JPS5871369A - 感光体の製造装置 - Google Patents
感光体の製造装置Info
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- JPS5871369A JPS5871369A JP16750781A JP16750781A JPS5871369A JP S5871369 A JPS5871369 A JP S5871369A JP 16750781 A JP16750781 A JP 16750781A JP 16750781 A JP16750781 A JP 16750781A JP S5871369 A JPS5871369 A JP S5871369A
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- Japan
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- vessel
- frequency electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体、特に複写機等の主要部材である電子写
真用のアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと称する
）感光体ドラム等の製造装置に関するものである。
真用のアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと称する
）感光体ドラム等の製造装置に関するものである。
近年、複写機等の感光体材料としてＳｅ系、有機光半導
体（ＯＰ Ｃ： ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏｓｅｍｉ
−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）に次いで、ａ−８ｉ系を用い
ることが試みられている。これは、ａ−８ｉ系の材料が
Ｓｅ系やＯＰＣに比べ人畜に無害である点で有利な感光
性物質であるからである。しかしながら反面、ａ−８ｉ
の薄膜の成膜速度はＳｅ系の薄膜よ９１０〜３０倍も遅
く、これがために製造コストが高価となり、ａ−８ｉ感
光体の実用化にとって大きな障害となっている。
体（ＯＰ Ｃ： ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏｓｅｍｉ
−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）に次いで、ａ−８ｉ系を用い
ることが試みられている。これは、ａ−８ｉ系の材料が
Ｓｅ系やＯＰＣに比べ人畜に無害である点で有利な感光
性物質であるからである。しかしながら反面、ａ−８ｉ
の薄膜の成膜速度はＳｅ系の薄膜よ９１０〜３０倍も遅
く、これがために製造コストが高価となり、ａ−８ｉ感
光体の実用化にとって大きな障害となっている。
従って、本発明の目的は、１つの容器内で複数の感光体
ドラム等の感光体を同時に製造することにより、特にａ
−８ｉ感光体を低コストに量産できる装置を提供するこ
とにある。
ドラム等の感光体を同時に製造することにより、特にａ
−８ｉ感光体を低コストに量産できる装置を提供するこ
とにある。
この目的を達成するために、本発明による感光体の製造
装置は、容器内においてその内壁面に沿って配列せしめ
られた複数個の高周波電極と、これら高周波電極の夫々
に近接配置された感光体基板と、分解によって各感光体
基板上に感光体材料を堆積し得る反応ガスを各高周波電
極−感光体基板間に導入するための反応ガス導入手段と
を夫々具備することを特徴としている。
装置は、容器内においてその内壁面に沿って配列せしめ
られた複数個の高周波電極と、これら高周波電極の夫々
に近接配置された感光体基板と、分解によって各感光体
基板上に感光体材料を堆積し得る反応ガスを各高周波電
極−感光体基板間に導入するための反応ガス導入手段と
を夫々具備することを特徴としている。
以下、本発明をａ−３ｉ感光体ドラムに適用した実施例
を図面について詳細に説明する。
を図面について詳細に説明する。
本実施例による感光体製造装置は直径１〜５ｍ。
高さ０．５〜２ｍのほぼ円筒状の真空槽１を具備しその
周壁外面には高周波導入時のインピーダンス整合用のマ
ツチングボックス２が多数個（例えば２２個）互いに０
．３〜１ｍの間隔を置いて尋間隔に設置されている。こ
れらマツチングボックス２の夫々に一対一に対応して真
空槽１の周壁内面に沿って、直径１０〜５０ｃ１１Ｋ、
高さ３０〜６０ｃＩＲの縦型の円筒状高周波電極３が等
間隔を置いて夫々配列せしめられている。グロー放電用
の４００ＫＨ２〜数１００ＭＨｚの高周波は高周波電源
