JPS58209110A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58209110A JPS58209110A JP57091247A JP9124782A JPS58209110A JP S58209110 A JPS58209110 A JP S58209110A JP 57091247 A JP57091247 A JP 57091247A JP 9124782 A JP9124782 A JP 9124782A JP S58209110 A JPS58209110 A JP S58209110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- processing bath
- growth apparatus
- plasma vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に、プラズマ気相成長装伊、特にその真空処理槽
内壁を覆うように装着した防着板に関するものである。
内壁を覆うように装着した防着板に関するものである。
プラズマ気相成長（プラズマＣＶＤ）は、非平衡プラズ
マ中で気俸伏物質が反応して基板上に新しい闇体種を析
出する反応で半導体産業の中で急速に実用化が進められ
、特に゛アモルファスシリコン脚の生成等に有効に使用
されている。即ち、例えば真空処理室内の圧カフ七０．
１〜ｌ Ｔｏｒｒに保持しながら反応ガスを流入させる
と共に対同電極間に高周波・電界を印加してプラズーひ
発生させ、一方の電極近傍に配置し九基板に所望の膜を
生成堆積させる。
マ中で気俸伏物質が反応して基板上に新しい闇体種を析
出する反応で半導体産業の中で急速に実用化が進められ
、特に゛アモルファスシリコン脚の生成等に有効に使用
されている。即ち、例えば真空処理室内の圧カフ七０．
１〜ｌ Ｔｏｒｒに保持しながら反応ガスを流入させる
と共に対同電極間に高周波・電界を印加してプラズーひ
発生させ、一方の電極近傍に配置し九基板に所望の膜を
生成堆積させる。
ところで、このような膜は、必ずしも所定の基板上に限
らず、他の部分、例えば真空処理槽内壁にも堆積して処
理槽内を汚染する。このため、従来のプラズマ気相成長
製電においては、一般にこの生成物の処理槽への付着を
防止する目的で防着板を設け、これで処理槽内壁面を覆
っている。
らず、他の部分、例えば真空処理槽内壁にも堆積して処
理槽内を汚染する。このため、従来のプラズマ気相成長
製電においては、一般にこの生成物の処理槽への付着を
防止する目的で防着板を設け、これで処理槽内壁面を覆
っている。
ところが、この防着板に付着する生成膜は膜質が粗く、
容易に剥離して処理槽内を汚染する。従って、この防着
板は頻繁に取外して交換使用する必要があると共に、剥
離した膜が基板に付着し、基板に生成すべき所望の膜に
膜欠陥不良を生じさせる原因となる欠点があった。
容易に剥離して処理槽内を汚染する。従って、この防着
板は頻繁に取外して交換使用する必要があると共に、剥
離した膜が基板に付着し、基板に生成すべき所望の膜に
膜欠陥不良を生じさせる原因となる欠点があった。
本発明は、以上のような状況に鑑みてなきハ、たもので
あジ、その目的は、基板以外に付着した生成物の剥離を
防止し、真空処理槽内を清浄に保って欠陥の少ない膜を
生成させることが可能なプラズマ気相成長装置を提供す
ることにある。
あジ、その目的は、基板以外に付着した生成物の剥離を
防止し、真空処理槽内を清浄に保って欠陥の少ない膜を
生成させることが可能なプラズマ気相成長装置を提供す
ることにある。
このＬｌ）な目的を達成するために、本発明は、真空処
理槽内壁面を覆う防着板に加熱装置を配設したものであ
る０以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する０ 図は、本発明の一実施例を示すプラズマ気相成長装置を
示す内部構成図である０図において、真空処理槽１には
排管２を介して排ネボンプ３が接続さｊ４、このポンプ
３を作動させることにエリ内部の排気が行なわれる。反
応ガス４は、図示しないガス供給源から導入管５を通り
、基板保持具６に保持された基板７に向かって吹出され
る。基板保持具６は、電極を兼ねており、これと対向す
る電極８との間に導入部６ａを経由して高周波電圧を印
加し、グロー放ｔを生ぜしめて反にガス４を活性化し、
こｒ、に工って反応を促進して基板Ｔに所望Ω膜ヲ生成
堆積させる。この時、基板７１ｉヒータ９により加熱さ
れて２５０〜３００℃の温度に保持さｎているため、生
成される膜はその表面に強固に付着する。
理槽内壁面を覆う防着板に加熱装置を配設したものであ
る０以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する０ 図は、本発明の一実施例を示すプラズマ気相成長装置を
示す内部構成図である０図において、真空処理槽１には
排管２を介して排ネボンプ３が接続さｊ４、このポンプ
３を作動させることにエリ内部の排気が行なわれる。反
応ガス４は、図示しないガス供給源から導入管５を通り
、基板保持具６に保持された基板７に向かって吹出され
る。基板保持具６は、電極を兼ねており、これと対向す
る電極８との間に導入部６ａを経由して高周波電圧を印
加し、グロー放ｔを生ぜしめて反にガス４を活性化し、
