DE3811068C2 - Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben - Google Patents

Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben

Info

Publication number
DE3811068C2
DE3811068C2 DE19883811068 DE3811068A DE3811068C2 DE 3811068 C2 DE3811068 C2 DE 3811068C2 DE 19883811068 DE19883811068 DE 19883811068 DE 3811068 A DE3811068 A DE 3811068A DE 3811068 C2 DE3811068 C2 DE 3811068C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier body
underside
gap
ring
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19883811068
Other languages
English (en)
Other versions
DE3811068A1 (de
Inventor
Helmut Dipl Ing Floedl
Gerhard Weiher
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Temic Telefunken Microelectronic GmbH filed Critical Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority to DE19883811068 priority Critical patent/DE3811068C2/de
Publication of DE3811068A1 publication Critical patent/DE3811068A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3811068C2 publication Critical patent/DE3811068C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flä­ chenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben, wo­ bei zur Bearbeitung diese Körper mittels der Vorrichtung in ein flüssiges Medium getaucht werden.
Aus der DE 30 27 934 A1 ist eine Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von Halbllei­ terscheiben bekannt, bei der zur Erzeugung eines rotierenden Gaskissens ein Drehteller mit einer luftdurchströmten Zentrumsbohrung aufweist, so daß durch die Rotation des Tellers die Halbleiterscheibe schwebend mitgenom­ men wird. Die Bearbeitung mit einem flüssigen Medium erfolgt von oben, wobei die am Rand abströmende Luft verhindert, daß das flüssige Medium an die Unterseite der Scheibe gelangt. Ferner weist der Drehteller am Rand einen Anschlagbügel auf, so daß ein Abdrif­ ten der Halbleiterscheibe verhindert wird.
In der DD 2 27 561 A1 ist ebenfalls zur einseitigen Bearbeitung von Halbleiter­ scheiben ein Drehteller beschrieben, der jedoch als Vakuumhalter ausgebil­ det ist. Hierzu weist dieser Drehteller in seiner Antriebswelle eine Zentrums­ bohrung auf, so daß bei Aufliegen der Halbleiterscheibe auf dem Drehteller ein Unterdruckkanal entsteht. Weiterhin ist diese bekannte Vorrichtung so ausgebildet, daß die nicht von dem Drehteller bedeckte Rückseite der Halb­ leiterscheibe unter Ausbildung eines Spaltes von einem gasförmigen Medium umströmt wird, so daß mit Sicherheit jegliche Bearbeitung der Rückseite der Halbleiter­ scheibe unterbleibt.
Weiterhin ist aus der US 4 557 785 eine Vorrichtung zur Bear­ beitung von Halbleiterscheiben mit einem flüssigen Medium bekannt, wonach diese Halbleiterscheibe von einer aus einem Unter- und Oberteil bestehenden Prozeßkammer aufge­ nommen wird. Das zur Bearbeitung erforderliche flüssige Medium wird einerseits durch eine zentrale Öffnung des kreisförmig ausgebildeten Unterteils in die Prozeßkammer geführt als auch durch kreisförmig um diese zentrale Öffnung angeordnete Düsen in die Prozeßkammer injiziert, wobei diese Düsen gegenüber der Ebene des Unterteils so geneigt sind, daß die Halbleiterscheibe in Drehbewegung versetzt wird. Der Vorteil dieser bekann­ ten Anordnung liegt darin, daß gleichzeitig beide Seiten der Halbleiterscheibe prozessierbar sind.