（図示せず）から各マツチングボックス２に入シ、更に
連結管４を経て高周波電極３へ導入される。この連結管
４は水冷パイプ（図示せず）を内蔵し、また絶縁物１２
を介して真空槽１の周壁に接合されている。
周壁外面には高周波導入時のインピーダンス整合用のマ
ツチングボックス２が多数個（例えば２２個）互いに０
．３〜１ｍの間隔を置いて尋間隔に設置されている。こ
れらマツチングボックス２の夫々に一対一に対応して真
空槽１の周壁内面に沿って、直径１０〜５０ｃ１１Ｋ、
高さ３０〜６０ｃＩＲの縦型の円筒状高周波電極３が等
間隔を置いて夫々配列せしめられている。グロー放電用
の４００ＫＨ２〜数１００ＭＨｚの高周波は高周波電源
（図示せず）から各マツチングボックス２に入シ、更に
連結管４を経て高周波電極３へ導入される。この連結管
４は水冷パイプ（図示せず）を内蔵し、また絶縁物１２
を介して真空槽１の周壁に接合されている。
また反応ガスとしてのシリコン化合物ガス、例えばモノ
シラ７ （５ｉＨ４） 、５ｉｎＨ２ｎ＋２で表わされ
るダイン２ン又はトリシラン等の高級シランは連結管４
中から高周波電極３中に分岐されたガス通路５を通して
高周波電極３の内面側へ均一に吹出される。真空槽１内
は０．１〜１０ ｔｏｒｒの反応ガスで充たされた後、
各高周波電極３と、その各内側中央部に同心円状（縦）
に配置された例えばアルミニウムの各金属ドラム６との
間でグロー放電が発生せしめられる。これにょシ、シリ
コン化合物ガスがグロー放電分解され、各金属ドラム６
上にはａ−８ｉ層が同時に堆積される。各金属ドラム６
は、その内側に挿入されたシーズ線７による加熱治具８
で所定温度（例えば４５０℃以下）に加熱される一方、
スリーブ構造の支持円筒９を介して、回転軸１０の周シ
に回転できるようになっている。
シラ７ （５ｉＨ４） 、５ｉｎＨ２ｎ＋２で表わされ
るダイン２ン又はトリシラン等の高級シランは連結管４
中から高周波電極３中に分岐されたガス通路５を通して
高周波電極３の内面側へ均一に吹出される。真空槽１内
は０．１〜１０ ｔｏｒｒの反応ガスで充たされた後、
各高周波電極３と、その各内側中央部に同心円状（縦）
に配置された例えばアルミニウムの各金属ドラム６との
間でグロー放電が発生せしめられる。これにょシ、シリ
コン化合物ガスがグロー放電分解され、各金属ドラム６
上にはａ−８ｉ層が同時に堆積される。各金属ドラム６
は、その内側に挿入されたシーズ線７による加熱治具８
で所定温度（例えば４５０℃以下）に加熱される一方、
スリーブ構造の支持円筒９を介して、回転軸１０の周シ
に回転できるようになっている。
この回転によってドラム６上にはａ−８ｉが均一に堆積
し得ることになるが、この均一な堆積はドラム６に例え
ば±ｌ０ＫＶ以下の直流バイアス電圧を印加する仁とに
よっても達成可能である。上記の各加熱治具８は、真空
槽１の上端開口を塞く蓋体１１下に夫々吊下げられてお
択この蓋体１１を真空槽１の上端開口に取付ける際に各
金属ドラム６中へ上方から夫々挿入されるようになって
いる。
し得ることになるが、この均一な堆積はドラム６に例え
ば±ｌ０ＫＶ以下の直流バイアス電圧を印加する仁とに
よっても達成可能である。上記の各加熱治具８は、真空
槽１の上端開口を塞く蓋体１１下に夫々吊下げられてお
択この蓋体１１を真空槽１の上端開口に取付ける際に各
金属ドラム６中へ上方から夫々挿入されるようになって
いる。
１３は蓋体１１を吊上げるだめのワイヤである。
また、真空槽１の底壁中央部には大径の排気口１４が設
けられ、ここから残存ガスが排出される。
けられ、ここから残存ガスが排出される。
排気口１４直下にはフィルタとしてのストレーナ１５が
配置され、このストレーナを通してメカニカルブースタ
ポンプ及びこれに後続するロータリポンプ（共に図示せ
ず）にょシ排気が行なわれる。。
配置され、このストレーナを通してメカニカルブースタ
ポンプ及びこれに後続するロータリポンプ（共に図示せ
ず）にょシ排気が行なわれる。。
次に、具体的な感光体の製造例を説明する。直径２．５
ｍ、高さ１．１ｍの真空槽１の外周に３５ｃｒｎ毎に２
２箇所にマツチングボックス２を設置し、真空槽１内に
は同数の円筒電極３を配した。各電極３には３５０Ｗ、
１３．５６ＭＨｚの高周波を導入し、また反応ガスと
してＡｒ ａｏ ｃｃ ／ ｍｌ ｎ ％ Ｈ２２５０
ＣＣ７ｍ１ｎＸＳｉＨ４２０ＣＣ／ｍ１ｎＸＢ２Ｈ６５
ＣＣ／ｍｉｎを導入した。金属ドラム６の温度を２８０
’Ｃに設定した状態で８時間操作した。これによって
金属ドラム６上Ｋ 厚す１５．ａ ｍのアモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ）化合物を均一に堆積させ、各金属ド
ラムについて良好な感光体ドラムを得る仁とができた。
