CN102386053A - 衬底处理装置和制造半导体器件的方法 - Google Patents
衬底处理装置和制造半导体器件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102386053A CN102386053A CN2011102125578A CN201110212557A CN102386053A CN 102386053 A CN102386053 A CN 102386053A CN 2011102125578 A CN2011102125578 A CN 2011102125578A CN 201110212557 A CN201110212557 A CN 201110212557A CN 102386053 A CN102386053 A CN 102386053A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- box
- substrate container
- shelf
- substrate
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
衬底处理装置和制造半导体器件的方法。一种衬底处理装置,包括:衬底容器保持支架,包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板;衬底容器运送机构,配置为向衬底容器保持支架加载衬底容器以及从衬底容器保持支架卸载衬底容器;衬底容器保持支架升降机构,配置为在垂直方向上提起衬底容器保持支架的多个搁板中的每一个;以及处理单元,配置为从衬底容器保持支架接收衬底容器中的至少一个。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求保护来自2010年9月1日提交的日本专利申请No.2010-195539的优先权权益,在此通过引用的方式包含其全部内容。
技术领域
本公开涉及一种用于处理诸如半导体晶片等衬底的衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。
背景技术
作为衬底处理装置的示例,已知垂直型热处理装置,该热处理装置中具有衬底容器,每个衬底容器容纳多个衬底。一般地,在这种垂直型热处理装置中,将每个都容纳多个衬底的衬底容器运送到该装置中,从而使得在一次工艺处理期间并发地处理例如数十和数百个衬底。
已经提出了一种配置,其中在两个保持支架上保持衬底容器,然后在垂直方向上移动这两个保持支架通过相应圆筒,从而形成将用作用于衬底容器之一的运送通道的空间。通过这种运送通道,可以将一个保持支架上保持的衬底容器之一移动为位于另一个保持支架上(例如参见日本公开专利申请No.2004-296996)。已经提出了另一配置,即提供每个都容纳多片衬底的可旋转保持支架以便将足够数目的衬底容器加载在衬底处理装置中(例如参见日本公开专利公布No.2000-311935)。
例如,可以将在垂直型热处理装置中能够处理的450mm晶片的片数设置为与在垂直型热处理装置中能够处理的300mm晶片的片数相同。在此情况下,还将保持450mm晶片所需的容器数目设置为与保持300mm晶片所需的容器数目相同。
然而,随着晶片(衬底)直径的增加,例如,从300mm增加到450mm,还应当增加衬底容器的尺寸。例如,衬底容器中的加载节距(即,所加载的两个相邻的450mm晶片之间的节距)可以在例如10mm到12mm范围内。相应地,如果在衬底容器中加载25片450mm晶片,则衬底容器的高度应当比容纳相同数目的300mm晶片的衬底容器的高度高50mm或更多。此外,容纳25片450mm晶片的衬底容器的重量可能是容纳相同数目的300mm晶片的衬底容器的重量的三倍重或更多。进一步,如果可以在用于处理450mm晶片的垂直型热处理装置中采用在用于处理300mm晶片的垂直型热处理装置中使用的可旋转保持支架,则(用于处理450mm晶片的)垂直型热处理装置的高度还可能由于增加的衬底容器大小而增加。在此情况下,衬底容器本身的重量也增加了,这需要增加配置为保持这种容器的保持支架的强度和坚固性。进一步,当衬底容器由保持支架旋转时,衬底容器的离心力增加,这可能引起驱动单元大小和装置的配置复杂度的增加。
由于上述问题,对用以处理450mm晶片的垂直型热处理装置的整体配置不可避免地增加,这使得难以在与用以处理300mm晶片的垂直型热处理装置相同的尺寸要求(诸如装置的空间占用、清洁室的高度等)下处理450mm晶片。
发明内容
本公开提供了一种衬底处理装置和一种制造半导体器件的方法,其能够增加衬底处理装置中要保持的衬底容器的数目,同时又约束衬底处理装置的尺寸增加。
根据本公开的一个方面,一种衬底处理装置可以包括:衬底容器保持支架,包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板;衬底容器运送机构,配置为向衬底容器保持支架加载衬底容器以及从衬底容器保持支架卸载衬底容器;衬底容器保持支架升降机构,配置为在垂直方向上提起衬底容器保持支架的多个搁板中的每一个;以及处理单元,配置为从衬底容器保持支架接收衬底容器中的至少一个。