Aus der US 4 339 297 ist eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer auf einer Seite einer Halbleiterscheibe aufgebrachten Oxidschicht bekannt, die aus einem be­ cherförmigen Behälter aufgebaut ist, der am Boden eine Öffnung zum Zu­ führen eines flüssigen Mediums aufweist. Die zu bearbeitende Halbleiterscheibe wird so über dem Behälter gehalten und mittels einer Vakuum-Haltevorrich­ tung in Rotationen versetzt, daß nur die den Oxidfilm aufweisende Seite der Halbleiterschicht von dem flüssigen Medium benetzt wird. Da die Haltevor­ richtung die nicht zu bearbeitende Oberfläche der Halbleiterscheibe ganzflä­ chig bedeckt, kommt diese Seite nicht mit dem flüssigen Medium in Kontakt. Um die mit dem Oxidfilm versehene Oberfläche der Halbleiterscheibe mit dem flüssigen Medium in Kontakt zu halten, muß ständig flüssiges Medium in den Behälter nachge­ führt werden, da erst durch das Überlaufen des flüssigen Mediums aus dem Behälter dieses in Kontakt mit der Oberfläche der Halbleiterscheibe kommt.
Auch aus der US 4 603 867 ist eine Vakuum-Haltevorrichtung für Halbleiter­ scheiben bekannt, die aus einem Drehteller besteht, der am äußeren Rand einen O-Ring aufweist. Auf diesen O-Ring wird die zu bearbeitende Halblei­ terscheibe aufgelegt und dadurch gehalten, daß in dem Raum zwischen dem Drehteller und der Halbleiterscheibe ein Unterdruck erzeugt wird.
Schließlich ist in der Druckschrift IBM TDB Vol. 17, No. 3, Aug. 1974, Seiten 922-923 eine Haltevorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben bekannt. Bei dieser Vorrichtung wird unter Ausnutzung des Bernoully-Effektes eine Platte über eine Zentrumsöffnung mit Wasser überspült, so daß eine auf dem dadurch entstehenden Wasserfilm schwimmende Halbleiterplatte ge­ halten wird. Somit wird ausschließlich die freie Oberfläche dieser Halbleiter­ platte bearbeitet, da die der Trägerplatte zugewandte Oberfläche dieser Halbleiterscheibe ausschließlich mit dem nachfließenden Wasser in Kontakt kommt.
Der Nachteil dieser bekannten Vorrichtungen liegt in deren aufwendigem Aufbau und führen somit zu hohen Herstellungskosten einer solchen Vor­ richtung.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine einfache und kosten­ günstig herzustellende Vorrichtung zum besonders zuverlässigen einseitigen Bearbeiten von ausge­ dehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben, durch ein flüssiges Medium anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentan­ spruchs 1 gelöst.
Hiernach ist zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Kör­ pern, insbesondere von Halbleiterscheiben, durch ein flüssiges Medium ein scheibenförmiger Trägerkörper vorgesehen, dessen Unterseite kongruent zur nicht zu bearbeitenden Seitenfläche des Körpers ist und eine durchge­ hende Zentrumsbohrung aufweist, die auf der Unterseite des Trägerkörpers von einem O-Ring zur Abstandsfixierung des Körpers zum Trägerkörper der­ art umgeben ist, daß bei Anliegen des Körpers am O-Ring der Körper mittels Erzeugen eines Unterdrucks durch Absaugen der Luft aus dem durch den O-Ring gebildeten Raum durch die Zentrumsbohrung unter Ausbildung eines engen Spaltes zwischen dem Körper und dem Trägerkörper fixiert ist. Ferner enthält der Trägerkörper zur Einleitung eines gasförmigen Mediums in den Spalt ein Leitungssystem mit ersten Austrittsöffnungen und einer zweiten Austrittsöffnung jeweils auf der Unterseite des Trägerkörpers, wobei die ersten Austrittsöffnungen kreisförmig um den O-Ring angeordnet sind und die zweite Austrittsöffnung spaltförmig ausgebildet ist und als vollständige Um­ randung der Unterseite des Trägerkörpers eng benachbart zu deren äuße­ ren Rand verläuft.
Zweckmäßige Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind den Unteransprüchen entnehmbar.
Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert. Hierbei zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 2 eine Druckverteilung in dem Spaltzwischenraum der Vorrich­ tung gemäß Fig. 1 in Abhängigkeit des Ortes,
Fig. 3 eine Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 4 eine Druckverteilung in dem Spaltzwischenraum der Vorrich­ tung gemäß Fig. 3 in Abhängigkeit des Ortes,
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung des Träger­ körpers der erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß Fig. 3 und 4, und
Fig. 6 eine Schnittdarstellung einer vorteilhaften Variante der erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß Fig. 3 und 4.