こｒ、に工って反応を促進して基板Ｔに所望Ω膜ヲ生成
堆積させる。この時、基板７１ｉヒータ９により加熱さ
れて２５０〜３００℃の温度に保持さｎているため、生
成される膜はその表面に強固に付着する。
・ 他方基板７の上への成膜に寄与しない残留堆積物は
、周辺の防着板１０に付着する。この場合、防着板１０
にはヒータ１１が設けらｊｌ、防着板１０はこのヒータ
１１にエリ２５０〜３００℃程度に加熱されている。こ
のため、防着板１０に付着する生成堆積物は、基板１に
生成される膜と同様に強固に付着し、容易に剥離離脱し
て処理槽内金汚染することはなくなる。従って、防着板
１０の清掃交換必要頻度は著しく低下し、大幅な省力化
が可能となる。ま次、防着板１０からの剥離に起因して
基板１の上の膜に生ずる欠陥も激減し、成膜の高品質化
がはかれる。
、周辺の防着板１０に付着する。この場合、防着板１０
にはヒータ１１が設けらｊｌ、防着板１０はこのヒータ
１１にエリ２５０〜３００℃程度に加熱されている。こ
のため、防着板１０に付着する生成堆積物は、基板１に
生成される膜と同様に強固に付着し、容易に剥離離脱し
て処理槽内金汚染することはなくなる。従って、防着板
１０の清掃交換必要頻度は著しく低下し、大幅な省力化
が可能となる。ま次、防着板１０からの剥離に起因して
基板１の上の膜に生ずる欠陥も激減し、成膜の高品質化
がはかれる。
なお、上述した実施例は平行平板型電極を用いたプラズ
マ気相成長装置の場合についてのみ説明したが、本発明
はこれに限定さｊ７るものではなく、他の任意の構造の
プラズマ気相酸−長装置に適用しても同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
マ気相成長装置の場合についてのみ説明したが、本発明
はこれに限定さｊ７るものではなく、他の任意の構造の
プラズマ気相酸−長装置に適用しても同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、防着板に加熱装
置を設は次ことに＝９、その上に生成される残留堆積物
を強固に付着させ容易に剥落しない↓うにできる次め、
真空処理槽内の汚染を防止し、清掃に要する労力を節減
することができると共に、基板上に生成させる膜の品質
を向上させることができる。
置を設は次ことに＝９、その上に生成される残留堆積物
を強固に付着させ容易に剥落しない↓うにできる次め、
真空処理槽内の汚染を防止し、清掃に要する労力を節減
することができると共に、基板上に生成させる膜の品質
を向上させることができる。
図は本発明の一実施例を示す内部構造図である０１・・
・・真空処理槽、１０・Ｑ・・防着板、１１・・・・ヒ
ータ０ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
・・真空処理槽、１０・Ｑ・・防着板、１１・・・・ヒ
ータ０ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- Ｘ空処理吻の内壁面を覆うように防着板を装着したプラ
ズマ気相成長装置において、防着板に加熱装置を配置し
たことを特徴とするプラズマ気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091247A JPS58209110A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091247A JPS58209110A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209110A true JPS58209110A (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=14021087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57091247A Pending JPS58209110A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0659905A1 (en) * | 1993-12-24 | 1995-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma chemical vapor deposition device capable of suppressing generation of polysilane powder |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57091247A patent/JPS58209110A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0659905A1 (en) * | 1993-12-24 | 1995-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma chemical vapor deposition device capable of suppressing generation of polysilane powder |
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