衬底容器保持支架升降机构可以配置为将搁板中的第一搁板垂直地移动第一距离,其中衬底容器运送机构插入到第一搁板中。衬底容器保持支架升降机构可以进一步配置为将位于第一搁板以上的第二搁板垂直地移动大于第一距离的第二距离。
搁板中的至少一个可以固定在衬底容器保持支架中。
衬底容器中的至少两个可以布置在衬底容器保持支架的两个对应的搁板上,从而使得衬底容器中的该至少两个彼此垂直地对准为面向相同方向。
根据本公开的另一方面,一种制造半导体器件的方法可以包括:使用衬底容器运送机构来向包括多个搁板的衬底容器保持支架加载容纳衬底的衬底容器以及从该衬底容器保持支架卸载该衬底容器;使用保持支架升降机构将衬底容器保持支架的第一搁板向上移动第一距离,衬底容器运送机构插入到第一搁板中;将位于第一搁板以上的第二搁板向上移动大于第一距离的第二距离;从衬底容器取出衬底;将衬底加载到处理加热炉中;以及在处理加热炉中处理衬底。
附图说明
图1是示出根据本公开的衬底处理装置的透视图。
图2是示出根据本公开的衬底处理的横截面侧视图。
图3是示出根据本公开的衬底处理装置的控制器的配置的示意图。
图4是示出根据本公开的衬底处理装置的控制器的操作的流程图。
图5A、图5B和图5C是说明根据本公开的衬底处理装置的操作的示图。
图6A、图6B和图6C是说明根据本公开的衬底处理装置的操作的示图。
图7A、图7B和图7C是说明根据本公开的衬底处理装置的操作的示图。
具体实施方式
现在将参考附图描述本公开的实施例。
根据本公开的一个实施例,衬底处理装置配置为例如执行制造集成电路(IC)的方法的半导体制造装置。另外,作为衬底处理装置的一个示例,以下是关于对衬底执行氧化、扩散处理、化学气相淀积(CVD)处理等的垂直型处理装置(在下文中简单地称为处理装置)的描述。图1是根据本公开的衬底处理装置的透视图。另外,图2示出了图1中示出的衬底处理装置的横截面侧视图。
如图1和图2所示,在衬底处理装置100中提供了外壳111,其包括环箍(在下文中称为盒)110作为配置为容纳由硅等制成的多个晶片(衬底)200的晶片载体。
在外壳111的前壁111a的前部上形成充当开口部分的前维护开口103,提供该前维护开口103是为了使得可以通过其进行维护。提供前维护门104以打开和关闭前维护开口103。
在外壳111的前壁111a上形成盒加载/卸载开口112以提供外壳11的内部与外壳111的外部之间的连通。盒加载/卸载开口112配置为由前遮门113打开和关闭。
在盒加载/卸载开口112的前侧部署了加载端口114。加载端口114配置为在其上放置盒110从而使得盒110与其对准。由处理中运送器件(未示出)将盒110放置在加载端口114上以及从加载端口114卸载盒110。
在外壳111内部从外壳的前侧水平地延伸到其后侧的近似中心区域的上部中部署了盒架(衬底容器保持支架)105。盒架105配备有沿垂直方向部署的支撑构件116以及由支撑构件116支撑的多级搁板117,从而使得它们在相对于支撑构件116的上面的、中间的和下面的位置处可独立地在垂直方向上活动。盒架105的多级搁板117配置为将盒110放置和保持在相应级上。例如,盒架105配置为在垂直方向上将多个盒110布置和保持在对应的多级搁板117上从而使得所布置的盒沿垂直方向面向相同方向。
在外壳111内部的盒架105与加载端口114之间部署了盒运送器件(衬底容器运送器件)118。盒运送器件118配置为具有盒升降器118a,该盒升降器118a充当配置为在垂直方向上向上和向下移动同时又保持盒110的轴部分。进一步,盒运送器件118包括充当运送机构的盒运送单元118b,该盒运送单元118b配置为在其上放置盒110以在水平方向上转移它们。盒运送器件118配置为通过盒升降器118a和盒运送单元118b的连续操作而在加载盒114、盒架105和开盒器121之中转移盒110。
在从外壳111的前侧延伸到后侧的近似中心区域的上部中,在外壳111的后侧提供次外壳119。在次外壳119的前壁119a上在垂直方向上的上面和下面的位置处布置一对晶片加载/卸载开口120以向次外壳119加载晶片200以及从次外壳119卸载晶片200。该一对晶片加载/卸载开口120配备有对应的一对开盒器121。开盒器121中的每一个配备有放置台122和帽附接/拆卸机构123,其中放置台122用于在其上放置盒110,并且帽附接/拆卸机构123用于附接和拆卸盒110的帽,该帽用作密封构件。开盒器121配置为通过经由帽附接/拆卸机构123附接和拆卸放置在放置台122上的盒110的帽来打开和关闭盒110的晶片加载/卸载开口。