In den Figuren sind jeweils die entsprechenden Teile bzw. Größen mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Fig. 1 zeigt schematisch eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispieles einer Vorrichtung zur Darstellung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Diese Vorrichtung be­ steht aus einem Trägerkörper 8, der den einseitig zu bearbeitenden Körper 1, beispielsweise eine Halbleiter­ scheibe, so aufnimmt und fixiert, daß sich zwischen der nicht zu bearbeitenden oberen Seitenfläche 2 des Kör­ pers 1 und der Unterseite 9 des Trägerkörpers 8 ein enger Spalt 6 ausbildet. Durch eine im Zentrum des Trä­ gerkörpers 8 angebrachte Bohrung 16 wird ein gasförmi­ ges Medium 5, beispielsweise Stickstoff, in den Spalt 6 eingeleitet. Diese Anordnung, bestehend aus dem Träger­ körper 8 mit dem Körper 1, ist zur Bearbeitung der unte­ ren Seitenfläche 3 des Körpers 1 nahezu vollständig in ein flüssiges Medium 4, beispielsweise eine Ätzflüs­ sigkeit, eingetaucht, das sich in einem Becken 7 befin­ det. Im eingetauchten Zustand wird nun die Zufuhr des gasförmigen Mediums 5 derart gesteuert, daß das flüs­ sige Medium von der nicht zu bearbeitenden Seitenfläche 2 des Körpers 1 verdrängt wird, daß sich also in den Spalt 6, zwischen der Unterseite 9 des Trägerkörpers 8 und der Oberseite des Körpers 1, ein Gaspolster ausbil­ det. Hierbei muß sich in diesem Spalt 6 eine solche Druckverteilung ausbilden, daß die Strömungsrichtung des gasförmigen Mediums 5 in radialer Richtung vom Zen­ trum des Körpers 1 nach außen auf dessen Rand hin er­ folgt. Ein entsprechendes Diagramm zur Druckverteilung in dem Spalt 6 ist in der Fig. 2 dargestellt, wonach der statische Druck innerhalb des Spaltes 6 in Abhängig­ keit des Durchmessers D aufgetragen ist. Der Nullpunkt des Koordinatensystems stimmt hierbei mit dem Mittel­ punkt des Körpers 1 überein. Die Druckverteilung über den Durchmesser D des Körpers 1 zeigt einen parabelför­ migen Verlauf, wobei der Druck im Mittelpunkt am größten ist und beidseitig bis zum jeweiligen Rand D/2 bzw. -D/2 auf einen Wert abnimmt, der größer als der hydro­ statische Druck Ph an dieser Stelle sein muß, um ein Eindringen der Flüssigkeit 4 in den Spaltzwischenraum 6 zu verhindern. Das Gas 5 steigt nach Passieren des Spaltrandes unter Blasenbildung zur Oberfläche des flüs­ sigen Mediums 4 auf. Da dieses Verfahren ein Eindringen der Flüssigkeit 4 in den Spaltzwischenraum 6 verhindert, wird nur die Unterseite 3 des Körpers 1 durch das flüs­ sige Medium 4 bearbeitet. Falls dieses flüssige Medium eine Ätzflüssigkeit ist, wird somit nur eine Seite, beispielsweise einer Halbleiterscheibe, geätzt.
