JPH0555152A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0555152A JPH0555152A JP21178391A JP21178391A JPH0555152A JP H0555152 A JPH0555152 A JP H0555152A JP 21178391 A JP21178391 A JP 21178391A JP 21178391 A JP21178391 A JP 21178391A JP H0555152 A JPH0555152 A JP H0555152A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応室内に形成された膜をエッチング処理した
際、エンドキャップ上部に堆積する異物を除去できるよ
うにする。 【構成】内管２と外管３とからなる反応室の一端開口部
を前記薄膜形成処理中においてエンドキャップ１０でシ
ールし、該薄膜形成処理後においてはエンドキャップ１
０の上部の堆積異物を除去するため、ケーシング１１ｂ
でエンドキャップ１０上部に異物除去室１１ｄを形成
し、この異物除去室１１ｄ内に対して、非反応ガスをラ
イン１１ｂおよび１１ｃで導入・排気することでエンド
キャップ１０上部の異物を除去する。
際、エンドキャップ上部に堆積する異物を除去できるよ
うにする。 【構成】内管２と外管３とからなる反応室の一端開口部
を前記薄膜形成処理中においてエンドキャップ１０でシ
ールし、該薄膜形成処理後においてはエンドキャップ１
０の上部の堆積異物を除去するため、ケーシング１１ｂ
でエンドキャップ１０上部に異物除去室１１ｄを形成
し、この異物除去室１１ｄ内に対して、非反応ガスをラ
イン１１ｂおよび１１ｃで導入・排気することでエンド
キャップ１０上部の異物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】図５ないし図７は従来例の半導体製造装
置の概略断面図であって、図５は、エンドキャップで反
応室の下端開口をシールしていない状態を示し、図６は
反応室内に半導体基板を投入して該シールをしている状
態を示し、図７は半導体基板を投入していない状態で該
シールをしている状態を示している。
置の概略断面図であって、図５は、エンドキャップで反
応室の下端開口をシールしていない状態を示し、図６は
反応室内に半導体基板を投入して該シールをしている状
態を示し、図７は半導体基板を投入していない状態で該
シールをしている状態を示している。
【０００３】これらの図に示される半導体製造装置はホ
ットウオール縦型反応炉であって、１は複数の半導体基
板を搭載する基板ボート、２は基板ボート１を収容し、
半導体基板を処理する反応室内の反応内管である。３は
反応内管２の外側に設けられた反応外管、４は反応外管
３の外周に設けられ、反応室を処理温度に加熱するため
の加熱用ヒータである。５は反応室内を減圧状態にする
ために、反応室端をシールするエンドキャップ、６は基
板ボート１を反応室中央に設置するための保温筒であ
る。７は反応ガスを反応室に供給する反応ガス供給ライ
ン、８は反応室内を減圧状態にし、反応ガスを排気する
反応ガス排気ラインである。９は反応室内に形成された
反応物（薄膜）を取り除くために、エッチングガスを反
応室に供給するエッチングガス供給ラインである。
ットウオール縦型反応炉であって、１は複数の半導体基
板を搭載する基板ボート、２は基板ボート１を収容し、
半導体基板を処理する反応室内の反応内管である。３は
反応内管２の外側に設けられた反応外管、４は反応外管
３の外周に設けられ、反応室を処理温度に加熱するため
の加熱用ヒータである。５は反応室内を減圧状態にする
ために、反応室端をシールするエンドキャップ、６は基
板ボート１を反応室中央に設置するための保温筒であ
る。７は反応ガスを反応室に供給する反応ガス供給ライ
ン、８は反応室内を減圧状態にし、反応ガスを排気する
反応ガス排気ラインである。９は反応室内に形成された
反応物（薄膜）を取り除くために、エッチングガスを反
応室に供給するエッチングガス供給ラインである。
【０００４】つぎに、半導体基板に対する薄膜の形成処
理について説明する。まず、図５の状態において、保温
筒６の上部に基板ボート１を設置するとともに、この基
