KR20150089924A - 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법 - Google Patents

기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150089924A
KR20150089924A KR1020140193408A KR20140193408A KR20150089924A KR 20150089924 A KR20150089924 A KR 20150089924A KR 1020140193408 A KR1020140193408 A KR 1020140193408A KR 20140193408 A KR20140193408 A KR 20140193408A KR 20150089924 A KR20150089924 A KR 20150089924A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
unit
transport
container
transfer
Prior art date
Application number
KR1020140193408A
Other languages
English (en)
Inventor
가츠히코 오야마
히로후미 가네코
히로시 기쿠치
노리오 바바
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150089924A publication Critical patent/KR20150089924A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773Conveying cassettes, containers or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining

Abstract

본 발명은 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 같은 정도의 풋프린트를 유지하면서, 장치 내부에 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 수납한 운반 용기라도 충분한 수량 보관할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼를 복수 매 수납한 복수의 운반 용기를 보관하는 제1 보관부 및 제2 보관부와, 운반 용기를 반송하는 반송 기구부를 포함하는 반송 보관 유닛과,
다수 매의 웨이퍼를 다단으로 유지한 유지구를 수납하고, 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리로가 설치된 열처리 유닛을 가지며,
반송 보관 유닛의 제1 보관부의 하방에는, 운반 용기 내의 웨이퍼를 열처리 유닛의 유지구로 이송하기 위해서, 운반 용기를 배치하는 이송부의 배치대가 설치되고,
제2 보관부는 반송 기구부의 하방에 배치되며,
제2 보관부의 운반 용기를 배치하는 면은, 이송부의 배치대의 운반 용기를 배치하는 면보다 낮아지도록 배치되어 있는 기판 열처리 장치를 제공한다.

Description

기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법{SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS, METHOD OF INSTALLING SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 간단히 웨이퍼라고도 기재함)에, 산화, 확산, CVD(Chemical Vapor Deposition), 어닐링 등의 처리를 실시하기 위해서, 각종의 처리 장치(반도체 장치)가 이용되고 있다. 그리고, 처리 장치의 하나로서, 한 번에 다수 매의 웨이퍼의 열처리가 가능한 배치(batch) 처리식의 기판 열처리 장치가 알려져 있다.
배치 처리식의 기판 열처리 장치에 있어서는, 복수 매의 웨이퍼를 수납한 운반 용기(캐리어, FOUP라고도 함)에 의해 장치 밖으로부터 웨이퍼를 반송하고, 운반 용기를 장치의 반입 반출부인 로드 포트 등을 통해 기판 열처리 장치 내에 공급한다. 그리고, 공급된 운반 용기로부터 웨이퍼를 취출하고, 높이 방향으로 간격을 두고 복수 매의 웨이퍼를 유지할 수 있는 보트(유지구)에 웨이퍼를 이송한 후, 보트와 함께 열처리로에 삽입하여, 각종 처리에 제공된다.
이러한 기판 열처리 장치에 있어서는 처리 시간의 단축 내지 스루풋(throughput) 향상이 요구되고 있고, 처리 시간의 단축 등을 위해서는, 장치 내에 가능한 한 많은 운반 용기를 보관하고, 열처리로 내의 처리가 완료될 때마다 보트에 유지한 웨이퍼를 신속히 교체하는 것이 요구된다. 이 때문에, 예컨대 특허문헌 1에는 기판 열처리 장치의 일종인 종형(縱型) 열처리 장치에 있어서, 장치 내에 많은 운반 용기를 배치할 수 있는 구성의 예가 개시되어 있다.
그런데, 특허문헌 1에 개시된 장치는 직경이 300 ㎜인 웨이퍼에 대응한 장치였으나, 최근에는 직경이 450 ㎜인 웨이퍼에의 대응이 요구되고 있다. 이와 같이, 웨이퍼의 직경이 커진 경우, 웨이퍼의 두께도 증가하기 때문에, 웨이퍼를 유지하는 운반 용기의 사이즈도 커진다.
그리고, 전술한 바와 같이 기판 열처리 장치에 공급되는 웨이퍼 사이즈는 증대하고 있으나, 기판 열처리 장치에는 종래의 직경이 300 ㎜인 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 동등 이상의 스루풋(처리 능력)과, 같은 정도의 풋프린트(점유 면적)가 요구되고 있다. 이 때문에, 직경이 450 ㎜인 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치는, 종래의 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 같은 정도의 풋프린트를 유지하면서도, 장치 내부에 종래와 같은 정도의 매수의 웨이퍼를 보관할 수 있도록 구성하는 것이 요구되고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-120658호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치의 구성에서는, 웨이퍼의 직경을 450 ㎜로 한 경우, 같은 정도의 풋프린트를 유지한 채, 장치에 충분한 수량의 운반 용기를 보관하는 것은 곤란하였다. 즉, 종래의 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 같은 정도의 매수의 웨이퍼를 장치 내에 보관하는 것은 곤란하였다.
본 발명은 상기 종래 기술이 갖는 문제를 감안하여, 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 같은 정도의 풋프린트를 유지하면서, 장치 내부에 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 수납한 운반 용기라도 충분한 수량 보관할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 웨이퍼를 복수 매 수납한 복수의 운반 용기를 보관하는 제1 보관부 및 제2 보관부와, 상기 운반 용기를 반송하는 반송 기구부를 포함하는 반송 보관 유닛과,
다수 매의 상기 웨이퍼를 다단으로 유지한 유지구를 수납하고, 상기 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리로가 설치된 열처리 유닛을 가지며,
상기 반송 보관 유닛의 상기 제1 보관부의 하방에는, 상기 운반 용기 내의 상기 웨이퍼를 상기 열처리 유닛의 상기 유지구로 이송하기 위해, 상기 운반 용기를 배치하는 이송부의 배치대가 설치되고,
상기 제2 보관부는 상기 반송 기구부의 하방에 배치되며,
상기 제2 보관부의 상기 운반 용기를 배치하는 면은, 상기 이송부의 배치대의 상기 운반 용기를 배치하는 면보다 낮아지도록 배치되어 있는 것인 기판 열처리 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응한 기판 열처리 장치와 같은 정도의 풋프린트를 유지하면서, 장치 내부에 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 수납한 운반 용기라도 충분한 수량 보관할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 운반 용기의 개략 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치의 개략 설명도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은, 하기의 실시형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 하기의 실시형태에 여러 가지의 변형 및 치환을 가할 수 있다.
