JP4656280B2 - 堆積チャンバ内のサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法およびサセプタ - Google Patents
堆積チャンバ内のサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法およびサセプタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4656280B2 JP4656280B2 JP2003519973A JP2003519973A JP4656280B2 JP 4656280 B2 JP4656280 B2 JP 4656280B2 JP 2003519973 A JP2003519973 A JP 2003519973A JP 2003519973 A JP2003519973 A JP 2003519973A JP 4656280 B2 JP4656280 B2 JP 4656280B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaft
- pressure
- hollow core
- susceptor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
発明の背景
本発明は、一般的には半導体の製造および堆積チャンバの分野に関する。より詳細には、本発明は堆積プロセス中にサセプタの平面性を改良する方法に関する。
例えば半導体ウェーハやガラスプレート等の基板上への、絶縁体、導体、誘電体等の層としての薄膜の製造は様々な堆積プロセスによってなされる。これら堆積プロセスの中でも、化学的気相堆積（ＣＶＤ）および物理的堆積（ＰＶＤまたはスパッタリング）プロセスは一般的であり、両プロセス共に、より特化した堆積手段を含んでいる。このようなプロセスを基板へ適用するには、得られた堆積薄膜が、その目的とする使途のために、とりわけ、最高品質の形状追従性、基板全体にわたる堆積レートの均一性、厚さ均一性、および膜の平滑性等を持つような手法を用いて、堆積チャンバ内へ基板を配置する必要がある。
これらの堆積手法を用いて基板を処理するために、基板を受け入れるように構成されたサセプタを有する真空チャンバを設けてもよい。サセプタは、製造ステップ、例えばＣＶＤ、のための処理チャンバの内部に基板を保持する機械的部品である。例えば、ＣＶＤ装置は堆積チャンバ内に位置決めされたサセプタを含む。サセプタの支持プレートがガラスパネルや半導体ウェーハ等の基板を支持し、少なくとも１種の前駆体ガスの熱分解によって、材料の膜が基板上へ堆積される。
堆積プロセス中、圧力を下げて堆積チャンバ内の総圧力を減らす。これは、通常は管状構造のサセプタ・シャフトが大気圧にあるので、結果としてサセプタの下面へ押上力をもたらす。この圧力差がサセプタ面を変形させる、つまり「弓状に湾曲させる」可能性がある。基板サイズの増大とともに、サセプターサイズも付随して増大するので、かかる変形は拡大する。これは、サセプタ面に保持された基板上に薄膜の不規則な堆積を引き起す。
加えて、サセプタの製造に普段用いられる材料は窒化アルミニウム等のアルミニウムベースの材料である。これらの材料で製造されたサセプタはプロセスガスおよび汚染に抗するが、約３００℃以上の温度で著しく剛性を失う傾向にある。そのため、基板支持面は、殊に支持面の下側から力を及ぼす圧力差と相まって、平面を保ちそうにない。
図１に、処理チャンバ２００により提供された、温度が約３００℃の減圧環境でのアルミニウムベース基板２３５の変形を示す。チャンバ２００の内部環境圧力が真空排気２２０によって大気圧未満に引下げられたとき、そして温度が約３００℃以上に達すると、アルミニウムベース支持プレート２１０の剛性の低下により、支持プレート２１０はその上側および下側に不均等な圧力の作用を受け、それによって変形する。
サセプタ・シャフトは、中空であって約７６０トルの大気圧に曝されているので、支持プレート２１０の中央部分の下面も大気圧に曝される。これは、サセプタ・プレート２１０の上面つまり支持面２１６が減圧環境に曝されているために、上面の中央部分に弓状湾曲２１２を引き起こすかもしれない。同時に、サセプタ・プレート２１６の周辺縁部は、サセプタ材料の剛性の低下に起因して垂れ下がること２１４があり、弓状湾曲がある場合はこの垂れ下がりが悪化する。その結果、全体的に非平面のサセプタ面２１６が得られる。
堆積プロセスにおいて、基板上へ堆積させる処理材料は、投入口から堆積チャンバを横切って基板の表面へ何らかの形態で移動しなくてはならない。この距離は、それがＣＶＤ用途におけるガス分配プレートから基板までの投入距離であれ、ＰＶＤ用途におけるスパッタ用ターゲットから基板までの距離であれ、基板上への膜の堆積レートに影響を及ぼす。上で説明したような変形したサセプタ・プレート上に基板が支持されている場合、基板面の周辺部は、基板面の中央部よりも、処理材料の投入口から長い距離にある。従って、基板面の中央部での堆積レートは、基板面の周辺部より大きい。その結果得られた不均一な堆積膜は不良である、つまり意図した通り機能できない可能性がある。
普通は、高い温度で広範な堆積プロセスが実施される。より多種類の層が約３００℃超の温度で堆積される。約３００℃より高い温度で、そして減圧雰囲気中で平らな基板支持面を維持するアルミニウムベースのサセプタ装置の提供は好都合であろう。
従って、従来技術は、堆積プロセス中のサセプタの平面性を改良する有効手段を欠くという点で不具合である。具体的には、従来技術は、サセプタ面の平面性を改良するように、サセプタ・シャフトに作用して真空排気を行う有効な手段を欠くという点で不具合である。本発明は、当該技術でこれら積年のニーズおよび要望を充たす。
本発明の１つの実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；堆積チャンバ内の圧力を、基板上への材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
本発明の別の実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；シャフトの中空コアを、シャフト真空コネクターハウジングにより、大気圧から封止するステップであって、シャフト真空コネクターハウジングは負圧源へ接続するように適合された接続具を備える、上記ステップと；接続具を介してシャフトの中空コアへ負圧源を適用するステップと；接続具を介してシャフトの中空コア内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有し、中空コアは大気圧から封止される、上記支持プレートと；中空コア内側に負圧を与え、そして基板支持プレートの下面と界面を成す入口部と；を備える。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有する、上記支持プレートと；中空コアを大気圧から封止するシャフト真空コネクターハウジングと；シャフト真空コネクターハウジング上に配置された入口部であって、中空コア内側に負圧を与え、基板支持プレートの下面と界面を成す上記入口部と；を備える。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；を含む。