板ボート１に半導体基板を投入する。この状態で矢印方
向にエンドキャップ５を持ち上げていくことで基板ボー
ト１を反応室内に収容してから反応室の下端開口をエン
ドキャップ５でシールして図６のようにする。
理について説明する。まず、図５の状態において、保温
筒６の上部に基板ボート１を設置するとともに、この基
板ボート１に半導体基板を投入する。この状態で矢印方
向にエンドキャップ５を持ち上げていくことで基板ボー
ト１を反応室内に収容してから反応室の下端開口をエン
ドキャップ５でシールして図６のようにする。
【０００５】図６のシール状態で排気ライン８を介して
反応室内を減圧状態にしてのち、反応ガス供給ライン７
より、半導体基板に例えば窒化膜を形成するのであれ
ば、ＳｉＨ2Ｃｌ2ーＮＨ3系の反応ガスを、また、ポリ
シリコン膜を形成するのであれば、ＳｉＨ4ーＮ2系と
か、ＳｉＨ4ーＨ2系の反応ガスを反応室に導入して、薄
膜形成処理を行う。
反応室内を減圧状態にしてのち、反応ガス供給ライン７
より、半導体基板に例えば窒化膜を形成するのであれ
ば、ＳｉＨ2Ｃｌ2ーＮＨ3系の反応ガスを、また、ポリ
シリコン膜を形成するのであれば、ＳｉＨ4ーＮ2系と
か、ＳｉＨ4ーＨ2系の反応ガスを反応室に導入して、薄
膜形成処理を行う。
【０００６】半導体基板に対しての薄膜形成の処理の終
了後は、反応室内部に残留している反応ガスを排気ライ
ン８から排気してのち、エンドキャップ５を外して図５
の状態にして、基板ボート１から半導体基板を回収す
る。
了後は、反応室内部に残留している反応ガスを排気ライ
ン８から排気してのち、エンドキャップ５を外して図５
の状態にして、基板ボート１から半導体基板を回収す
る。
【０００７】このような薄膜形成の処理を繰り返し行う
と、反応室内壁にも上記薄膜と同様な異物が堆積されて
くるが、このような異物の堆積量が増大してくると、加
熱用ヒータ４の熱効率が大きく低下してきたりして精度
の高い薄膜形成ができなくなるから、これを除去する必
要がある。
と、反応室内壁にも上記薄膜と同様な異物が堆積されて
くるが、このような異物の堆積量が増大してくると、加
熱用ヒータ４の熱効率が大きく低下してきたりして精度
の高い薄膜形成ができなくなるから、これを除去する必
要がある。
【０００８】そこで、従来ではこのような異物を除去す
るために、エンドキャップ５で反応室下端開口を図７の
ようにシールしてから反応室内にエッチンクガス供給ラ
イン９を通して例えばＣｌＦ3等のエッチングガスを供
給して異物に対してのエッチング処理を行う。このエッ
チング処理によって異物の除去が終了すると、反応室内
に残留しているエッチングガスを反応ガス排気ライン８
を通して排気する。
るために、エンドキャップ５で反応室下端開口を図７の
ようにシールしてから反応室内にエッチンクガス供給ラ
イン９を通して例えばＣｌＦ3等のエッチングガスを供
給して異物に対してのエッチング処理を行う。このエッ
チング処理によって異物の除去が終了すると、反応室内
に残留しているエッチングガスを反応ガス排気ライン８
を通して排気する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の半導体製造装置においては、エンドキャッ
プ１０の上部に異物が堆積してくるが、このような異物
については前述のエッチング処理だけでは反応室内とは
異なって有効に異物を除去することができず、薄膜の形
成の繰り返しではその異物の堆積量も増大してくるのみ
ならず、前述のエッチング処理により反応室内の内壁か
ら剥がれ落ちてきた異物も堆積してしまうという問題が
ある。このようなエンドキャップ１０上部に異物が堆積
したままこれで反応室下端開口をシールしたとしても、
そのシール作用は低下しているから薄膜の形成に支障を
来してしまったり、あるいは、加熱用ヒータ４の加熱で
エンドキャップ１０上部の異物が蒸発して半導体基板に
対する薄膜の形成精度の低下をもたらしてしまうという
不具合があった。
うな従来例の半導体製造装置においては、エンドキャッ
プ１０の上部に異物が堆積してくるが、このような異物
については前述のエッチング処理だけでは反応室内とは
異なって有効に異物を除去することができず、薄膜の形
成の繰り返しではその異物の堆積量も増大してくるのみ
ならず、前述のエッチング処理により反応室内の内壁か
ら剥がれ落ちてきた異物も堆積してしまうという問題が