Die Fig. 3 und 5 zeigen eine Ausführung der Vorrich­ tung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, wonach im Trägerkörper 8 sowohl ein Mittel zur Fixie­ rung des zu bearbeitenden Körpers 1 und zur Ausbildung des engen Spaltes 6 zwischen der nicht zu bearbeitenden oberen Seitenfläche 2 des Körpers 1 und der Unterseite 9 des Trägerkörpers 8 als auch ein Leitungssystem 12 zur Einleitung des gasförmigen Mediums 5 in den Spalt 6 vorgesehen ist. Das Mittel besteht in einem O-Ring 11, der besonders gut in der Fig. 3 sichtbar ist und des­ sen Mittelpunkt mit der durch den Trägerkörper 8 durch­ gehenden Zentrumsbohrung 10 zusammenfällt. Bei sattem Anliegen des Körpers 1 an diesem O-Ring 11 wird durch Absaugen der Luft aus der Zentrumsbohrung 10 ein Unter­ druck in dem durch den O-Ring gebildeten und abgedich­ teten Raum 15 erzeugt, wodurch der Körper 1 angesaugt wird und somit fest mit dem Trägerkörper 8 verbunden ist. Der O-Ring 11 weist ferner eine solche Dicke auf, daß hierdurch ein Spalt 6 mit einer Breite 1 2 von ca. 0,1 mm gebildet wird. Das Leitungssystem 12 ist so aus­ gebildet, daß die auf der Unterseite 9 des Trägerkör­ pers 8 angeordneten Austrittsöffnungen 13 und 14 - sie­ he insbesondere Fig. 5 - in einem horizontalen Lei­ tungssystem münden, das an einer Stelle eine Leitung zur Oberseite des Trägerkörpers 8 aufweist, der als Gaseinlaß 16 zur Zuführung des gasförmigen Mediums 5 Verwendung findet. Die Austrittsöffnungen 13 sind mit einem Durchmesser von ca. 1,5 mm ausgeführt und zu meh­ reren kreisförmig um den O-Ring 11 angeordnet, wie aus der Fig. 3 zu ersehen ist. Eine spaltförmige Austritts­ öffnung 14 umrundet die Unterseite 9 des Trägerkörpers 8 mit einem Abstand 1 1 von ca. 2 mm deren äußeren Rand, wobei die Spaltbreite dieser Austrittöffnung 14 in ei­ nem Bereich zwischen 0,1 bis 0,2 mm liegt. Das mit ei­ nem Druck von ca. 1,5 bar in den Spalt 6 durch die Aus­ trittsöffnungen 13 und 14 eingeleitete gasförmige Me­ dium 5 verhindert - insbesondere auch durch die vorhang­ artig wirkende Austrittsöffnung 14 - in hervorragender Weise das Eindringen des flüssigen Mediums 4 in diesen Spalt 6, wobei die Druckverteilung durch das Diagramm der Fig. 4 beschrieben wird. Im Bereich des O-Ringes 11, also zwischen dem Bereich d/2 und -d/2 besteht na­ türlich gegenüber dem Luftdruck Po ein Unterdruck Pu von ca. 1 bar, während der Druck zwischen d/2 und D/2 bzw. -d/2 und -D/2 aufgrund der Austrittsöffnungen 13 und 14 auf einem nahezu konstanten Wert von ca. 1,5 bar gehalten wird, der größer ist als der bei einer in ein flüssiges Medium 4 gemäß Fig. 1 eingetauchten Vorrich­ tung sich aufbauende hydrostatische Druck Ph. Der Trä­ gerkörper 8 besteht beispielsweise aus Teflon® und weist eine Dicke von ca. 12 mm auf, wobei die Stirnseiten 17 keilförmig ausgebildet sind. Dies wirkt dann vorteil­ haft, wenn diese Vorrichtung zum einseitigen Ätzen von Halbleiterscheiben in einer Ätzflüssigkeit verwendet wird, wodurch an den Rändern des Trägerkörpers 8 ent­ stehende Ätzspritzer vermieden werden. In diesem Anwen­ dungsfall besteht der O-Ring 11 aus einem säurebestän­ digen Material.
Die gemäß der Fig. 5 dargestellte Austrittsöffnung 14 steht senkrecht auf der Unterseite 9 des Trägerkörpers 8. Diese Austrittsöffnung 14 kann auch so ausgeführt sein, daß gemäß der Fig. 6 der in dieser Öffnung flie­ ßende Gasstrom einen spitzen Winkel zur Unterseite 9 bildet, um hierdurch eine laminare Strömung nach außen auf den Rand hin zu fördern.
