JPH07508132A - 半導体ウェーハを処理する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 熱およびガス流を制御した半導体ウェーハ処理方法および装置本発明は半導体ウ ェーハを処理する化学蒸着（ＣＶＤ）処理装置、特に半導体ウェーハを処理する クラスタ工具のＣＶＤ反応装置モジュールに関する。更に詳しくは、本発明はタ ングステン、窒化チタンおよび他の金属および誘電物質をシリコン半導体ウェー ハ上に被覆するＣＶＤ、および物質移動がその処理の現在のしかし制御できない 特徴である帥シリコン処理に適用可能である。

発明の背景 半導体ウェーハおよび同様に製造される他の物品の製造において、被覆、エラし て移動されるが、化学的または物理的な付与または除去を伴う。

このような手順におけるある種の処理は化学蒸着（ＣＶＤ）で遂行される。ＣＶ Ｄは、例えば絶縁層等を横断して相互接続を形成するために導電性フィルムを付 与するように、例えば基礎をなす層を通る穴の異なる方向に向いた表面を形成す るためのＣＶＤ処理の最終的な結果は、しばしばフィルムの選択的な付着、すな わちウェーハ表面の選択した部分のみに対する永久的なフィルム形成である。こ のような被覆のＣＶＤによる直接的な選択付与はしばしば信頼性が低く、失敗し たり、遅かったりして、したがって商業規模では望ましくないのであり、商業規 模においては迅速な処理能力および高価な機械の効率よい使用が重要である。そ れ故に選択的な最終製品であるフィルムはしばしば全面的（ブランケットファッ ション的）に付与され、その後で永久フィルムの望まれない面積部分がエツチン グされて元に戻される。

付着材料をエツチングして元に戻すことか後に行われるタングステンのような材 料の全面ＣＶＤは、特に材料かエツチングされるべき基体の表面において、全面 フィルムの高度な均一性を必要とする。この被覆がエツチング面積部分において 不均一であると、エツチング処理はエツチングすべき全面フィルムか薄いウェー ハ領域において下側に位置する基礎層を損傷することになるか、または残留フィ ルムが残される領域を生じることになり得る。従来技術のＣＶＤ反応装置は、制 限された均一性のもとで、または制限された速度のもとて基体を被覆している。

したがって、特にタングステンのような材料を全面被覆するための、より一層均 −にフィルムを付与でき、また高速度であるＣＶＤ反応装置が要求される。

ＣＶＤによりタングステンのようなフィルムを半導体ウェーハに均一に付与する ために、ウェーハ表面を横断して反応ガスの均一な供給を保証すること、および 消費ガスおよび反応副産物を被覆される表面から均一に除去することが望ましい 。この点に関して、従来技術のＣＶＤ反応装置はそれほどうまくはいっていなか った。同様に、物理的および化学的なエツチング、および予熱および徐冷を含む 熱処理のような他の処理において、従来技術装置は蒸気を被処理面に均一に接触 させること、および被処理面から除去することに適当ではなかった。したがって 、反応ガスまたは他のガスを被処理ウェーハ面、特にＣＶＤ処理により被覆され る被処理ウェーハ面に対して一層均一に供給および除去することが必要である。

半導体ウェーハの効率のよい商業的な生産は、処理機器ができるだけ継続して機 能することを要求する。ＣＶＤ反応装置のような処理チャンバーの内部要素に付 着か形成されると、それらの要素の効率が悪くなり、清浄処理するためにそれら の要素の使用は中断される。従来技術の多くの反応装置は望ましくないほど頻繁 に洗浄処理を必要とするか、または清浄処理を行うことが非常に困難で時間がか かり、したかって過剰な反応装置の休止時間を生じた。したがってＣＶＤ反応装 置処理チャンバーのような処理チャンバーにとっては、要素の希な清浄処理しか 必要とされないこと、要素に対する望ましくない付着を減少すること、および一 層迅速に清浄処理を行えること、が絶えぬ要求である。

従来技術のＣＶＤ反応装置および他のウェーハ処理装置のチャンバー内において 、反応ガスの流れの乱れが被覆処理の効率および均一性を妨げ、また反応チャン バー内での汚染物質の付着および移動を増大させてきた。したがって、このよう なチャンバー内での改良したガスの流れ、ガス流れの乱れの軽減、が必要であ半 導体ウェーハにタングステン被覆を付与することに関するこのようなＣＶＤ処理 は、冷却壁反応装置内で典型的に行われており、これにおいて被覆されるつ工− ハはサスセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）上で反応温度にまで加熱されるが、反応 装置の他の表面は反応温度より低い温度に維持されてフィルムの付着を防止する ようになされる。例えば、タングステンＣＶＤでは、反応装置の壁はしばしば冷 却され、しばしば室温とされる。これに代えて窒化チタン（ＴｉＮ）ＣＶＤでは 、壁は室温より高い温度であるが処理される基体温度よりは低い温度にまで加熱 される。このような場合、異なる温度に維持される要素を存するこのようなウェ ーハ処理装置の設計には、ウェーハまたはサスセプタと他の装置要素との間を熱 か伝わることを防止することが必要である。

