JP2011006726A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】供給された基板の加熱時間の短縮ができ、タクトタイムの短縮を図ることができる真空処理装置の提供。
【解決手段】被処理基板10は、連通領域9に移動可能に設けられたサセプタ11,12に載置される。搬送装置8は、基板搬入時および搬出時に連通開口1aを閉鎖してロードロック室領域7を密閉する第1の位置へサセプタ11,12を搬送し、成膜処理時に連通開口1bを閉鎖して処理室領域4を密閉する第2の位置へサセプタ11,12を搬送する。サセプタ11,12が第1および第2の位置に搬送されると、連通開口1a,1bの周囲と載置台との間にOリング41,62が挟持される。サセプタ11,12は、載置された被処理基板10を加熱して所定温度に保持する載置部101と、載置部101に対して断熱的に設けられたシール部102とを有するので、Oリング41,62の熱劣化を防止することができる。
【選択図】図1
【解決手段】被処理基板10は、連通領域9に移動可能に設けられたサセプタ11,12に載置される。搬送装置8は、基板搬入時および搬出時に連通開口1aを閉鎖してロードロック室領域7を密閉する第1の位置へサセプタ11,12を搬送し、成膜処理時に連通開口1bを閉鎖して処理室領域4を密閉する第2の位置へサセプタ11,12を搬送する。サセプタ11,12が第1および第2の位置に搬送されると、連通開口1a,1bの周囲と載置台との間にOリング41,62が挟持される。サセプタ11,12は、載置された被処理基板10を加熱して所定温度に保持する載置部101と、載置部101に対して断熱的に設けられたシール部102とを有するので、Oリング41,62の熱劣化を防止することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、被処理基板を加熱して処理する真空処理装置に関する。
化学気相成長(CVD)装置等の真空処理装置では、成膜対象である基板を加熱し成膜プロセスが行われる(例えば、特許文献1,2参照)。真空成膜装置は、成膜プロセスが行われる処理室、処理室の前段に配置されたロード室、処理室の後段に配置されたアンロード室を備える。ロード室には基板加熱用のヒータが設けられ、処理室には基板保温用のヒータが設けられている。
一般的に、基板はトレイ上に載置され、トレイの移動により搬送、処理、回収の一連の処理が行われる。処理室における成膜プロセスでは、基板温度を所定の設定温度(成膜プロセス温度)に加熱して成膜が行われる。そのため、基板を載置したトレイがロード室に搬入されると、基板は基板加熱用のヒータにより予備加熱される。基板が設定温度まで加熱されると、基板を載置したトレイは処理室に搬送される。
処理室では、基板保温用のヒータにより基板の温度を設定温度に維持した状態で成膜プロセスが行われる。成膜処理が終了するとトレイはアンロード室に搬送され、その後、アンロード室を大気開放して基板回収部に搬送する。基板回収部では処理済み基板が回収され、トレイはリターン機構により基板供給部へと戻される。基板供給部に戻されたトレイには未処理の基板が再び載置され、ロード室へと搬送される。
上述したように、ロード室においては、トレイに載置された基板を設定温度まで加熱する必要があるので、処理室から搬出されて基板供給部に戻されるまでのトレイの温度低下は、少ないほど良い。しかしながら、トレイを基板供給部まで戻す際のリターン径路には加熱機構が設けられていないので、基板供給部に戻されるまでにトレイ温度が低下してロード室での加熱時間が長くなってしまうという問題があった。
請求項1の発明による真空処理装置は、基板の搬入および搬出が行われるロードロック室領域、基板への成膜処理が行われる処理室領域、および第1の連通開口を介してロードロック室領域と連通するとともに第2の連通開口を介して処理室領域と連通する連通領域を有するチャンバーと、連通領域に移動可能に設けられ、搬入された基板が載置される載置台と、基板搬入時および搬出時に第1の連通開口を閉鎖してロードロック室領域を密閉する第1の位置へ載置台を搬送し、成膜処理時に第2の連通開口を閉鎖して処理室領域を密閉する第2の位置へ載置台を搬送する搬送装置と、載置台が第1および第2の位置に搬送されたときに、第1および第2の連通開口の周囲と載置台との間に挟持される第1および第2のシール材とを備え、載置台は、載置された基板を加熱して所定温度に保持する基板載置部と、シール材に接触する部分であって基板載置部に対して断熱的に設けられたシール部とを有することを