次外壳119限定了从流体上说与安装盒运送器件118和盒架105的空间隔离的运送室124。在运送室124的前面区域处部署了晶片运送机构125。晶片运送机构125包括晶片运送器件125a和晶片运送器件升降器125b,其中晶片运送器件125a配置为在水平方向上旋转或线性地运送晶片,晶片运送器件升降器125b配置为向上和向下移动晶片运送器件125a。如图1示意性地示出的那样,晶片运送器件升降器125b部署在外壳(抗压外壳)111的右部与次外壳119的运送室124的前面区域的右部之间。通过晶片运送器件升降器125b和晶片运送器件125a的连续操作,通过使用用作晶片200的放置单元的晶片运送器件125a的镊子(衬底保持构件)125c而将晶片200加载在晶舟(衬底保持器)217上(在装载操作中)或从其卸载(在卸下操作中)。
在运送室124的后面区域中提供了配置为容纳等待处理的晶舟217的等待站126。在等待站126以上提供了处理加热炉202。处理加热炉202的下端配置为由加热炉开口遮门147打开和关闭。
如图1示意性地示出的那样,在外壳(抗压外壳)111的右端部分与次外壳119的等待站126的右端部分之间部署了配置为向上和向下移动晶舟217的晶舟升降器115。在充当耦合到晶舟升降器115的平台的耦合构件的臂128上水平地部署了充当盖子的密封帽219。密封帽219配置为垂直地支撑晶舟217从而关闭处理加热炉202的下端部分。
晶舟217配备有多个保持构件。晶舟217的该多个保持构件配置为分别水平地保持多个晶片200(例如50到125片晶片200),从而使得晶片200沿垂直方向同心地对准。
如图1示意性地示出的那样,在运送室124的左部(与运送室124的提供晶片运送器件升降器125b和晶舟升降器115的另一部分相反)中提供了清洁单元134,该清洁单元134配置为具有用于供应清洁空气133(例如,经清洁的大气或惰性气体)的进气风扇和防尘过滤器。在晶片运送器件125a与清洁单元134之间部署了充当用于在周线方向上对准晶片200的位置的衬底对准器件的凹槽对准器件(未示出)。
将从清洁单元134中吹出的清洁空气133送往凹槽对准器件、晶片运送器件125a以及等待站126中的晶舟217,然后该清洁空气133被管道(未示出)吸收以便被排放到外壳111外部或者以便循环到作为清洁单元134的吸收侧的第一侧(进气侧),从而使得清洁空气133被清洁单元134再次吹出到运送室124中。
现在,将详细描述衬底处理装置100的操作。
在以下描述中,衬底处理装置100的各部件的操作由控制器240控制。
图3图示了控制器240的配置。控制器240配置为通过输入/输出器件241控制盒运送器件118、盒架105、晶片运送机构125以及晶舟升降器115。
如图1和图2所示,当盒110被放置在加载端口114上时,由前遮门113打开盒加载/卸载开口112。此后,由盒运送器件118将放置在加载端口114上的盒110从盒加载/卸载开口112加载到外壳111中。
由盒运送器件118将所加载的盒110自动地运送到盒架105的指定搁板117以在其上临时地保持。然后,将盒110从盒架105卸载到开盒器121之一以在其中临时地存储。以这种方式,将盒110从盒架105卸载到开盒器121之一以安装在放置台122上。作为替代,可以将盒110直接运送到开盒器121以安装在放置台122上。在此情况下,由帽附接/拆卸机构123来关闭开盒器121的晶片加载/卸载开口120。另外,清洁空气133流过运送室124从而使得运送室124填充有清洁空气133。例如,通过使运送室124填充有作为清洁空气133的氮气,运送室124被设置为具有20ppm或更少的氧浓度,这显著低于外壳111内部(大气)的氧浓度。
将安装在放置台122上的盒110的开口侧端面压在次外壳119的前壁119a处的晶片加载/卸载开口120的外围区段上。然后,由帽附接/拆卸机构123拆卸盒110的帽以打开晶片加载/卸载开口120。
当盒110被开盒器121打开时,由晶片运送器件125a的镊子125c通过晶片加载/卸载开口120从盒110拾取晶片200。此后,晶片200在凹槽对准器件(未示出)中被对准并且被加载到部署在运送室124的后部中的等待站126中以加载到(或载入)晶舟217。在将晶片200递送到晶舟217之后,晶片运送器件125a返回到盒110以便将后续晶片200加载到晶舟217。
在由晶片运送机构125在开盒器121之一(例如,上面的级)中执行将晶片200加载到晶舟217的加载操作时,由盒运送器件118将另一盒110从盒架105运送到和安装在其他(例如,下面的级)开盒器121之一上。这样,可以由开盒器121并发地执行两个盒110的打开操作。
如果预定数目的晶片200被加载到晶舟217,则被加热炉开口遮门147关闭的处理加热炉202的下部被加热炉开口遮门147打开。随后,由晶舟升降器115向上提起密封帽219,从而使得容纳该组晶片200的晶舟217被运送(或加载)到处理加热炉202中。
在加载操作完成之后,在处理加热炉202中对该组晶片200执行预定工艺。
一旦完成了预定工艺,就根据如下操作顺序从外壳111取出晶片200和盒110,除了凹槽对准器件(未示出)中的晶片对准之外,该操作顺序与上述操作相反。
下面是对与根据本公开一个实施例的衬底处理装置100的盒架105和盒运送器件118的升降机构(衬底容器升降机构)有关的操作的描述。下面,将描述示例配置,其中从盒架105卸载放置在第n个搁板117(其中n是在1到M范围内选择的整数,M即盒架105中的搁板117的总数)上的盒110,从而使得盒110临时地存储在盒架105上然后被运送到开盒器121。