본 실시형태에서는, 기판 열처리 장치의 일 구성예에 대해서 설명한다. 한편, 본 실시형태에서는 기판 열처리 장치로서 종형 열처리 장치를 예로 설명하지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치는, 반송 보관 유닛과, 열처리 유닛을 가질 수 있다.
반송 보관 유닛은, 웨이퍼를 복수 매 수납한 복수의 운반 용기를 보관하는 제1 보관부 및 제2 보관부와, 운반 용기를 반송하는 반송 기구부를 포함할 수 있다.
열처리 유닛은, 다수 매의 웨이퍼를 다단으로 유지한 유지구를 수납하고, 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리로가 설치된 구성으로 할 수 있다.
그리고, 반송 보관 유닛의 제1 보관부의 하방에는, 운반 용기 내의 웨이퍼를 열처리 유닛의 유지구로 이송하기 위해서, 운반 용기를 배치하는 이송부의 배치대를 설치할 수 있다.
제2 보관부는, 반송 기구부의 하방에 배치할 수 있고, 제2 보관부의 운반 용기를 배치하는 면은, 이송부의 배치대의 운반 용기를 배치하는 면보다 낮아지도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
여기서 먼저, 본 실시형태의 종형 열처리 장치에 있어서 웨이퍼를 반송, 보관할 때에 이용하는 운반 용기의 구성예에 대해서 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은, 웨이퍼의 운반 용기의 일례의 개략 사시도를 나타내고 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 웨이퍼를 수용하는 운반 용기로서 밀폐형의 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 사용하는 경우에 대해서 설명하지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다.
운반 용기는 캐리어라고도 불리며, 도 1에 도시하는 바와 같이 운반 용기(1)는 일단부가 개구부로서 형성되고, 타단부는 예컨대 대략 반타원형 형상으로 형성할 수 있다.
운반 용기(1)의 내벽면에는, 웨이퍼를 다단으로 배치할 수 있는 지지부가 형성되어 있다. 이 지지부에 웨이퍼의 주연부를 배치하여 지지함으로써, 대략 같은 피치로 다단으로 웨이퍼를 수납할 수 있다. 일반적으로, 하나의 운반 용기에 대하여, 25매의 웨이퍼를 수납할 수 있다.
그리고, 운반 용기(1)의 천장부에는, 운반 용기(1)를 파지(把持)할 때에 잡는 것이 가능한 손잡이(2)가 설치된다.
운반 용기(1)의 개구부에는, 이 개구부에 대응하는 개폐 덮개(3)가 착탈 가능하게 부착되어 있고, 운반 용기(1) 내는 개폐 덮개(3)에 의해 실질적으로 기밀(氣密) 상태로 된다. 일반적으로, 운반 용기(1)의 내부의 분위기는, 청정 공기로 되어 있다.
개폐 덮개(3)에는, 예컨대 2개의 로크 기구(4)가 설치되어 있고, 로크 기구(4)를 잠그거나 또는 여는 것에 의해, 개폐 덮개(3)를 개구부로부터 착탈할 수 있는 구성으로 되어 있다.
운반 용기(1)의 바닥부의 하면에는, 도시하지 않은 복수의 위치 결정 오목부를 형성할 수 있다. 위치 결정 오목부를 형성함으로써, 종형 열처리 장치 내를 반송하여 배치대 등에 배치했을 때에, 배치대 등에 형성된 볼록부와 운반 용기(1)에 형성된 위치 결정 오목부에 의해, 운반 용기(1)를 위치 결정 가능하게 구성할 수 있다. 또한, 운반 용기(1)의 바닥부의 하면에 도시하지 않은 로크편을 설치하고, 예컨대 후술하는 이송부(123)의 배치대(123a)에 운반 용기(1)를 배치했을 때에 로크할 수 있는 구성으로 할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 종형 열처리 장치에 있어서 처리에 공급하는 웨이퍼의 직경은, 종래에는 300 ㎜였으나, 최근에 와서는 450 ㎜로 하는 것이 요구되고 있다. 그리고, 웨이퍼의 직경이 커짐으로써, 웨이퍼의 두께도 예컨대 종래에는 0.725 ㎜였으나 0.925 ㎜로 증대하고 있다. 이 때문에, 운반 용기도 그 내부에 25매의 웨이퍼를 수납하는 경우, 직경 300 ㎜의 웨이퍼를 수납하는 운반 용기이면 높이가 339 ㎜ 정도였으나, 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 수납하는 운반 용기의 경우, 높이가 404 ㎜로 커지고 있다.
한편, 본 발명에 있어서의 직경 450 ㎜의 웨이퍼란 반도체 장치의 당업자에게 있어서 직경 450 ㎜의 웨이퍼라고 인식되는 웨이퍼를 모두 포함하는 것이다. 따라서, 엄밀히 직경이 450 ㎜인 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 직경이 450 ㎜보다 다소 벗어나 있는 웨이퍼, 예컨대 직경이 450±0.2 ㎜인 웨이퍼도 포함한다.
그래서, 웨이퍼의 직경이 450 ㎜인 경우라도 종형 열처리 장치의 풋프린트를 직경 300 ㎜에 대응한 종형 열처리 장치와 같은 정도로 유지하면서, 종형 열처리 장치 내에 충분한 수량의 운반 용기를 보관하기 위해서, 본 발명의 발명자들은 종형 열처리 장치 내의 구성을 검토하여 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 구성에 대해서, 도 2를 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 2의 (a)는 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 단면 모식도를 나타내고 있고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 A-A'선에서의 단면도를 나타내고 있다.
도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 도면 중 가로 방향으로 나란히 배열된, 반송 보관 유닛(12)과, 열처리 유닛(13)을 가질 수 있다. 각 유닛에 대해서 이하에 설명한다.
(반송 보관 유닛)
반송 보관 유닛(12)은, 복수의 운반 용기(1)를 보관하는 제1 보관부(121)와, 제2 보관부(122)를 가질 수 있다. 한편, 이미 서술한 바와 같이 복수의 운반 용기(1)는, 그 내부에 웨이퍼를 복수 매 수납한 상태로 할 수 있다. 그리고, 운반 용기(1) 내의 웨이퍼를 열처리 유닛(13)의 유지구(1321)로 이송하기 위해서, 운반 용기(1)를 배치하는 이송부(123)의 배치대(123a)를 가질 수 있다. 또한, 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이송부(123)나, 예컨대 후술하는 반입 반출 유닛(11)과의 사이에서 운반 용기(1)를 반송하는 반송 기구부(124)를 가질 수 있다.