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の真空処理装置において、シール部は第1および第2の連通開口を密閉する仕切り板であって、基板載置部が仕切り板上に断熱的に設けられていることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載の真空処理装置において、基板載置部を断熱的に支持して仕切り板の上方に配置する支持部材と、基板載置部と仕切り板との間に設けられ、基板載置部から仕切り板への輻射熱を遮蔽する遮蔽部材とを備えることを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の真空処理装置において、シール部は第1および第2の連通開口を密閉する仕切り板であって、基板載置部が仕切り板上に断熱的に設けられていることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載の真空処理装置において、基板載置部を断熱的に支持して仕切り板の上方に配置する支持部材と、基板載置部と仕切り板との間に設けられ、基板載置部から仕切り板への輻射熱を遮蔽する遮蔽部材とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、供給された基板の加熱時間を短縮することができ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1は本発明の実施の形態に係る真空処理装置を説明する図であり、プラズマCVD装置の概略構成を示す図である。図1に示すように、CVD装置は、真空排気可能なチャンバー1と、チャンバー1の連通領域9(後述する)において移動可能に設けられたサセプタ11およびサセプタ12と、サセプタ11およびサセプタ12を搬送する搬送機構8を備える。サセプタ11、12上には複数の被処理基板10がそれぞれ載置される。
本発明の実施の形態に係る真空処理装置では、チャンバー1は、被処理基板10の搬入および搬出が行われるロードロック室領域7と、被処理基板10への成膜処理が行われる処理室領域4と、第1の連通開口1aを介してロードロック室領域7と連通するとともに第2の連通開口1bを介して処理室領域4と連通する連通領域9を備えている。連通領域9内には搬送装置8が設けられており、サセプタ11,12を連通領域9内において搬送する。
サセプタ11,12は同一構造を有しており、被処理基板10が載置される載置部101と、載置部101の温度を所定温度に保つヒータ101aと、シール部102とを備えている。ヒータ101aには、例えばシーズヒータが用いられる。図1では、ヒータ101aを載置部101に一体に設けたが、載置部101の裏面側に接するように配置しても良い。シール部102には、断熱性の高い材料(例えば、セラミックス)が用いられる。サセプタ11,12に載置された被処理基板10はヒータ101aにより間接的に加熱され、所定温度(成膜プロセス温度)に保持される。
被処理基板10としては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板10として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
本発明の実施の形態に係る真空処理装置としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)、燐ガラス(PSG)膜、硼素ガラス(BSG)膜、硼素燐ガラス(BPSG)膜、シリコン窒化膜(Si3N4膜)又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長(CVD)装置等が採用できる。
被処理基板10としては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板10として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
処理室4にはプラズマ放電のための電極5が配置されている。図1に示すCVD装置の例では図示を省略しているが、処理室領域4には、処理室領域4内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室領域4の温度を検出する温度センサ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。また、真空処理装置が分子線エピタキシャル(MBE)装置である場合にはクヌーセンセルが、スパッタリング装置の場合には放電電極が、真空蒸着装置の場合には電子ビーム(EB)装置等が、それぞれ処理室領域4に備えられている。