图4图示了示出由控制器240控制的运送盒110的操作的流程图。
在步骤S10处,将其上保持有盒110(其将从此卸载)的第n个搁板117提起距离α。在此,可以将距离α设置为适当值从而形成足够的空间,通过该空间将盒运送单元118b插入到盒架105的第n个搁板117中而不干扰(或接触)放置在下面的搁板117上的另一盒110和开盒器121。
随后,在步骤S12处,确定在第n个搁板117以上是否存在第(n+K)个搁板117,其中K=M-n。如果确定存在第(n+K)个搁板117,则处理来到步骤S14。否则,如果确定不存在第(n+K)个搁板117,则处理来到步骤S18。
在步骤S14处,将第(n+K)个搁板117向上提升距离(α+β)。在此,可以将距离β设置为适当值从而形成如下空间,通过该空间盒运送单元118b可以从第n个搁板117提起盒110(即,卸载盒110而不干扰上面的搁板117)。
在步骤S16处,确定n是否等于M(即,n=M)。如果确定n不等于M,则递增n(即,n=n+1)并且处理返回到步骤S14。否则,如果确定n等于M,则处理来到步骤S18。在此,n=M代表已经从搁板117的最高的支架卸载盒110。
在步骤S18处,在垂直方向上提起盒升降器118a从而使得盒运送单元118b向上移动以到达第n个搁板117以下(例如,水平地对应于第n个搁板117的位置)。
随后,在步骤S20处,在水平方向上移动盒运送单元118b以使其定位于随后将卸载的盒110的下端以下(即,插入在盒110的底部与第n个搁板117的上表面之间)。
在步骤S22处,通过盒运送单元118b的操作从第n个搁板117卸载(随后将卸载的)盒110。
在步骤S24处,在水平方向上移动盒运送单元118b以到达对应于开盒器121的位置(即,沿垂直方向与开盒器121(其位于该位置以下或以上)对准的位置)。
在步骤S26处,在垂直方向上移动盒升降器118a以到达对应于开盒器121的位置。
此后,在步骤S28处,将盒110运送到开盒器121。
在步骤S30处,确定盒架105中是否还有随后将运送的另一盒110。如果确定盒架105保持了随后将运送的这种盒110,则处理返回到步骤S10。否则,如果确定没有更多盒110要被运送,则整个处理完成。
下面是参考图5A到图5C、图6A到图6C、图7A到图7C、通过说明性示例的方式对与根据本公开一个实施例的衬底处理装置100的盒架105和盒运送器件118的升降机构(衬底容器升降机构)有关的操作的描述。
将参考如下盒架105来描述以下示例,在该盒架105中,将盒110布置为三级搁板上的两列。另外,盒架105的用于在其上放置盒110的搁板117从而根据其从盒架105的底部到顶部的垂直位置而分别被称为第一级搁板117a、第二级搁板117b以及第三级搁板117c。
参考图5A到图5C,示出了当n=1(针对上面参考图4而描述的示例),即,从第一级搁板117a卸载了盒110时的说明性示例。图5A是盒架105的正视图并且示出了盒架105中的提起(或提升)操作。另外,图5B和图5C分别示出了当卸载保持在盒架105中的盒110之一时盒架105的正视图和侧视图。
初始地,在垂直方向上将盒架105的第一级搁板117a提起距离α(图4的步骤S10)。随后,在垂直方向上将位于第一级搁板117a以上的第二级搁板117b和第三级搁板117c提起距离(α+β)(图4的步骤S12、S14和S16)。以这种方式,形成了足够的空间,通过该空间可以插入盒运送单元118b以卸载放置在第一级搁板117a上的盒110而不引起对放置在开盒器121上的另一盒110的任何干扰。进一步,可以防止盒110(从第一级搁板117a)的卸载被上面级的搁板117(例如,在其上保持另一盒110的第二级搁板117b)干扰。
后来,通过盒运送器件118的盒升降器118a的操作在垂直方向上向上移动盒运送单元118b以到达第一级搁板117a的下端(图4的步骤S18)。随后,在水平方向上移动盒运送单元118b以到达将卸载的盒110的底部(即,从而使得盒运送单元118b插入在第一级搁板117a的上表面与盒110的底表面之间)(图4的步骤S20)。通过盒升降器118a和盒运送单元118b的操作从第一级搁板117a卸载盒110(图4的步骤S22)。连续地,通过盒运送单元118b和盒升降器118a的操作(图4的步骤S24和S26),将盒110运送到开盒器121(图4的步骤S28)。
参考图6A到图6C,示出了当n=2(针对上面参考图4而描述的示例),即从第二级搁板117b卸载了盒110时的说明性示例。图6A是盒架105的正视图并且示出了盒架105中的提起(或提升)操作。另外,图6B和图6C分别示出了当卸载保持在盒架105中的盒110之一时盒架105的正视图和侧视图。