제1 보관부(제1 캐리어 스테이지)(121)는 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 반송 보관 유닛(12)의 선택된 하나의 벽면부에 배치할 수 있다. 예컨대, 반송 보관 유닛(12)의 열처리 유닛(13)에 대향하는 벽면부에 배치하는 것이 바람직하다.
제1 보관부(121)는 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 복수 단의 배치 선반(121a∼121d)을 가지며, 각 배치 선반에는 각각 2개씩 운반 용기(1)를 배치할 수 있다.
여기서, 복수 단의 배치 선반 중 배치 선반(121c)과, 그 상면에 운반 용기(1)를 배치한 경우의 구성을 도 2의 (b)에 도시한다. 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 A-A'선의 단면도에 해당한다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 각 배치 선반 상에는 2개씩 운반 용기(1)를 배치할 수 있다. 이 때문에, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 제1 보관부(121)가 배치 선반을 4단 갖는 경우 모든 배치 선반에 운반 용기(1)를 배치하면 제1 보관부(121) 전체로 8개의 운반 용기(1)를 배치할 수 있게 된다.
한편, 도 2의 (a)에서는 제1 보관부(121)의 배치 선반의 단수를 4단으로 하였으나, 단수는 4단에 한정되는 것은 아니며, 장치의 사이즈나, 요구되는 운반 용기(1)의 설치수에 따라 변경할 수 있다. 단, 종형 열처리 장치의 스루풋(처리 능력)을 높이기 위해서, 종형 열처리 장치(10) 내에는, 다음 배치(batch)용의 웨이퍼나, 복수 종류의 더미용의 웨이퍼를 유지해 두는 것이 바람직하다. 이 때문에, 예컨대 후술하는 열처리로(1311)에 1회에 반입할 수 있는 웨이퍼의 매수가 100매∼125매 정도이면, 제1 보관부(121)는 4단 이상인 것이 바람직하다. 한편, 종형 열처리 장치(10)는 통상 클린룸 내에 설치되기 때문에, 그 높이는 클린룸의 높이에 의해 제약되는 경우가 있다. 이 때문에, 예컨대 클린룸의 높이에 따라 제1 보관부(121)의 단수를 선택할 수 있다.
제2 보관부(제2 캐리어 스테이지)(122)는 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 반송 기구부(124)의 하방에 설치할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서의 하방이란, 높이 방향[도 2의 (a) 중 z축 방향]에서 보아 하방향을 의미하고 있고, 수평 방향[도 2의 (a) 중에서의 x축 방향이나, 지면과 수직인 방향]의 위치는 불문한다. 단, 제2 보관부(122)는, 반송 기구부(124)측으로부터, 높이 방향[도 2의 (a) 중 z축 방향]을 따라 하방, 즉, 제2 보관부(122)측을 본 경우에, 반송 기구부(124)와, 제2 보관부(122)의 적어도 일부가 중첩되도록 배치하는 것이 바람직하다. 특히 제2 보관부(122)는 반송 기구부(124)의 바로 아래에 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 보관부(122)는 이송부(123)와는 별도로 설치되어 있고, 제2 보관부(122)의 운반 용기(1)를 배치하는 면이, 이송부(123)의 배치대(123a)의 운반 용기를 배치하는 면보다 낮아지도록 설치할 수 있다.
제2 보관부(122)에 대해서도 제1 보관부(121)와 마찬가지로, 도 2의 (a)의 지면과 수직인 방향으로 운반 용기(1)를 2개 나란히 배치할 수 있다.
제2 보관부(122)는, 제2 보관부(122)에 운반 용기(1)를 배치한 경우에, 이송부(123)로의 운반 용기(1)의 반입 및 이송부(123)로부터의 운반 용기(1)의 반출을 저해하지 않도록 그 높이를 조정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제2 보관부(122)에 운반 용기(1)를 배치했을 때, 운반 용기(1)의 상단부의 높이가, 이송부(123)의 배치대(123a)의 높이와 동일하거나, 또는, 이송부(123)의 배치대(123a)의 높이보다 낮아지는 것이 바람직하다. 단, 반송 기구부(124)에 의해 운반 용기(1)를 파지할 수 있도록, 반송 기구부(124)의 가동 영역을 고려에 넣어 제2 보관부(122)의 높이를 결정하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에 있어서는 이송부(123)의 위치를 재검토하여, 전술한 바와 같이 반송 기구부(124)의 하방에 제2 보관부(122)를 설치함으로써, 풋프린트를 증대시키는 일 없이, 종형 열처리 장치(10) 내에 충분한 수량의 운반 용기(1)를 보관할 수 있다.
이송부(123)는, FIMS 포트라고도 불리며, 운반 용기(1)를 배치하는 배치대(123a)를 갖고 있다. 이송부(123)의 배치대(123a)에는, 후술하는 열처리로(1311)에 다수 매의 웨이퍼를 공급하는 유지구(1321)로 운반 용기(1) 내의 웨이퍼를 이송할 때, 또는, 유지구(1321)로부터 운반 용기(1) 내로 웨이퍼를 이송할 때에, 운반 용기(1)를 배치할 수 있다.
이송부(123)는, 예컨대, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 보관부(121)의 하방에 배치하는 것이 바람직하다. 제1 보관부(121)측으로부터 도 2의 (a) 중 z축 방향(높이 방향)을 따라 하방, 즉, 이송부(123)측을 본 경우에, 제1 보관부(121)와, 이송부(123)의 적어도 일부가 중첩되도록 배치하는 것이 보다 바람직하다. 특히 제1 보관부(121)의 바로 아래에 배치하는 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 이송부(123)는, 후술하는 열처리 유닛(13) 내의 로딩 에어리어(132) 내와 운반 용기(1) 내를 연통(連通)하는 개구부와, 상기 개구부를 로딩 에어리어측으로부터 밀폐할 수 있는 개폐 가능한 도어 기구(123b)를 가질 수 있다. 또한, 도시하지 않은 운반 용기(1)의 개폐 덮개(3)를 개폐하는 덮개 개폐 기구를 가질 수 있다.