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと：堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜は少なくともその一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とを監視するステップと；シャフトの中空コア内側の圧力が、基板上への材料の膜の堆積中に堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、シャフトの中空コア内側の圧力を調節するステップと；を含む。
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと；堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、その少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；膜が堆積されることになる基板の表面の平面性を監視するステップと；基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力を調節することによって、基板上への材料の膜の堆積中に、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと；を含む。
本発明の他のおよび更なる態様、特徴、および利点は、開示目的で記載する本発明の実施形態の以下の説明から明らかとなろう。
本発明の１つの実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップ；および、堆積チャンバ内の圧力を、基板上への材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップ；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
この実施形態の１つの態様では、シャフトの中空コア内の圧力は、シャフトの中空コアを大気圧から封止し、そしてシャフトの中空コアへ負圧源を適用することにより低減され、よって中空コア内の圧力を低減する。代表的な実施例は、例えば、負圧が接続具を介して与えられるように、かかる接続具により負圧源と接続するように適合されシャフト真空コネクターハウジングである。
この実施形態の別の態様では、支持プレートの上面が、複数の開口を含んでもよく、開口は上面を貫通し基板へ真空を貫通することによって基板を上面へ付着するように適合される。開口は、シャフトの中空コアを貫通する真空ラインに流体接続され、シャフトの中空コア内に生成される圧力に依存せずに負圧を生成する。
この実施形態において、堆積温度は、少なくとも３００℃であり、代表的な実施例は約４００℃乃至約４５０℃である。堆積チャンバ圧力は約０．５トル乃至約６トルである。シャフト内の圧力は約２００トル未満のレベルとし、代表的な実施例は約０．５トル乃至約２００トルである。更に、シャフト圧力は、堆積チャンバ内の圧力のレベルと等しいレベルとしてもよい。
本発明の別の実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップ；シャフトの中空コアを、シャフト真空コネクターハウジングにより、大気圧から封止するステップであって、シャフト真空コネクターハウジングは負圧源へ接続するように適合された接続具を備える、上記ステップと；接続具を介してシャフトの中空コアへ負圧源を適用するステップと；接続具を介してシャフトの中空コア内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
この実施形態の１つの態様では、支持プレートの上面は、複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。シャフト圧力は、先に開示した堆積チャンバ内の圧力のそれと等しくてもよい。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有し、中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、中空コア内側に負圧を与え、そして基板支持プレートの下面と界面を成す入口部；を備える。
この実施形態の１つの態様において、サセプタは、上記シャフト真空コネクターハウジングを有する。更に、サセプタは、先に記載したように、支持プレート上面の複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有する前記支持プレートと；シャフト真空コネクターハウジングであって、中空コアを大気圧から封止する前記シャフト真空コネクターハウジングと；シャフト真空コネクターハウジング上に配置された入口部であって、中空コア内側に負圧を与え、基板支持プレートの下面と界面を成す前記入口部と；を備える。サセプタは、先に記載したように、支持プレート上面の複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；を含む。温度および圧力は、先に記載した通りであってもよい。
この実施形態の１つの態様では、堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とが監視され、シャフトの中空コア内側の圧力は、それが堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に調節される。
この実施形態の別の態様では、上に膜が堆積されることになる基板の表面の平面性が監視され、基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力が調節されることによって、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させる。
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップ；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップ：堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜は少なくともその一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とを監視するステップと；シャフトの中空コア内側の圧力が、基板上への材料の膜の堆積中に堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、シャフトの中空コア内側の圧力を調節するステップと；を含む。堆積チャンバ内の温度は約４００℃乃至約４５０℃であってもよい。シャフト内の圧力は堆積チャンバ内の圧力と等しくてもよい。