タングステンＣＶＤ処理では、６フツ化タングステン（ＷＦ＠）が一般に使用さ れる。このＷＦ、ガスは他の多くのウェーハ処理方法で使用されるガスと同様に 高価である。ガスの使用効率が従来技術の多くの反応装置の場合と同じように低 いと、ガスの費用は高くなる。多くのタングステンＣＶＤ反応装置によれば、Ｗ Ｆ、の使用効率は２０％より低く、ＷＦ、の費用はタングステンフィルムを付与 する処理の実施の全費用の３０％をしばしば超えてしまう。したがって、ＷＦ６ のような反応ガスの消費において効率の一層高いＣＶＤ反応装置か要求される。

ＣＶＤ処理は２つの範噴、すなわち制御された物質移動、および制御された表面 状聾すなわち温度、に分けられる。制御された物質移動処理は、典型的には、ヒ 化ガリウムウェーハのような基体上にＩ　Ｉ　Ｉ−ＩＶ族の物質をＣＶＤするか 、またはエピタキシャル的にシリコンを成長させることを伴う処理である。この ような処理はウェーハ面てガスを移動させ、またウェーハ面からガスを引き離す こ一層を取付けて、サスセプタかそれらの基体を流動ガス内で軸線のまわりに公 転させてウェーハを移動させるか、またはこの他にウェーハを横断するガス流量 を増大および制御する技術を使用して、行われている。典型的には物質移動を制 御したＣＶＤ処理はアレニウス（Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ）のプロットに見られるの であり、このプロットとは曲線における曲がり（ｋｎ　ｅ　ｅ）より高い温度の 逆数に対する付着速度の対数のプロットである。

ウェーハ温度または表面状態を制御したＣＶＤ処理は、典型的にはアレニウスの プロット曲線の曲がりよりも低いことが見られる。これらは低温および一般的に １−１００１−ル（Ｔｏｒｒ）の低圧で生じる。一般に、このような処理は、低 速移動にて助長される温度すなわち反応の均一性の達成を除いて、ウェーハ移動 による向上に従うようには従来技術で考えられていなかった。

発明の概要： 本発明の主目的は、半導体ウェーハのような物品の薄膜処理のための効率的な生 産装置を提供することである。本発明の更に特定の目的は、例えばシリコン半導 体ウェーハ上にＣＶＤ処理て付着できるタングステン、窒化チタンおよび同様材 料の、例えば全面付着または選択付着として半導体ウェーハ上へにフィルムを化 学蒸着することに主として有用であるこのような装置を提供することである。

本発明の他の目的は、ＣＶＤ処理および他のシリコン処理によってタングステン 、他の金属および誘電物質の全面フィルムを半導体ウェーハに均一に付与するた めのＣＶＤ装置のような前述のような処理装置を提供することであり、このシリ コン処理は主として表面温度か制御され且つまた表面温度に依存し、すなわち、 平面であるか、また一層重要なことであるが非平面またはパターン化されている かどうかに拘わらずに、ウェーハ被覆または他の処理面の品質および処理速度を 向上させることに有効なシリコン処理である。

本発明の他の目的は、加熱されるウェーハまたはサスセプタから冷却保持されね ばならない他の装置要素へ流れる熱を最少限とされる冷却壁ＣＶＤ反応装置のよ うなチャンバーのシールされた処理装置を提供することである。

本発明の更に他の目的は、内部の望ましくない付着蓄積に対する抵抗性、および 内部を通る汚染物質の伝播に対する抵抗性を存し、清浄処理のための休止時間か 僅かで済む、すなわち効率的に清浄される処理装置を提供することである。

本発明の特定の目的は、反応装置内でのガスの乱流を軽減することにより、ＣＶ Ｄ処理装置での被覆付与における均一性を向上し、内面の清浄性を保持し、また 加熱されるウェーハまたはサスセプタを熱的に隔絶することである。

本発明の他の目的は、ウェー７１をサスセプタに対して容易に保持できるよう（ 二するため、ウェーハとサスセプタとの間の伝導熱を増大させるため、望ましく ない付着および汚染から反応装置の内部要素を保護するため、および反応装置を 通る反応ガスの非乱流化を助成するために、反応装置内の不活性ガス流の形成を 含む。

本発明の更に他の目的は、異なる寸法のウェー７１を被覆のために容易に受入れ 、また異なる被覆処理を受入れるＣＶＤ反応装置を提供することである。

本発明の特定の目的は、ウェーハ処理クラスタ工具のための処理装置およびモジ ュール、または単一ウェーハ回転サスセプタを使用する独立した処理装置、およ び特に、例えばタングステン、窒化チタンおよびこのような処理を受けることの できる前述のようなフィルムのような他の材料のフィルムを、全面フィルムのよ うに化学蒸着するか、またはその代わりにこのような材料の選択的な付着を行う ための処理装置を提供することである。

本発明の原理によれば、単一ウェーハ回転サスセプタを存し、その上でウェーハ が処理温度に維持され、また反応室壁が異なる温度に保持される反応装置を備え たＣＶＤ処理装置が提供される。タングステンのようなフィルムを付与するため の反応装置において、壁はほぼ室温にまで冷却されるが、窒化チタンフィルムを 付与するための反応装置では、壁は室温よりも高いかサスセプタの最適処理温度 よりは低い温度にまで加熱される。