搬送機構8は、サセプタ11,12を連通領域9内で水平方向に移動させるターンテーブル3と、サセプタ11,12を連通領域9内で上下方向に移動させる昇降部14,24とを備えている。ターンテーブル3のロードロック室領域7および処理室領域4に対向する位置には貫通孔3a,3bが形成されおり、回転軸2は、これらの貫通孔3a,3bがロードロック室領域7および処理室領域4の真下に位置するように、ターンテーブル3を回転駆動する。サセプタ11は貫通孔3aを塞ぐようにターンテーブル3上に載置され、サセプタ12は貫通孔3bを塞ぐようにターンテーブル3上に載置される。なお、ターンテーブル3を回転する場合には、昇降部14,24は、保持部13,23がターンテーブル3の下方に位置する位置まで降下する。
昇降部14はロードロック室領域7の真下に配置されており、上端に保持部13を備えている。一方、昇降部24は処理室領域4の真下に配置されており、上端に保持部23を備えている。貫通孔3a,3bがそれぞれロードロック室領域7および処理室領域4の真下に位置するようにターンテーブル3を位置決めし、図2に示すように昇降部14,24を上方に駆動すると、サセプタ11,12はそれぞれ保持部13,23に保持されて上方に移動する。昇降部14,24は、各サセプタ11,12がロードロック室領域7および処理室領域4の連通開口1a,1bを閉鎖する位置まで上昇駆動される。なお、昇降部14,24は同時に昇降させても良いし、個別に昇降させても良い。
サセプタ11が上記閉鎖位置まで上昇されると、Oリング62がサセプタ11のシール部102とチャンバー内壁との間に挟持される。同様に、サセプタ12が閉鎖位置まで上昇されると、Oリング41サセプタ12のシール部102とチャンバー内壁との間に挟持される。このように、サセプタ11によりロードロック室領域7を密閉して蓋6を開閉することにより、連通領域9を真空に維持した状態で被処理基板10の搬入および搬出を行うことができる。また、密閉された処理室領域4において、被処理基板10への成膜処理を行うことができる。
なお、図示していないが、処理室領域4,ロードロック室領域7および連通領域9の各々には、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ又はメカニカルポンプ等の真空ポンプが接続されており、処理室領域4および連通領域9は常に真空に維持されている。ロードロック室領域7の蓋6の開閉部分にはOリング61が設けられており、蓋6を閉じると、蓋6の隙間がOリング61によって封止される。
サセプタ11,12には、図3に示すように、複数の被処理基板10が載置される。サセプタ11,12の載置部101は均熱板として機能するものであり、例えばカーボン等の材料が用いられる。図1に示したヒータ101aは、載置部101を常に設定温度(成膜プロセス温度)に保持する。なお、図3では便宜上、サセプタ11,12に9つの被処理基板10が載置された場合を図示しているが、サセプタ11,12の表面のサイズ、サセプタ11,12に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されない。
(真空処理装置の動作)
次に、本発明の実施の形態に係る真空処理装置の動作を、図4のフローチャートを参照しながら説明する。
次に、本発明の実施の形態に係る真空処理装置の動作を、図4のフローチャートを参照しながら説明する。
ステップS11では、ロードロック室領域7に被処理基板10を搬入する動作が行われる。まず、図5に示すように、昇降部14を上昇させてロードロック室領域7の連通開口1aをサセプタ11で閉鎖する。なお、ここでは、昇降部14,24を個別に駆動するようにしている。次いで、ロードロック室領域7内を大気圧に戻した後に蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いてサセプタ11の載置部101上に被処理基板10を載置する。その後、蓋6を閉じてロードロック室領域7内を真空排気する。ヒータ101aは常時オン状態となっており、被処理基板10が載置される載置部101は所定温度(成膜プロセス温度)に保持されている。そのため、載置部101に載置された被処理基板10は素早く所定温度まで昇温されることになる。