ある。このようなエンドキャップ１０上部に異物が堆積
したままこれで反応室下端開口をシールしたとしても、
そのシール作用は低下しているから薄膜の形成に支障を
来してしまったり、あるいは、加熱用ヒータ４の加熱で
エンドキャップ１０上部の異物が蒸発して半導体基板に
対する薄膜の形成精度の低下をもたらしてしまうという
不具合があった。
【００１０】したがって、本発明は、エンドキャップ上
部の異物を除去する異物除去装置を設け、該異物除去装
置でエンドキャップ上部の堆積異物を有効に除去できる
ようにすることにより、エンドキャップ上部の清浄化を
図れるようにすることを目的としている。
部の異物を除去する異物除去装置を設け、該異物除去装
置でエンドキャップ上部の堆積異物を有効に除去できる
ようにすることにより、エンドキャップ上部の清浄化を
図れるようにすることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、一端開口部から内部に投入された半導体基板に薄
膜を形成処理するための反応室と、該反応室の一端開口
部を前記薄膜形成処理中においてシールするエンドキャ
ップと、該薄膜形成処理後においてエンドキャップ上部
の堆積異物を除去する堆積異物除去装置とを具備したこ
とを特徴としている。
ては、一端開口部から内部に投入された半導体基板に薄
膜を形成処理するための反応室と、該反応室の一端開口
部を前記薄膜形成処理中においてシールするエンドキャ
ップと、該薄膜形成処理後においてエンドキャップ上部
の堆積異物を除去する堆積異物除去装置とを具備したこ
とを特徴としている。
【００１２】本発明の請求項２においては、前記堆積異
物除去装置は、エンドキャップ上部空間を覆うように該
エンドキャップに取り付けられるケーシングと、該取り
付け状態にあるケーシングとエンドキャップとで囲まれ
てなる異物除去室内に非反応ガスを導入・排気する手段
とを具備したことを特徴としている。
物除去装置は、エンドキャップ上部空間を覆うように該
エンドキャップに取り付けられるケーシングと、該取り
付け状態にあるケーシングとエンドキャップとで囲まれ
てなる異物除去室内に非反応ガスを導入・排気する手段
とを具備したことを特徴としている。
【００１３】
【作用】請求項１では反応室内部に半導体基板を投入す
るとともに、エンドキャップで該反応室の一端開口部を
シールしてから、該反応室内部の半導体基板に所要の薄
膜の形成の処理を行うことで、エンドキャップ上部には
その薄膜の形成に伴った異物が堆積するが、これを異物
除去装置で除去する。その場合、請求項２では異物除去
装置をケーシングと、ガス導入・排気手段とで構成され
ているから、ケーシングをエンドキャップ上部に取り付
けて、該ケーシングとエンドキャップとで異物除去室を
構成し、この異物除去室内に非反応ガスを導入するとと
もに、排気して該エンドキャップ上部の異物を除去す
る。
るとともに、エンドキャップで該反応室の一端開口部を
シールしてから、該反応室内部の半導体基板に所要の薄
膜の形成の処理を行うことで、エンドキャップ上部には
その薄膜の形成に伴った異物が堆積するが、これを異物
除去装置で除去する。その場合、請求項２では異物除去
装置をケーシングと、ガス導入・排気手段とで構成され
ているから、ケーシングをエンドキャップ上部に取り付
けて、該ケーシングとエンドキャップとで異物除去室を
構成し、この異物除去室内に非反応ガスを導入するとと
もに、排気して該エンドキャップ上部の異物を除去す
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。図１ないし図４は、本発明の半導体製造
装置の概略断面図であって、図１は薄膜形成時およびエ
ッチング処理終了後の窒素ガス導入・排気処理の状態を
示し、図２は薄膜処理前および処理後の状態を示し、図
３は薄膜形成処理を行っている状態を示し、図４はエッ
チング処理状態を示している。これらの図において、従
来例に係る図５ないし図７と類似ないしは対応する部分
には同一の符号を付している。
細に説明する。図１ないし図４は、本発明の半導体製造
装置の概略断面図であって、図１は薄膜形成時およびエ
ッチング処理終了後の窒素ガス導入・排気処理の状態を
示し、図２は薄膜処理前および処理後の状態を示し、図