本発明の好ましい実施例は回転ウェーハ保持サスセプタを備え、このサスセプタ は垂直軸線のまわりに回転され、上方へ面することが好ましいとされ、またシャ ワーヘッドから好ましくは下方へ導かれてウェーハへ向かう、またウェーハに対 して直角に向かう反応ガスの流れを有しており、このサスセプタが十分速く回転 して、薄い境界層がウェーハ表面上に形成されるようになされ、これを横断して ガスかウェーハ面と相互作用して拡散されるようになされたウェーハ処理クラス タ工具のためのＣＶＤモジュールを提供する。

本発明の好ましい実施例において、ガスはチャンバー頂部に位置する下方へ向い たシャワーヘッドから、最少限の乱れでもって流れ、上方へ向いたウェーハ面に 対して下方向へ向かい、ウェーハ面を横断して半径方向外方へ向かい、ウェーハ を取り囲むリングまたはリップを超え、サスセプタの側壁に沿って下方へ向かい 、バッフルにより形成された環状開口を通り、その後シャワーヘッドと反対側の チャンバー端部すなわち底部の単一の真空圧排出口から出る。ＣＶＤ適用例にお いては、プラズマ洗浄電極が備えられ、またこれらの電極が非乱流ガス流動を容 易化する形状の構造部と組合わされる。サスセプタの壁は加熱された要素から反 応装置の冷えている要素への熱の流れを考慮した仕上げおよび横断面形状を育す る。

本発明の１つの代替実施例において、不活性ガスがウェーハ、ウェーハ支持部お よびサスセプタ回転構造部のまわりに導かれ、粒子および反応ガスによる汚染を 防止すると共に、サスセプタ要素の接合部を横断してチャンバーを通るガスの滑 らかな流れを容易にする。他の実施例では、不活性ガスは相対的な真空圧による サスセプタに対するウェーハの保持に使用され、またサスセプタおよびウェーハ の間の熱伝導を向上させるようになされる。不活性ガスがウェーハのリムの周囲 に導入されてサスセプタに対してウェーハを真空クランプするようになされた実 施例においては、この不活性ガスは別個の供給源から導入され、リム周囲のガス は処理チャンバーの圧力またはそれより高い圧力で導入され、真空クランプする ガスは更に低い圧力で導入される。

本発明の好ましい且つまた図示実施例によれば、水平に配置されている下方へ向 いた反応ガス分配シャワーヘッドの下方に間隔を隔てて配置された上方に向いた 回転サスセプタを存し、このシャワーヘッドがサスセプタを包囲する反応チャン バーからガス混合チャンバーを分離しているＣＶＤ処理装置が提供される。反応 チャンバーの頂部に位置された混合チャンバーは、反応チャンバー壁と共に比較 的低温の、反応温度より低い温度に保持される。タングステン付着適用例におい ては、混合チャンバーおよび反応チャンバー壁は、エチレングリコール、水また は他の何等かの適当な流体の何れかを使用してほぼ室温にまで冷却される一方、 窒化チタン付着適用例においては、室温とサスセプタの反応温度との間の温度に まで加熱される。

付着反応時にサスセプタは回転される。約５０トルの反応圧力のタングステン付 着処理で１５０ｍｍのウェーハに関しては、サスセプタは少なくとも２００ＲＰ Ｍ、好ましくは２０００ＲＰＭを超えない、最も好ましくは５００〜１５００Ｒ ＰＭの範囲で回転される。この回転によりウェーハ中心に淀み点を生じ、ウェー ハ表面の直ぐ上方の境界層の厚さを最少限にして、処理ガスがウェー７１に高速 で到達でき、この処理の副生物がウェーハ上面から逃れることができるようにな る。それゆえに、これらの特徴はＣＶＤのような付着処理におけるだけでなく、 エツチング処理、および徐冷および脱ガス処理または他の熱処理のようなガスが ウェーハ面に効率よく接触されねばならないか、表面から効率よく除去されねば ならない他の処理においても、利点を与える。

好ましい且つ図示された実施例において、サスセプタは約４００〜５５０１Ｃ１ 好ましくは４５０°Ｃにまで加熱され、またこの加熱されたサスセプタからの熱 かその取付けおよび組立によってそのサスセプタを支持する回転シャフトを強く 加熱することは防止される。回転サスセプタの内側の全ての要素の面が高度に反 射性を有することが、サスセプタの加熱されたウェーハ支持部および駆動組立体 の間の熱伝達を最少限にする。更に、半光沢面仕上げか回転サスセプタの外面に 備えられて、サスセプタから冷却されるチャンバー壁へ向かう熱輻射を最少限に すると共に、加熱されるチャンバー壁からの熱の吸収を最少限にするようになさ れる。極めて薄いサスセプタ壁は、更にまた加熱さオ］たウェーハ支持部と駆動 組立体との間の熱に達を最少限にする。

チャンバー壁はまた駆動組立体から熱的に独立されている。サスセプタ取付はデ ィスクはサスセプタ底部の環状フランジをサスセプタ駆動シャフトの頂部に連結 し、また突出する支持構造部を備えて接触面積を最少限にするようになし、熱遮 断部として作用させて加熱されたウェーハ支持部と駆動組立体との間の熱１ｉ達 を更に低減するようにしている。

反応ガスは最少限の乱れでもってシャワーヘッドから下方へと反応チャンバーの 底部の単一の排出口へ流れるようにされる。チャンバーの底部領域に位置された 多数のバッフルかサスセプタシャフトを取り囲み、シャフトの周囲に環状のガス 流動開口を形成して、ガスか流れる横断面積を次第に小さくして圧力勾配を与え 、これかチャンバー内に乱流を生じることなく排出ガスか容易にチャンバー底部 の単一開口を均等に通るようにする。回転サスセプタの外形または覆いは清らか な形状とされて乱れを更に最少限になす。環状リップカ珈熱されたウェーッー支 持部の上面のウェーハ周囲に備えられ、またウェーハの円形縁から僅かに間隔を 隔ててその上面と同一面となるようにされて乱れを更に最少限にとどめると共に 、エツジ領域におけるウェーハの半径方向の温度勾配を排除するようになされる 。

ウェーハ包囲クリップは別個の環状部材であり、容易に取外しできると共に、異 なる寸法のウェーハを受入れるために異なる内径のクリップと置換することがで きる。環状リップ部材の遠側の円形縁の隅が丸められて、乱れを更に最少限にと とめる。このリップ要素は実質的に上方へ向いた環状面を有して、未使用の６フ ツ化タングステンガスまたは他の反応ガスを掃出する掃出装置として作用し、こ れにより排出部から洗い落とさねばならない反応ガスの量を最少限にととめる。

この好ましい実施例において、一対の環状電極が、１つはチャンバー頂部に、ま た１つはチャンバー底部に備えられて、反応装置のプラズマ洗浄を行うようにさ れる。これらの電極の各々は、タングステン付着の場合にチャンバー内にＮＦ、 ガスを、またこの処理に適当な他のある種の洗浄ガスを噴射するための開口を備 えている。これらの開口は上部および下部ＷＬ陽に円形配列にて配置され、チャ ンバーの内部要素のプラズマ洗浄を容易にできるようにする。上部電極は円錐形 の内面を有し、ソヤワーヘソドの直径部から反応チャンバー壁へ向けて角度を付 され、これもまた乱れを最少限にとどめることに寄与する。下部電極は最上位置 のバッフルの中に組み入れられている。

更に本発明の１つの代替実施例によれば、真空圧通路の上方および下方の、何れ もチャンバー底部内で駆動シャフトを取り囲む窒素ガス通路は、反応ガスおよび 粒子による軸受および他のシャフト支持駆動構造の汚染を低減する。この特徴は 、軸受の使用寿命を延長し、且つ保守間隔を増大させることが望ましい場合に好 ましい。

サスセプタに対するウェーハの真空保持が使用される実施例においては、ヘリウ ムの漏洩路がサスセプタ面でのウェーハリフトビンの周囲に形成され、これは回 転サスセプタ内部の圧力かＣＶＤチャンバーの圧力よりも低く保持されるときに ウェーハの真空グリップを容易となす。更に、ウェーハ裏面と加熱されたウェー ハ支持部の上面との間のウェーハ下側のヘリウムガスは、その圧力が低すぎない ならば、ウェーハ裏面とウェーッー支持部との間にガス相の熱伝導による熱（二 連を与える。

本発明の好ましい実施例は、１０〜１００トルでウェーハ温度が４２５〜５２５ ＠Ｃで行われるタングステンの全面ＣＶＤに最も有効である。この処理はＷＦ、 がシラン（水素化ケイ素）で還元される凝集段階、これに続＜ＷＦ、が水素で還 元される付着段階により好ましく遂行される。

本発明の代替実施例において、この反応装置は接点の被覆およびノくイヤ穴の充 填を意図したタングステンの選択的な付着に有利に使用できる。この実施例によ れば、ウェーハに接触するサスセプタ面、特にウェー／１縁を取り囲む１ルソブ およびウェーハか係止される支持上面、並びに露出したねしおよびそれらを緊締 する装置、およびそれらに接触するリングシールは、タングステンが凝集しない か、または非常に長い凝集時間をかけねば凝集しない材料で形成される。このよ うな材料には酸化アルミニウム、窒化ポロン、ポリイミド、および何等かの形態 の石英か含まれ得る。更に、リップリングおよびサスセプタの支持上面は取外し 可能且つ交換可能とされ、サスセプタは非選択的な適用例の間で変えることがで きる。

この選択的なタングステン付着適用例において、処理は０１〜１０．０トルの圧 力で、また２５０〜４００°Ｃの温度て好ましくは遂行される。このような低圧 では、ウェーハはウェーハ裏面の真空圧よりも寧ろ静電気的クランプによりサス セプタ上に保持され得る。

本発明の装置は前述した目的を達成し、従来技術の問題点を解決する。全面タン グステン付着処理を使用して、５０％を超えるＷＦ、の消費が実現でき、従来達 成できたよりも数倍速い付着速度を得ることができる。