Wie schon oben erwähnt wurde, kann diese erfindungsge­ mäße Vorrichtung mit Vorteil zum einseitigen Ätzen von Halbleiterscheiben eingesetzt werden, in dem die Anord­ nung gemäß Fig. 1 in ein Ätzflüssigkeit enthaltendes Becken eingetaucht wird. Auch sind weitere Anwendungen naheliegend, wie beispielsweise einseitiges Galvanisie­ ren oder Beschichten von scheibenförmigen Werkstücken. Ferner ist auch die Bearbeitung von Gläsern mit dieser Vorrichtung denkbar.
Um große Stückzahlen von Körpern, insbesondere Halblei­ terscheiben, einseitig bearbeiten zu können, wird eine entsprechende Anzahl solcher Vorrichtungen, bestehend aus einem Trägerkörper mit dem zu bearbeitenden Körper, in einem mit Flüssigkeit gefüllten Becken übereinander angeordnet, wobei je nach hydrostatischem Druck, der abhängig ist von der über dem zu bearbeitenden Körper stehenden Flüssigkeitssäule, gesonderte Gaszuführungen zu den Trägerkörpern hergestellt werden müssen, die mit unterschiedlichen Gasdrücken beaufschlagt sind.

Claims (9)

1. Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten, eine obere und untere Seitenfläche (2, 3) aufweisende Körper (1), insbeson­ dere von Halbleiterscheiben, mit folgenden Merkmalen:
  • a) es ist ein scheibenförmiger Trägerkörper (8) zur Aufnahme des Kör­ pers (1) vorgesehen, dessen Unterseite (9) kongruent zur nicht zu be­ arbeitenden Seitenfläche (2) des Körpers (1) ist, wobei zur einseitigen Bearbeitung des Körpers (1) dieser zusammen mit dem Trägerkörper (8) in ein flüssiges Medium getaucht wird,
  • b) zur Fixierung des Körpers (1) an der Unterseite des Trägerkörpers (8) mittels Unterdruckes weist dieser Trägerkörper (8) eine durchgehende Zentrumsbohrung (10) auf, die auf der Unterseite (9) des Träger­ körpers (8) von einem O-Ring (11) zur Bildung eines engen Spaltes (6) zwischen der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) und dem Körper (1) ausgebildet ist, wobei zur Erzeugung des Unterdruckes in dem durch den O-Ring (11), der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) und der nicht zu bearbeitenden Seitenfläche (2) des Körpers (1) gebildeten Raum über die Zentrumsbohrung (10) die Luft aus diesem Raum (15) abge­ saugt wird und
  • c) der Trägerkörper (8) weist zur Einleitung eines gasförmigen Mediums (5) in den Spalt (6) ein Leitungssystem (12) auf, dessen erste Austritts­ öffnungen (13) und eine zweite Austrittsöffnung (14) auf der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) derart angeordnet sind, daß die ersten Austrittsöffnungen (13) kreisförmig um den O-Ring (11) liegen und die zweite Austrittsöffnung (14) spaltförmig ausgebildet ist und als voll­ ständige Umrandung der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) eng be­ nachbart zu deren äußeren Rand verläuft.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Austrittsöffnungen (13) kreisförmig ausgebildet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Austrittsöffnungen (13) einen Durchmesser von ca. 1,5 mm aufweisen.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die spaltförmige zweite Austrittsöffnung eine Breite von ca. 0,1-0,2 mm aufweist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Austrittsöffnung (14) in einem Abstand von ca. 2 mm vom äußeren Rand der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) verläuft.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper (1) in einem Abstand von ca. 0,1 mm von der Unterseite (9) des Trägerkörpers (8) fixiert ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Medium (5) mit einem Druck von ca. 1,5 bar in das Leitungssystem (12) des Trägerkörpers (8) eingeleitet wird.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß in dem durch den O-Ring (11) gebildeten Raum (15) ein Unterdruck von ca. 0,5 bar erzeugt wird.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnseiten (17) des Trägerkörpers (8) keilförmig ausgebildet sind.
