JPS59151419A - 反応処理装置 - Google Patents
反応処理装置Info
- Publication number
- JPS59151419A JPS59151419A JP2482683A JP2482683A JPS59151419A JP S59151419 A JPS59151419 A JP S59151419A JP 2482683 A JP2482683 A JP 2482683A JP 2482683 A JP2482683 A JP 2482683A JP S59151419 A JPS59151419 A JP S59151419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- reactor
- suscepter
- inner cover
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反応処理装置に関し、特にＣＶＤ装置等におい
て装置稼動率の向上と異物の発生防止を図った反応処理
装置に関するものである。
て装置稼動率の向上と異物の発生防止を図った反応処理
装置に関するものである。
一般に常圧製のＣＶＤ装置では、４００℃程度の高温に
保った反応炉内にＳｉＨ４，ＰＨ３１０２のガスを供給
し、その化学反応によって被処理物（半導体ウェーハ）
上にＰＳＧ、ＮＳＧ、ＢＳＧ等の絶縁膜を形成している
。ところが、この化学反応時には反応かすとしての白色
のＳｉｎ、粉末が反応炉の内壁に付着し、この反応の繰
返しに伴なって次第に堆積されて厚さが増大される。そ
して、厚さが一定以上になるとガス流等の力を受けて反
応炉内壁から剥離され、゛胸先されたものの一部が被処
理物の表面上に異物として落下される。このため、被処
理物に形成する膜中に異物によるピンホールが発生し、
形成した膜が不良になる等の問題がある。
保った反応炉内にＳｉＨ４，ＰＨ３１０２のガスを供給
し、その化学反応によって被処理物（半導体ウェーハ）
上にＰＳＧ、ＮＳＧ、ＢＳＧ等の絶縁膜を形成している
。ところが、この化学反応時には反応かすとしての白色
のＳｉｎ、粉末が反応炉の内壁に付着し、この反応の繰
返しに伴なって次第に堆積されて厚さが増大される。そ
して、厚さが一定以上になるとガス流等の力を受けて反
応炉内壁から剥離され、゛胸先されたものの一部が被処
理物の表面上に異物として落下される。このため、被処
理物に形成する膜中に異物によるピンホールが発生し、
形成した膜が不良になる等の問題がある。
したがって従来のこの種の装置にあっては、例えば５バ
ツチ毎等の定期的に反応炉内壁を清浄して堆積物を除去
しているが、□この清浄を行なうためには反応炉の温度
降下（→３ｏｏ℃）、清浄、温度再上昇（３００℃→４
ｏｏ〜４８０℃）の手順を必要としｋければならないた
め、所定時間に約９０分を要しその効率が極めて悪いも
のになっている。また、このように反応炉の降温、昇温
を繰シ返すととは省エネルギの点からも好ましいもので
はない。
ツチ毎等の定期的に反応炉内壁を清浄して堆積物を除去
しているが、□この清浄を行なうためには反応炉の温度
降下（→３ｏｏ℃）、清浄、温度再上昇（３００℃→４
ｏｏ〜４８０℃）の手順を必要としｋければならないた
め、所定時間に約９０分を要しその効率が極めて悪いも
のになっている。また、このように反応炉の降温、昇温
を繰シ返すととは省エネルギの点からも好ましいもので
はない。
したがって本発明の目的は、反応炉内の堆積物の清浄を
容易化することにより装置全体の稼動効率を向上させ、
かつ一方では異物の発生を防止して良好な膜の形成を可
能にした反応処理装置を提供することにある。
容易化することにより装置全体の稼動効率を向上させ、
かつ一方では異物の発生を防止して良好な膜の形成を可
能にした反応処理装置を提供することにある。
この目的を達成するため一発明は反応炉内に着脱の容易
なインナカバーを反応炉内水冷却壁面に沿って配設する
ようにしたものである。
なインナカバーを反応炉内水冷却壁面に沿って配設する
ようにしたものである。
以乍、本発明を図示の実施例により説明する。
第１図及び第２図は本発明を常圧ＣＶＤ装置に適用した
例であシ、反応炉として縦型のベルジャ１を使用してい
る。即ち、とあベルジャ１は円筒容器形のベース２と、
このベース２上に被冠する円錐形のカバー３とで構成し
ており、ペース２の上側開口周縁とカバ−３８下側周縁
とを密接することにより内部を気密に保持している。前
記カバー３はその頂部に反応ガス供給口４を開設し、図
外の反応ガス源に接続される。また、ベース２にはその
底部に排気口５を設け、これを図外の排気ダクトに接続
している。そして、前記ペース２とカバー３とで構成さ
れるベルジャ１内には円板状のサセプタ６を支持柱７に
よって略水平に配設支゛持し、とのサセプタ６上には被
処理物としての半導体ウェーハ８を複数枚載置できる１
、また、サセプタ６の下側には通電により発熱して前記
サセプタ６を加熱し、更にウェーハ８を加熱するヒータ
９を配設している。
例であシ、反応炉として縦型のベルジャ１を使用してい
る。即ち、とあベルジャ１は円筒容器形のベース２と、
このベース２上に被冠する円錐形のカバー３とで構成し
ており、ペース２の上側開口周縁とカバ−３８下側周縁
とを密接することにより内部を気密に保持している。前
記カバー３はその頂部に反応ガス供給口４を開設し、図
外の反応ガス源に接続される。また、ベース２にはその
底部に排気口５を設け、これを図外の排気ダクトに接続
している。そして、前記ペース２とカバー３とで構成さ
れるベルジャ１内には円板状のサセプタ６を支持柱７に
よって略水平に配設支゛持し、とのサセプタ６上には被
処理物としての半導体ウェーハ８を複数枚載置できる１
、また、サセプタ６の下側には通電により発熱して前記
サセプタ６を加熱し、更にウェーハ８を加熱するヒータ
９を配設している。