本発明は、ウェーハ温度の制御された処理によりシリコンウェーハにフィルムを ＣＶＤ付与する付与速度、品質および均一性の向上に、また他の徐冷のような温 度制御されたシリコン処理方法に、特に有効である。本発明の多くの特徴は、シ リコン半導体ウェーハに対する全面的なタングステン、選択的なタングステンお よび窒化チタンのＣＶＤ、およびケイ化タングステン、酸化タングステン、アル ミニウムおよび銅、並びに５ｉＯｚのような酸化物等の材料のＣＶＤに有利であ る。

本発明の多くの特徴は回転サスセプタを含まない処理装置で宵月である。プラズ マ洗浄の本発明の特徴は、ここに説明した半導体ウェーッ）処理適用例、および 付着および汚染が形成する傾向を示す池の適用例に使用したときに、利点を与え る。更に、サスセプタに対する熱を制限する特徴、および反応装置内のガスの流 れを滑らかに、且つ乱れを生じないようにする特徴は半導体ウェー７１処理に広 く利用できる。

本発明のこれらのおよび池の目的および利点は以下の図面の簡単な説明から更に 容易に明白となろう。

図面の簡単な説明： 第１図は、本発明の原理を具現するウェーハ処理クラスタ工具のＣＶＤモジュー ルの立面図である。

第２図は、第１図のモジュールのＣＶＤ反応装置の横断面図である。

第３図は、サスセプタの回転およびウェーハリフティング部分を示す第２図の反 応装置の下部の横断面図である。

ｔｊＳａＡ図は、第３図の線３Ａ−３Ａに沿う横断面図である。

第４図は、処理チャンバ一部分を示す第２図の反応装置の上部の横断面図である 。

第４Ａ図は、第４図の線４Ａ−４Ａに沿う横断面図である。

第４Ｂ図は、第４図の線４Ｂ−４Ｂに沿う横断面図である。

第４Ｃ図は、第４図の線４Ｃ−４Ｃに沿う横断面図である。

第５図は、第４図のチ＋ンバーの一部の拡大横断面図であり、代替実施例の反応 チャンバーのハウジングの底部付近のサスセプタ駆動シャフトに関連する構造を 示す。

第６図は、第４図の反応チャンバー内部のサスセプタの拡大横断面図である。

第６Ａ図は、第６図の線６Ａ−６Ａに沿う横断面図である。

第６Ｂ図は、全面タングステン付着処理に特に適した本発明の代替実施例のサス セプタの第６図に類似した拡大横断面図である。

第６Ｃ図は、第６Ｂ図の実施例の代替サスセプタの第６図に類似した拡大横断面 図である。

第７図は、ウェーハを取外した第６Ｂ図のサスセプタの頂面図である。

第８図は、ウェーハを取外した第６Ｃ図のサスセプタの頂面図である。

図面の簡単な説明： 第１図は本発明の特徴が具現されたウェーハ処理クラスタ工具のためのＣＶＤモ ジューニー０を示す。モジュールｌＯは車輪付き底部１２上に位置するフレーム １１を含み、底部はモジュールｌＯのレベル調整を行い且つまたモジュールｌＯ を床に据え付けるための垂下された１組の調整可能な脚１３を有する。モジュー ル１０はフレーム１１に固定されたキャビネット１４を含み、これは化学蒸着（ ＣＶＤ）反応装置１５に反応ガスを供給する入口ラインと接続された流量制御装 置を収容しており、この反応装置もフレーム１１に固定されている。キャビネッ ト１４は関連された反応装置の支持装置の他の部品を有しており、それらは示さ れていないか流体導管、バルブ、ポンプ、制御装置、および様々な反応ガス、不 活性ガス、掃出ガスおよび洗浄ガス、および反応装置１５の冷却流体の供給部お よびその供給部に対する接続部を含む反応装置１５を作動させるための関連する ハードウェアを含む。

本発明の好ましい実施例において、反応値ｆｔ１５で行われる主なるＣＶＤ処理 のための反応ガスは、ソリコン半導体ウェーハ上を全面タングステン付着処理す るように使用されるガスでライン１６を通して供給され、ライン１６は４本示さ れており、キャビネット１４および反応装置ｉ１５の間を接続している。これら のガスは、例えば６フツ化タングステン（ＷＦ、）　、水素（Ｈｌ）およびシラ ン（ＳｉＨ４）を含む。しかしなからこの反応装置はまた窒化チタンフィルムお よびＣＶＤ処理で付与することのできる他の多くのフィルムに対しても有用であ る。

ライン１６の１本を通してアルゴンのような不活性ガスも供給され得る。更に、 ３フツ化窒素（ＮＦ、）ガスのようなプラズマ清浄処理のための反応ガスが、キ ・　ヤビネット１４と反応装置Ｉ５との間を接続するガス入口ライン１７を通し て供給される。モジュールＩＯはまた反応値ｆｉ１５の掃気のため、反応装置１ ５内に所定の作動圧力レベルの真空圧を保持するため、および反応装置を通して 流れる使用済み反応ガス、反応副生物、洗浄ガスおよび不活性ガスを排出するた めに、１つまたはそれ以上の真空ポンプ１８、および通常は１つの大容量低真空 圧ポンプおよび１つの小容量高真空圧ポンプを含む。残留ガス分析口１９がガス の連続監視のために備えられている。

反応装置１５はその底部から垂下するサスセプタ回転およびウェーハ昇降機構２ ０を含む。反応装置１５の主なるｔＪ［気はその反応装置１５と真空ポンプまた はポンプ組立体１８との間を接続する真空圧出口ライン２１を通して行われる一 方、１つまたはそれ以上の補助真空圧出口ライン２２が備えられており、これら は機構２０とポンプ組立体１８との間を接続する。組合わされた上部ＷＬ極の電 気的ターミナルおよび冷却流体マニホルドコネクタ２３、および組合わされた下 部電極の電気的ターミナルおよび洗浄がスコネクタ２４もまたキャビネット１４ の近くて反応装置１５と支持装置との間に接続されている。

第２図を参照すれば、ＣＶＤ反応装置１５はその内部にハウジング２６で包囲さ れた反応チャンバー２５をシールして存し、このハウジングにより反応装置ｔ１ ５はゴム製の振動吸収パッド２９を介してフレーム１１に取付けられており、ま たそのハウジングの底部でｔｌｉｆｊＬ！ｏが支持されている。ハウジング２６ はアルミニウムで作られて内部を十分に研磨されることが好ましく、また反応値 ｒｊ！壁の加熱および冷却の両方のために独立した温度制御装置を備えて、加熱 された反応装置壁から輻射熱でサスセブタカ珈熱されるオーブン式反応装置とは 区別され、しばしは冷却壁反応装置と総称されるものを生むようになされる。ハ ウジング２６はエチレングリコールまたは水のような適当な流体によって流体冷 却されることか好ましい。更に、抵抗加熱要素（図示せず）もまたハウジング２ ６内に備えられてハウジングか加熱されるようになされるが、または代替される か追加されてロフト式加熱要素か様々な位置にてチャンバー内に備えられ得る。

意図される適用例に応じて、加熱または冷却の１つまたはそれ以上の特徴が同じ 構造に使用できる。反応装置壁の加熱および冷却はゾーン制御されることができ 、また一層応答性の高い温度調整および均一性を得るために加熱および冷却作動 の両方を同時に行うことができる。

ハウジング２６はその頂部にアルミニウムで作られることが同様に好ましいチャ ンバーカバー２７を存し、このカバーは内部に反応チャンバー２５を閉じ込める 。カバー２７はハウジング２６の頂部、または使用されているならばスペーサし て固定スペーサ１９９を固定して示されている。カバー２７は環状の混合チャン バー壁で囲まれた反応ガス混合チャンバー３０を存し、この混合チャンバー壁は そのアルミニウム製のチャンバーカバー２７と一体形成されるが、機械加工でき るセラミックまたは他のアルミニウムまたは他の金属片のような別の材料で形成 されてチャンバーカバー２７の下側に固定されることができる。混合チャンバー 壁３１は、例えばタングステン付着処理のような処理が必要とする場合には、壁 ３１内部に形成された環状通路３２を通して流れるように供給される冷却流体に よって、ハウジング２６の温度およびチャンバーカバー２７の温度とは別に反応 温度よりも低い温度に保つように、積極的に冷却されることができる。ハウジン グ２６と同様に、混合チャンバー壁３１は抵抗加熱要素（図示せず）も備えて、 窒化チタンの付着のように処理が必要とする箇所の壁および混合チャンバー３０ を加熱するようになされている。この環状壁３１は非熱伝導材料またはカバー２ ７のアルミニウム材料から断熱されて導電性材料で作られ得るのであり、その温 度の制御に大幅な融通性を与える。混合チャンバー３０の上部は取外し可能なス テンレス鋼で作られることが好ましいカバーすなわち頂部プレート３３で閉止さ れ、これはホルト３４（第４図）でチャンバーカバー２７にシール可能に連結さ れる。チャンバーハウジング２６、チャンバーカバー２７および頂部プレート３ ３は内部容積を閉じ込める密閉容器を形成し、この容器はモジュール１ｏの作動 時に真空圧レベルに維持される。

ガス混合チャンバー３０の底部は混合チャンバー壁３１の底部に連結された円形 ンヤワーヘッド３５て閉止されている。このシャワーヘッド３５はアルミニウム または機械加工可能なセラミック材料で作られ、また十分に研磨された下面を有 して、チャンバー２５内の処理されるウェーハの面積部分からの高反応温度での 輻射熱の吸収を減少させるようになされ得る。シャワーヘッド３５は１つの受入 れられる実施例において均一パターンで設けられた貫通穴３６（第４図）を有し 、これらの穴は行列配置されるが、または反応装置１５の垂直軸線３７に位置す る中心点のまわりに複数の同心円で配置されることが好ましい。この代わりに、 シャワーヘッド３５は多孔質金属またはセラミックプレートで形成できる。