初始地,在垂直方向上将盒架105的第二级搁板117b提起距离α(图4的步骤S10)。随后,在垂直方向上将位于第二级搁板117b以上的第三级搁板117c提起距离(α+β)(图4的步骤S12、S14和S16)。以这种方式,形成了足够的空间,通过该空间可以插入盒运送单元118b以卸载放置在第二级搁板117b上的盒110而不引起对放置在第一级搁板117a上的另一盒110的任何干扰。进一步,可以防止盒110(从第二级搁板117b)的卸载被上面级的搁板(即,第三级搁板117c)干扰。
后来,通过盒运送器件118的盒升降器118a的操作在垂直方向上向上移动盒运送单元118b以到达第二级搁板117b的下端(图4的步骤S18)。随后,在水平方向上移动盒运送单元118b以到达将卸载的盒110的底部(即,从而使得盒运送单元118b插入在第二级搁板117b的上表面与盒110的底表面之间)(图4的步骤S20)。通过盒升降器118a和盒运送单元118b的操作从第二级搁板117b卸载盒110(图4的步骤S22)。连续地,通过盒运送单元118b和盒升降器118a的操作(图4的步骤S24和S26),将盒110运送到开盒器121(图4的步骤S28)。
参考图7A到图7C,示出了当n=3(针对上面参考图4而描述的示例),即,从第三级搁板117c卸载了盒110时的说明性示例。图7A是盒架105的正视图并且示出了盒架105中的提起操作。另外,图7B和图7C分别示出了当卸载保持在盒架105中的盒110之一时盒架105的正视图和侧视图。
初始地,在垂直方向上将盒架105的第三级搁板117c提起距离α(图4的步骤S10)。由于第三级搁板117c是盒架105中最高的搁板,因此处理来到步骤S18。
后来,通过盒运送器件118的盒升降器118a的操作在垂直方向上向上移动盒运送单元118b以到达第三级搁板117c的下端(图4的步骤S18)。随后,通过盒运送单元118b的操作在水平方向上移动盒运送单元118b以到达将卸载的盒110的底部(即,从而使得盒运送单元118b插入在第三级搁板117c的上表面与盒110的底表面之间)(图4的步骤S20)。通过盒升降器118a和盒运送单元118b的操作从第三级搁板117c卸载盒110(图4的步骤S22)。连续地,通过盒运送单元118b和盒升降器118a的操作(图4的步骤S24和S26),将盒110运送到开盒器121(图4的步骤S28)。以这种方式,形成了足够的空间,通过该空间可以插入盒运送单元118b以卸载放置在第三级搁板117c上的盒110而不引起对放置在第二级搁板117b上的另一盒110的任何干扰。为了从第三级搁板117c(即,最上面级的搁板)卸载盒110,将外壳111的壳顶部署在足够的高度处以便不引起对卸载操作的干扰,由此能够卸载放置在第三级搁板117c上的盒110而不对外壳111中的其他部件造成任何干扰。
如上所述,通过顺序地向上移动盒架105的相应搁板117a、117b和117c以及操作盒升降器118a来将盒运送单元118b插入以到达盒110的下端。作为结果,可以减少盒架105的垂直移动。进一步,充分保证了卸载盒110所需的空间(或运送通路)同时又减小了搁板117之间的节距。因此,衬底处理装置的总高度可以被维持在所希望的级别。
在上面的示例中,在盒架105的升降机构(保持支架升降机构)的操作中,盒110被临时地存储在盒架105上,然后被运送到开盒器121。进一步,上面的升降机构的示例描述了从盒架105卸载盒110,但本公开不限于此。作为替代,在某些实施例中,当将盒110从加载端口114加载到盒架105中时,可应用升降机构。
进一步,在某些实施例中,搁板117可以配置为固定型板和升降型板的组合。通过减少固定型搁板117的数目,还可以减小衬底处理装置的高度。因此,通过根据对装置高度的任何要求而将搁板117配置为固定型和升降型板的适当组合,能够优化装置的尺寸。进一步,由于固定型搁板117不需要升降机构,因此能够减小与升降机构相关联的部件数目。
在上面的示例中,在盒架105中将盒110布置为两列,针对每列提供了一个升降机构,但其不限于此。作为替代,在某些实施例中,可以针对相应的盒110提供升降机构。以这种方式,能够是实现各种操作。
如上所述,根据本公开,提供了一种衬底处理装置和一种制造半导体器件的方法,其能够增加衬底处理装置中要保持的衬底容器的数目,同时又约束衬底处理装置的尺寸增加。
尽管已经描述了特定实施例,但这些实施例仅仅是通过示例的方式而呈现的,而并非旨在限制本公开的范围。实际上,在此描述的新颖实施例可以体现为各种各样的其他形式。另外,在不偏离本公开的精神的情况下,可以对在此描述的实施例的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求书及其等同形式旨在覆盖将在本公开的范围和精神内的这种形式或修改。
Claims (6)
1.一种衬底处理装置,包括:
衬底容器保持支架,包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板;
衬底容器运送机构,配置为向所述衬底容器保持支架加载所述衬底容器以及从所述衬底容器保持支架卸载所述衬底容器;
衬底容器保持支架升降机构,配置为在垂直方向上提起所述衬底容器保持支架的所述多个搁板中的每一个;以及