ステップS12では、搬入された被処理基板10を処理室領域4へ搬送する動作が行われる。ロードロック室領域7内が所定圧力(例えば、連通領域9と同程度の圧力)となったならば、図6(a)に示すように昇降部14を下降させて、被処理基板10が載置されたサセプタ11を連通領域9内のターンテーブル3上に載置する。次いで、サセプタ11が処理室領域4の真下に位置し、サセプタ12がロードロック室領域7の真下に位置するように、ターンテーブル3を回転させてサセプタ11,12を水平移動させる。その後、図6(b)に示すように昇降部14,24を上昇させて、サセプタ11により処理室領域4の連通開口1bを閉鎖するとともに、サセプタ12によりロードロック室領域7の連通開口1aを閉鎖する。
ステップS13では、処理室領域4における成膜処理、およびロードロック室領域7における被処理基板10の搬入動作が行われる。処理室領域4に搬送された被処理基板10は予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので、直ちに成膜処理を開始することができる。一方、ロードロック室領域7については、大気圧に戻された後に蓋6が開けられ、処理基板10をサセプタ12の載置部101上に載置する。その後、蓋6を閉じてロードロック室領域7内を真空排気する。このとき、サセプタ12のヒータ101aは常時オン状態とされていて、載置部101の温度は設定温度(成膜プロセス温度)に保持されているため、載置された被処理基板10は短時間で設定温度まで昇温する。
ステップS14では、搬送装置8を駆動して、搬入された未処理の被処理基板10が載置されたサセプタ12をロードロック室領域7から処理室領域4へ搬送するとともに、成膜処理済みの被処理基板10が載置されたサセプタ11を処理室領域4からロードロック室領域7へ搬送する。すなわち、図7(a)に示すように、昇降部14,24を降下させサセプタ11,12をターンテーブル3上に載置する。次に、ターンテーブル3を回転してサセプタ12を処理室領域4の真下に移動させるとともに、サセプタ11をロードロック室領域7の真下に移動させる。その後、図7(b)に示すように昇降部14,24を上昇させて、サセプタ11によりロードロック室領域7を密閉するとともに、サセプタ12により処理室領域4を密閉する。
ステップS15では未処理の被処理基板が有るか否かを判定し、有ると判定されるとステップS20へ進み、無いと判定されるとステップS16へ進む。
未処理の被処理基板が無いと判定されてステップS16に進んだ場合には、ロードロック室領域7内を大気圧に戻し、被処理基板10を搬出する。そして、ステップS17において処理室領域4における被処理基板10への成膜処理を行った後に、ステップS18で、成膜処理された被処理基板10を処理室領域4からロードロック室領域7へ搬送する。その後、ステップS19においてロードロック室領域7内を大気圧に戻して被処理基板10を搬出し、一連の成膜動作を終了する。
一方、ステップS15からステップS20へ進んだ場合には、ステップS20においてロードロック室領域7内を大気圧に戻し、処理済みの被処理基板10の搬出と、未処理の被処理基板10の搬入とを行う。ステップS21では、処理室領域4に搬送された被処理基板10に対して成膜処理を行う。ステップS21の処理が終了したならば、ステップS14へ戻って搬送動作を行う。
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、サセプタ11,12は常に加熱されているので、載置した未処理の被処理基板10を短時間で設定温度まで加熱することができる。その結果、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。さらに、シール部102は断熱性の高い材料を用いているので、ヒータ101aで加熱される載置部101からOリング41,62への熱流入を低減することができ、Oリング41,62の熱影響を抑えることができる。
図8は、比較例として、従来のインラインCVD装置の一例を模式的に示したものである。CVD装置は、昇降ユニット210a,210b、移載機220a,220b、ロード室230、処理室240、アンロード室250およびリターン機構260を備えている。V1〜V4はゲートバルブである。成膜処理を行う場合には、まず、移載機220aによって、被処理基板10を昇降ユニット210aの基板トレイ270の上に供給する。基板トレイ270は被処理基板10が載置される支持台であって、被処理基板10はトレイ270に載置された状態で装置内を搬送される。