DE19883811068 1988-03-31 1988-03-31 Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben Expired - Fee Related DE3811068C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883811068 DE3811068C2 (de) 1988-03-31 1988-03-31 Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883811068 DE3811068C2 (de) 1988-03-31 1988-03-31 Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3811068A1 DE3811068A1 (de) 1989-10-12
DE3811068C2 true DE3811068C2 (de) 1995-07-20

Family

ID=6351217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19883811068 Expired - Fee Related DE3811068C2 (de) 1988-03-31 1988-03-31 Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3811068C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19621399A1 (de) * 1996-05-28 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen eines Halbleitersubstrats sowie Ätzanlage
DE10313127B4 (de) * 2003-03-24 2006-10-12 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2934565B2 (ja) * 1993-05-21 1999-08-16 三菱電機株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
RU2075135C1 (ru) * 1995-01-13 1997-03-10 Акционерное общество Научно-производственная фирма "А3" Установка для плазмоструйной обработки пластин
DE112004002879A5 (de) * 2004-03-22 2007-05-24 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD78287A (de) *
DE3027934A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben
US4339297A (en) * 1981-04-14 1982-07-13 Seiichiro Aigo Apparatus for etching of oxide film on semiconductor wafer
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4603867A (en) * 1984-04-02 1986-08-05 Motorola, Inc. Spinner chuck
DD227561A1 (de) * 1984-10-01 1985-09-18 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Vorrichtung zur einseitigen nasschemischen bearbeitung von scheibenfoermigen werkstuecken

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19621399A1 (de) * 1996-05-28 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen eines Halbleitersubstrats sowie Ätzanlage
US5874366A (en) * 1996-05-28 1999-02-23 Siemens Aktiengesellschaft Method for etching a semiconductor substrate and etching system
DE10313127B4 (de) * 2003-03-24 2006-10-12 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3811068A1 (de) 1989-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69528387T2 (de) Herstellung elektrischer leitungen durch löcher
DE69719882T2 (de) Abtrennungsverfahren für Platten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3717969C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von definierten Bodenschubspannungen
DE19654903A1 (de) Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE2721086A1 (de) Verfahren zum abaetzen einer siliziumdioxidschicht von einer unterlage
DE10325020A1 (de) Verfahren zum Versiegeln eines Halbleiterbauelements und eine Vorrichtung, die das Verfahren ausführt
DE3241184A1 (de) Leistungs-mos-fet
DE2223922C2 (de) Kontaktvorrichtung für ein Meßinstrument
DE3811068C2 (de) Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben
DE19548115C2 (de) Elektrochemisches Ätzverfahren für ein Halbleitersubstrat sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2839044C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Schottky-Sperrschicht
DE1915714C3 (de) Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb
DE2736000A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur chemischen behandlung einer einzelnen seite eines werkstueckes
DE102019128479A1 (de) Befestigungssystem, Halteplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE2139017A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum chemischen Atzen von Oberflachen
DE102014211555A1 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Kavität und Bauelement mit einer Kavität
DE3620223C2 (de)
DE3820591A1 (de) Vorrichtung zum nassaetzen von duennen filmen
DE3114181C2 (de)
DE2538652A1 (de) Elektrolytisches feinbohrverfahren
DE9011675U1 (de) Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung und Galvanisierung von plattenförmigem Material
DE3731787A1 (de) Anordnung von mehreren ic's auf einem bandstreifen aus isoliermaterial
EP1687847B1 (de) Anordnung elektronischer halbleiterbauelemente auf einem trägersystem zur behandlung der halbleiterbauelemente mit einem flüssigen medium
DE10315068B3 (de) Verfahren zum Entfernen einer Opferschicht und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3118665A1 (de) Geraet zur linearen ueberdruck-schichtchromatographie

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8120 Willingness to grant licenses paragraph 23
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBR

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee