WO2012140799A1 - 成膜装置 - Google Patents

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WO2012140799A1
WO2012140799A1 PCT/JP2011/074502 JP2011074502W WO2012140799A1 WO 2012140799 A1 WO2012140799 A1 WO 2012140799A1 JP 2011074502 W JP2011074502 W JP 2011074502W WO 2012140799 A1 WO2012140799 A1 WO 2012140799A1
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chamber
film forming
substrate
tray
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善勝 佐藤
哲宏 大野
弘樹 大空
重光 佐藤
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株式会社アルバック
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Definitions

  • the present invention relates to an in-line type film forming apparatus, and more particularly to a film forming apparatus that improves a substrate transfer system, saves space, and improves production efficiency.
  • a heating process for raising the temperature to a desired temperature under vacuum, or by a processing means such as sputtering, CVD, or etching.
  • a processing means such as sputtering, CVD, or etching.
  • film forming steps for film formation are necessary.
  • a film forming apparatus for forming a substrate in a horizontal state has a problem that when the substrate is enlarged, the apparatus is also enlarged. For this reason, in recent years, vertical type film forming apparatuses have been developed that perform film formation or the like with the substrate substantially upright.
  • FIG. 5 is a diagram showing a basic configuration of a conventional film forming apparatus.
  • a conventional film forming apparatus 100 includes a substrate attaching / detaching chamber 120, first to third three vacuum processing chambers (referred to as a heating chamber and a film forming chamber) 200, 220, 240 connected on one line. And an L / UL (Load / Unload) chamber 140 that conveys the substrate tray between the atmosphere side and the vacuum processing chambers 200, 220, and 240.
  • L / UL Load / Unload
  • the first transfer path 160 is a forward path through which the substrate tray is transferred from the L / UL chamber 140 to the vacuum processing chambers 200, 220, and 240.
  • the second transfer path 180 is a return path in which the substrate tray is transferred from each of the vacuum processing chambers 200, 220, and 240 to the L / UL chamber 140 through the heating chamber.
  • the third vacuum processing chamber 240 at the rearmost part of the film forming apparatus 100 is configured to transfer the substrate tray from the first transfer path (forward path) 160 to the second transfer path (return path) 180, and the two transfer paths 160 and 180.
  • a vacuum exhaust device 300 is attached to the L / UL chamber 140.
  • a heating device and a vacuum exhaust device 300 are attached to the heating chamber.
  • film forming units 210, 230, and 250 such as a sputtering device and a vacuum exhaust device 300 are attached, respectively.
  • the substrate tray is transported to the L / UL chamber 140, and the L / UL chamber 140 is evacuated and evacuated to a vacuum. It is transported to the first transport path 160 that is prepared in the processing chamber 200 and serves as the forward path.
  • the substrate tray (substrate carrier) is subjected to vacuum processing such as heating and film formation in the vacuum processing chambers 200, 220, and 240 while being transported through the first transport path 160.
  • the substrate tray is transferred to the second transfer path 180 serving as a return path by a transfer mechanism (not shown), and film formation is performed in the vacuum processing chambers 200, 220, and 240, respectively.
  • Etc. are vacuum-processed.
  • the substrate is removed from the substrate tray in the substrate attaching / detaching chamber 120 through the L / UL chamber 140 with the vacuum-treated substrate placed thereon.
  • the tact of the vacuum processing apparatus is affected by the exhaust / vent time of the L / UL chamber.
  • the substrate tray holding the substrate is transported in a line in a continuous vacuum chamber. Therefore, in order to increase the production amount, that is, the vacuum processing amount by the apparatus of the conventional example, it is necessary to increase the conveyance speed of the substrate tray or to add an apparatus. However, since the substrate tray is usually transported at a high speed as possible, it is difficult to further increase the transport speed. Therefore, although the remaining means is the expansion of the apparatus, the expansion of the apparatus has a problem that the apparatus cost is proportionally increased and the occupied area of the apparatus is increased accordingly.
  • the present invention has been made in view of such a conventional situation, and aims to provide a film forming apparatus that saves space, improves a substrate transfer system, and improves productivity. To do.
  • the film forming apparatus includes an L / UL chamber, an H chamber communicating with the L / UL chamber, an independent first space and a second space communicating with the H chamber. Independently of the partitioned SP chamber, the film forming units respectively disposed in the first space and the second space, the L / UL chamber, the H chamber, the first space, and the second space An evacuation device for evacuating the interior of each of them, through the L / UL chamber and the H chamber, and from the forward path and the return path disposed in the first space and the second space, respectively.
  • the four lines and the object to be processed are carried along the forward path from the L / UL chamber through the H chamber to the inside of the first space and the second space, respectively, and along the return path.
  • a transfer device to L / UL chamber carrying the object to be processed, inside the first space and the second space, a moving mechanism to move the return the said conveyor device from the forward, may be provided.
  • the L / UL chamber is connected to an RT mechanism through two door valves, and the RT mechanism includes the first RT mechanism, A second RT mechanism; and a third RT mechanism, wherein the object to be processed transported to the first space is processed between the third RT mechanism and the first RT mechanism, and the third RT mechanism and the second RT mechanism In between, you may process the to-be-processed object conveyed to said 2nd space.
  • the transfer device may transfer the object to be processed vertically.
  • the film forming unit in any one of the first to third aspects, may be a cathode for sputtering.
  • the film forming unit in any one of the first to third aspects, may be a parallel plate type electrode for CVD.
  • the film formation apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the film formation apparatus according to any one of the eleventh to fifth aspects, wherein the transfer device includes a cylindrical slide shaft at a lower portion thereof, and the line guides the transfer device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a film forming apparatus of the present invention, and is a view of the film forming apparatus as viewed from above.
  • the depth direction of the paper surface is the direction of gravity.
  • a tray on which a substrate (object to be processed) is mounted is conveyed in a standing state (a state where a surface to be processed of the substrate is parallel to the direction of gravity). Therefore, the film forming apparatus 1 shown in FIG. 1 is a vertical transfer type apparatus.
  • a film forming apparatus 1 includes an L / UL chamber (Load / Unload) 10, an H chamber (heating chamber) 20, an SP chamber (a sputtering method). (Deposition chamber used) 30 are arranged in order. Further, in front of the L / UL chamber 10, a POS mechanism (attachment / detachment chamber for a substrate (object to be processed) to be attached to / detached from the tray) 40 and an RT mechanism (tray moving mechanism having a rotation mode) 50 are provided in front of the L / UL chamber 10, a POS mechanism (attachment / detachment chamber for a substrate (object to be processed) to be attached to / detached from the tray) 40 and an RT mechanism (tray moving mechanism having a rotation mode) 50 are provided. And are arranged.
  • L / UL chamber Load / Unload
  • H chamber heating chamber
  • SP chamber a sputtering method
  • Two door valves 61 are provided between the RT mechanism 50 and the L / UL chamber 10.
  • two door valves 62 are provided between the L / UL chamber 10 and the heating chamber 20.
  • Two door valves 63 are provided between the heating chamber 20 and the film forming chamber 30.
  • the film forming chamber 30 is divided into an independent first space 30A and a second space 30B.
  • the evacuation devices 12, 22, 32 (32A, 32B) for evacuating the interior of the first space 30A and the second space 30B of the L / UL chamber 10, the heating chamber 20, and the film formation chamber 30, respectively.
  • the independent first space 30A and second space 30B constituting the film forming chamber 30 vacuum evacuation devices 32A and 32B capable of exclusively exhausting the respective spaces are individually installed.
  • the L / UL chamber 10 charges (loads in) and takes out (unloads) the tray 70 with the RT mechanism 50 in a state opened to atmospheric pressure.
  • the L / UL chamber 10 is provided with an evacuation device 12 for evacuating the interior thereof.
  • the L / UL chamber 10 is provided with a partition wall 11 at the center thereof. Thereby, the interior of the L / UL chamber 10 is divided into a first space 10A and a second space 10B.
  • the first space 10 ⁇ / b> A handles the substrate (object to be processed) 2 transported to the first space 30 ⁇ / b> A of the film forming chamber 30.
  • the second space 10 ⁇ / b> B handles the substrate (object to be processed) 2 transported to the second space 30 ⁇ / b> B of the film forming chamber 30.
  • FIG. 1 shows a configuration example in which the first space 10A and the second space 10B are completely partitioned by the partition wall 11 and are not mutually independent spaces, but are partially in communication with each other.
  • the first space 10A and the second space 10B do not necessarily have to be in communication with each other, and the first space 10A and the second space 10B are independent from each other.
  • the partition wall 11 may be provided. In the case of the configuration in which the first space 10A and the second space 10B are communicated with each other, it is sufficient to have at least one vacuum exhaust device, so that a low-cost system can be constructed.
  • a vacuum exhaust device may be separately provided in the first space 10A and the second space 10B.
  • a vacuum exhaust device may be separately provided in the first space 10A and the second space 10B.
  • a mechanism for switching the exhaust time zones of the first space 10A and the second space 10B according to the processing tact time it is possible to use one vacuum exhaust device.
  • a configuration in which the spaces are independent from each other may be employed.
  • the L / UL chamber 10 is connected via two door valves 61 to an RT mechanism 50 and a POS mechanism 40 arranged in front of the L / UL chamber 10 (front stage).
  • One of the door valves 61 is used when the tray 70A (70) passing through the first POS mechanism 40A and the first RT mechanism 51A is carried into and out of the L / UL chamber 10.
  • the other of the door valves 61 is used when the tray 70B (70) is carried into and out of the L / UL chamber 10 via the second POS mechanism 40B and the second RT mechanism 51B.
  • the POS mechanism 40 includes a first POS mechanism 40A and a second POS mechanism 40B.
  • the POS mechanism 40 attaches the substrate (object to be processed) 2 carried from the outside to the tray 70, and attaches the processed substrate 2 to the tray 70. Remove from 70 and carry outside.
  • the RT mechanism 50 includes a first RT mechanism 51A, a second RT mechanism 51B, and a third RT mechanism 51C, and transports the substrate 2 attached to the tray 70 in the POS mechanism 40 to the L / UL chamber 10.
  • the processed tray 70 unloaded in the L / UL chamber 10 is conveyed to the POS mechanism 40.
  • the substrate 2 transported to the first space 10A of the L / UL chamber 10 is handled.
  • the substrate 2 transported to the second space 10B of the L / UL chamber 10 is handled.
  • the tray 70 In the L / UL chamber 10, when the tray 70 is transported from the RT mechanism 50, it is opened to the atmospheric pressure. However, after the transport, the door valve 61 is closed and the vacuum exhaust device 12 exhausts the air to enter a high vacuum state. Then, the door valve 62 arranged between the heating chamber 20 is opened and the tray 70 is conveyed. After the tray 70 is transported to the heating chamber 20, the door valve 62 with the adjacent heating chamber 20 is closed, the pressure is returned to the atmospheric pressure again, and the next tray 70 is transported. At this time, the L / UL chamber 10 is opened to atmospheric pressure after the door valve 62 with the heating chamber 20 is closed. Therefore, the internal space of the heating chamber 20 is always kept in a high vacuum state.
  • the heating chamber (H chamber) 20 is provided with a heating device 23 to raise the temperature of the substrate 2 to a temperature suitable for film formation.
  • the heating chamber 20 is provided with an evacuation device 22 for evacuating the inside thereof.
  • the heating chamber 20 is provided with a partition wall 21 having a reflector (reflector) function at the center thereof, and the heating chamber is divided into a first space 20A and a second space 20B.
  • the first space 20A handles the substrate (object to be processed) 2 transferred to the first space 30A of the film forming chamber 30, and the second space 20B is the substrate (processed) transferred to the second space 30B of the film forming chamber 30.
  • Body 2 is handled.
  • the first space 20 ⁇ / b> A and the second space 20 ⁇ / b> B are completely partitioned by the partition wall 21 and are not independent from each other (not shown in the drawing, )
  • a configuration example is shown in which some of the components communicate with each other.
  • the first space 20A and the second space 20B do not necessarily have to be in communication with each other, and the first space 20A and the second space 20B are independent of each other.
  • a partition wall 21 may be provided. In the case of the configuration in which the first space 20A and the second space 20B are communicated with each other, it is only necessary to have at least one vacuum exhaust device, so that a low-cost system can be constructed.
  • the film forming chamber (SP chamber) 30 is connected to the heating chamber (H chamber) 20 via two door valves 63.
  • One of the door valves 63 carries the tray 70A (70) on which the substrate (object to be processed) 2 heat-treated in the heating chamber (H chamber) 20 is loaded into the first space 30A of the film forming chamber 30, or This is used when the tray 70A (70) after film formation is carried out from the first space 30A of the film formation chamber 30 to the heating chamber (H chamber) 20.
  • the other of the door valves 63 carries the tray 70B (70) on which the substrate (object to be processed) 2 heat-treated in the heating chamber (H chamber) 20 is loaded into the second space 30B of the film forming chamber 30. Or, it is used when the tray 70B (70) after film formation is carried out from the second space 30B of the film formation chamber 30 to the heating chamber (H chamber) 20.
  • the substrate 2 is subjected to film forming processing by the film forming unit 33.
  • the film forming chamber 30 is divided into the independent first space 30A and the second space 30B, and the vacuum exhaust device 32 is used to evacuate the interior of each.
  • the film-forming unit 33 is arrange
  • the film forming apparatus can perform the film forming process in each of the independent first space 30A and second space 30B. Therefore, film formation can be performed simultaneously (in parallel) on two substrates (objects to be processed), and productivity can be improved.
  • the film forming chamber 30 is divided into two independent spaces, it is not necessary to add an apparatus, and the apparatus can be reduced in cost and space.
  • the first space 30A and the second space 30B are independent from each other, one is performing vacuum processing (for example, film formation processing) while the other is performing maintenance processing (for example, target replacement). Can be performed simultaneously. Therefore, the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention has a high degree of freedom in its operation and can realize a flexible operation state.
  • the film forming unit 33 is not particularly limited, and examples thereof include a cathode provided with a sputtering target and a parallel plate type electrode for CVD.
  • the substrate 2 which is an object to be processed, is subjected to processing such as heating and film formation while being mounted on the transfer apparatus and being transferred.
  • the transport apparatus that transports the substrate 2 includes a tray 70 (carrier) that holds the substrate 2 and a line 80 that transports the tray 70 on which the substrate 2 is held.
  • the transport device transports the substrate 2 vertically.
  • the reason why the substrate 2 is placed vertically is mainly that the substrate itself has become larger and thinner with the widespread use of large liquid crystal displays and plasma displays.
  • the installation area of the film forming apparatus itself increases accordingly, so that the vertical type is intended to save space.
  • the substrate 2 is bent due to its own weight, and it is difficult to maintain flatness, and uniform film formation becomes difficult.
  • the first space 30A and the second space 30B each include four lines 80 each composed of an outward path and a return path (outward path lines and There are two sets when the number of return lines is one set), and all of these four lines 80 are arranged to penetrate the L / UL chamber 10 and the heating chamber 20.
  • a tray 70 is provided in the first space 30A and the second space 30B of the film forming chamber 30 from the L / UL chamber 10 through the heating chamber 20 and the first space 30A and the second space 30B.
  • the first lines 81A and 81B serving as the forward paths transported to the second space 30B, and the return paths transported from the first space 30A and the second space 30B of the film forming chamber 30 to the L / UL chamber 10 through the heating chamber 20.
  • Second lines 82A and 82B are provided.