处理单元,配置为从所述衬底容器保持支架接收所述衬底容器中的至少一个。
2.根据权利要求1的装置,其中所述衬底容器保持支架升降机构配置为将所述搁板中的第一搁板垂直地移动第一距离,其中所述衬底容器运送机构插入到所述第一搁板中。
3.根据权利要求2的装置,其中所述衬底容器保持支架升降机构进一步配置为将所述搁板中的位于所述第一搁板以上的第二搁板垂直地移动大于所述第一距离的第二距离。
4.根据权利要求1的装置,其中所述搁板中的至少一个固定在所述衬底容器保持支架中。
5.根据权利要求1的装置,其中所述衬底容器中的至少两个布置在所述衬底容器保持支架的两个对应的搁板上,从而使得所述衬底容器中的所述至少两个彼此垂直地对准为面向相同方向。
6.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
使用衬底容器运送机构来向包括多个搁板的衬底容器保持支架加载容纳衬底的衬底容器以及从所述衬底容器保持支架卸载所述衬底容器;
使用保持支架升降机构将所述衬底容器保持支架的第一搁板向上移动第一距离,所述衬底容器运送机构插入到所述第一搁板中;
将位于所述第一搁板以上的第二搁板向上移动大于所述第一距离的第二距离;
从所述衬底容器取出所述衬底;
将所述衬底加载到处理加热炉中;以及
在所述处理加热炉中处理所述衬底。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-195539 | 2010-09-01 | ||
JP2010195539A JP2012054392A (ja) | 2010-09-01 | 2010-09-01 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102386053A true CN102386053A (zh) | 2012-03-21 |
Family
ID=45697505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011102125578A Pending CN102386053A (zh) | 2010-09-01 | 2011-07-26 | 衬底处理装置和制造半导体器件的方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120051873A1 (zh) |
JP (1) | JP2012054392A (zh) |
KR (1) | KR20120022598A (zh) |
CN (1) | CN102386053A (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6106501B2 (ja) | 2013-04-12 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 収納容器内の雰囲気管理方法 |
JP2015141915A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置、基板熱処理装置の設置方法 |
JP6211938B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置、基板熱処理装置の設置方法 |
US9698036B2 (en) * | 2015-11-05 | 2017-07-04 | Lam Research Corporation | Stacked wafer cassette loading system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5645419A (en) * | 1994-03-29 | 1997-07-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and device |
CN1534726A (zh) * | 2003-03-28 | 2004-10-06 | 大日本屏影象制造株式会社 | 基片处理设备 |
CN1906748A (zh) * | 2004-10-19 | 2007-01-31 | 东京毅力科创株式会社 | 立式热处理装置及其使用方法 |
JP4182521B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2008-11-19 | ローツェ株式会社 | 容器の一時的搬入、留置、搬出用装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI246501B (en) * | 2003-02-03 | 2006-01-01 | Murata Machinery Ltd | Overhead traveling carriage system |
-
2010
- 2010-09-01 JP JP2010195539A patent/JP2012054392A/ja active Pending