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと；堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；膜が堆積されることになる基板の表面の平面性を監視するステップと；基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力を調節することによって、基板上への材料の膜の堆積中に、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと；を含む。堆積チャンバ内の温度は約４００℃乃至約４５０℃であってもよい。シャフト内の圧力は堆積チャンバ内の圧力と等しくてもよい。
本明細書で提供されるのは、サセプタ・シャフトと連動する真空源を設けてサセプタ・シャフト内の圧力を大気圧未満に低減させることにより、サセプタ・シャフトへ取付けられたサセプタ面の平面性を改良する方法である。チャンバ圧力が大気圧未満へ低減されるに従い、チャンバ圧力とサセプタ・シャフト内圧力との差は増大する。サセプタ・シャフト内の圧力がサセプタ面に及ぼす力は、チャンバ圧力とシャフト内圧力との差に比例する。圧力差が増大するのに伴って、サセプタ面は変形し弓状に湾曲する。
堆積プロセスで約３００℃未満の温度において、アルミニウムまたはアルミニウム含有サセプタに及ぼす圧力差の影響は、一般的にサセプタ面の中心部に限られる。しかし、それより高い温度、つまり約３００℃を超える温度では、サセプタの剛性は低くなるので、圧力差がサセプタ面の中心部に作用してそれを上方へ撓ませるだけでなく、サセプタ面の隅部および縁部をも垂れ下がるようにする。
真空ラインはシャフトの内側空間へ負圧を与え、それによってサセプタ・プレートの下面と界面を成す圧力を大気圧未満にする。シャフトにかかる真空圧は、チャンバ内の真空圧の始動と同時にまたはそれに続いて始動できる。堆積チャンバおよびサセプタ・シャフト両方を真空排気することによって、サセプタ両側の圧力差は減少し、それにより、表面を変形させることになる、サセプタ上の合力をなくす。従って、約３００℃を超える温度であっても、サセプタ上面を本質的に平坦つまり平面に維持さることができる。本来であれば非平面のサセプタ面に起因する基板上に堆積された膜の変形は最小限となる。平らなサセプタ面を使用して堆積された膜は、より良好な均一特性、例えば膜厚および堆積レートを有する。
限定はされないが、例えば急速熱処理または蒸着プロセスなどの用途のために設計されたチャンバ内で本明細書に記載するようなサセプタへ固定した基板へ薄膜を堆積してもよい。かかる蒸着プロセスは、化学的気相堆積（ＣＶＤ），プラズマ強化化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、もしくは、物理的気相堆積またはスパッタリング（ＰＶＤ）でよい。堆積膜は、限定はされないがアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素つまり熱酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、または、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）でよく、シラン（ＳｉＨ４）、ＴＥＯＳ、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＰＨ３、ＣＯ２、および類似物の前駆体を使用してもよい。
堆積プロセス中、プロセス温度は約１５０℃乃至約４５０℃であり、通常は少なくとも３００℃であるが、多くのプロセスで必要とする温度は約４００℃乃至約４５０℃である。最適な堆積のために、基板温度が、約２０℃という基板支持面の温度以内であるのがよい。チャンバ圧力は、空運転時に約１００トル乃至約２００トル、続いて、堆積の開始に先立ち約．５乃至約６トルへ真空排気して下げる。それと同時に、サセプタ・シャフトは、静的処理圧力がシャフト内で確立されていない限り、真空排気が続けられる。
以下の実施例は、本発明の種々の実施形態を例証するためのものであり、いかなる様式でも本発明を限定することを意味しない。
真空排気を伴うサセプタ装置
図２Ａに示す、処理チャンバ１３３内に配置した、真空排気機構を含むサセプタ装置は、サセプタ・シャフト１３７および基板支持プレート２０を含むサセプタ１３５、モータ１４、シャフト真空コネクターハウジング１６、ならびにコントローラ１７０を備える。支持プレート２０は、上部プレート４０、ベースプレート２０および両プレート間のバイアス区域４４を含み、上部分およびベース部分は、溶接または他の同等な手法で接合されてもよい。支持プレート２０は、上部プレート４０とベースプレート２０との間に配置した１つ以上の加熱素子２４を含んでもよい。
図２Ａに示す、処理チャンバ１３３内に配置した、真空排気機構を含むサセプタ装置は、サセプタ・シャフト１３７および基板支持プレート２０を含むサセプタ１３５、モータ１４、シャフト真空コネクターハウジング１６、ならびにコントローラ１７０を備える。支持プレート２０は、上部プレート４０、ベースプレート２０および両プレート間のバイアス区域４４を含み、上部分およびベース部分は、溶接または他の同等な手法で接合されてもよい。支持プレート２０は、上部プレート４０とベースプレート２０との間に配置した１つ以上の加熱素子２４を含んでもよい。
支持プレート２０は、溶接、ろう付けまたは他の従来の手段によってシャフト１３７へ取付けられる。シャフト１３７は中空コアを含み、支持プレート２０のベースプレート４２と結合するように構成される。サセプタ１３５は、モータ１４へ動作可能に接続されたシャフト１３７によって垂直方向および／または回転可能に動かされる。シャフト真空ハウジング１６は、モータ１４の下方に固定され、真空ポンプ（不図示）などの真空源の真空ライン４９をシャフト１３７へ動作可能に接続する手段を提供する。真空ライン４９を、堆積チャンバ用の真空排気ポンプとは別体の真空ポンプへ接続しても、個別に制御できるように真空排気ポンプへ接続してもよい。真空排気ポンプへ接続するとき、真空ライン４９、１６０へ接続された別体の絞り弁１６２、１６４を使用して、チャンバ内およびサセプタ・シャフト内へ与えられる真空量を独立して調節してもよい。シャフト真空コネクターハウジング１６を、アルミニウムもしくはアルミニウム合金、または当該技術で普通に精通する者にとって明白ないずれか他の材料もしくは合金で構成してもよい。
任意に、真空チャックを用いて、支持プレート２０の上面２２へ基板を固定してもよい。この場合に、真空ライン８は真空ポンプなどの真空源へ接続されるが、この真空ポンプは堆積チャンバ自体のための真空排気ポンプとは別体である。真空ライン８は、支持プレート２０の上面２２にある複数の均等に離間した真空ポート（不図示）から、シャフト１３７を通って真空源に至る。真空源を起動すると、サセプタ１３５上に搭載された基板を、支持プレート２０の上面２２上へ均一に引下げることにより、基板をそこへチャックする。真空チャックを用いて支持プレートの上面２２上へ基板をチャックする場合、シャフトに至る真空源は、真空チャックに至る真空ライン８のために使用される同一真空源であってもよく、従って絞り弁は両方を制御する。真空ライン４９は外部真空ポンプ１５８へ接続され、真空ポンプ１５８も真空ライン１６０を経由してチャンバ１３３へ流体接続される。圧力センサ１６６、１６８が、シャフト圧力およびチャンバ圧力を監視し、入力ライン１７２、１７４を介してコントローラ１７０へフィードバックを提供する。