被処理基板10が載置された基板トレイ270はコンベア等の搬送機構(不図示)によりロード室230に搬送される。その後、不図示の真空排気装置によりロード室230を大気圧から所定圧力まで排気し、ヒータ231により被処理基板10を予備加熱する。ヒータ231にはランプヒータ等が用いられ、ヒータ231により被処理基板10を加熱して基板温度を所定温度まで昇温させる。この際、基板トレイ270も被処理基板10とともに加熱されることになる。被処理基板10の加熱が終了したならば、基板トレイ270を処理室240に搬送して成膜処理を行う。成膜処理の際にも、被処理基板10はヒータ241により保温され、所定の成膜プロセス温度に維持される。242は電極である。
処理室240での成膜処理が終了したならば、基板トレイ270は予め真空引きされているアンロード室250に搬送される。その後、アンロード室250は大気圧まで戻され、ゲートバルブV4を開閉して基板トレイ270を昇降ユニット210bへ搬送する。昇降ユニット210bでは、処理済みの被処理基板10を移載機220bにより回収する。基板トレイ270は昇降ユニット210bによりリターン機構260への搬送位置まで降下され、その後、リターン機構260により昇降ユニット210aまで搬送される。昇降ユニット210aは基板トレイ270を上方へと移動し、基板供給位置に戻す。このように、基板トレイ270はCVD装置内を循環し、基板供給位置において未処理の被処理基板10が再び載置される。
基板トレイ270は、ロード室230における予備加熱や処理室240における基板保温により、被処理基板10と同様の温度に加熱される。しかしながら、昇降ユニット210b、リターン機構260、昇降ユニット210aの順に大気中をリターン搬送される間に、基板トレイ270は温度が低下する。仮に、基板トレイ270の温度低下が無ければ、ロード室230における加熱は実質的に被処理基板10のみの加熱とみなせるが、実際には基板トレイ270の温度が低下しているため、その温度低下の分だけロード室230における加熱時間が長くなってしまう。
しかしながら、上述した実施の形態では、処理室領域4を密閉する位置とロードロック室領域7を密閉する位置との間で搬送されるときも、サセプタ11,12はヒータ101aによって常に加熱されており、基板供給時には設定温度となっている。そのため、供給された被処理基板10をサセプタ11,12上に載置すると、被処理基板10の温度は短時間で設定温度まで上昇する。その結果、従来の装置に比べて基板加熱時間が短縮され、タクトタイムの短縮を図ることができる。
(変形例1)
図9(a)は上述した実施の形態の第1の変形例を示す図であり、サセプタ11の構成を示したものである。なお、サセプタ12もサセプタ11と同様の構成をしている。変形例1においては、サセプタ11は載置部121,支持部122,仕切り板123およびヒータ121aで構成されている。ヒータ121aは、被処理基板10が載置される載置部121に一体に設けられている。載置部121は、仕切り板123上に設けられた細長い支持部122によって仕切り板123の上方に支持されている。支持部122の数は1つでも複数でも良い。サセプタ11を昇降部14により上方に移動させると、仕切り板123によって連通開口1aが閉鎖されロードロック室領域7が密閉される。なお、処理室領域4に関しても同様である。
図9(a)は上述した実施の形態の第1の変形例を示す図であり、サセプタ11の構成を示したものである。なお、サセプタ12もサセプタ11と同様の構成をしている。変形例1においては、サセプタ11は載置部121,支持部122,仕切り板123およびヒータ121aで構成されている。ヒータ121aは、被処理基板10が載置される載置部121に一体に設けられている。載置部121は、仕切り板123上に設けられた細長い支持部122によって仕切り板123の上方に支持されている。支持部122の数は1つでも複数でも良い。サセプタ11を昇降部14により上方に移動させると、仕切り板123によって連通開口1aが閉鎖されロードロック室領域7が密閉される。なお、処理室領域4に関しても同様である。
載置部121は上述した実施の形態の場合と同様に、ヒータ121aによって設定温度(成膜プロセス温度)に保たれている。しかし、仕切り板123は細長い支持部122を介して載置部121と接続されているので、支持部122の熱抵抗により熱移動が抑制される。なお、支持部122は、セラミックスや合成樹脂等のように熱伝導率の小さな材料で形成するのが好ましい。一方、仕切り板は搬送装置8のターンテーブル3や昇降部14,24に接触しているので、載置部121から仕切り板123へ流入した熱は、それらの部材へ伝熱されることになり、仕切り板123の温度上昇が抑制される。その結果、仕切り板123が接触するOリング62、41への熱影響を低減することができ、熱によるOリング62、41の劣化を防止することができる。
(変形例2)
図9(b)は第2の変形例を示す図であり、図9(a)に示すサセプタ11に反射板124をさらに追加した。反射板124は支持部122に固定され、載置部121と仕切り板123との間に配置されている。この反射板124は、設定温度に加熱されている載置部121からの輻射熱が仕切り板123に入射するのを防止する。その結果、反射板124を有していない図9(a)の場合に比べて、仕切り板123の温度上昇をより低く抑えることができる。
図9(b)は第2の変形例を示す図であり、図9(a)に示すサセプタ11に反射板124をさらに追加した。反射板124は支持部122に固定され、載置部121と仕切り板123との間に配置されている。この反射板124は、設定温度に加熱されている載置部121からの輻射熱が仕切り板123に入射するのを防止する。その結果、反射板124を有していない図9(a)の場合に比べて、仕切り板123の温度上昇をより低く抑えることができる。
(変形例3)
図10は第3の変形例を示す図である。第3の変形例では、載置部121は、仕切り板123上に設けられた断熱部材125上に設けられている。そのため、載置部121から仕切り板123への伝熱による熱移動を低減することができ、仕切り板123の温度上昇を抑えることができる。
図10は第3の変形例を示す図である。第3の変形例では、載置部121は、仕切り板123上に設けられた断熱部材125上に設けられている。そのため、載置部121から仕切り板123への伝熱による熱移動を低減することができ、仕切り板123の温度上昇を抑えることができる。
上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。さらに、本発明の実施の形態に係る真空処理装置は、CVD装置の他にも、例えば、SiO2膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、PSG膜、BSG膜、BPSG膜等をリフロー(メルト)する熱真空装置、CVD酸化膜等をデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。
1:チャンバー、1a,1b:連通開口、4:処理室領域、5:電極、7:ロードロック室領域、8:搬送装置、9:連通領域、10:被処理基板、11,12:サセプタ、41,61,62:Oリング、101,121:載置部、101a,121a:ヒータ、102:シール部、122:支持部、123:仕切り板、124:反射板、125:断熱部材
Claims (3)
- 基板の搬入および搬出が行われるロードロック室領域、基板への成膜処理が行われる処理室領域、および第1の連通開口を介して前記ロードロック室領域と連通するとともに第2の連通開口を介して前記処理室領域と連通する連通領域を有するチャンバーと、
前記連通領域に移動可能に設けられ、搬入された前記基板が載置される載置台と、
基板搬入時および搬出時に前記第1の連通開口を閉鎖して前記ロードロック室領域を密閉する第1の位置へ前記載置台を搬送し、成膜処理時に前記第2の連通開口を閉鎖して前記処理室領域を密閉する第2の位置へ前記載置台を搬送する搬送装置と、
前記載置台が前記第1および第2の位置に搬送されたときに、前記第1および第2の連通開口の周囲と前記載置台との間に挟持される第1および第2のシール材とを備え、
前記載置台は、載置された基板を加熱して所定温度に保持する基板載置部と、前記シール材に接触する部分であって前記基板載置部に対して断熱的に設けられたシール部とを有することを特徴とする真空処理装置。 - 請求項1に記載の真空処理装置において、
前記シール部は前記第1および第2の連通開口を密閉する仕切り板であって、前記基板載置部が前記仕切り板上に断熱的に設けられていることを特徴とする真空処理装置。 - 請求項2に記載の真空処理装置において、
前記基板載置部を断熱的に支持して前記仕切り板の上方に配置する支持部材と、
前記基板載置部と前記仕切り板との間に設けられ、前記基板載置部から前記仕切り板への輻射熱を遮蔽する遮蔽部材とを備えることを特徴とする真空処理装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN104756276A (zh) * | 2012-08-06 | 2015-07-01 | 铣益系统有限责任公司 | 有机物沉积装置及利用该装置的有机物沉积方法 |
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