一方、前記カバー３は前記反応ガス供給口４の下端部位
に雌ねじ１０を一体に１！定すると共く、これには中空
の雄ねじ１１を螺着できるようにする。＋た、カバー３
の内側には円錐形をしたイくナカバー１２を配設し、そ
の頂部に設けた穴臭３に前記中空雄ねじ１１を挿通して
雌ねじ１０に螺合させることによりカバー３の内面に沿
った状態でインナカバー１２を支持している。前記イン
チカバー１２は安価でかつ加工の容易な金属（ＳＵＳ）
薄板にて形成している。
に雌ねじ１０を一体に１！定すると共く、これには中空
の雄ねじ１１を螺着できるようにする。＋た、カバー３
の内側には円錐形をしたイくナカバー１２を配設し、そ
の頂部に設けた穴臭３に前記中空雄ねじ１１を挿通して
雌ねじ１０に螺合させることによりカバー３の内面に沿
った状態でインナカバー１２を支持している。前記イン
チカバー１２は安価でかつ加工の容易な金属（ＳＵＳ）
薄板にて形成している。
以上の構成によれば、ベルジャ１内に反応ガスを供給す
る一方で、かつヒータ９によりサセプタ６を介してウェ
ーハ８を加熱すれば、化学反応により生成された物質は
ウェーハ上に堆積してウェーハ表面に所要の膜を形成す
る。このとき同時に生成された物質の一部はベルジヤ１
内面に向かって飛散され、内面に沿って配設されたイン
ナカバ−１ゝ２内面に付着しかつここに堆積される。付
着、される物質の付着力は通常付着表可の一清浄度に依
存しているため、高清浄に保持したインナカバー１２へ
の付着力は大きく、シたがってインナカバーに堆積され
た物質はガス流の力を受けても容易に剥離されることは
なく、ウェーハ８上に異物として落下されることは殆ん
どない。
る一方で、かつヒータ９によりサセプタ６を介してウェ
ーハ８を加熱すれば、化学反応により生成された物質は
ウェーハ上に堆積してウェーハ表面に所要の膜を形成す
る。このとき同時に生成された物質の一部はベルジヤ１
内面に向かって飛散され、内面に沿って配設されたイン
ナカバ−１ゝ２内面に付着しかつここに堆積される。付
着、される物質の付着力は通常付着表可の一清浄度に依
存しているため、高清浄に保持したインナカバー１２へ
の付着力は大きく、シたがってインナカバーに堆積され
た物質はガス流の力を受けても容易に剥離されることは
なく、ウェーハ８上に異物として落下されることは殆ん
どない。
一方、インナカバー１２に堆積された物質の清浄を行な
う場合には、第２図のように、中空雄ねじ１１を雌ねじ
１０から取り外せば同時にインナカバー１２をカバー３
から取シ外すことができ、今度は別に用意した清浄済の
インナカバー１２を取着すればよく、取シ外したインナ
カバー１２は後にゆっくυと清浄すればよい。したがっ
て、従来の清浄方法に比較すれば、ベルジャの降温と昇
温か不要になると共に、清浄の間の装置稼動停止時間を
インナカバー１２の取換時間にのみ短縮でき、これによ
りベルジャを常に高温状態に保持して省エネルギの促進
を図ると共に、装置の稼動効率を向・上することができ
る。因みに、インチカバー１２の取換時間は５分程度で
よい。
う場合には、第２図のように、中空雄ねじ１１を雌ねじ
１０から取り外せば同時にインナカバー１２をカバー３
から取シ外すことができ、今度は別に用意した清浄済の
インナカバー１２を取着すればよく、取シ外したインナ
カバー１２は後にゆっくυと清浄すればよい。したがっ
て、従来の清浄方法に比較すれば、ベルジャの降温と昇
温か不要になると共に、清浄の間の装置稼動停止時間を
インナカバー１２の取換時間にのみ短縮でき、これによ
りベルジャを常に高温状態に保持して省エネルギの促進
を図ると共に、装置の稼動効率を向・上することができ
る。因みに、インチカバー１２の取換時間は５分程度で
よい。
ここで、前記インナカバー１２の材質にはＮｉ合金を使
用してもよく清浄効果を更に高いものにできる。また、
インナカバーの取付支持構造は前例以外の構造であって
もよい。
用してもよく清浄効果を更に高いものにできる。また、
インナカバーの取付支持構造は前例以外の構造であって
もよい。
更に前例は所謂縦型ＣＶＤ装置に適用しているがＣＶＤ
装置全般に同様に適用できる。
装置全般に同様に適用できる。
以上のように本発明の反応処理装置によれば、反応炉内
に着脱の容易なインナカバーを反応炉内面に涜って配設
しているので、反応炉内に堆積した物質の清浄はインナ
カバーを取換えるだけでよく、これによね被処理物への
異物の付着を防止できると共に装置の稼動停止時間の短
縮化を図ることができ、信頼性の高い反応処理物を得る
ことができかつ装置稼動率の向上を実現することができ
るという効果を奏する。
に着脱の容易なインナカバーを反応炉内面に涜って配設
しているので、反応炉内に堆積した物質の清浄はインナ
カバーを取換えるだけでよく、これによね被処理物への
異物の付着を防止できると共に装置の稼動停止時間の短
縮化を図ることができ、信頼性の高い反応処理物を得る
ことができかつ装置稼動率の向上を実現することができ
るという効果を奏する。
第１図は本発明装置の全体断面図、
第２図は要部の斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応炉内に設置した被処理物上に反応物質を堆積形
成する反応処理装置において、前記反応炉の内部には反
応炉内水冷却壁面に沿って配設されるインナカバーを着
脱可能に設けたことを特徴とする反応処理装置。 ２、円筒容器状のベースと、円錐状のカバーとからなる
縦型ベルジャの内部に円錐状のインナカバーをその頂部
において前記カバーに取着してなる特許請求の範囲第１
項記載の反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2482683A JPS59151419A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2482683A JPS59151419A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151419A true JPS59151419A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12148984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2482683A Pending JPS59151419A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146265A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相化学蒸着装置 |
| WO1998052213A1 (en) * | 1997-05-16 | 1998-11-19 | Applied Materials, Inc. | Reflector cover for a semiconductor processing chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352381U (ja) * | 1976-10-08 | 1978-05-04 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2482683A patent/JPS59151419A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352381U (ja) * | 1976-10-08 | 1978-05-04 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146265A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相化学蒸着装置 |
| JPH0548307B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1993-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| WO1998052213A1 (en) * | 1997-05-16 | 1998-11-19 | Applied Materials, Inc. | Reflector cover for a semiconductor processing chamber |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100198862B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| KR100744860B1 (ko) | 탑재대 구조체 및 이 탑재대 구조체를 갖는 열처리 장치 | |
| US5885356A (en) | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining | |
| CN100557777C (zh) | 气体处理装置 | |
| KR20030081177A (ko) | 단일웨이퍼처리형 화학증착장치 및 방법 | |
| JP4222086B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH09246192A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| KR20090025171A (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPS59151419A (ja) | 反応処理装置 | |
| JP2009071210A (ja) | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 | |
| JP3666952B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP3962722B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0864544A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2005336590A (ja) | 成膜装置および成膜装置を用いた成膜システム | |
| US3635757A (en) | Epitaxial deposition method | |
| JPH07142401A (ja) | 半導体デバイス製造用の成膜装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS5953211B2 (ja) | 薄膜シリコン生成装置 | |
| JP3259452B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2963145B2 (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| KR20070014276A (ko) | 히터블럭 | |
| JPS63114118A (ja) | 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置 | |
| JPS58208119A (ja) | 薄膜シリコン生成方法 | |
| JPH0345957Y2 (ja) | ||
| JP2021100030A (ja) | 基板保持体、基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2504489B2 (ja) | 化学気相成長法 |