コントローラ１７０は、シャフト１３７内の静圧を維持するようにプログラム可能であり、さもなければ、代替として、チャンバ１３３内の圧力が変化するに従いチャンバ１３３内の圧力との間の予め定めた関係を保持するようにプログラムを作成してシャフト１３７内の圧力を動的調節してもよい。例えば、チャンバ１３３内へまたはそこから外へ基板を移送する間に、チャンバ圧力を約１００〜２００トルに維持してもよい。チャンバ内の空運転圧力は、およそ同じ圧力、つまり約１００〜２００トルであってよい。しかし、処理中は、チャンバ内の圧力を、それより低い圧力、例えば５〜１０トルまで真空排気する。センサ１６６、１６８がコントローラ１７０に信号を送ってシャフト圧力がチャンバ圧力に比例して真空排気されるように絞り弁１６２を開く。すなわち、チャンバ圧力がもはや空運転圧力ではない場合、それに応じてシャフト圧力は、サセプタ支持プレート２０の両側で圧力平衡を維持するように、より低い値へ変更される。シャフト圧力は約５〜１０トル間まで真空排気されてもよいが、これより高い圧力でも差し支えない。こうした高い温度で、サセプタ材料は、ある程度の剛性を保有しているであろうから、変形することなくなにがしかの圧力差に耐えることができる。
加えて、コントローラ１７０はシャフト圧力をチャンバ圧力の所定レベル以内へ維持できる。例えば、シャフト圧力をチャンバ圧力の３倍に維持してもよいが、例えば２００トルなどの一定レベルを超えない。または、その代わりに、シャフト圧力を、例えば２００トルというチャンバ圧力を超える特定圧力に維持できよう。これらの値に制限されないが、シャフト圧力を処理中のチャンバ圧力と等しい値と同じ位低くまで、または中間の任意の値まで低減してもよいが、シャフト圧力は約２００トル以上であることが考えられる。
サセプタ・シャフトの圧力を監視する代替方法
シャフト圧力をあるレベルに維持してサセプタ面２２の平面性を確保するために使用できる代替のシャフト圧力監視方法が考えられる。例えば、圧力計１８０または他の圧力インジケータがセンサ１６６から入力を受取る（図２Ｂ）。かかるシステムは、オペレータによる視覚的監視を可能にし、オペレータは、シャフト圧力を所望の静圧に維持するよう絞り弁１６２を設定する。代替として、圧力計１８０は絞り弁１６２へ接続され、それによりオペレータは圧力計１８０を所望の設定値へ設定でき、それによって絞り弁１６２を制御する。上で説明したサセプタ装置の場合のように、シャフトは、堆積チャンバ用の真空源１５８にも、またはそれとは別の真空源にも流体接続できる。
シャフト圧力をあるレベルに維持してサセプタ面２２の平面性を確保するために使用できる代替のシャフト圧力監視方法が考えられる。例えば、圧力計１８０または他の圧力インジケータがセンサ１６６から入力を受取る（図２Ｂ）。かかるシステムは、オペレータによる視覚的監視を可能にし、オペレータは、シャフト圧力を所望の静圧に維持するよう絞り弁１６２を設定する。代替として、圧力計１８０は絞り弁１６２へ接続され、それによりオペレータは圧力計１８０を所望の設定値へ設定でき、それによって絞り弁１６２を制御する。上で説明したサセプタ装置の場合のように、シャフトは、堆積チャンバ用の真空源１５８にも、またはそれとは別の真空源にも流体接続できる。
圧力センサ１６６、１６８による監視の有無にかかわらず、サセプタ・シャフト１３７を動的に制御して、サセプタ面を実質的に平面に維持することが考えられる。光エミッタ１８２および光レシーバ１８４を堆積チャンバ１３３内に既知の距離で置く。エミッタ１８２からの光は、基板面またはサセプタ面２２に当たって反射し、光レシーバ１８４へ戻ることにより、エミッタ／レシーバと表面との間の距離を測定する。コントローラ１７０への入力は、この距離のリアルタイム監視を提供する。すなわち、コントローラ１７０は、サセプタ面／基板面を実質的に平面に維持するように絞り弁１６２を変えることができる（図２Ｃ）。
監視対象面のリアルタイム距離が減少する場合、これは、サセプタ面が弓状湾曲を始めていることを指し示し、コントローラ１７０は絞り弁１６２を開いてシャフト圧力を低減することにより補償する。同様に、距離が増大する場合、シャフト圧力を増加させて、サセプタ／基板の各表面の皿状化を阻止する。任意に、圧力センサ設備１６６、１６８を用いて、コントローラ１７０への能動入力を伴うか否かにかかわらず、堆積チャンバおよびシャフト内の圧力弁を監視できる。従って、圧力センサは能動入力装置であっても、実際のシャフト圧力およびチャンバ圧力を単に監視しその読みを提供する受動素子であってもよい（図２Ｃ）。
そのような光監視の変形は、チャンバの一側上にエミッタ１８６を設け、このエミッタは、サセプタ面／基板面を横切ってチャンバの向い側にあるレシーバ１８８へ光ビームを放射する。ビームは、障害物としてのサセプタ面／基板面の上方に特定の距離、例えば約０．２ｍｍに設定される。サセプタ面、ひいては基板面が弓状に湾曲する、つまり変形すると、光ビームの経路が遮断され、レシーバ１８８からコントローラ１７０への信号が遮断される。コントローラ１７０は、レシーバ１８８が再びエミッタ１８６からの入力信号を受光するのに充分な平面にサセプタ面／基板面がなるまで、シャフト圧力を低減するよう絞りを調節する。圧力センサ１６６、１６８を、上で説明したように任意に能動的または受動的に使用できる（図２Ｃ）。
更に、１つ以上の歪みゲージ１９０を、サセプタ・プレート２０の変形を監視する手段としてサセプタ・プレート２０の下側に搭載できることが考えられる。コントローラ１７０は歪みゲージ１９０を監視してサセプタ・プレートの弓状湾曲化や皿状化を検出する。変形が容認し得るプリセット限界を超えることになると、コントローラ１７０は、サセプタ・シャフト１３７内の圧力を上げるか下げるかに応じて絞り弁１６２を調節する。この場合もやはり、圧力センサ１６６、１６８を、上で説明したように任意に能動的または受動的に使用できる（図２Ｃ）。
表面の平面度に対する真空排気の効果
図３は、大気圧下の、サセプタ・シャフト用サセプタ支持プレートの表面の平坦度つまり平面性の変化（図３Ａ）を、真空排気されたサセプタ・シャフトのそれと比較する。初期装着時、サセプタは非常に平坦であり、平面からの偏りはゼロである。サセプタが加熱および冷却されるにつれて、サセプタはその平面性を失い始める。最終的には、サセプタが熱サイクルを受けるとともに、サセプタは変形し、図３Ａの均一性プロファイルで示すように、そして図１に概略図示するように逆Ｖ字形を持つ。これがサセプタ交換を余儀なくさせる。
図３は、大気圧下の、サセプタ・シャフト用サセプタ支持プレートの表面の平坦度つまり平面性の変化（図３Ａ）を、真空排気されたサセプタ・シャフトのそれと比較する。初期装着時、サセプタは非常に平坦であり、平面からの偏りはゼロである。サセプタが加熱および冷却されるにつれて、サセプタはその平面性を失い始める。最終的には、サセプタが熱サイクルを受けるとともに、サセプタは変形し、図３Ａの均一性プロファイルで示すように、そして図１に概略図示するように逆Ｖ字形を持つ。これがサセプタ交換を余儀なくさせる。