또한, 운반 용기(1)를 배치대(123a) 상에 배치했을 때에, 운반 용기(1)의 위치 맞춤을 행하는 위치 결정용의 볼록부를 배치대(123a) 상에 형성해 둘 수 있다. 또한, 운반 용기(1)를 배치대(123a) 상에 배치했을 때에 용기 본체의 전면(前面) 주연부를 반송 보관 유닛(12)의 열처리 유닛(13)과 대향하는 격벽(123c)에 접촉한 상태로, 운반 용기(1)를 고정할 수 있는 로크 수단을 배치대(123a) 상에 배치해 둘 수도 있다.
이송부(123)에 대해서도, 지면과 수직인 방향으로 2개의 운반 용기(1)를 배치할 수 있도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 2개의 운반 용기(1)에 대하여 동시에 웨이퍼의 이송을 행할 수 있도록, 전술한 개구부나 도어 기구(123b), 덮개 개폐 기구 등도 운반 용기(1)의 배치 위치에 대응하여 지면과 수직인 방향으로 2개 배치되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 이송부(123)에 배치할 수 있는 운반 용기(1)의 수는 2개에 한정되는 것은 아니며, 임의로 변경할 수도 있다. 예컨대 이송부(123)에 2개보다 많이 운반 용기(1)를 배치할 필요가 있는 경우에는, 제1 보관부(121)의 최하단의 배치 선반(121d)에 대해서도 이송부(123)로 할 수도 있다. 이 경우, 배치 선반(121d) 부분에 배치되는 운반 용기(1)에 대응하도록 전술한 개구부나 도어 기구(123b), 덮개 개폐 기구 등도 설치할 수 있다.
또한, 이송부(123)에 대해서도 유지구(1321)와, 운반 용기(1) 사이에서의 웨이퍼를 이송하는 상황 등에 따라, 일시적으로 운반 용기(1)를 보관하는 보관부(제3 보관부)로서 이용할 수도 있다.
반송 기구부(124)는 운반 용기(1)를 반송하는 기구로 할 수 있다.
반송 기구부(124)는, 반송 보관 유닛(12)과, 반송 보관 유닛(12)의 외부 사이에서 운반 용기(1)를 반송할 수 있다. 구체적으로는 예컨대, 후술하는 반입 반출 유닛(11)으로부터 반입된 운반 용기(1)를 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이송부(123)의 배치대(123a)에 반송할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(13)에서 처리를 끝낸 웨이퍼를 수납한 운반 용기(1)를 반입 반출 유닛(11)에 반출할 수 있다.
또한, 반송 기구부(124)는 반송 보관 유닛(12) 내에서, 운반 용기(1)를 반송할 수도 있다. 구체적으로는, 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이송부(123)의 배치대(123a) 사이에서 운반 용기(1)를 반송할 수 있다.
반송 기구부(124)는, 운반 용기(1)를 반송할 수 있으면 되고, 그 구체적인 구성에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 운반 용기(1)를, 운반 용기(1)의 상면측으로부터 파지하여 반송하는 기구인 것이 바람직하다. 이것은, 예컨대 제2 보관부(122)는 반송 기구부(124)의 하방에 배치되어 있기 때문에, 제2 보관부(122)에 운반 용기(1)를 반입, 반출할 때에는, 상면측으로부터 파지할 수 있는 구성으로 하는 것이 바람직하기 때문이다. 운반 용기(1)를 운반 용기(1)의 상면측으로부터 파지하여 반송할 수 있는 반송 기구로서, 오토메이션 플랜지를 적합하게 이용할 수 있다.
(열처리 유닛)
열처리 유닛(13)은 이미 서술한 바와 같이, 다수 매의 웨이퍼를 다단으로 유지한 유지구(1321)를 수납하고, 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리로(1311)를 가질 수 있다.
열처리 유닛(13)은, 열처리로(1311)가 배치된 열처리로 에어리어(131)와, 열처리로(1311)에 웨이퍼를 공급하기 위해서, 또는, 열처리로(1311)에서 처리를 행한 웨이퍼를 반출하기 위해서, 운반 용기(1)와 유지구(1321) 사이에서 웨이퍼를 이송하는 로딩 에어리어(132)를 가질 수 있다.
열처리로 에어리어(131)는, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이 로딩 에어리어(132) 상에 배치할 수 있고, 열처리로(1311)가 배치되어 있다. 열처리로(1311)는, 하부가 노구(爐口; 1311a)로서 개구된 세로로 긴 처리 용기인 반응관(1312)과, 반응관(1312)의 주위를 덮도록 배치된 히터(1313)를 가질 수 있다. 히터(1313)의 구성에 대해서는 특별히 한정되지 않으나, 반응관(1312) 내를 예컨대 300℃∼1200℃로 가열할 수 있는 것이 바람직하다.
반응관(1312)은 예컨대 석영 등으로 구성할 수 있고, 반응관(1312) 내에 처리 가스나 퍼지용의 불활성 가스를 도입하는 복수의 가스 도입관이나 반응관 내 압력을 제어 가능한 진공 펌프나 압력 제어 밸브 등을 갖는 배기관을 접속할 수 있다. 또한, 반응관의 하방에는 웨이퍼를 삽입하기 위한 노구(1311a)를 형성할 수 있다.
반응관(1312)이나 히터(1313)는 베이스 플레이트(1314) 상에 배치할 수 있고, 베이스 플레이트(1314)에 개구부를 형성해 둠으로써, 도면 중 하방측으로부터 웨이퍼를 유지한 유지구(1321) 등의 반입 반출을 행할 수 있다. 베이스 플레이트(1314)는 예컨대 스테인리스강에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
로딩 에어리어(132)에는, 반송 보관 유닛(12)의 이송부(123)의 배치대(123a)에 배치한 운반 용기(1) 내의 웨이퍼를 이송하는 유지구(1321) 등을 설치할 수 있다.
구체적으로는 예컨대 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 이송부(123)에 배치한 운반 용기(1)와, 유지구(1321) 사이에서, 웨이퍼를 이송하는 이송 기구(1322)를 배치할 수 있다. 한편, 이송 기구(1322)는, 열처리로(1311)에 웨이퍼를 공급하기 위해서, 운반 용기(1)로부터 유지구(1321)로 웨이퍼를 이송할 수도 있으나, 열처리 후, 유지구(1321)로부터 운반 용기(1)로 처리가 끝난 웨이퍼를 이송할 수도 있다.
유지구(1321)는 보트라고도 불리며, 다수 매의 웨이퍼를 선반 형상으로 유지할 수 있다. 유지구(1321)는 단열부(보온통)(1325)를 통해, 덮개(1323) 상에 배치되어 있다.
덮개(1323)는 도시하지 않은 승강 기구 상에 지지되어 있고, 승강 기구에 의해 그 위치를 상승시킴으로써 열처리로(1311)의 노구(1311a)를 밀폐할 수 있다. 또한, 승강 기구에 의해 덮개(1323) 상에 배치된 유지구(1321)를 열처리로(1311)에 대하여 반입 또는 반출할 수 있다.
또한, 덮개(1323) 상에 배치된 유지구(1321)를, 열처리로(1311) 내에서 웨이퍼를 수평면 내에서 회전할 수 있도록 회전 기구(1324)를 설치할 수도 있다.
또한, 로딩 에어리어(132)에는, 유지구(1321)나 덮개(1323)를 하강시키고 있을 때에 노구(1311a)를 막는 도시하지 않은 셔터를 배치해 둘 수도 있다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에는, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 복수의 운반 용기를 반송 보관 유닛(12)에 반입 반출하는, 반입 반출 유닛(11)을 더 가질 수 있다. 반입 반출 유닛(11)의 구성예에 대해서 이하에 설명한다.
(반입 반출 유닛)
반입 반출 유닛(11)은 반송 보관 유닛(12)에 인접하여 배치할 수 있고, 웨이퍼를 복수 매 수납한 운반 용기(1)를 종형 열처리 장치(10)에 반입 반출하는 유닛으로 할 수 있다.
반입 반출 유닛(11)의 구성은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 하단 로드 포트(111)와 상단 로드 포트(112)의 2단의 로드 포트를 배치할 수 있다. 각 로드 포트는, 운반 용기(1)를 배치하는 대(臺)와, 운반 용기(1)를 반송 보관 유닛(12) 내에 반입 반출하기 위한 개구부를 가질 수 있다.
구체적으로는, 하단 로드 포트(111)는, 운반 용기(1)를 배치하는 제1 반입 반출대(111a)와, 제1 개구부(111b)를 가질 수 있다.
상단 로드 포트(112)는, 운반 용기(1)를 배치하는 제2 반입 반출대(112a)와, 반송 보관 유닛(12)에 반입 반출하기 위한 제2 개구부(112b)를 가질 수 있다. 또한, 제1 반입 반출대(111a), 제2 반입 반출대(112a) 모두, 제1 보관부(121) 등과 마찬가지로 지면과 수직 방향으로 2개의 운반 용기(1)를 배치하도록 구성할 수 있다.
그리고, 제1 반입 반출대(111a), 제2 반입 반출대(112a)에 반입된 운반 용기(1)는, 반송 보관 유닛(12)의 반송 기구부(124)에 의해 반송 보관 유닛(12) 내의 제1 보관부(121)나 제2 보관부(122), 이송부(123)의 배치대(123a) 등에 반송할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(13)에서 처리를 끝낸 웨이퍼를 수납한 운반 용기(1)는, 제1 반입 반출대(111a)나, 제2 반입 반출대(112a)에 배출할 수 있다.
한편, 제1 반입 반출대(111a)나, 제2 반입 반출대(112a)에 대해서도 운반 용기(1)의 반입, 반출 상황 등에 따라, 일시적으로 운반 용기(1)를 보관하는 보관부(제4 보관부)로서 이용할 수도 있다.
제1 반입 반출대(111a)나, 제2 반입 반출대(112a)에, 종형 열처리 장치의 외부로부터 웨이퍼를 수용한 운반 용기(1)를 반송하는 수단은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 천장 주행형 반송 장치인 OHT(Overhead Hoist Transfer)나, 바닥 주행형 반송 장치인 AGV(Automated Guided Vehicle), RGV(Rail Guide Vehicle)나, 수동형 반송 장치인 PGV(Person Guided Vehicle) 등을 이용할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(13)에 의해 소정의 처리가 실시된 웨이퍼를 수납한 운반 용기(1)에 대해서도, 제1 반입 반출대(111a)나, 제2 반입 반출대(112a)에 배치된 후, 동일한 수단으로 반출하여, 다른 공정에 반송할 수 있다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에 있어서는, 전술한 바와 같이 반송 기구부의 하방에 제2 보관부를 설치함으로써 장치의 풋프린트를 증대시키지 않고, 장치 내부에 웨이퍼를 수납한 운반 용기를 충분한 수량 보관할 수 있다. 그러나, 장치의 스루풋을 더욱 향상시키기 위해서는, 장치 내에 더 많은 운반 용기(1)를 배치, 보관할 수 있는 것이 바람직하다. 그래서, 장치 내에 운반 용기(1)의 설치 장소를 보다 많이 확보하기 위해, 반송 보관 유닛(12)의 높이를 높게 하는 것이 바람직하다.
그러나, 이미 서술한 바와 같이 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는 통상 클린룸 내에 배치되어 있기 때문에, 높이에는 제한이 있다. 이 때문에, 높이를 충분히 확보할 수 없는 클린룸에 설치하는 경우, 설치 장소의 바닥에 오목부를 형성하고, 종형 열처리 장치의 일부를 상기 오목부에 설치할 수 있다.
단, 전술한 바와 같이 운반 용기(1)의 반입, 반출시에 이용하는 반송 수단에는, 예컨대 OHT(천장 주행형 반송 장치)나, AGV, RGV(바닥 주행형 반송 장치) 등이 이용된다. 이 때문에, 운반 용기(1)의 반송 수단이 배치된 바닥면 또는 천장면과, 종형 열처리 장치(10)의 운반 용기(1)의 수용, 배출 부분과의 거리는 일정한 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 즉, 운반 용기(1)의 수용, 배출을 행하는 반입 반출 유닛(11)은, 클린룸의 바닥면 중 오목부를 형성하고 있지 않은 부분에 설치하는 것이 바람직하다.