  • the first lines 81A and 81B and the second lines 82A and 82B are all disposed through the L / UL chamber 10 and the heating chamber 20.
  • the film forming apparatus 1 moves the tray 70 from the first lines 81A and 81B (outward path) to the second lines 82A and 82B (return path) in the lateral direction with respect to the lines (not shown). )).
  • This moving mechanism has a mechanism that once lifts the tray 70 on the first lines 81A and 81B and transfers it to the second lines 82A and 82B.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the tray 70.
  • the tray 70 has a frame-like frame 71 made of aluminum or the like, a magnet 72 provided along the upper side of the frame 71, and a columnar shape provided along the lower side of the frame 71.
  • Slider shaft 73 a substrate receiver 74 for receiving the load of the substrate 2 and maintaining the level of the substrate 2; a clamp 75 for holding the substrate 2 on the tray 70; And a mask 76 for covering the film region.
  • the track 80 includes a lower support mechanism 84 configured to be able to transport the tray 70 while supporting the load of the tray 70, and an upper support mechanism 88 configured to be able to support the upper portion of the tray 70 in a non-contact manner.
  • the tray 70 is configured to be movable while being held substantially vertically by the lower support mechanism 84 and the upper support mechanism 88.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the lower support mechanism 84.
  • the lower support mechanism 84 includes a motor 85 and a roller 86.
  • the roller 86 includes a U-shaped groove 86 a that guides the tray 70.
  • the motor 85 is driven, the roller 86 rotates and the tray 70 moves horizontally on the roller 86.
  • the slider shaft 73 provided at the lower portion of the tray 70 is engaged with the groove portion 86a of the roller 86, so that the tray 70 can be moved horizontally.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing the configuration of the upper support mechanism 88.
  • the upper support mechanism 88 is provided with a plurality of magnets 89.
  • a magnet 72 is also attached to the upper side of the tray 70, and is arranged so that the magnet 89 and the magnet 72 face each other in the vertical direction and the magnets 89 and 72 are attracted to each other.
  • the magnets 89 and 72 are attracted to each other, and the tray 70 can be held in a vertical state. That is, by holding the substrate 2 vertically, it is possible to suppress an increase in the installation area of the film forming apparatus 1 accompanying an increase in the size of the substrate 2 and to avoid the influence of the bending of the large substrate 2.
  • At least the contact portion of one of the slide shaft 73 or the roller 86 of the lower support mechanism 84 has silicon (Si), aluminum (Al), oxygen (O), and nitrogen (N). It is preferable that at least the other contact portion of the slide shaft 73 or the roller 86 is made of SUS (stainless steel).
  • the substrate (object to be processed) 2 is moved from the L / UL chamber 10 by a tray (conveyance device) 70 that moves along the first lines (outward paths) 81A and 81B.
  • the film is carried into the first space 30 ⁇ / b> A and the second space 30 ⁇ / b> B of the film forming chamber 30, and the film is formed in the film forming chamber 30.
  • the transfer device for placing the substrate 2 is moved from the first line (forward path) 81A, 81B to the second line (return path) 82A by the moving device in the first space 30A and the second space 30B, respectively. Moved to 82B.
  • the first space 30A and the second space 30B are transported to the L / UL chamber 10 through the heating chamber 20 from the inside.
  • the substrate transport efficiency can be improved by providing the forward path and the return path as described above.
  • substrate can be prepared and taken out in the L / UL chamber 10 in a short time, and a tact can be shortened. Thereby, productivity can be improved in the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the substrate 2 on which the film formation process is performed in the first space 30A of the film formation chamber 30 will be described, but the substrate 2 on which the film formation process is performed in the second space 30B is also described. This is the same as in the case of the first space 30A.
  • the substrate 2 is transported from other places to the front of the POS mechanism 40 of the film forming apparatus 1 in a horizontal state.
  • a tray is stood
  • the tray 70 (2) shown in the POS mechanism 40 is in the raised state.
  • the substrate 2 is in contact with the substrate receiver 74 of the tray 70, and the substrate 2 is held on the tray 70 by the clamp 75. (See FIG. 2).
  • the tray 70 on which the substrate 2 is mounted is conveyed to the third RT mechanism 51C via the first RT mechanism 51A of the RT mechanism 50.
  • the tray 70 is set in a direction in which the tray 70 can be conveyed to the first space 10 ⁇ / b> A of the L / UL chamber 10.
  • the tray 70 is placed on the first line 81A serving as the forward path, and the tray 70 is placed in the first space of the L / UL chamber 10 on the first line 81A. Transport to 10A. Further, as will be described later, in the L / UL chamber 10, the tray 70 on which the film-formed substrate 2 is placed is conveyed on the second line 82A (return path). Transport to 50.
  • the door valve 61 is closed, and then the chamber is evacuated by the vacuum exhaust device 12 to bring the L / UL chamber 10 into a vacuum state.
  • the door valve 62 with the adjacent heating chamber 20 is opened, and the tray 70 is transferred to the first space 20A of the heating chamber 20 through the first line 81A. .
  • the door valve 62 with the heating chamber 20 is closed, the pressure is returned to the atmospheric pressure again, and the next tray 70 is transported. At this time, since the L / UL chamber 10 is opened to the atmospheric pressure after the door valve 62 with the heating chamber 20 is closed, the high vacuum of the heating chamber 20 is maintained.
  • the door valve 62 When the tray 70 is conveyed to the heating chamber 20, the door valve 62 is closed. Thereafter, the substrate 2 is heated to a temperature suitable for film formation by the heating device 63. When the heating of the substrate 2 is completed, the door valve 63 to the film forming chamber 30 is opened, and the tray 70 is transferred to the film forming chamber 30 through the first line 81A. In addition, the tray 70 on which the substrate 2 that has been subjected to the film formation process in the film formation chamber 30 is carried by the second line 82A (return path). After transporting the tray 70, the door valve 63 to the film forming chamber 30 is closed.
  • the substrate 2 is subjected to film formation processing by the film formation unit 33.
  • the film forming process in the film forming chamber 30 employs a fixed film forming method in which the film is formed with the tray 70 fixed and stationary. Further, since a mask 76 is disposed on the periphery of the substrate 2 (see FIG. 2), only a necessary region of the substrate 2 is formed.
  • the film forming chamber 30 is divided into an independent first space 30 ⁇ / b> A and a second space 30 ⁇ / b> B, and a film forming unit 33 is arranged for each space, and the first space.
  • the 30A and the second space 30B four lines each including an outward path and a return path are arranged. That is, in the film forming chamber 30, the tray 70 is disposed in each of the first space 30A and the second space 30B, and the substrate 2 mounted on each tray 70 can be formed simultaneously (in parallel). .
  • the tray 70 When film formation is completed, the tray 70 is moved laterally with respect to the track by a moving mechanism (not shown), and transferred from the first track 81A serving as the forward route to the second track 82A serving as the return route. Thereafter, the tray 70 is conveyed along the second line 82 ⁇ / b> A and guided from the film formation chamber 30 to the L / UL chamber 10 through the heating chamber 20.
  • the door valve 63 with the heating chamber 20 is opened, and the tray 70 is conveyed to the first space 20 ⁇ / b> A of the heating chamber 20. Further, the tray 70 on which the substrate 2 before film formation is loaded is transported from the heating chamber 20 to the film formation chamber 30 via the first line 81A (outward path). When the tray 70 is conveyed to the heating chamber 20, the door valve 63 is closed.
  • the door valve 62 with the L / UL chamber 10 is opened, and the tray 70 is transported to the first space 10 ⁇ / b> A of the L / UL chamber 10.
  • the tray 70 on which the substrate 2 before film formation is loaded is conveyed to the heating chamber 20 from the L / UL chamber 10 through the first line 81A (outward path).
  • the door valve 62 is closed.