３は薄膜形成処理を行っている状態を示し、図４はエッ
チング処理状態を示している。これらの図において、従
来例に係る図５ないし図７と類似ないしは対応する部分
には同一の符号を付している。
【００１５】図１において、２は両端開口の円筒状反応
室内管、３はその反応室内管１の外部に配備された上端
有低で下端開口の円筒状反応室外管、４は反応室外管３
周囲に配備された加熱用ヒータ、６は保温筒、７は反応
ガス供給ライン、８は反応ガス排気ライン、９はエッチ
ングガス供給ラインである。
室内管、３はその反応室内管１の外部に配備された上端
有低で下端開口の円筒状反応室外管、４は反応室外管３
周囲に配備された加熱用ヒータ、６は保温筒、７は反応
ガス供給ライン、８は反応ガス排気ライン、９はエッチ
ングガス供給ラインである。
【００１６】これらは図５ないし図７で示した従来例と
同様の構成であるから、その詳しい説明は省略する。
同様の構成であるから、その詳しい説明は省略する。
【００１７】１０は前記内管２と外管３とで構成された
反応室の下端開口を、半導体基板に対する薄膜処理中に
シールするためのエンドキャップであり、このエンドキ
ャップ１０は、上面中央部における保温筒設置部１０ａ
に平坦な凹部が形成されており、その凹部によって周縁
から中央に向けて下勾配の傾斜面１０ｂが形成されてい
る。この傾斜面１０ｂはエンドキャップ１０内の異物が
外部に除去され易いようにしている。
反応室の下端開口を、半導体基板に対する薄膜処理中に
シールするためのエンドキャップであり、このエンドキ
ャップ１０は、上面中央部における保温筒設置部１０ａ
に平坦な凹部が形成されており、その凹部によって周縁
から中央に向けて下勾配の傾斜面１０ｂが形成されてい
る。この傾斜面１０ｂはエンドキャップ１０内の異物が
外部に除去され易いようにしている。
【００１８】エンドキャップ１０の傾斜面１０ｂにはそ
の円周方向の複数箇所例えば４箇所に排気ガス導入口１
０ｃ…、また該エンドキャップ１０の中央下面の１箇所
には排気ガス導出口１０ｄがあり、この排気ガス導入口
１０ｃ…と、導出口１０ｄとはエンドキャップ１０内で
それぞれ連通接続されている。
の円周方向の複数箇所例えば４箇所に排気ガス導入口１
０ｃ…、また該エンドキャップ１０の中央下面の１箇所
には排気ガス導出口１０ｄがあり、この排気ガス導入口
１０ｃ…と、導出口１０ｄとはエンドキャップ１０内で
それぞれ連通接続されている。
【００１９】１１は異物除去装置であって、この異物除
去装置１１は、ケーシング１１ａと、ガス導入ライン１
１ｂと、ガス排気ライン１１ｃとで構成されている。そ
して、ケーシング１１ａは、エンドキャップ１０の上部
に取り付けられて、該エンドキャップ１０上部空間を覆
うことでその内部に異物除去室１１ｄを形成し、また、
ガス導入ライン１１ｂは、この異物除去室１１ｄ内部に
非反応ガスとしての窒素ガスを導入し、また、ガス排気
ライン１１ｃは、エンドキャップ１０の排気ガス導出口
１０ｄに接続されることで、エンドキャップ１０の導入
口１０ｃ…、および導出口１０ｄから排気されてくる異
物除去室１１ｄ内部の非反応ガスを外部に排気するよう
になっている。
去装置１１は、ケーシング１１ａと、ガス導入ライン１
１ｂと、ガス排気ライン１１ｃとで構成されている。そ
して、ケーシング１１ａは、エンドキャップ１０の上部
に取り付けられて、該エンドキャップ１０上部空間を覆
うことでその内部に異物除去室１１ｄを形成し、また、
ガス導入ライン１１ｂは、この異物除去室１１ｄ内部に
非反応ガスとしての窒素ガスを導入し、また、ガス排気
ライン１１ｃは、エンドキャップ１０の排気ガス導出口
１０ｄに接続されることで、エンドキャップ１０の導入
口１０ｃ…、および導出口１０ｄから排気されてくる異
物除去室１１ｄ内部の非反応ガスを外部に排気するよう
になっている。
【００２０】動作を説明すると、図２のようにエンドキ
ャップ１０上部に保温筒６を配備してある状態から、該
保温筒６上に基板ボート１を設置するとともに、該基板
ボート１に半導体基板を搭載してから、エンドキャップ
１０を持ち上げていって基板ボート１を図３のように反
応室内に投入して、反応室下端開口をエンドキャップ１
０でシールする。そして、この状態で反応室内を減圧状
態にするとともに、反応ガス供給ライン７から反応ガス
を反応室に導入し、従来の技術の項で説明したような半
導体基板に対する薄膜形成の処理を行う。
ャップ１０上部に保温筒６を配備してある状態から、該
保温筒６上に基板ボート１を設置するとともに、該基板
ボート１に半導体基板を搭載してから、エンドキャップ
１０を持ち上げていって基板ボート１を図３のように反
応室内に投入して、反応室下端開口をエンドキャップ１
０でシールする。そして、この状態で反応室内を減圧状
態にするとともに、反応ガス供給ライン７から反応ガス
を反応室に導入し、従来の技術の項で説明したような半
導体基板に対する薄膜形成の処理を行う。
【００２１】このような薄膜形成の処理を終了してか
ら、反応室内壁に付着している異物を除去するために、
図４の状態でエッチングガス供給ライン９を通してエッ
チングガスを導入し、エッチング処理を行って異物の除
去をする。このようなエッチング処理の終了後に、反応
室内の残留ガスを反応ガス排気ライン８を通して排気し
て異物の除去が終了する。
ら、反応室内壁に付着している異物を除去するために、
図４の状態でエッチングガス供給ライン９を通してエッ
チングガスを導入し、エッチング処理を行って異物の除
去をする。このようなエッチング処理の終了後に、反応
室内の残留ガスを反応ガス排気ライン８を通して排気し
て異物の除去が終了する。
【００２２】以上の動作は従来例と同様である。
【００２３】本発明においては、このような反応室内壁
での異物の除去の後には、従来例では困難とされていた
エンドキャップ１０に堆積している異物を除去するため
に、図２のようにエンドキャップ１０を下げてのち、図
１のようにケーシング１１ａをエンドキャップ１０の上
部に取り付けることでエンドキャップ１０上部空間に異
物除去室１１ｄを形成し、該異物除去室１１ｄ内にガス
供給ライン１１ｂを通して非反応ガスである窒素ガスを
導入し、エンドキャップ排気ライン１１ｃから排気を行
う。このような窒素ガスの導入と排気の動作を繰り返し
行なうことで異物除去室１１ｂ内でエンドキャップ１０
上部に堆積している異物を除去する。
での異物の除去の後には、従来例では困難とされていた
エンドキャップ１０に堆積している異物を除去するため
に、図２のようにエンドキャップ１０を下げてのち、図
１のようにケーシング１１ａをエンドキャップ１０の上
部に取り付けることでエンドキャップ１０上部空間に異
物除去室１１ｄを形成し、該異物除去室１１ｄ内にガス
供給ライン１１ｂを通して非反応ガスである窒素ガスを
導入し、エンドキャップ排気ライン１１ｃから排気を行
う。このような窒素ガスの導入と排気の動作を繰り返し
行なうことで異物除去室１１ｂ内でエンドキャップ１０
上部に堆積している異物を除去する。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、エッチン
グ処理終了後、異物除去装置でエンドキャップ上部の異
物を除去して該エンドキャップの上部を清浄にすること
ができる。また、異物除去装置をケーシングと非反応ガ
ス導入・排気手段とで構成し、ケーシングでエンドキャ
ップ上部空間に異物除去室を形成し、非反応ガス導入・
排気手段でより効果的にエンドキャップ上部の異物を除
去することができる。
グ処理終了後、異物除去装置でエンドキャップ上部の異
物を除去して該エンドキャップの上部を清浄にすること
ができる。また、異物除去装置をケーシングと非反応ガ
ス導入・排気手段とで構成し、ケーシングでエンドキャ
ップ上部空間に異物除去室を形成し、非反応ガス導入・
排気手段でより効果的にエンドキャップ上部の異物を除
去することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概略
断面図であって、薄膜形成および処理終了後の窒素ガス
導入・排気処理を示している。
断面図であって、薄膜形成および処理終了後の窒素ガス
導入・排気処理を示している。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概略
断面図であって、薄膜形成処理前および処理前後を示し
ている。
断面図であって、薄膜形成処理前および処理前後を示し
ている。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概略
断面図であって、薄膜形成処理を示している。
断面図であって、薄膜形成処理を示している。
【図４】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概略
断面図であって、エッチング処理を示している。
断面図であって、エッチング処理を示している。
【図５】処理前および処理後の従来例の半導体製造装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図６】薄膜形成処理での従来例の半導体製造装置の概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】エッチング処理での従来例の半導体製造装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
１ 基板ボート ２ 反応内管 ３ 反応外管 ４ 加熱用ヒータ ７ 反応ガス供給ライン ８ 反応ガス排気ライン ９ エッチングガス供給ライン １０ エンドキャップ １１ 異物除去装置 １１ａ ケーシング １１ｂ ガス導入ライン １１ｃ ガス排気ライン １１ｄ 異物除去室
Claims (2)
- 【請求項１】 一端開口部から内部に投入された半導体
基板に薄膜を形成処理するための反応室と、該反応室の
一端開口部を前記薄膜形成処理中においてシールするエ
ンドキャップと、該薄膜形成処理後においてエンドキャ
ップ上部の堆積異物を除去する堆積異物除去装置とを具
備したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記堆積異物除去装置は、エンドキャッ
プ上部空間を覆うように該エンドキャップに取り付けら
れるケーシングと、該取り付け状態にあるケーシングと
エンドキャップとで囲まれてなる異物除去室内に非反応
ガスを導入・排気する手段とを具備したことを特徴とす
る請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21178391A JPH0555152A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21178391A JPH0555152A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555152A true JPH0555152A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16611531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21178391A Pending JPH0555152A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003173979A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Seiko Instruments Inc | 減圧気相成長装置 |
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| JP2019009370A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニングノズル付蓋体、熱処理装置及び熱処理装置用蓋体のクリーニング方法 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21178391A patent/JPH0555152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003173979A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Seiko Instruments Inc | 減圧気相成長装置 |
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| JP2019009370A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニングノズル付蓋体、熱処理装置及び熱処理装置用蓋体のクリーニング方法 |
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