그래서 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 반입 반출 유닛(11)을 오목부 밖에, 반송 보관 유닛(12)을 오목부 내에 배치할 수 있도록, 반입 반출 유닛(11)은, 반송 보관 유닛(12)의 높이 방향[도 2의 (a)의 z축 방향]의 임의의 위치에 설치할 수 있는 것이 바람직하다.
반입 반출 유닛(11)은, 전술한 바와 같이, 운반 용기(1)를 배치하고, 종형 열처리 장치 내에 운반 용기를 반입 반출하는 제1 반입 반출대(111a)를 가질 수 있다. 또한, 제1 반입 반출대(111a)의 상측에 배치되고, 운반 용기(1)를 배치하며, 종형 열처리 장치 내에 운반 용기(1)를 반입 반출하는 제2 반입 반출대(112a)를 가질 수 있다.
하측에 배치되어 있는 제1 반입 반출대(111a)는, AGV, RGV 등의 바닥 주행형 반송 장치에 대응하기 위해서, 반입 반출 유닛(11)의 하단면(바닥면)(11a)으로부터, 제1 반입 반출대(111a)의 상면까지의 거리가 890 ㎜ 정도가 되는 것이 바람직하다. 그리고, 전술한 바와 같이 반송 보관 유닛(12)을 클린룸의 바닥면보다 아래에 배치하는 경우라도, 반입 반출 유닛(11)은 클린룸의 바닥면 상에 배치되는 것이 바람직하다. 이 때문에, 제1 반입 반출대(111a)의 운반 용기(1)를 배치하는 면과, 반송 보관 유닛(12)의 하단면(12a) 사이의 거리(h1)는 890 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 특히, 오목부를 충분한 깊이로 하여, 반송 보관 유닛(12)을 충분한 높이로 하기 위해서, 제1 반입 반출대(111a)의 운반 용기(1)를 배치하는 면과, 반송 보관 유닛(12)의 하단면(12a) 사이의 거리(h1)는 1363 ㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다.
단, 반입 반출 유닛(11)과 클린룸의 천장면이 지나치게 근접하면, 예컨대 OHT(천장 주행형 반송 장치)에 의해 제2 반입 반출대(112a)에 운반 용기(1)를 반입 등 하는 것이 곤란해질 우려가 있다. 이 때문에, 제2 반입 반출대(112a)에 운반 용기(1)를 배치했을 때의 운반 용기(1)의 상단부와, 반송 보관 유닛(12)의 하단면(12a) 사이의 거리(h2)는, 2410 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는 제조 후, 공장 등에 설치하기 위해서 반송할 필요가 있다. 통상, 종형 열처리 장치(10)는, 트럭에 의해 종형 열처리 장치의 제조 공장으로부터 상기 장치를 설치할 공장 등까지 반송된다. 그러나, 도로법에 의해, 트럭으로 반송할 때에는 지정 도로를 주행하는 경우 이외에는, 적재한 화물을 포함해서 차량의 높이는 3800 ㎜ 이내로 제한되어 있다. 그리고, 트럭은 화물칸 부분이 저상차(低床車)라도 1000 ㎜ 정도의 높이를 갖고 있기 때문에, 적재하는 화물의 높이는 2800 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에 대해서도 높이가 2800 ㎜를 넘는 경우에는 복수의 부재로 분할할 수 있도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치는, 전술한 바와 같이, 반송 보관 유닛(12), 열처리 유닛(13), 나아가서는 반입 반출 유닛(11)을 가질 수 있는데, 반송 보관 유닛(12), 열처리 유닛(13)의 부분의 높이가 2800 ㎜를 넘을 우려가 있다. 이 때문에, 이들 유닛에 대해서는 높이 방향[도 2의 (a)의 z축 방향]으로 복수의 부재로 분할할 수 있는 것이 바람직하다.
예컨대, 반송 보관 유닛(12)의 케이스를, 복수로 분할할 수 있는 것이 바람직하다. 케이스를 분할하는 경우, 반송처인 공장 등에서 보다 용이하게 설치할 수 있도록 하기 위해서, 케이스에는 유닛 내의 각 부재가 배치된 상태로 되어 있는 것이 바람직하다.
이 때문에 예컨대, 반송 보관 유닛(12)은, 케이스가, 도 2의 (a)의 점선 a으로 구획되는, 영역(Y1)과 영역(Y2)을 포함하는 케이스부와, 영역(Y3)을 포함하는 케이스부의 2개로 분할할 수 있는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 반송 보관 유닛(12)의 케이스는, 제1 보관부(121) 및 반송 기구부(124)가 배치된 제1 케이스부와, 제1 케이스부의 하측에 배치되고, 제2 보관부(122)가 배치된 제2 케이스부를 포함하는 것이 바람직하다. 그리고, 반송 보관 유닛(12)의 케이스는, 적어도 제1 케이스부와, 제2 케이스부로 분할할 수 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 제1 케이스부의 높이 및 제2 케이스부의 높이는, 2800 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
한편, 케이스는 더 분할해도 좋으며, 예컨대 제1 케이스부에 대해서 점선 b로 구획되는, 반송 기구부(124)보다 상부의 영역(Y1)을 포함하는 케이스부와, 영역(Y2)을 포함하는 케이스부로 분할해도 좋다. 전술한 바와 같이 분할한 각 케이스부는 모두 2800 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 반송 보관 유닛(12)의 부재 중 높이 방향으로 긴 반송 기구부(124)는, 그 이상 분할할 수 없는 경우가 있기 때문에, 그 높이[도 2의 (a) 중의 z축 방향의 길이]는 2800 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 열처리 유닛(13)에 대해서도 복수로 분할할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다. 열처리 유닛(13)에 대해서는, 열처리로 에어리어(131)를 포함하는 케이스부와, 로딩 에어리어(132)를 포함하는 케이스부로 분할할 수 있는 것이 바람직하다. 이 경우도 분할한 각 케이스부의 높이가 2800 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
한편, 본 실시형태의 종형 열처리 장치에 있어서는, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 예컨대 컴퓨터로 이루어지는 제어부(14)를 설치할 수 있다. 제어부(14)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비할 수 있다. 프로그램에는, 제어부로부터 종형 열처리 장치(10)의 각부에 제어 신호를 보내어, 운반 용기(1)의 반송이나, 운반 용기(1)와, 유지구(1321) 사이에서의 웨이퍼의 이송, 열처리로(1311)의 열처리 등의 각 처리 공정을 진행시키도록 명령(각 단계)을 짜 넣을 수 있다. 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부에 인스톨할 수 있다.
이상의 본 실시형태의 종형 열처리 장치에 의하면, 반송 기구의 하부에 제2 보관부를 설치함으로써, 종래의 종형 열처리 장치와 같은 정도의 풋프린트를 유지하면서, 장치 내부에 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 수납한 운반 용기를 충분한 수량 보관하는 것이 가능해진다.
전술한 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 구성은, 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 처리하는 종형 열처리 장치의 경우에 전술한 바와 같이 특히 우수한 효과를 발휘한다. 이 때문에, 본 실시형태의 종형 열처리 장치는, 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 처리하는 종형 열처리 장치인 것이 바람직하다. 즉, 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 복수 매 수납한 운반 용기를 이용하는 종형 열처리 장치인 것이 바람직하다. 단, 직경 300 ㎜의 웨이퍼를 처리하는 종형 열처리 장치에 있어서도 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 구성을 채용함으로써, 장치 내에 웨이퍼를 수납한 운반 용기를 보다 많이 보관하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 처리 시간의 단축, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 종형 열처리 장치는 직경 450 ㎜의 웨이퍼를 처리하는 종형 열처리 장치에 한정되지 않고, 직경 300 ㎜의 웨이퍼를 처리하는 종형 열처리 장치, 즉, 직경 300 ㎜의 웨이퍼를 복수 매 수납한 운반 용기를 이용하는 종형 열처리 장치에도 적용할 수 있다.
다음으로, 기판 열처리 장치의 설치 방법의 일 구성예에 대해서 설명한다. 여기서도 종형 열처리 장치를 예로 설명하지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다.
전술한 종형 열처리 장치에 대해서는, 이미 서술한 바와 같이, 클린룸의 바닥면에 오목부를 형성하고, 상기 오목부에 종형 열처리 장치의 일부를 설치할 수 있다. 이와 같이 클린룸의 바닥면에 오목부를 형성한 경우의 종형 열처리 장치의 설치 방법의 구성예에 대해서 설명한다.
도 2의 (a)에 있어서, 점선 a가 클린룸의 바닥면이고, 반송 보관 유닛(12), 열처리 유닛(13)을 설치하는 장소에 대해서, 점선 c의 깊이까지 오목부를 형성했다고 하자. 이 경우, 오목부의 대응하는 위치에 반송 보관 유닛(12), 열처리 유닛(13)을 설치하면 되지만, 통상 클린룸 내는 장치가 빽빽이 설치되어 있기 때문에, 각 유닛이 다 짜여진 상태에서 설치하는 것은 곤란한 경우가 많다. 또한, 오목부를 형성하고 있는 것은 종형 열처리 장치가 클린룸의 높이에 들어가지 않는 경우가 많기 때문에, 장치가 다 짜여진 상태에서는 설치할 수 없는 경우가 많다.
이 때문에, 예컨대 반송 보관 유닛(12)이나, 열처리 유닛(13)의 케이스를 전술한 바와 같이 높이 방향[도 2의 (a) 중의 z축 방향]으로 복수로 분할 가능하게 구성해 두고, 분할한 각 케이스부를 오목부 상에서 조립하여 설치하는 것이 바람직하다.
여기서는 먼저 반송 보관 유닛(12) 부분을 예로 설치 방법을 설명한다.
반송 보관 유닛(12)은, 도면 중 점선 a로 구획되는, 제1 보관부(121) 및 반송 기구부(124)가 배치된 제1 케이스부와, 제1 케이스부보다 하측에 배치되고, 제2 보관부(122)가 배치된 제2 케이스부를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 반송 보관 유닛(12)의 케이스는, 적어도 제1 케이스부와, 제2 케이스부로 분할할 수 있도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
그리고, 이러한 종형 열처리 장치의 설치 방법은 바닥면에 오목부를 형성하고, 상기 오목부 내에 제2 케이스부를 설치하는 공정과, 제2 케이스부 상에 제1 케이스부를 설치하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
한편, 오목부의 깊이와, 제2 케이스부의 높이는 동일할 필요는 없다. 예컨대 오목부의 깊이보다, 제2 케이스부의 높이 쪽이 높아도 좋고, 제2 케이스부의 높이 쪽이 낮아도 좋다. 또한, 전술한 바와 같이 제1 케이스부는 더 분할 가능하게 구성해 둘 수 있고, 이 경우, 분할한 모든 케이스를 설치하는 공정을 가질 수 있다.
열처리 유닛(13)에 대해서도, 열처리로 에어리어(131)와, 로딩 에어리어(132)에서, 케이스를 분할 가능하게 구성해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 설치 방법은 열처리 유닛(13)을 설치할 때에, 로딩 에어리어(132)를 포함하는 케이스부를 설치하는 공정과, 로딩 에어리어(132)를 포함하는 케이스부 상에 열처리로 에어리어(131)를 포함하는 케이스부를 설치하는 공정을 가져도 좋다.
한편, 각 유닛마다 조립을 완성시킬 필요는 없고, 복수의 유닛의 설치 공정을 혼합하여 실시할 수 있다. 구체적으로는 예컨대, 최초로 반송 보관 유닛(12)의 제2 케이스부를 설치하는 공정을 실시하고, 계속해서, 열처리 유닛(13)의 로딩 에어리어(132)를 포함하는 케이스부를 설치하는 공정을 실시할 수도 있다. 그 후, 반송 보관 유닛(12)의 제2 케이스부, 열처리 유닛(13)의 로딩 에어리어(132)를 포함하는 케이스부 위에 각각 제1 케이스부, 열처리로 에어리어를 포함하는 케이스부를 설치할 수 있다.
이상으로 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 설치 방법에 대해서 설명하였으나, 이러한 설치 방법에 의하면, 클린룸 등의 바닥부에 오목부를 형성한 장소 등이라도 용이하게 종형 열처리 장치를 설치하는 것이 가능해진다.
1: 운반 용기 11: 반입 반출 유닛
111a: 제1 반입 반출대 112a: 제2 반입 반출대
12: 반송 보관 유닛 121: 제1 보관부
122: 제2 보관부 123: 이송부
124: 반송 기구부 13: 열처리 유닛
1311: 열처리로 1321: 유지구

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 복수 매 수납한 복수의 운반 용기를 보관하는 제1 보관부 및 제2 보관부와, 상기 운반 용기를 반송하는 반송 기구부를 포함하는 반송 보관 유닛과,
    다수 매의 상기 웨이퍼를 다단으로 유지한 유지구를 수납하고, 상기 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리로가 설치된 열처리 유닛을 포함하고,
    상기 반송 보관 유닛의 상기 제1 보관부의 하방에는, 상기 운반 용기 내의 상기 웨이퍼를 상기 열처리 유닛의 상기 유지구로 이송하기 위해, 상기 운반 용기를 배치하는 이송부의 배치대가 설치되고,
    상기 제2 보관부는 상기 반송 기구부의 하방에 배치되며,
    상기 제2 보관부의 상기 운반 용기를 배치하는 면은, 상기 이송부의 배치대의 상기 운반 용기를 배치하는 면보다 낮아지도록 배치되어 있는 것인 기판 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송 기구부는, 상기 운반 용기를, 상기 운반 용기의 상면측으로부터 파지(把持)하여 반송하는 것인 기판 열처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 운반 용기를 상기 반송 보관 유닛에 반입 반출하는 반입 반출 유닛을 더 포함하고,
    상기 반입 반출 유닛은,
    상기 운반 용기를 배치하고, 상기 기판 열처리 장치 내에 운반 용기를 반입 반출하는 제1 반입 반출대와,
    상기 제1 반입 반출대의 상측에 배치되고, 상기 운반 용기를 배치하며, 상기 기판 열처리 장치 내에 운반 용기를 반입 반출하는 제2 반입 반출대를 포함하고 있으며,
    상기 제1 반입 반출대의 상기 운반 용기를 배치하는 면과, 상기 반송 보관 유닛의 하단면 사이의 거리가 890 ㎜ 이상인 것인 기판 열처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 보관 유닛의 케이스가,
    상기 제1 보관부 및 상기 반송 기구부가 배치된 제1 케이스부와,
    상기 제1 케이스부의 하측에 배치되고, 상기 제2 보관부가 배치된 제2 케이스부를 포함하며,
    상기 반송 보관 유닛의 케이스는, 적어도 상기 제1 케이스부와, 상기 제2 케이스부로 분할할 수 있는 것인 기판 열처리 장치.
  5. 제4항에 기재된 기판 열처리 장치를 설치하는, 기판 열처리 장치의 설치 방법으로서,
    바닥면에 오목부를 형성하고, 상기 오목부 내에 상기 제2 케이스부를 설치하는 공정과,
    상기 제2 케이스부 상에 상기 제1 케이스부를 설치하는 공정을 갖는 기판 열처리 장치의 설치 방법.
KR1020140193408A 2014-01-27 2014-12-30 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법 KR20150089924A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-012116 2014-01-27
JP2014012116A JP2015141915A (ja) 2014-01-27 2014-01-27 基板熱処理装置、基板熱処理装置の設置方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150089924A true KR20150089924A (ko) 2015-08-05

Family

ID=53679698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140193408A KR20150089924A (ko) 2014-01-27 2014-12-30 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150214080A1 (ko)
JP (1) JP2015141915A (ko)
KR (1) KR20150089924A (ko)
TW (1) TW201541538A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102174332B1 (ko) * 2014-07-30 2020-11-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 라인의 스토커 및 상기 스토커를 이용하여 웨이퍼를 이송하는 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2541766B2 (ja) * 1993-09-09 1996-10-09 富士変速機株式会社 ホ―ク式物品受渡し機構
US6723174B2 (en) * 1996-03-26 2004-04-20 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
JP3852137B2 (ja) * 1996-09-24 2006-11-29 アシスト シンコー株式会社 床貫通型の保管棚装置
US6579052B1 (en) * 1997-07-11 2003-06-17 Asyst Technologies, Inc. SMIF pod storage, delivery and retrieval system
JPH1167866A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
KR100646906B1 (ko) * 1998-09-22 2006-11-17 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2001031213A (ja) * 1999-07-26 2001-02-06 Murata Mach Ltd 自動倉庫とそれを用いた搬送システム
JP4048074B2 (ja) * 2002-04-12 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4078959B2 (ja) * 2002-11-19 2008-04-23 村田機械株式会社 一時保管装置
JP3942025B2 (ja) * 2002-12-09 2007-07-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4124449B2 (ja) * 2003-03-28 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005050857A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Trecenti Technologies Inc 半導体ウエハの搬送方法、半導体ウエハの搬送システムおよび半導体装置の製造方法
JP4266197B2 (ja) * 2004-10-19 2009-05-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4904995B2 (ja) * 2006-08-28 2012-03-28 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート装置
JP2009010009A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4464993B2 (ja) * 2007-06-29 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
JP5517182B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-11 村田機械株式会社 保管庫システム
JP5284808B2 (ja) * 2009-01-26 2013-09-11 株式会社Sokudo ストッカー装置及び基板処理装置
JP5212165B2 (ja) * 2009-02-20 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5318005B2 (ja) * 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Sokudo 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP2012054392A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5614352B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
US8888434B2 (en) * 2011-09-05 2014-11-18 Dynamic Micro System Container storage add-on for bare workpiece stocker

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015141915A (ja) 2015-08-03
TW201541538A (zh) 2015-11-01
US20150214080A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100780206B1 (ko) 종형 열처리 장치 및 그 운용 방법
JP5212165B2 (ja) 基板処理装置
KR101883032B1 (ko) 기판 열 처리 장치, 기판 열 처리 장치의 설치 방법
JP2008258192A (ja) 枚葉式の基板処理装置、枚葉式の基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP5610009B2 (ja) 基板処理装置
KR101530024B1 (ko) 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
KR20180111592A (ko) 기판 처리 장치
TWI592495B (zh) 磁性退火裝置(一)
TWI606536B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20150089924A (ko) 기판 열처리 장치, 기판 열처리 장치의 설치 방법
CN102386053A (zh) 衬底处理装置和制造半导体器件的方法
JP4563219B2 (ja) 中継ステーション及び中継ステーションを用いた基板処理システム
JP2014057025A (ja) スペーサ、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP6704423B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6000038B2 (ja) スペーサ、スペーサの搬送容器、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP4415006B2 (ja) カセットの運用管理方法及び基板の処理方法
KR20200110196A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록매체
JP2014045105A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2002043389A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application