-
2011
- 2011-07-11 US US13/180,079 patent/US20120051873A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-26 CN CN2011102125578A patent/CN102386053A/zh active Pending
- 2011-08-02 KR KR1020110076977A patent/KR20120022598A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5645419A (en) * | 1994-03-29 | 1997-07-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and device |
JP4182521B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2008-11-19 | ローツェ株式会社 | 容器の一時的搬入、留置、搬出用装置 |
CN1534726A (zh) * | 2003-03-28 | 2004-10-06 | 大日本屏影象制造株式会社 | 基片处理设备 |
CN1906748A (zh) * | 2004-10-19 | 2007-01-31 | 东京毅力科创株式会社 | 立式热处理装置及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120022598A (ko) | 2012-03-12 |
JP2012054392A (ja) | 2012-03-15 |
US20120051873A1 (en) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101879021B1 (ko) | 반송 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR100932961B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20110128149A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2000150400A (ja) | 縦型熱処理装置およびボート搬送方法 | |
CN108701636B (zh) | 基板处理装置 | |
KR101799217B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
TWI592495B (zh) | 磁性退火裝置(一) | |
CN102386053A (zh) | 衬底处理装置和制造半导体器件的方法 | |
KR101883032B1 (ko) | 기판 열 처리 장치, 기판 열 처리 장치의 설치 방법 | |
KR20080090299A (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR100985723B1 (ko) | 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102649528B1 (ko) | 기상 성장 장치 | |
CN110047791B (zh) | 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 | |
JP2014060338A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101578081B1 (ko) | 기판처리시스템 | |
CN220456371U (zh) | 前开式晶圆传送盒的多层储存及装载系统 | |
KR20150089924A (ko) | 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법 | |
KR102669815B1 (ko) | 기상 성장 장치 | |
JP5090291B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102669814B1 (ko) | 기상 성장 장치 | |
JP2000223547A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2012073765A1 (ja) | 半導体製造装置 | |
KR100978856B1 (ko) | 기판 처리 설비 및 방법 | |
JP2002184771A (ja) | 熱処理装置 | |
TW201501231A (zh) | 磁性退火裝置(二) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120321 |