  • the L / UL chamber 10 When the tray 70 is transported from the heating chamber 20 to the L / UL chamber 10, the L / UL chamber 10 is maintained at a high vacuum by the vacuum exhaust device 12. The door valve 62 is closed, and then the L / UL chamber 10 is opened to atmospheric pressure. When the L / UL chamber 10 returns to atmospheric pressure, the tray 70 is transferred to the third RT unit 51C of the RT mechanism 50. At this time, since the L / UL chamber 10 is opened to the atmospheric pressure after the door valve 62 with the heating chamber 20 is closed, the high vacuum of the heating chamber 20 is maintained.
  • the tray 70 conveyed to the RT mechanism 51C is conveyed from the third RT unit 51C to the first POS mechanism 40A of the POS mechanism 40 via the first RT unit 51A. Thereafter, in the POS mechanism 40 (first POS mechanism 40A), the film-formed substrate 2 is removed from the tray 70 and carried outside.
  • the substrate transfer efficiency can be improved by providing the forward path and the return path, respectively.
  • preparation and removal of the object to be processed in the L / UL chamber can be performed in a short time, and the tact can be shortened.
  • the film forming process can be performed in each of the first space and the second space independent in the film forming chamber. Film formation processing can be performed, and productivity can be improved. Further, since the film forming chamber is divided into two independent spaces, it is not necessary to add an apparatus, and the cost of the apparatus can be reduced and the space can be saved. As a result, the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention can save space, improve the substrate transfer system, and improve productivity.
  • the SP chamber is divided into an independent first space and a second space, and a film forming unit is arranged for each space. Since the film formation process can be performed in the independent first space and the second space, the film formation process can be performed simultaneously (in parallel) on two substrates (objects to be processed). Can be improved. In addition, since the SP room is divided into two independent spaces, it is not necessary to increase the number of devices, and the cost and space of the devices can be reduced. Further, in the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention, four lines each including an outward path and a return path are disposed through the L / UL chamber, the H chamber, and the SP chamber, and the object to be processed is placed in the outbound path.
  • the object to be processed is the first space and the Inside the second space, it is moved from the forward path to the return path by the moving mechanism, and is carried along the return path from the first space and the second space to the L / UL chamber through the H chamber.
  • the conveyance efficiency of the object to be processed can be improved.
  • preparation and removal of the object to be processed in the L / UL chamber can be performed in a short time, and the tact can be shortened.
  • the present invention can be widely applied to an in-line film forming apparatus that vertically conveys a substrate.

Abstract

　成膜装置であって、Ｌ／ＵＬ室と、Ｌ／ＵＬ室に連通するＨ室と、Ｈ室に連通し、且つ独立した第一空間と第二空間とに区分されたＳＰ室と、第一空間及び第二空間にそれぞれ配置された成膜ユニットと、Ｌ／ＵＬ室、Ｈ室、第一空間、及び第二空間に独立して設けられ、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置と、Ｌ／ＵＬ室及びＨ室を貫通し、第一空間及び第二空間に配置された各々往路と復路からなる４本の線路と、被処理体を往路又は復路に沿って運ぶ搬送装置と、第一空間および第二空間の内部において、搬送装置を往路から復路に移す移動機構と、を備える。

Description

成膜装置
　本発明は、インライン式の成膜装置に関し、特に、基板の搬送システムを改良し、省スペース化を図るとともに、生産効率を向上させた成膜装置に関する。
　本願は、２０１１年４月１１日に、日本に出願された特願２０１１－０８７５８３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　例えば、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイに用いられる大型ガラス基板を加工するには、真空下において、所望の温度まで昇温させる加熱工程や、スパッタリング、ＣＶＤ、或いは、エッチング等の加工手段で、複数層成膜する種々の成膜工程が必要である。
　従来より、種々の成膜装置が実用に供されている。基板を水平状態で成膜する成膜装置では、基板が大型化すると、それに伴って装置も大型化するという問題を備えている。そのため、近年では、基板を略直立させて成膜等を行う縦型方式の成膜装置が開発されている。
　図５は、従来の成膜装置の基本構成を示す図である。
　従来の成膜装置１００は、基板着脱室１２０、１線路（ライン）上に連結された第一乃至第３の３つの真空処理室（加熱室や成膜室を指す）２００、２２０、２４０、基板トレーを大気側と真空処理室２００、２２０、２４０間で搬送するＬ／ＵＬ（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ：仕込／取出）室１４０と、を備える。
　また、Ｌ／ＵＬ室１４０内及び各真空処理室２００、２２０、２４０内には、第一の搬送経路（往路）１６０と、第二の搬送経路１８０（復路）との２つの搬送経路１６０、１８０が設けられている。第一の搬送経路１６０は、基板トレーがＬ／ＵＬ室１４０から各真空処理室２００、２２０、２４０に搬送される往路となる。第二の搬送経路１８０は、基板トレーが各真空処理室２００、２２０、２４０から加熱室を経てＬ／ＵＬ室１４０に搬送される復路となる。
　更に、成膜装置１００の最後部の第三の真空処理室２４０は、基板トレーを第一の搬送経路（往路）１６０から第二の搬送経路（復路）１８０に、２つの搬送経路１６０、１８０に対して横方向に移動させて移載する移載機構（図示せず）を備えている。この移載機構は、第一の搬送経路１６０上の基板トレーを一旦持ち上げ、第二の搬送経路１８０に移載する機構を有している。
　なお、Ｌ／ＵＬ室１４０には、真空排気装置３００が取り付けられている。加熱室には、加熱装置及び真空排気装置３００が取り付けられている。各真空処理室２００、２２０、２４０には、スパッタリング装置等の成膜ユニット２１０、２３０、２５０及び真空排気装置３００がそれぞれ取り付けられている。
　このような従来の成膜装置１００の基本動作について説明する。
　基板着脱室１２０で、基板トレーに基板を載置されると、この基板トレーは、Ｌ／ＵＬ室１４０に搬送され、このＬ／ＵＬ室１４０が真空排気され、高真空化された後に、真空処理室２００内に用意されている、往路となる第一の搬送経路１６０に搬送される。
　基板トレー（基板キャリア）は、第一の搬送経路１６０を搬送されながら、真空処理室２００、２２０、２４０において、載置された基板が加熱や成膜等の真空処理が施される。
　真空処理室２４０で基板が真空処理された後、基板トレーは復路となる第二の搬送経路１８０に、図示しない移載機構により移載され、真空処理室２００、２２０、２４０において、それぞれ成膜等の真空処理がなされる。基板トレーは、真空処理された基板を載置した状態で、Ｌ／ＵＬ室１４０を経て、基板着脱室１２０で基板が取り外される。
　ところで、一般に、Ｌ／ＵＬ室では、基板キャリアの搬送の他に、真空排気と大気圧開放が行われる。従って、真空処理装置のタクトは、このＬ／ＵＬ室の排気、ベント時間により影響を受ける。
　しかし、従来の成膜装置では、Ｌ／ＵＬ室の基板入れ替え口には、基板トレーが単数しか配置されていなかった。従って、基板着脱部において、基板トレーが未処理基板の載置或いは処理基板の取り外しを行っている間、Ｌ／ＵＬ室では基板の仕込みや取出が行えない滞留時間が長くなり、タクトに悪影響が生じて、基板の真空処理効率が低下する問題を備えている。
　また、インライン式の成膜装置では、基板を保持した基板トレーは連設された真空室内を一列で搬送されている。従って、従来例の装置によって生産量すなわち真空処理量を増大させるには、基板トレーの搬送速度を高めるか、または装置を増設することを要する。しかし、通常、基板トレーは可能な範囲の高速度で搬送されているので、搬送速度を更に高めることは困難である。従って、残る手段は装置の増設であるが、装置の増設は比例的に装置コストを増大させるほか、装置の占有面積もそれに応じて増大するという問題があった。
日本国特開２００５－３４０４２５号公報
　本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上させた成膜装置を提供することを目的とする。
　本発明の第１態様に係る成膜装置は、Ｌ／ＵＬ室と、前記Ｌ／ＵＬ室に連通するＨ室と、前記Ｈ室に連通し、且つ独立した第一空間と第二空間とに区分されたＳＰ室と、前記第一空間及び前記第二空間にそれぞれ配置された成膜ユニットと、前記Ｌ／ＵＬ室、前記Ｈ室、前記第一空間、および前記第二空間に独立して設けられて、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置と、前記Ｌ／ＵＬ室および前記Ｈ室を貫通し、前記第一空間および前記第二空間に配置された各々往路と復路からなる４本の線路と、被処理体を、前記往路に沿って前記Ｌ／ＵＬ室から前記Ｈ室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運び、及び、前記復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記Ｈ室を通して前記Ｌ／ＵＬ室へ前記被処理体を運ぶ搬送装置と、前記第一空間および前記第二空間の内部において、前記搬送装置を前記往路から前記復路に移す移動機構と、を備えても良い。
　本発明の第２態様に係る成膜装置は、前記第１態様において、前記Ｌ／ＵＬ室は、２つのドアバルブを介してＲＴ機構に接続されており、前記ＲＴ機構は、第１ＲＴ機構と、第２ＲＴ機構と、第３ＲＴ機構とを備え、前記第３ＲＴ機構と前記第１ＲＴ機構との間では、前記第一空間に搬送する被処理体を処理し、前記第３ＲＴ機構と前記第２ＲＴ機構との間では、前記第二空間に搬送する被処理体を処理しても良い。
　本発明の第３態様に係る成膜装置は、前記第１又は第２態様において、前記搬送装置は、前記被処理体を縦型搬送しても良い。
　本発明の第４態様に係る成膜装置は、前記第１乃至第３態様のいずれかにおいて、前記成膜ユニットが、スパッタ用のカソードであっても良い。
　本発明の第５態様に係る成膜装置は、前記第１乃至第３態様のいずれかにおいて、前記成膜ユニットが、ＣＶＤ用の平行平板型の電極であっても良い。
　本発明の第６態様に係る成膜装置は、前記第１１乃至第５態様のいずれかにおいて、前記搬送装置は、その下部に円柱状のスライドシャフトを備え、前記線路は、前記搬送装置を誘導するＵ字状の溝を備えた、複数のローラであり、前記スライドシャフト又はローラの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素および窒素を含むバルク体から構成され、前記スライドシャフト又はローラの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されても良い。
　本発明一態様によれば、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上させた成膜装置を提供することが可能である。
本発明の成膜装置の一構成例を模式的に示す断面図である。 基板が搭載されるトレーの一例を示す斜視図である。 トレーの下部支持機構の一例を示す斜視図である。 トレーの上部支持機構の一例を示す断面図である。 従来の成膜装置の一構成例を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明する。
　図１は、本発明の成膜装置の一構成例を模式的に示す断面図であり、成膜装置を上方から見た図である。図１において、紙面奥行き方向が重力方向である。図１に示す成膜装置においては、基板（被処理体）を装着したトレーが、立てた状態（基板の被処理面が重力方向に平行とされた状態）で搬送される。ゆえに、図１の成膜装置１は、縦型搬送方式の装置である。
　図１に示すように、本発明の実施形態に係る成膜装置１は、Ｌ／ＵＬ室（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ：仕込／取出室）１０、Ｈ室（加熱室）２０、ＳＰ室（スパッタ法を用いた成膜室）３０が順に配されてなる。また、Ｌ／ＵＬ室１０の手前には、ＰＯＳ機構（トレーに装着／トレーから脱着する基板（被処理体）の着脱室）４０と、ＲＴ機構（回転モードを備えたトレーの移動機構）５０と、が配されている。
　各室間は、並列して配された２つのドアバルブを介して連通されている。ＲＴ機構５０とＬ／ＵＬ室１０との間には２つのドアバルブ６１が設けられている。同様に、Ｌ／ＵＬ室１０と加熱室２０との間には、２つのドアバルブ６２が設けられている。加熱室２０と成膜室３０との間には、２つのドアバルブ６３が設けられている。
　成膜室３０は、独立した第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂに区分される。それとともに、Ｌ／ＵＬ室１０、加熱室２０、及び成膜室３０の前記第一空間３０Ａおよび第二空間３０Ｂの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置１２，２２，３２（３２Ａ、３２Ｂ）が、それぞれ独立して設けられている。すなわち、成膜室３０を構成する独立した第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂには、それぞれの空間内を専属に排気可能な真空排気装置３２Ａ、３２Ｂが、個別に設置されている。
　Ｌ／ＵＬ室１０は、大気圧に開放された状態で、ＲＴ機構５０との間でトレー７０の仕込み（搬入）と取り出し（搬出）を行う。Ｌ／ＵＬ室１０には、その内部を真空排気するための真空排気装置１２が設けられている。Ｌ／ＵＬ室１０は、その中央部に隔壁１１が配されている。これにより、Ｌ／ＵＬ室１０の室内が、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂに区分されている。第一空間１０Ａは、成膜室３０の第一空間３０Ａに搬送する基板（被処理体）２を取り扱う。第二空間１０Ｂは、成膜室３０の第二空間３０Ｂに搬送する基板（被処理体）２を取り扱う。
　図１は、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂとが隔壁１１によって完全に仕切られ、互いに独立した空間とはなっておらず、互いに一部連通した構成例を示している。しかしながら、図には示されていないが、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂとは、必ずしも互いに連通した空間である必要はなく、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂとが互いに独立した空間をなすように、隔壁１１を設けてもよい。第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂとが連通した構成の場合には、真空排気装置が最低１つあればよいので、低コストなシステムが構築できる。
　上述した構成に代えて、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂを独立した空間とした構成の場合は、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂに個別に真空排気装置を設けてもよい。しかしながら、第一空間１０Ａと第二空間１０Ｂの各排気時間帯を処理タクト時間に応じて切り替える機構を持たせることにより、真空排気装置を１つとすることも可能である。さらに、真空処理とメンテナンス等の作業を別個に行うことができるメリットがあるので、互いに独立した空間とする構成であってもよい。
　Ｌ／ＵＬ室１０は２つのドアバルブ６１を介して、前記Ｌ／ＵＬ室１０の手前（前段）に配されたＲＴ機構５０及びＰＯＳ機構４０に接続されている。
　ドアバルブ６１の一方は、第一ＰＯＳ機構４０Ａ及び第一ＲＴ機構５１Ａを経由する、トレー７０Ａ（７０）をＬ／ＵＬ室１０へ搬入出させる場合に用いる。ドアバルブ６１の他方は、第二ＰＯＳ機構４０Ｂ及び第二ＲＴ機構５１Ｂを経由する、トレー７０Ｂ（７０）をＬ／ＵＬ室１０へ搬入出させる場合に用いる。
　ＰＯＳ機構４０は、第一ＰＯＳ機構４０Ａと、第二ＰＯＳ機構４０Ｂとから構成され、外部から運ばれてきた基板（被処理体）２をトレー７０に取付けるとともに、処理済みの基板２を、トレー７０から取り外し外部へと運び出す。
　前記ＲＴ機構５０は、第一ＲＴ機構５１Ａ、第二ＲＴ機構５１Ｂ、第三ＲＴ機構５１Ｃから構成され、ＰＯＳ機構４０においてトレー７０に取付けられた基板２を、Ｌ／ＵＬ室１０に搬送するとともに、Ｌ／ＵＬ室１０でアンロードされた処理済みのトレー７０を、ＰＯＳ機構４０へと搬送する。
　第一ＰＯＳ機構４０Ａ、及び第一ＲＴ機構５１Ａでは、Ｌ／ＵＬ室１０の第一空間１０Ａに搬送する基板２を取り扱う。第二ＰＯＳ機構４０Ｂ、及び第二ＲＴ機構５１Ｂでは、Ｌ／ＵＬ室１０の第二空間１０Ｂに搬送する基板２を取り扱う。
　Ｌ／ＵＬ室１０では、ＲＴ機構５０からトレー７０が搬送される際は大気圧に開放されているが、搬送後はドアバルブ６１が閉じられ、真空排気装置１２により排気され、高真空状態となってから、加熱室２０との間に配されたドアバルブ６２を開き、トレー７０を搬送する。加熱室２０へトレー７０を搬送した後は、隣の加熱室２０とのドアバルブ６２が閉じられ、再度大気圧に戻され、次のトレー７０の搬送が行われる。この際、Ｌ／ＵＬ室１０は、加熱室２０とのドアバルブ６２が閉じられた後に、大気圧に開放される。ゆえに、加熱室２０の内部空間は常に、高真空状態が保たれる。
　加熱室（Ｈ室）２０には加熱装置２３が設けられており、基板２を成膜に適した温度まで昇温する。加熱室２０には、その内部を真空排気するための真空排気装置２２が設けられている。加熱室２０も同様に、その中央部にはリフレクター（反射板の）機能を備えた隔壁２１が配されており、加熱室内が、第一空間２０Ａと第二空間２０Ｂに区分されている。第一空間２０Ａは、成膜室３０の第一空間３０Ａに搬送する基板（被処理体）２を取り扱い、第二空間２０Ｂは、成膜室３０の第二空間３０Ｂに搬送する基板（被処理体）２を取り扱う。
　図１においては、第一空間２０Ａと第二空間２０Ｂとが隔壁２１によって完全に仕切られ、互いに独立した空間とはなっておらず、（図には示さないが、隔壁２１の上部や下部において）互いに一部連通した構成例を示している。しかしながら、図には示さないが、第一空間２０Ａと第二空間２０Ｂとは、必ずしも互いに連通した空間である必要はなく、第一空間２０Ａと第二空間２０Ｂとが互いに独立した空間をなすように、隔壁２１を設けてもよい。第一空間２０Ａと第二空間２０Ｂとが連通した構成の場合には、真空排気装置が最低１つあればよいので、低コストなシステムが構築できる。これに対して、独立した空間とした構成の場合には、各々の空間をそれぞれ真空排気する真空排気装置が個別に最低１つ必要となるが、真空処理とメンテナンス等の作業を別個に行うことができるメリットがあるので、互いに独立した空間とする構成であってもよい。
　成膜室（ＳＰ室）３０は２つのドアバルブ６３を介して、加熱室（Ｈ室）２０に接続されている。
　ドアバルブ６３の一方は、加熱室（Ｈ室）２０にて熱処理された基板（被処理体）２が搭載されたトレー７０Ａ（７０）を成膜室３０の第一空間３０Ａへ搬入したり、あるいは、成膜室３０の第一空間３０Ａから成膜後のトレー７０Ａ（７０）を加熱室（Ｈ室）２０へ搬出する場合に用いる。同様に、ドアバルブ６３の他方は、加熱室（Ｈ室）２０にて熱処理された基板（被処理体）２が搭載されたトレー７０Ｂ（７０）を成膜室３０の第二空間３０Ｂへ搬入したり、あるいは、成膜室３０の第二空間３０Ｂから成膜後のトレー７０Ｂ（７０）を加熱室（Ｈ室）２０へ搬出する場合に用いる。
　成膜室（ＳＰ室）３０では、成膜ユニット３３により、基板２が成膜処理される。
　特に、本発明の実施形態に係る成膜装置１では、成膜室３０は、独立した第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂに区分され、それぞれの内部を真空排気するために、真空排気装置３２および成膜ユニット３３が、各空間ごとに配置されている。すなわち、真空排気装置３２Ａと成膜ユニット３３Ａは第一空間３０Ａ用であり、真空排気装置３２Ｂと成膜ユニット３３Ｂは第二空間３０Ｂ用である。
　本発明の実施形態に係る成膜装置は、独立した第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂにおいて、それぞれ成膜処理を行うことができる。ゆえに、２枚の基板（被処理体）に対して同時に（並行して）成膜処理を行うことが可能であり、生産性の向上が図れる。また、成膜室３０を独立した２つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることもできる。さらに、第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂとが互いに独立した空間とされているので、一方は真空処理（例えば、成膜処理）を行いつつ、他方はメンテナンス処理（例えば、ターゲット交換）の作業を行うことが、同時に可能となる。よって、本発明の実施形態に係る成膜装置は、その運用において高い自由度があり、フレキシブルな稼働状況を実現できる。
　成膜ユニット３３としては、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ用のターゲットを備えたカソードや、ＣＶＤ用の平行平板型の電極が挙げられる。
　このような成膜装置１において、被処理体である基板２は、搬送装置に搭載されて搬送されながら、加熱や成膜などの処理が施される。
　基板２を搬送する搬送装置は、基板２を保持するトレー７０（キャリア）と、基板２が保持されたトレー７０を搬送する線路８０とを備える。また、搬送装置は、基板２を縦型搬送する。
　ここで、基板２を縦置き（縦型搬送）とする理由は、主として、大型の液晶ディスプレイやプラズマディスプレイが普及するに伴い、基板自体が大型化、薄型化したことによる。基板を横置きとした場合は、成膜装置自体の設置面積がそれに伴って大型化するので、縦型とすることで省スペース化を図る趣旨である。また、横置きの場合は、基板２の自重による撓みが生じ平坦性を保持することが難しく、均一な成膜が困難となるためである。
　さらに、支持台上に基板を横置きして、スパッタダウンにて成膜する方法もあるが、この場合には、成膜面に異物が付着し、膜中に混入する等して、膜特性やデバイス特性を低下する虞があるため、採用は控える方がよいためである。
　本発明の実施形態に係る成膜装置１では、前記成膜室３０において、前記第一空間３０Ａおよび前記第二空間３０Ｂには、各々往路と復路からなる線路８０が４本（往路の線路と復路の線路を１組とした場合は２組）あり、この４本の線路８０は全て、前記Ｌ／ＵＬ室１０および前記加熱室２０を貫通するように配置されている。
　本発明の実施形態に係る成膜装置１において、成膜室３０の第一空間３０Ａおよび第二空間３０Ｂには、トレー７０がＬ／ＵＬ室１０から加熱室２０を経て前記第一空間３０Ａおよび前記第二空間３０Ｂに搬送される往路となる第一線路８１Ａ、８１Ｂと、成膜室３０の第一空間３０Ａおよび第二空間３０Ｂから加熱室２０を経てＬ／ＵＬ室１０に搬送される復路となる第二線路８２Ａ、８２Ｂがそれぞれ設けられている。これら第一線路８１Ａ、８１Ｂ及び第二線路８２Ａ、８２Ｂは全て、前記Ｌ／ＵＬ室１０および前記加熱室２０を貫通して配置されている。
　また、成膜装置１は、トレー７０を第一線路８１Ａ、８１Ｂ（往路）から第二線路８２Ａ、８２Ｂ（復路）に、線路に対して横方向に移動させて移載する移動機構（図示せず）を備えている。この移動機構は、第一線路８１Ａ、８１Ｂ上のトレー７０を一旦持ち上げ、第二線路８２Ａ、８２Ｂに移載する機構を有している。
　図２は、トレー７０の概略構成を示す斜視図である。
　図２に示すように、トレー７０は、アルミニウムなどからなる枠状のフレーム７１と、フレーム７１の上辺に沿うように設けられたマグネット７２と、フレーム７１の下辺に沿うように設けられた円柱状のスライダシャフト７３と、基板２の荷重を受け、かつ基板２の水平度を保持するための基板受け７４と、基板２をトレー７０に保持させるためのクランプ７５と、基板２の周縁の非成膜領域を覆うためのマスク７６とを備えている。
　線路８０は、トレー７０の荷重を支持しながらトレー７０を搬送可能に構成された下部支持機構８４と、トレー７０の上部を非接触で支持可能に構成された上部支持機構８８とを備えている。トレー７０は、下部支持機構８４および上部支持機構８８により、略垂直に保持された状態で移動可能に構成されている。
　図３は、下部支持機構８４の構成を示す斜視図である。
　図３に示すように、下部支持機構８４は、モータ８５と、ローラ８６とを備えている。
　ローラ８６は、トレー７０を誘導するＵ字状の溝部８６ａを備えている。モータ８５が駆動することで、ローラ８６が回転し、ローラ８６上をトレー７０が水平移動するように構成されている。具体的には、トレー７０の下部に設けられたスライダシャフト７３がローラ８６の溝部８６ａに係合し、トレー７０が水平移動可能に構成されている。
　また、図４は、上部支持機構８８の構成を示す説明図である。
　図４に示すように、上部支持機構８８には複数のマグネット８９が設けられている。そして、トレー７０の上辺にもマグネット７２が取り付けられており、マグネット８９とマグネット７２が垂直方向に対向するように、かつ互いのマグネット８９，７２が吸着しあうように配置される。
　このように構成することで、マグネット８９，７２同士が吸着しあい、トレー７０を垂直状態に保持することが可能となる。つまり、基板２を垂直保持することにより、基板２の大型化に伴う成膜装置１の設置面積の増大を抑えることができるとともに、大型基板２の撓みによる影響を回避することができる。
　特に、本実施形態の成膜装置１では、スライドシャフト７３又は下部支持機構８４のローラ８６の一方の少なくとも接触部が、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含むバルク体から構成され、スライドシャフト７３又はローラ８６の他方の少なくとも接触部が、ＳＵＳ（ステンレス鋼）から構成されていることが好ましい。
　スライドシャフト７３又はローラ８６の接触部を上記のような材料により構成することで、スライドシャフト７３とローラ８６の磨耗を抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できるほか、装置の長寿命化を図ることができる。
　本発明の実施形態に係る成膜装置１は、第一線路（往路）８１Ａ、８１Ｂに沿って移動するトレー（搬送装置）７０により基板（被処理体）２は、前記Ｌ／ＵＬ室１０から前記加熱室２０を通して、成膜室３０の第一空間３０Ａおよび第二空間３０Ｂの内部にそれぞれ運ばれ、成膜室３０にて成膜する。その後、前記基板２を載置する搬送装置はそれぞれ、前記第一空間３０Ａおよび前記第二空間３０Ｂの内部において、移動装置により第一線路（往路）８１Ａ、８１Ｂから第二線路（復路）８２Ａ、８２Ｂに移される。その後、第二線路８２Ａ、８２Ｂに沿って前記第一空間３０Ａおよび前記第二空間３０Ｂの内部から、前記加熱室２０を通して前記Ｌ／ＵＬ室１０へ運ばれる。
　本発明の実施形態では、前記のように往路と復路とをそれぞれ設けることにより、基板の搬送効率を向上することができる。また、Ｌ／ＵＬ室１０における基板の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。これにより本発明の実施形態に係る成膜装置では、生産性を向上することができる。
　次に、本発明の実施形態に係る成膜装置１を用いて、基板２に成膜する際の動作を図１に基づいて説明する。
　なお、以下の説明では、成膜室３０の第一空間３０Ａで成膜処理が施される基板２の移動について説明するが、第二空間３０Ｂで成膜処理が施される基板２についても、第一空間３０Ａの場合と同様である。
　まず、基板２が他所から水平状態で成膜装置１のＰＯＳ機構４０の前まで搬送されてくる。その後、横倒し（寝かせた）の状態とされたトレー（不図示）に基板２を搭載した後、トレーを垂直状態になるように立ち上げる。ＰＯＳ機構４０に示したトレー７０（２）は、この立ち上げた状態のものである。このとき、基板２はトレー７０の基板受け７４に当接した状態とされており、基板２はクランプ７５にてトレー７０に保持される。（図２参照）。
　基板２が搭載されたトレー７０は、ＲＴ機構５０の第一ＲＴ機構５１Ａを介して第三ＲＴ機構５１Ｃへと搬送する。第三ＲＴ機構５１Ｃでは、トレー７０をＬ／ＵＬ室１０の第一空間１０Ａへと搬送可能な方向にする。
　そして、Ｌ／ＵＬ室１０のドアバルブ６１を開状態にした後、トレー７０を往路となる第一線路８１Ａに載置し、トレー７０を第一線路８１ＡにてＬ／ＵＬ室１０の第一空間１０Ａへと搬送する。
　また、後述するように、Ｌ／ＵＬ室１０では、成膜処理された基板２を載置したトレー７０が、第二線路８２Ａ（復路）にて搬送されて来るので、このトレー７０をＲＴ機構５０へと搬送する。
　トレー７０がＬ／ＵＬ室１０へ搬送されると、ドアバルブ６１を閉状態にし、その後、真空排気装置１２にて室内を排気し、Ｌ／ＵＬ室１０を真空状態にする。Ｌ／ＵＬ室１０内が真空状態になった後、隣の加熱室２０とのドアバルブ６２を開状態にして、トレー７０を第一線路８１Ａにて加熱室２０の第一空間２０Ａへと搬送する。
　Ｌ／ＵＬ室１０では、トレー７０の搬送後は、加熱室２０とのドアバルブ６２を閉状態にし、再度大気圧に戻され、次のトレー７０の搬送が行われる。この際、Ｌ／ＵＬ室１０は、加熱室２０とのドアバルブ６２が閉じられた後に、大気圧に開放されるため、加熱室２０の高真空は保たれる。
　トレー７０が加熱室２０へ搬送されると、ドアバルブ６２を閉状態にする。
　その後、加熱装置６３にて基板２を成膜に適した温度まで加熱する。基板２の加熱が完了すると、成膜室３０とのドアバルブ６３を開状態にして、トレー７０を第一線路８１Ａにて成膜室３０へと搬送する。また、成膜室３０で成膜処理された基板２を搭載したトレー７０が、第二線路８２Ａ（復路）で搬送される。
　トレー７０の搬送後は、成膜室３０とのドアバルブ６３を閉状態にする。
　成膜室３０では、成膜ユニット３３により、基板２が成膜処理される。ここで、この成膜装置１では、成膜室３０における成膜工程はトレー７０を固定静止させて成膜を行う固定成膜方式を採用している。また、基板２の周縁にはマスク７６が配置されているため（図２参照）、基板２の必要な領域のみ成膜されるように構成されている。
　ここで、この成膜装置１は、成膜室３０が、独立した第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂに区分され、各空間毎に成膜ユニット３３が配置されているとともに、前記第一空間３０Ａおよび前記第二空間３０Ｂには各々往路と復路からなる線路が４本配されている。すなわち、成膜室３０において、第一空間３０Ａと第二空間３０Ｂのそれぞれにトレー７０が配され、同時に（並行して）それぞれのトレー７０に搭載されている基板２を成膜することができる。
　成膜が完了すると移動機構（図示略）により、前記トレー７０を線路に対して横移動させて、往路となる第一線路８１Ａから、復路となる第二線路８２Ａに移載する。
　その後、トレー７０は、第二線路８２Ａを搬送されて、成膜室３０から加熱室２０を経てＬ／ＵＬ室１０へと導かれる。
　加熱室２０とのドアバルブ６３を開状態にして、トレー７０を加熱室２０の第一空間２０Ａへと搬送する。
　また、成膜室３０には、成膜前の基板２を搭載したトレー７０が、加熱室２０から第一線路８１Ａ（往路）で搬送される。
　トレー７０が加熱室２０へ搬送されると、ドアバルブ６３を閉状態にする。
　Ｌ／ＵＬ室１０とのドアバルブ６２を開状態にして、トレー７０をＬ／ＵＬ室１０の第一空間１０Ａへと搬送する。また、加熱室２０には、成膜前の基板２を搭載したトレー７０が、Ｌ／ＵＬ室１０から第一線路８１Ａ（往路）で搬送される。
　トレー７０がＬ／ＵＬ室１０へ搬送されると、ドアバルブ６２を閉状態にする。
　トレー７０を加熱室２０からＬ／ＵＬ室１０に搬送する際は、Ｌ／ＵＬ室１０は真空排気装置１２により高真空に維持されているが、トレー７０の搬送後は、加熱室２０とのドアバルブ６２が閉じられ、その後、Ｌ／ＵＬ室１０は大気圧に開放される。Ｌ／ＵＬ室１０が大気圧に戻ると、トレー７０は、ＲＴ機構５０の第三ＲＴ部５１Ｃに搬送される。この際、Ｌ／ＵＬ室１０は、加熱室２０とのドアバルブ６２が閉じられてから大気圧に開放されるために、加熱室２０の高真空は保たれる。
　ＲＴ機構５１Ｃへと搬送されたトレー７０は、第三ＲＴ部５１Ｃから第一ＲＴ部５１Ａを介して、ＰＯＳ機構４０の第一ＰＯＳ機構４０Ａへと搬送される。
　その後、ＰＯＳ機構４０（第一ＰＯＳ機構４０Ａ）において、成膜済みの基板２は、トレー７０から取り外されて、外部へと運び出される。
　このように、本発明の実施形態では、往路と復路とをそれぞれ設けることにより、基板の搬送効率を向上することができる。また、Ｌ／ＵＬ室における被処理体の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。
　また、本発明の実施形態に係る成膜装置では、成膜室において独立した第一空間と第二空間とでそれぞれ成膜処理を行うことができるので、２枚の基板に対して同時に（並行して）成膜処理を行うことができ、生産性を向上することができる。また、成膜室を独立した２つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることができる。
　その結果、本発明の実施形態に係る成膜装置は、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上することが可能である。
　本発明の実施形態に係る成膜装置では、ＳＰ室が独立した第一空間と第二空間に区分され、各空間毎に成膜ユニットが配置されている。独立した第一空間と第二空間とでそれぞれ成膜処理を行うことができるので、２枚の基板（被処理体）に対して同時に（並行して）成膜処理を行うことができ、生産性を向上することができる。また、ＳＰ室を独立した２つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることができる。
　また本発明の実施形態に係る成膜装置では、各々往路と復路からなる４本の線路が前記Ｌ／ＵＬ室、Ｈ室およびＳＰ室を貫通して配置され、被処理体は、前記往路に沿って前記Ｌ／ＵＬ室から前記Ｈ室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運ばれ、ＳＰ室にて成膜した後、前記被処理体は、前記第一空間および前記第二空間の内部において、移動機構により往路から復路に移され、復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記Ｈ室を通して前記Ｌ／ＵＬ室へ運ばれているので、往路と復路とをそれぞれ設けることにより、被処理体の搬送効率を向上することができる。また、Ｌ／ＵＬ室における被処理体の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。
　以上、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
　本発明は、基板を縦型搬送するインライン式の成膜装置に広く適用可能である。
　１　　　　　　　　　成膜装置
　２　　　　　　　　　基板（被処理体）
　１０　　　　　　　　Ｌ／ＵＬ室
　２０　　　　　　　　加熱室（Ｈ室）
　３０　　　　　　　　成膜室（ＳＰ室）
　４０　　　　　　　　ＰＯＳ機構
　５０　　　　　　　　ＲＴ機構
　７０　　　　　　　　トレー
　８１Ａ，８１Ｂ　　　第一線路（往路）
　８２Ａ，８２Ｂ　　　第二線路（復路）

Claims (6)

  1. 　Ｌ／ＵＬ室と、
    　前記Ｌ／ＵＬ室に連通するＨ室と、
    　前記Ｈ室に連通し、且つ独立した第一空間と第二空間とに区分されたＳＰ室と、
    　前記第一空間及び前記第二空間にそれぞれ配置された成膜ユニットと、
    　前記Ｌ／ＵＬ室、前記Ｈ室、前記第一空間、および前記第二空間に独立して設けられて、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置と、
    　前記Ｌ／ＵＬ室および前記Ｈ室を貫通し、前記第一空間および前記第二空間に配置された各々往路と復路からなる４本の線路と、
    　被処理体を、前記往路に沿って前記Ｌ／ＵＬ室から前記Ｈ室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運び、及び、前記復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記Ｈ室を通して前記Ｌ／ＵＬ室へ前記被処理体を運ぶ搬送装置と、
    　前記第一空間および前記第二空間の内部において、前記搬送装置を前記往路から前記復路に移す移動機構と、
    　を備えることを特徴とする成膜装置。
  2. 　前記Ｌ／ＵＬ室は、２つのドアバルブを介してＲＴ機構に接続されており、
    　前記ＲＴ機構は、第１ＲＴ機構と、第２ＲＴ機構と、第３ＲＴ機構とを備え、
    　前記第３ＲＴ機構と前記第１ＲＴ機構との間では、前記第一空間に搬送する被処理体を処理し、
    　前記第３ＲＴ機構と前記第２ＲＴ機構との間では、前記第二空間に搬送する被処理体を処理することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　前記搬送装置は、前記被処理体を縦型搬送することを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
  4. 　前記成膜ユニットが、スパッタ用のカソードであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成膜装置。
  5. 　前記成膜ユニットが、ＣＶＤ用の平行平板型の電極であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成膜装置。
  6. 　前記搬送装置は、その下部に円柱状のスライドシャフトを備え、
    　前記線路は、前記搬送装置を誘導するＵ字状の溝を備えた、複数のローラであり、
    　前記スライドシャフト又は前記ローラの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、
    　前記スライドシャフト又は前記ローラの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の成膜装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017503354A (ja) * 2013-12-23 2017-01-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板用保持アレンジメント
JP2018535550A (ja) * 2015-10-25 2018-11-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を真空処理モジュール内へロードする装置及び方法、真空処理モジュール内の真空堆積プロセスのために基板を処理する装置及び方法、並びに基板を真空処理するためのシステム
KR20190080720A (ko) 2017-12-28 2019-07-08 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 가열 장치 및 성막 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI551530B (zh) * 2014-06-09 2016-10-01 All Ring Tech Co Ltd Material handling methods and devices
US11505861B2 (en) 2017-06-08 2022-11-22 Ulvac, Inc. Substrate guide and carrier
CN114906617B (zh) * 2022-05-06 2024-03-12 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司 一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
WO2008129983A1 (ja) * 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法
JP2010209434A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2010244626A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
JP2002337028A (ja) * 2001-05-11 2002-11-26 Ntn Corp 微小部品供給装置
JP2008121806A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fukui Byora Co Ltd 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸
KR101290884B1 (ko) * 2007-12-06 2013-07-29 가부시키가이샤 알박 진공 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101299724B1 (ko) * 2008-08-29 2013-08-28 가부시키가이샤 아루박 마그네트론 스퍼터 캐소드 및 성막 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
WO2008129983A1 (ja) * 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法
JP2010209434A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2010244626A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017503354A (ja) * 2013-12-23 2017-01-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板用保持アレンジメント
JP2018535550A (ja) * 2015-10-25 2018-11-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を真空処理モジュール内へロードする装置及び方法、真空処理モジュール内の真空堆積プロセスのために基板を処理する装置及び方法、並びに基板を真空処理するためのシステム
KR20190080720A (ko) 2017-12-28 2019-07-08 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 가열 장치 및 성막 장치

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