シャフトを排気した場合、サセプタの平面性は、図３Ｂに示すように長期にわたりはるかに変わらないままである。すなわち熱サイクルが、支持プレート面の均一性に及ぼす影響は著しく低減する。サセプタの機能的寿命は延長され、必要な交換は少なくなる。このことは、停止時間が少なくなるので、より良好なコスト効率の高いプロセスを提供するとともに、スループットを向上させる。
堆積レートの均一性に対する真空排気の効果
サセプタ・シャフトを真空排気する場合、堆積レートの均一性はサセプタ面全体にわたって向上する。図４は、基板全体にわたる堆積レートに対するサセプタ・シャフト排気による効果を、両方の基板を横切って左上から右下へ、および左下から右上へ測定して比較する。両基板上へ、材料の膜を温度４５０／４６０℃、圧力３２０mトル、間隔９２０ミルで堆積した。
サセプタ・シャフトを真空排気する場合、堆積レートの均一性はサセプタ面全体にわたって向上する。図４は、基板全体にわたる堆積レートに対するサセプタ・シャフト排気による効果を、両方の基板を横切って左上から右下へ、および左下から右上へ測定して比較する。両基板上へ、材料の膜を温度４５０／４６０℃、圧力３２０mトル、間隔９２０ミルで堆積した。
図４Ａにおいて、サセプタ面の変形により、基板表面全体にわたり堆積レートを著しく変動させる。弓状湾曲が発生する基板中心部での堆積は、より高くなっている。プロセスガスまたはスパッタ材料は、基板上に堆積するのにチャンバを横切って遠くまで移動して堆積する必要はないので、同じ時に一層多くの膜がこれら弓状湾曲領域で基板上に堆積され、よって、これらの領域での堆積レートを増大させ、基板全体にわたりレートを変動させる。
サセプタ・シャフトが排気されるとき、サセプタ面、ひいては基板面は実質的に平面である。プロセスガスまたはスパッタ材料が堆積チャンバを横切り移動しなくてはならない距離は、基板面全体にわたり比較的等しいので、同量の材料が同一時間中に基板面に到達することが確保される。従って、堆積レートは基板にわたって、一層均一になる（図４Ｂ）。
当該技術に精通する者にとっては容易にわかるように、本発明は目的を達成し、記載した結果および利点だけでなく、本発明に内在する固有の利点を得るように良好に適合している。本発明を具現化する際に様々な改変および変形を、本発明の精神または範囲から逸脱することなく行なえることは当該技術に精通する者にとっては明らかであろう。そこでの変更および他の使用がこの技術に精通した者に想起されるであろうが、いずれも特許請求の範囲によって定義される本発明の精神の範囲に包含される。
先に列挙した本発明の特徴、利点および目的、そして明確になるであろうその他実現される内容が詳細に理解できるように、上で簡潔に要約した本発明を、付帯の図面に図示された本発明の特定の実施形態を参照することにより詳細に説明する。これらの図面は明細書の一部を成す。しかしながら、付帯の図面は本発明の実施形態を図示するが、それにより本発明の範囲を限定すると見なしてはならない。
処理チャンバの概略であり、温度が約３００℃の減圧条件下のサセプタの変形を示す。
堆積チャンバ内に配置されたサセプタおよびサセプタ・シャフトの種々の断面概略を示す。
負圧がサセプタ・シャフト内に与えられる方法、ならびに堆積チャンバ圧力およびシャフト内圧力を監視および制御するためのフィードバック制御システムを示す。
シャフト内の圧力に対する別体の監視装置と制御装置の代替編成を示す。
堆積チャンバ圧力およびシャフト内圧力を監視および制御するためのフィードバック制御システムを示す。加えて、サセプタ支持プレート面／基板面の物理的変形を監視する種々の方法のための任意のセンサを示す。
シャフトへ取付けたサセプタ支持プレートの表面全体にわたる平面度の変化を、真空排気無し（図３Ａ）および真空排気有り（図３Ｂ）で比較する。両試験とも、４３００ＬＴＰ ６２０ｘ７５０サセプタを使用して実施した。
シャフトへ取付けたサセプタ支持プレートの表面全体にわたる堆積レートを、真空排気無し（図４Ａ）および真空排気有り（図４Ｂ）で比較する。温度：４５０／４６０℃、圧力：３２０mトル、間隔：９２０ミル。
８…真空ライン、１４…モータ、１６…真空ハウジング、２０…ベースプレート、２２…上面、２４…加熱素子、４０…上部プレート、４２…ベースプレート、４４…バイアス区域、４９…真空ライン、１３３…処理チャンバ、１３５…サセプタ、１３７…サセプタ・シャフト、１５８…外部真空ポンプ、１６０…真空ライン、１６２…絞り弁、１６４…絞り弁、１６６…センサ、１６８…圧力センサ設備、１７０…コントローラ、１７２、１７４…入力ライン、１８０…圧力計、１８２…光エミッタ、１８４…光レシーバ、１８６…エミッタ、１８８…レシーバ、１９０…ゲージ、２００…チャンバ、２１０…支持プレート、２１２…弓状湾曲、２１４…垂れ下がり、２１６…サセプタ・プレート、２２０…真空排気、２３５…アルミニウムベース基板。
Claims (18)
- 基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって、
シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと、
前記支持プレートの上面により支持された前記基板上への材料の前記膜の堆積に必要なレベルへ堆積チャンバ内の圧力を低減するステップと、
前記シャフトの前記中空コアを貫通する真空ラインを介して、複数の開口を備える前記支持プレートを通して真空を前記基板に適用し、前記上面に前記基板を付着するように前記複数の開口で流体接続する、前記ステップと、
前記シャフトの前記中空コア内で生成される負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内で生成される負圧を制御するステップと、
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記支持プレートの上面に作用することによって前記サセプタの支持プレートの平面性を改良する方法。 - 前記シャフトの前記中空コア内の圧力を低減するステップは、
前記シャフトの前記中空コアを大気圧から封止する工程と、
前記シャフトの前記中空コアへ負圧源を適用することによって前記中空コア内の前記圧力を低減する工程と、
を含む、請求項１記載の方法。 - 前記中空コアは、前記負圧源と接続するように適合されるシャフト真空コネクターハウジングによって封止される、請求項２記載の方法。
- 前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源へ接続されるように適合された接続具を備え、前記負圧は前記接続具を介して前記中空コアへ適用される、
請求項３記載の方法。 - 前記チャンバ圧力は０．５トル乃至６トルである請求項１記載の方法。
- 前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は２００トル未満である、
請求項１記載の方法。 - 前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は０．５トル乃至２００トルである、