ｍ、高さ１．１ｍの真空槽１の外周に３５ｃｒｎ毎に２
２箇所にマツチングボックス２を設置し、真空槽１内に
は同数の円筒電極３を配した。各電極３には３５０Ｗ、
１３．５６ＭＨｚの高周波を導入し、また反応ガスと
してＡｒ ａｏ ｃｃ ／ ｍｌ ｎ ％ Ｈ２２５０
ＣＣ７ｍ１ｎＸＳｉＨ４２０ＣＣ／ｍ１ｎＸＢ２Ｈ６５
ＣＣ／ｍｉｎを導入した。金属ドラム６の温度を２８０
’Ｃに設定した状態で８時間操作した。これによって
金属ドラム６上Ｋ 厚す１５．ａ ｍのアモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ）化合物を均一に堆積させ、各金属ド
ラムについて良好な感光体ドラムを得る仁とができた。
また、排気口１４下にはフィルタとしてのストレーナ１
５を＆ｔｉｌし、１０台のメカニカルブースタポンプと
同数のロータリポンプで排気した。ン°−スタポンプ及
びロータリポンプ共に夫々１０台分を並列に接続する一
方、各１０台の両ポンプ間拡直列に接続した。
５を＆ｔｉｌし、１０台のメカニカルブースタポンプと
同数のロータリポンプで排気した。ン°−スタポンプ及
びロータリポンプ共に夫々１０台分を並列に接続する一
方、各１０台の両ポンプ間拡直列に接続した。
以上に説明したように、本実施例による装置は、円筒形
状の真空槽１０周壁内面に沿って多数の高周波電極３を
配列し、６高周波電極３内に感光体基板としての金属ド
ラム６を夫々配置しているので、１つの真空槽内で大量
の金属ドラム６上に同時にａ−８ｉをクロー放電分解に
て堆積させることができる。従って、成膜（感光体材料
の堆積）速度の遅いａ−８ｉを多数のドラム上に同時に
堆積させることができるので、個々に堆積させる場合に
比べて作業性が大幅に向上し、著しいコストダウンが図
れる。このため、ａ−８ｉ感光体の製造を実用化するこ
とかでき、この種の感光体において画期的な進歩をもた
らし得るものとなる。
状の真空槽１０周壁内面に沿って多数の高周波電極３を
配列し、６高周波電極３内に感光体基板としての金属ド
ラム６を夫々配置しているので、１つの真空槽内で大量
の金属ドラム６上に同時にａ−８ｉをクロー放電分解に
て堆積させることができる。従って、成膜（感光体材料
の堆積）速度の遅いａ−８ｉを多数のドラム上に同時に
堆積させることができるので、個々に堆積させる場合に
比べて作業性が大幅に向上し、著しいコストダウンが図
れる。このため、ａ−８ｉ感光体の製造を実用化するこ
とかでき、この種の感光体において画期的な進歩をもた
らし得るものとなる。
また、本実施例による装置社、大径の排気口するもので
あるが、このような真空操作によってａ−８ｉの成膜速
度が上昇する。真空に引いた場合には一般に厘埃、ゴミ
等が膜に付着し易くなシ、クリーンな膜を得る上で都合
が悪く、例えば半導体ウェハの処理工程では望ましくな
いとされている。しかしながら、本発明の対象とする感
光体の場合には、感光体膜に多少のゴミ等が付着しても
感光特性には実質的な影響を与えることはない。
あるが、このような真空操作によってａ−８ｉの成膜速
度が上昇する。真空に引いた場合には一般に厘埃、ゴミ
等が膜に付着し易くなシ、クリーンな膜を得る上で都合
が悪く、例えば半導体ウェハの処理工程では望ましくな
いとされている。しかしながら、本発明の対象とする感
光体の場合には、感光体膜に多少のゴミ等が付着しても
感光特性には実質的な影響を与えることはない。
このことは、槽内を真空にして操作して成膜速度を上げ
られる感光体製造装置の特殊性を示している。なお、上
記した如く金属ドラム６は縦型に配置しているだめに、
上記のゴミ等は下方へそのまま落下易くなシ、堆積する
感光体膜へは付着し難くなって有利である。更にまた、
反応ガスの均一分布、温度の均一分布の点では、金属ド
ラム６の上下にスリーブ構造の円筒体１６．９を夫々嵌
め込み、金属ドラム６がなるべく高周波電極３の内部側
へ位置するようにし°Ｃいるから、金属ドラム６へのガ
ス分布及び温度分布共にばらつきを少なくでき、質の良
い感光体膜を形成できる。
られる感光体製造装置の特殊性を示している。なお、上
記した如く金属ドラム６は縦型に配置しているだめに、
上記のゴミ等は下方へそのまま落下易くなシ、堆積する
感光体膜へは付着し難くなって有利である。更にまた、
反応ガスの均一分布、温度の均一分布の点では、金属ド
ラム６の上下にスリーブ構造の円筒体１６．９を夫々嵌
め込み、金属ドラム６がなるべく高周波電極３の内部側
へ位置するようにし°Ｃいるから、金属ドラム６へのガ
ス分布及び温度分布共にばらつきを少なくでき、質の良
い感光体膜を形成できる。
更に、本発明者は、本実施例による装置で製造される感
光体のａ−８ｉ層は特に水素含有量が多くて暗抵抗が高
く、電子写真に適していることを確認している。これは
、上記したように排気口１４が大きくて残渣ガスを効率
良く排気できること、換言すれば排気ｔが多いためにＳ
ｉ Ｈ４等の反応ガスが完全には分解されず、水素を
取込んだまま堆積し易いことによるものと考えられる。
光体のａ−８ｉ層は特に水素含有量が多くて暗抵抗が高
く、電子写真に適していることを確認している。これは
、上記したように排気口１４が大きくて残渣ガスを効率
良く排気できること、換言すれば排気ｔが多いためにＳ
ｉ Ｈ４等の反応ガスが完全には分解されず、水素を
取込んだまま堆積し易いことによるものと考えられる。
以上、本発明を例示したが上述の実施例は本発明の技術
的思想に基いて更に変形が可能である。
的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、上述した装置の各部の構造や材質は種々変更し
てよい。特に高周波電極３は必ずしも円筒状にしなくて
よく、感光体基板の有効堆積領域のみを囲む円弧状勢の
形状にすることもできる。
てよい。特に高周波電極３は必ずしも円筒状にしなくて
よく、感光体基板の有効堆積領域のみを囲む円弧状勢の
形状にすることもできる。
この場合は円弧状高周波電極の端部を絶縁被覆しておけ
ば、アーク放電を防げるので充分使用可能となる。また
高周波電極をスリット付きの断面Ｃ字状となし、そのス
リットを介して光学的に感光体膜の膜厚等を検出できる
ようにすれば、成膜状態又は条件を良好にコントロール
することができる。反応ガスの導入経路も上述したよう
に高周波電極自体に設けることなく、感光体基板にｇ４
接配置した別の導入手段からガスを導入してもよい。
ば、アーク放電を防げるので充分使用可能となる。また
高周波電極をスリット付きの断面Ｃ字状となし、そのス
リットを介して光学的に感光体膜の膜厚等を検出できる
ようにすれば、成膜状態又は条件を良好にコントロール
することができる。反応ガスの導入経路も上述したよう
に高周波電極自体に設けることなく、感光体基板にｇ４
接配置した別の導入手段からガスを導入してもよい。
また、感光体基板も上述のドラム”状に限らず、他の形
状でもよいこと紘勿論である。更に、感光体材料の堆積
方法はグロー放電以外にも、気相での熱分解（化学的気
相成長）によっても行なうことができる。但、熱分解法
の場合には、ヒーターとして上述の抵抗線に代えてグラ
ファイトヒーター等の耐熱性のあるものを用いるのがよ
い。また、上述の高周波電極の個数を変更したり、或い
はその配列も上述の１列分に限らず、何列にも（例えば
２列分を同心状に）配列することもできる。
状でもよいこと紘勿論である。更に、感光体材料の堆積
方法はグロー放電以外にも、気相での熱分解（化学的気
相成長）によっても行なうことができる。但、熱分解法
の場合には、ヒーターとして上述の抵抗線に代えてグラ
ファイトヒーター等の耐熱性のあるものを用いるのがよ
い。また、上述の高周波電極の個数を変更したり、或い
はその配列も上述の１列分に限らず、何列にも（例えば
２列分を同心状に）配列することもできる。
本発明は、上述した如く、容器内壁面に沿って高周波電
極−感光体基板の組合せを複数個配列したものであるか
ら、同一の容器内で一度に複数の感光体を製造すること
ができ、ａ−８ｉ等の感光体材料を作業性良く堆積させ
、大幅なコストダウンを図ることができる。
極−感光体基板の組合せを複数個配列したものであるか
ら、同一の容器内で一度に複数の感光体を製造すること
ができ、ａ−８ｉ等の感光体材料を作業性良く堆積させ
、大幅なコストダウンを図ることができる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は感
光体ドラム製造用の真空槽の横断面図、第２図は同真空
槽の加熱治具付き蓋体を分離した状態の正面図、第３図
は第１図のＸ−Ｘ線に沿う一部拡大縦断面図である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・・・・・・・・・・真空槽２・・・・−・・
・・・・・・・・・・・マツチングボックス３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・高周波電極４・・・・・
・・・・・・・・・・・・・連結管５・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ガス通路６・・・・・−・・・・
・・・・・・・・・金属ドラム７・−・・・・・・・・
・・・・・・・・シーズ線８・・・・・・・・・・・・
・・・・・・加熱治具１１・・・・・・・・・・・・・
・・蓋体１４・・・・・・・・・・・・・・・排気口１
５・・・・・・・・・・・・・・・ストレーナである。 第１０ ＠２図
光体ドラム製造用の真空槽の横断面図、第２図は同真空
槽の加熱治具付き蓋体を分離した状態の正面図、第３図
は第１図のＸ−Ｘ線に沿う一部拡大縦断面図である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・・・・・・・・・・真空槽２・・・・−・・
・・・・・・・・・・・マツチングボックス３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・高周波電極４・・・・・
・・・・・・・・・・・・・連結管５・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ガス通路６・・・・・−・・・・
・・・・・・・・・金属ドラム７・−・・・・・・・・
・・・・・・・・シーズ線８・・・・・・・・・・・・
・・・・・・加熱治具１１・・・・・・・・・・・・・
・・蓋体１４・・・・・・・・・・・・・・・排気口１
５・・・・・・・・・・・・・・・ストレーナである。 第１０ ＠２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、容器内においてその内壁面に沿って配列せしめられ
た複数個の高周波電極と、これら高周波電極の夫々に近
接配置された各感光体基板と、分解によって各感光体基
板上に感光体材料を堆積し得る反応ガスを各高周波電極
−感光体基板間に導入するための反応ガス導入手段とを
夫々具備することを特徴とする感光体の製造装置。 ２、各感光体基板における感光体材料の有効堆積領域を
囲む如くに各高周波電極が配置されている、特許請求の
範囲の第１項に記載した装置。 ３、円筒状の高周波電極が縦に配置され、その内側中央
部に感光体ドラムが縦に配置されている、特許請求の範
囲の第２項に記載した装置。 ４、容器の壁部を貫通し、更に高周波電極の壁部を貫通
して感光体基板側へ開口したガス通路を通してシリコン
化合物ガスが導入される、特許請求の範囲の第１項〜第
３項のいずれか１項に記載した装置。 ５、 シリコン化合物ガスのグロー放電分解によって各
感光体基板上に感光体材料が堆積せしめられる、特許請
求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記載した装
置。 ６、容器が円筒状の真空槽として構成され、その周壁内
面に沿って高周波電極−感光体基板の対が規則的な間隔
を置いて配列せしめられ、前記真空槽の底壁中央部から
排気が行なわれる、特許請求の範囲の第１項〜第５項の
いずれか１項に記載した装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750781A JPS5871369A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 感光体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750781A JPS5871369A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 感光体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871369A true JPS5871369A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15850957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16750781A Pending JPS5871369A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 感光体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871369A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4908330A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16750781A patent/JPS5871369A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
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| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
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