的距离变化。由此，在不使用温度调整机构26的情况下，通过使温度调整用板26a从输送辊24分离开，可以降低与其它结构部件的干扰。并且，在使用温度调整机构26的情况下，能够使温度调整用板26a尽可能地接近输送载置器C，提高温度调整效率。
升降机构26b包括能够引导温度调整用板26a的升降的导向构件、以及能够沿着导向构件使温度调整用板26a升降的驱动机构。驱动机构例如包括伺服马达和将来自于伺服马达的动力传递给温度调整用板26a的动力传递构件等。
在温度调整机构26为用于冷却输送载置器C的冷却用机构(冷却部)的情况下或者包含冷却用机构的情况下，优选地，温度调整机构26在基板G的输送方向上配置在进行成膜等对于基板G的处理的真空容器(处理部)的下游侧。根据该结构，通过在真空容器中的对于基板G的高温处理(例如，成膜工序)，基板G和输送载置器C即使各自以不同的尺寸进行热膨胀，通过利用温度调整机构26对输送载置器C和被保持于输送载置器C的基板G进行冷却，也可以抑制基板G与输送载置器C的相对位置偏移。
在温度调整机构26为用于加热输送载置器C的加热用机构(加热部)的情况下或者包含加热用机构的情况下，优选地，温度调整机构26在基板G的输送方向上配置在进行成膜等对于基板G的处理的真空容器的上游侧。根据该机构，在真空容器中的对于基板G的高温处理(例如，成膜工序)之前，预先使输送载置器C和基板G热膨胀，由此，可以在后续的成膜工序中抑制基板G与输送载置器C的相对位置偏移。
在温度调整机构26为用于加热输送载置器C的加热用机构的情况下或者包含加热用机构的情况下，优选地，还配备有用于在温度调整机构26与真空容器之间进行对热膨胀了的基板G与输送载置器C的对准的对准机构或对准室。根据该结构，通过在与成膜工序同样的温度氛围下进行基板G与输送载置器C的对准，可以抑制在成膜工序中由热膨胀引起的成膜精度的降低。对准机构或对准室也可以在基板G的输送方向上配置在真空容器的上游侧。
图3是配备有根据本发明的另外的实施方式的输送载置器C的温度调整机构的成膜装置的剖视模式图。
图3的成膜装置在温度调整机构26的温度调整用板26a配置在输送辊24的上侧这一点上与图2的实施方式不同。根据该结构，由于温度调整用板26a可以借助于升降机构26b下降，与输送载置器C接触，调整输送载置器C的温度，因此，与接近输送载置器C的情况相比，可以提高温度调整效率。
图4是根据本发明的另外的实施方式的配备有输送载置器C的温度调整机构的成膜装置的剖视示意图。
图4的成膜装置在温度调整机构26的温度调整用板26a被支承部26c固定地设置在输送辊24的下侧这一点上与图2或图3的实施方式不同。根据该结构，由于温度调整用板26a被固定于容器22的底面侧的壁或者底面侧的台上(图中未示出)，因此，装置的结构简单。
图5是根据本发明的另外的实施方式的配备有输送载置器C的温度调整机构的成膜装置的剖视示意图。
图5的成膜装置在温度调整机构26的温度调整用板26a被支承部26c固定地设置这一点上与图2、图3的实施方式不同。并且，在温度调整用板26a被设置在输送辊24的上侧这一点上与图4的实施方式不同。根据该结构，由于温度调整用板26a被固定于容器22的上面侧的壁或者上面侧的台(图中未示出)上，因此，装置的结构简单。
<电子器件的制造方法>
接下来，说明采用本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一个例子。下面，作为电子器件的例子，举例表示出有机EL显示装置的结构及制造方法。
图6(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图6(b)表示1个像素的剖面结构。
如图6(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61中，呈矩阵状地配置有多个像素62，所述像素62具有多个发光元件。各个发光元件具有配备有被一对电极夹着的有机层的结构。另外，这里所谓的像素是指在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本实施方式的有机EL显示装置的情况下，通过表示相互不同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合构成，但是，也可以是黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合，只要是至少一种颜色以上，则没有特别的限制。
图6(b)是图6(a)的A－B线处的部分剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，所述有机EL元件配备有：阳极64、空穴迁移层65、发光层66R、66G、66B中的任一种、电子迁移层67、以及阴极68。它们当中，空穴迁移层65、发光层66R、66G、66B、电子迁移层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发红色的有机EL层，发光层66G是发绿色的有机EL层，发光层66B是发蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别被形成与发红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记作有机EL元件)相对应的图案。另外，阳极64与每个发光元件分离地形成。空穴迁移层65、电子迁移层67和阴极68可以相对于多个发光元件62R、62G、62B共用地形成，也可以对于每个发光元件来形成。另外，为了防止阳极64和阴极68被异物短路，在与阳极64之间设有绝缘层69。进而，由于有机EL层会因水分或氧而劣化，因此，设有用于保护有机EL层不受水分或氧的影响的保护层70。
在图6(b)中，空穴迁移层65或电子迁移层67被表示为一层，但是，根据有机EL显示元件的结构，也可以形成包含空穴阻挡层或电子阻挡层的多个层。另外，在阳极64与空穴迁移层65之间，也可以形成具有能够顺畅地进行从阳极64向空穴迁移层65注入空穴的能带结构的空穴注入层。同样地，也可以在阴极68与电子迁移层67之间形成电子注入层。
接着，对于有机EL显示装置的制造方法的例子具体地进行说明。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(图中未示出)以及阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63上，通过旋转涂敷形成丙烯酸树脂，利用光刻法将丙烯酸树脂以在形成有阳极64的部分中形成开口的方式形成图案，形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将绝缘层69被形成为图案的基板63送入第一有机材料成膜装置，将空穴迁移层65在显示区域的阳极64上作为共用的层进行成膜。空穴迁移层65通过真空蒸镀而成膜。实际上，由于空穴迁移层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此，不需要高度精细的掩膜。
接下来，将形成了空穴迁移层65的基板63送入第二有机材料成膜装置，在配置基板63的发红色的元件的部分，对发红色的发光层66R进行成膜。
与发光层66R的成膜一样，利用第三有机材料成膜装置对发绿色的发光层66G进行成膜，进而，利用第四有机材料成膜装置对发蓝色的发光层66B进行成膜。发光层66R、66G、66B的成膜完毕之后，利用第五成膜装置在整个显示区域61上对电子迁移层67进行成膜。电子迁移层67作为共用的层形成于三种颜色的发光层66R、66G、66B。
将形成了电子迁移层67的基板63移动到金属性蒸镀材料成膜装置中，对阴极68进行成膜。
根据本发明，可以在第一～第三有机材料成膜装置中的至少一个成膜装置的下游侧或者上游侧，或者在金属性蒸镀材料的成膜装置的下游侧或者上游侧，对一边保持基板63一边进行输送的输送载置器的温度进行调整。
之后，将基板63移动到等离子体CVD装置中，对保护层70进行成膜，完成有机EL显示装置60。
从将绝缘层69被形成为图案的基板63送入成膜装置之后直到保护层70的成膜完成为止，若暴露于含有水分或者氧的气氛中，则存在着由有机EL材料构成的发光层因水分或氧而劣化的风险。从而，在本实施方式中，基板63在成膜装置之间的送入送出在真空气氛或者不活泼气体的气氛下进行。
所述实施方式表示本发明的一个例子，本发明并不限于所述实施方式的结构，在其技术构思的范围内可以适当地变更。
附图标记说明
22：容器，24：输送辊，26：温度调整机构，26a：温度调整用板，26b：升降机构，100a：成膜输送路径，100b：返回输送路径，100c：载置器回收输送路径，100d：载置器供应输送路径，101：基板送入/对准室，103：反转室，105：成膜室，107：基板反转/排出室

Claims (13)

1.一种成膜装置，其特征在于，配备有：
掩膜一体型载置器，所述掩膜一体型载置器保持基板，并且，兼用作进行成膜动作时的掩膜；
输送机构，所述输送机构在输送方向上输送所述掩膜一体型载置器；
处理部，所述处理部对于被保持于所述掩膜一体型载置器的基板进行处理；
温度调整机构，所述温度调整机构在所述输送方向上配置于所述处理部的上游侧或者下游侧，用于调整所述掩膜一体型载置器的温度。
2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述温度调整机构包括温度调整用板，所述温度调整用板被设置成与所述掩膜一体型载置器的基板保持面相对向。
3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述温度调整机构包括升降机构，所述升降机构使所述温度调整用板升降，以便能够改变相对于所述掩膜一体型载置器的距离。
4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述温度调整机构包括使所述掩膜一体型载置器冷却的冷却部，所述温度调整机构在所述输送方向上配置于所述处理部的下游侧。
5.如权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述温度调整机构包括对所述掩膜一体型载置器进行加热的加热部，所述温度调整机构在所述输送方向上配置于所述处理部的上游侧。
6.如权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，还配备有对准部，所述对准部在所述输送方向上配置于所述处理部的上游侧，用于将被所述加热部加热的所述掩膜一体型载置器与被保持于所述掩膜一体型载置器的所述基板对准。
7.一种成膜方法，其特征在于，包括：
在输送方向上输送掩膜一体型载置器的输送步骤，所述掩膜一体型载置器保持基板，并且，兼用作在进行成膜动作时的掩膜；
对被保持于掩膜一体型载置器的基板进行处理的处理步骤；以及
在所述处理步骤之前或者所述处理步骤之后，调整所述掩膜一体型载置器的温度的温度调整步骤。
8.如权利要求7所述的成膜方法，其特征在于，在所述温度调整步骤，使被设置成与所述掩膜一体型载置器的基板保持面相对向的温度调整用板上升或者下降，使该温度调整用板接近所述掩膜一体型载置器。
9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，在所述温度调整步骤，使所述温度调整用板与所述掩膜一体型载置器接触。
10.如权利要求7～9中任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述处理步骤之后，进行所述温度调整步骤，
在所述温度调整步骤，使所述掩膜一体型载置器冷却。
11.如权利要求7～9中任一项所述的成膜方法，其特征在于，
在所述处理步骤之前，进行所述温度调整步骤，
在所述温度调整步骤，将所述掩膜一体型载置器加热。
12.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于，在所述温度调整步骤之后，在所述处理步骤之前，还具有对进行过温度调整的所述掩膜一体型载置器与所述基板的相对位置进行调整的对准步骤。
13.一种电子器件的制造方法，其特征在于，利用权利要求7～12中任一项所述的成膜方法来制造电子器件。
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