請求項６記載の方法。 - 前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は、前記堆積チャンバ内側の圧力と等しい、
請求項７記載の方法。 - 基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって、
中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、前記支持プレートは基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有し、前記中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレートと、
前記上面を貫通し前記シャフトの前記中空コアを貫通する真空チャックラインに流体接続する複数の開口と、
前記支持プレートの前記シャフトの前記中空コアに真空ラインを接続するシャフト真空コネクターハウジングと、
前記複数の開口へ接続された前記真空チャックライン内に生成される負圧を制御する手段であって、前記シャフトの前記中空コア内側で発生された負圧に依存せず、前記支持プレートの前記下面と界面を成す、前記制御する手段と、
を備えるサセプタ。 - 前記複数の開口へ接続された前記真空チャックライン内に生成される前記負圧を制御する手段は、前記シャフトの前記中空コア内側の前記真空ラインに接続された真空源に依存せず、前記支持プレートの前記下面と界面を成す、請求項９記載のサセプタ。
- 基板上への材料の膜の堆積中にサセプタの支持プレートの平面性を許容限度内に調整する方法であって、
堆積チャンバ内で動作できるように位置決めされた、請求項９のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと、
前記堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと、
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ適用される、前記ステップと、
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと、
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、前記少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと、
前記膜が堆積されることになる前記基板の表面の前記平面性を監視するステップと、
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形するとき、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節することによって前記膜の堆積中に前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと、
を含む、前記方法。 - 前記堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップを更に含む、
請求項１１記載の方法 - 前記温度は４００℃乃至４５０℃である、請求項１２記載の方法
- 前記堆積チャンバ内の前記圧力は０．５トル乃至６トルである、請求項１１記載の方法。
- 前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は２００トル未満へ低減される、請求項１４記載の方法。
- 前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい、請求項１５記載の方法。
- 前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を監視するステップと、
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力が前記堆積チャンバ内の前記圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調整するステップと、
を更に含む、請求項１１記載の方法。 - 前記基板を付着するステップは、前記シャフトの前記中空コアを貫通し前記複数の開口と流体接続する真空ラインを介して、複数の開口を備える前記サセプタの前記上面を通して真空を上部に適用する工程を備える、請求項１１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/922,352 US6896929B2 (en) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | Susceptor shaft vacuum pumping |
| PCT/US2002/024508 WO2003015136A2 (en) | 2001-08-03 | 2002-07-31 | Method and apparatus for vacuum pumping a susceptor shaft |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005526373A JP2005526373A (ja) | 2005-09-02 |
| JP2005526373A5 JP2005526373A5 (ja) | 2006-01-05 |
| JP4656280B2 true JP4656280B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=25446919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003519973A Expired - Fee Related JP4656280B2 (ja) | 2001-08-03 | 2002-07-31 | 堆積チャンバ内のサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法およびサセプタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6896929B2 (ja) |
| EP (1) | EP1415329A2 (ja) |
| JP (1) | JP4656280B2 (ja) |
| KR (1) | KR100601576B1 (ja) |
| CN (1) | CN100437893C (ja) |
| TW (1) | TW588117B (ja) |
| WO (1) | WO2003015136A2 (ja) |
Families Citing this family (247)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002257502A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Junichi Kushibiki | 厚さ測定装置及び測定方法 |
| US6843926B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | In-situ measurement of wafer position on lower electrode |
| US7055229B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
| JP4366226B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-11-18 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置 |
| US8034409B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-10-11 | Lam Research Corporation | Methods, apparatuses, and systems for fabricating three dimensional integrated circuits |
| KR100920668B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2009-10-09 | 피에스케이 주식회사 | 기판 제조 장치 및 그 방법 |
| KR101057118B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-08-16 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US20130023129A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| CN105220124B (zh) * | 2015-10-10 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 固定基台和蒸镀设备 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| KR200482777Y1 (ko) | 2016-07-22 | 2017-03-06 | 주식회사 뷰티채널 | 가속눈썹 |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| JP6738485B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2020-08-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 低圧リフトピンキャビティハードウェア |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| KR102432228B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2022-08-16 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112388660A (zh) * | 2019-08-19 | 2021-02-23 | 浙江大学 | 吸附器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| KR20210125155A (ko) * | 2020-04-07 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| WO2022014509A1 (ja) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | ファナック株式会社 | 真空圧供給システム |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239626A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH06333833A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| JPH07508132A (ja) * | 1992-06-15 | 1995-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体ウェーハを処理する装置 |
| JP2000124299A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| WO2001007691A1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Emcore Corporation | Apparatus for growing epitaxial layers on wafers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737824A (en) * | 1984-10-16 | 1988-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface shape controlling device |
| US6063196A (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber calibration tool |
| JP2002018703A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-22 | Memc Japan Ltd | ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレート |
-
2001
- 2001-08-03 US US09/922,352 patent/US6896929B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-31 JP JP2003519973A patent/JP4656280B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-31 TW TW091117248A patent/TW588117B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-31 CN CNB028152956A patent/CN100437893C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-31 KR KR1020047001705A patent/KR100601576B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-31 EP EP02759245A patent/EP1415329A2/en not_active Withdrawn
- 2002-07-31 WO PCT/US2002/024508 patent/WO2003015136A2/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239626A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH07508132A (ja) * | 1992-06-15 | 1995-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体ウェーハを処理する装置 |
| JPH06333833A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| JP2000124299A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| WO2001007691A1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Emcore Corporation | Apparatus for growing epitaxial layers on wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003015136A3 (en) | 2003-10-16 |
| CN1539158A (zh) | 2004-10-20 |
| TW588117B (en) | 2004-05-21 |
| JP2005526373A (ja) | 2005-09-02 |
| CN100437893C (zh) | 2008-11-26 |
| KR20040028977A (ko) | 2004-04-03 |
| US20030026904A1 (en) | 2003-02-06 |
| US6896929B2 (en) | 2005-05-24 |
| EP1415329A2 (en) | 2004-05-06 |
| KR100601576B1 (ko) | 2006-07-19 |
| WO2003015136A2 (en) | 2003-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4656280B2 (ja) | 堆積チャンバ内のサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法およびサセプタ | |
| US9607855B2 (en) | Etching method and storage medium | |
| KR101004199B1 (ko) | 성막 장치 | |
| JP2005526373A5 (ja) | ||
| US20100248396A1 (en) | Heat treatment apparatus and control method therefor | |
| KR20030077925A (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP3453834B2 (ja) | ウエハチャック装置および半導体製造装置 | |
| US9691630B2 (en) | Etching method | |
| US20150380268A1 (en) | Etching method and storage medium | |
| US12062567B2 (en) | Systems and methods for substrate support temperature control | |
| WO2004003995A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| US8246749B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method | |
| JP2002302770A (ja) | 基板処理装置 | |
| US6080444A (en) | CVD film forming method including annealing and film forming performed at substantially the same pressure | |
| US11674224B2 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
| JP4545955B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| TWI731226B (zh) | 基板處理裝置 | |
| TW202303810A (zh) | 成膜設備 | |
| JP2012099723A (ja) | 基板処理装置 | |
| US6720274B2 (en) | Method for fabricating a semiconductor device and a substrate processing apparatus | |
| JP4483040B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3611780B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP7486398B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| WO2020213506A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法 | |
| KR20240066911A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050727 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050727 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090225 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090304 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090325 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090401 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090424 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101214 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4656280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |