JPS58208118A - 薄膜シリコン生成装置 - Google Patents
薄膜シリコン生成装置Info
- Publication number
- JPS58208118A JPS58208118A JP8884582A JP8884582A JPS58208118A JP S58208118 A JPS58208118 A JP S58208118A JP 8884582 A JP8884582 A JP 8884582A JP 8884582 A JP8884582 A JP 8884582A JP S58208118 A JPS58208118 A JP S58208118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- substrate
- silicon film
- wall
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＯＶＤ法による薄膜シリコン生成装置
に関する。
に関する。
第１図はそのような薄膜シリコン生成装置を示し、反応
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。サセプタ２の上に図示しない基
板を載せ、排気口４よりは直流電圧を印加してグロー放
ｔを発生させる。！！：、モノシラ／か分解しサセプタ
２の内蔵するヒータによって刀ｌＪ熱された基板上にア
モルファスシリコン（ａ−８ｉ）の薄膜が形成される。
室１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向
する電極３が存在する。サセプタ２の上に図示しない基
板を載せ、排気口４よりは直流電圧を印加してグロー放
ｔを発生させる。！！：、モノシラ／か分解しサセプタ
２の内蔵するヒータによって刀ｌＪ熱された基板上にア
モルファスシリコン（ａ−８ｉ）の薄膜が形成される。
し力１しこの場、合、ａ−８ｊは反応室１の壁１１にも
付着し、これか厚くなるとはがれて落下する。このＳｉ
の落下は壁１１の温度上昇が最大であるａ −８ｉ膜成
長前か最も多い。これはサセプタ２からの熱放射によっ
て壁１１が暖められ、サセプタ２がａ −８ｉ膜成長温
度に到達した時ζこ壁１１の温度上昇が最大になるから
である。格下したＳｉ膜子の一部がサセプタ２の上に置
かれた基板上に付着する。この微小なａ−Ｓｉ粒子の上
にａ−８ｉ膜が成長するので、これがピンホールなどの
欠陥の原因となり、歩留りの本発明の目的は、このよう
な反応室の壁力）らのシリコン粒子の基板面への落下の
ない、歩留りの高い薄膜シリコン生成装置を提供するこ
とにある。
付着し、これか厚くなるとはがれて落下する。このＳｉ
の落下は壁１１の温度上昇が最大であるａ −８ｉ膜成
長前か最も多い。これはサセプタ２からの熱放射によっ
て壁１１が暖められ、サセプタ２がａ −８ｉ膜成長温
度に到達した時ζこ壁１１の温度上昇が最大になるから
である。格下したＳｉ膜子の一部がサセプタ２の上に置
かれた基板上に付着する。この微小なａ−Ｓｉ粒子の上
にａ−８ｉ膜が成長するので、これがピンホールなどの
欠陥の原因となり、歩留りの本発明の目的は、このよう
な反応室の壁力）らのシリコン粒子の基板面への落下の
ない、歩留りの高い薄膜シリコン生成装置を提供するこ
とにある。
この目的は反応室の壁が加熱体を備え、壁の円面が積層
された金属箔によって榎われることにより連成される。
された金属箔によって榎われることにより連成される。
以下第２図を引用して本発明の実施例について説明する
。第２図に示すように反応室の側壁１１ｌ ？ 取り付けられて、９１１１壁１１の内面を榎っている。
。第２図に示すように反応室の側壁１１ｌ ？ 取り付けられて、９１１１壁１１の内面を榎っている。
反応室１内における薄膜シリコン生成過程の際に、膜は
箔の温度が上昇しているため箔に強く付層しているが、
付着量が多くなるとはがれて基板上にので、基板上に生
成されるシリコン薄膜に欠陥が生ずることがない。
箔の温度が上昇しているため箔に強く付層しているが、
付着量が多くなるとはがれて基板上にので、基板上に生
成されるシリコン薄膜に欠陥が生ずることがない。
第２図の例では、金塊箔７が反応室側壁１１の内面のみ
を後っているが、電気的な条件の許す範澱で、反応室１
の天井あるいは底面も後って表面の払から順次はがして
いけば、反応室の肩浄夏を特開昭５８−２０８１１８
（２） さらに高めることができる。
を後っているが、電気的な条件の許す範澱で、反応室１
の天井あるいは底面も後って表面の払から順次はがして
いけば、反応室の肩浄夏を特開昭５８−２０８１１８
（２） さらに高めることができる。
以上述べたように、本発明は薄膜シリコン生成装置の反
応室の円面を積層した箔で榎い、その箔の温虻を上昇さ
せてシリコン膿を仮く何層させるとともに、付着量か多
くなってはがれて落ちるようになる前に表面の箔をはが
しとり、これを順次繰返すことにより反応室の内面をつ
ねに落下する付着物の無い清浄な状態に保つもので、こ
れによって所定の基板上に欠陥のないシリコン薄膜を歩
留り高く生成することができ、アモルファスシリコン太
陽電池などの製造に極めて有効に適用できる。
応室の円面を積層した箔で榎い、その箔の温虻を上昇さ
せてシリコン膿を仮く何層させるとともに、付着量か多
くなってはがれて落ちるようになる前に表面の箔をはが
しとり、これを順次繰返すことにより反応室の内面をつ
ねに落下する付着物の無い清浄な状態に保つもので、こ
れによって所定の基板上に欠陥のないシリコン薄膜を歩
留り高く生成することができ、アモルファスシリコン太
陽電池などの製造に極めて有効に適用できる。
−・−第１図は従来の薄膜シリコン生成装置の一例の断
面図、第２図は本発明の一実施例の断面図である０ ・１：反応室、２：サセプタ、３：対向電極、６：ヒー
タ、７：金属箔。 手続補正書（方式） 昭和タフ年／７月２５日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−８８８４５２発明の名称
薄膜シリコン生成装置 特許請求の範囲及び譲渡ら ６、補正の内容 別紙の通り 補 正 の 内 容 ｌ明細書第１頁第３行目より第８行目までを、下記のと
おり訂正する。 「２特許請求の範囲
面図、第２図は本発明の一実施例の断面図である０ ・１：反応室、２：サセプタ、３：対向電極、６：ヒー
タ、７：金属箔。 手続補正書（方式） 昭和タフ年／７月２５日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−８８８４５２発明の名称
薄膜シリコン生成装置 特許請求の範囲及び譲渡ら ６、補正の内容 別紙の通り 補 正 の 内 容 ｌ明細書第１頁第３行目より第８行目までを、下記のと
おり訂正する。 「２特許請求の範囲
Claims (1)
- １）真空排気された反応室内においてグロー放電−ｔｐ
生させ、導入された反応ガスを分解して加熱された基板
上にシリコン薄膜を生成するものにおいて、反応室の壁
が加熱体を備え、壁の内面が積層された金属箔によって
覆われたことを特徴とする薄膜シリコン生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884582A JPS58208118A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884582A JPS58208118A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208118A true JPS58208118A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=13954303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8884582A Pending JPS58208118A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58208118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246814A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP8884582A patent/JPS58208118A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246814A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
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