複数のガス入口３８（第４図）がガスラインの接続された頂部プレート３３に備 えられている。回転ウェーハ支持サスセプタ４ｏはチャンバー２５の内部に備え られている。このサスセプタ４０は軸線３７上にてシャワーヘッド３５の直ぐ下 側に位置され、軸線方向に整合されている。洗浄ガス人口４１はチャンバーカバ ー２７に取付けられ、洗浄ガス入口ライン■７に接続されている。ＲＦ上部電極 ターミナルおよび冷却水コネクタ２３もまたチャンバーカバー２７に取付けられ ている。下部電極ＲＦターミナルおよび洗浄ガスコネクタ２４はハウジング２６ の側壁に取付けられている。単一真空圧出口４２がハウジング２６の底部に備え られ、これに真空圧出口ライン２Ｉが接続されてポンプ１８へ通じており、この ポンプは４００〜５００リットル／秒の圧送流量で作動してｌ−１００トルのウ ェーハ処理圧力、０．　１〜１ｏｏトルの洗浄圧力、およびチャンバー２５内の １０−’）ルのウェーハ移送圧力を達成している。ゲート穴４３がハウジング２ ６の前壁に備えられてクラスタ工具の移送モジュールまたはウェーハ操作モジュ ールに対する連結を行えるようにされ、これに対してウェーハが処理のためにチ ャンバー２５に装填され、また取り出されるようになされる。ゲート４３はサス セプタ４０のウェーハを囲む上方へ向いた頂面４４とほぼ水平に整合され、この 頂面上にウェーハはその上方へ向かう側をシャワーヘッド３５と平行に水平に配 置して且つ垂直方向に整合されて、処理されるように支持される。複数の穴４５ が反応チャンバー２５の反対両側にてウェーハ支持面４４またはハウジング２６ と水平に整合されて備えられ、対角線状または池の方向に沿う装備のために挿入 できるようになされる。

ハウジング２６の底部に固定され、反応装置の軸線３７と整合されてサスセプタ 駆動支持フレーム４７か備えられる。この駆動支持フレーム４７の内部に中空の サスセプタ駆動シャフト５ｏが回転可能に取付けられる。この駆動シャフト５０ はその軸線上で回転できるように取付けられ、このシャフトは反応装置軸線３７ の上に位置して反応装置ハウジング２６の底部の穴５１を通して延在し、サスセ プタ４０の底部に剛性的に連結される。穴５１において、シャフト５ｏは軸受５ ２上に回転可能に支持され、この軸受は内側レースがシャフト５ｏを緊密に取り 囲み、外側レースはハウジング２６の底部でフレーム４７に固定されている。

第２軸受５３はフレーム４７の下端に連結され、駆動シャフト５０の下端を緊密 に取り囲んで支持している。支持フレーム４７には軸受５２の直ぐ下側でシャフ ト５０を緊密に包囲する強磁性流体シール５４か固定されている。この強磁性両 車　体シール５４は７０°Ｃより低い温度の流体がそれを通して循環され、シャ フト５０からの熱により内部の鉄流体か分解されてその磁性を失うことを防止さ れている。フレーム４７内でシャフト５０を同様に取り囲む第２軸受５３の上方 に電気的スリップリングコネクタ５５かある。このスリップリング５５は回転シ ャフト５０と電気的接続を形成して電気エネルギーを回転サスセプタに供給し、 また１　それからの計測された温度信号を受取る。シャフト５０にはシール５４ とスリップリング５５との間で駆動プーリー５６か固定され、このプーリーは駆 動ベルト５７を経てサスセプタ回転駆動モーター５８の出力部に駆動連結されて いる。

フレーム４７の底部に固定された回転昇降機構２０の下端には、ウェーハリフト 機構６０があり、これは第３図に一層詳細に示されている。このリフト機構６− 　〇は外側の流体密なシェル６１を含み、このシェルは中空の垂直リフトチュー ブ６２の下端を取り囲む中空内部を存している。このチューブ６２はリフト機構 ６０から上方へフレーム４７を通り、駆動シャフト５０の内部を通り、反応装置 の軸線３７に沿ってチャンバー２５の中へ延在して、サスセプタ４０の内部で終 端しているっチューブ６２は駆動シャフト５０と共に回転し、またその内部を軸 線方向に約９ミリメートルはとの距離をスライドして、ウェーハを反応チャンバ ー２５内でサスセプタ４０のウェーハ支持面４４上て昇降させる。チューブ６２ の下端はハブ部材６３に固定され、このハブ部材は強磁性流体シール６４内に回 転可能に支持されており、この強磁性流体シールの外面はシェル６１内を垂直方 向にスライド可能なスリップ６５に固定されている。スリップ６５の下端は垂直 アクチュエータ６６にリンクされており、このアクチュエータは線形作動空気式 リフト６６ａのシェル６Ｉの底部の穴６７を通って延在している。他の強磁性流 体シール６８かシェル６１の内部の上部近くに備えられて、回転昇降機構２０の フレーム４７の底部の近くて軸線３７上のチューブ６２を取り囲んでいる。強磁 性流体シール５４と同様に、シール６４および６８は７０″Ｃまたはそれより低 い温度に維持された流体を供給される。

ヘリウムガスの供給源（図示せず）がリフト機構６０のシェル６１の底部のヘニ ーブ６２の軸線方向の孔７２と通しており、この孔はチューブの長さを延在して チャンネル１７６と通じている。

真空圧出ロア４がシェル６１１ｍ１８えられて細長い中空チューブ７３に接続さ 娠第３Ａ図に示すようにチューブ６２を取り囲む上端にて駆動シャフト５０内の 中空空間７５内に真空圧を供給する。この中空空間７５は駆動シャフト５０の長 さを延在し、また反応チャンバー２５内でサスセプタ４０の内部と連通する。以 下に第６Ｂ図に関連して詳細に説明される１つの実施例では、出ロア４（こおけ る真空圧はチャンバー２５の圧力よりも十分低い圧力に維持され、処理の間にサ スセプタ４０内に真空圧を形成してウェー７１をサスセプタ面４４に保持する真 空チャックとして作用するようになされる。この真空クランプ圧力は、駆動シャ フト５０の頂部にて頂部６２を取り囲み且つ頂部７３内に位置した環状カラム７ ９を通して真空圧出ロア４および空間７５の間を通じている。真空クランプを使 用しない他の実施例において、出ロア４での真空圧はチャンｌ＜−２５内の圧力 に等じいかそれよりも僅かに高い真空圧をサスセプタ４０内に発生させる。この よう（こして、反応ガスのサスセプタ内への侵入は、以下に詳細に説明される第 ６図の実施例におけるように阻止される。

ＣＶＤ反応装置の反応チャンバ一部分の詳細は第４図に示されている。ガス混合 チャンバー３０は４つの同芯的な中空チューブ状リング７７を備えており、それ らは第４図および第４Ａ図に示されるように入口３８の各々に１つずつ接続され ている。リング７７の各々はそれに沿って間隔を隔てて配置されて軸線３７を取 り囲む複数の穴７６を有し、入口３８からガス混合チャン／＜−ＳＯ内へのガス の各々の均一な分散流れを可能にしており、そこにおいてガスは一般に反応温度 よりも低い温度で一様に混合される。このガス混合チャンｔ＜−３Ｑから、様々 な人口３８からの一様に混合されたガスはシャワーヘッド３５の複数の穴３６を 通して軸線３７に平行に且つサスセプタ４０のウェーハ支持面４４に直角（二、 矢印７８で示されるように流下する。

シャワーヘッド３５を取り囲んで、テフロンまたは他の適当な絶縁材でできた絶 縁部材８１の上に取付けられた環状プラズマ洗浄電極８０が、アルミニウムのチ ャンバーカバー２７に固定されている。このＷＬ極はチャンバーをプラズマ洗浄 するためのプラズマを発生させるように付勢される。電極８０は、シャワーヘッ ド３５の直径部からチャンバーハウジング２６の大きな直径部へ向けて滑らかに 連なるように切頭円錐形で角度を付された内面８２を存し、下方へ流れる反応ガ ス中の乱れを防止するようになされる。複数のガス入口オリフィス８３が面８２ のまわりに備えられ、洗浄ガス通路８４と連通されており、この通路は環状で電 極８０内に形成されている。通路８４は供給チューブ８５と連通し、このチュー ブはガス人口４１に連通し、この人口に対して洗浄ガス入口ライン１７が接続さ れる。

環状冷却通路８７はチューブ８８を経て冷却液体および上部を極コネクタ２３（ 図示されていないが冷却液体のための給送および戻りラインの両方を含む）と通 じている。無線周波数（ＲＦ）エネルギーはチューブ８８を通してコネクタ２３ から給送される。エチレングリコールや水のような冷却液は冷却液入口および戻 り口８９を経て混合チャンバー壁３１の冷却通路３２に別々に供給される。

下部プラズマ洗浄電極９０はチャンバー２５の底部で同様に適当部材で作られた 電気的絶縁部材９１上にてチャンバーハウジング２６に取付けられて備えられる 。ｔｆｆｉ９０は環状リングの形状をしており、第４図、第４Ｂ図および第４Ｃ 図に示されるようにチャンバー２５の処理部分と真空圧出口４２との間のガス流 バッフルとして作用する。電極９０は、ハウジング２６の底部に固定され且つサ スセプタ駆動シャフト５０を取り囲むスリーブ９３との間に環状のガス流開口９ ２を画成しており、洗浄ガスおよび洗浄副生物がチャンバー２５から排出される 際にこの開口を通して流下される。電極９０の頂部のまわりに備えられた開口９ ４は電極９０の環状通路９５と通じており、この環状通路は更に洗浄ガス供給チ ューブ９６と通じており、このチューブは更にまた下部電極ターミナルおよび洗 浄ガスコネクタ２４の洗浄ガス人口９７と通じている。電極９０はＲＦエネルギ ーをチューブ９６を通して下部を極ターミナルおよびコネクタ２４から下部電極 ９０へ供給する電源（図示せず）に電気的に接続される。チャンバー２５の内部 要素の内側をプラズマ洗浄するためのＮＦ、のような洗浄ガスは、それぞれ電極 ８０および９０の開口８３および９４を通して流入し、出口４２を通して排出さ れる。

２つの付加的なアルミニウムバッフル１０１および１０２はハウジング２６の底 部てスペーサ１０４上に垂直方向に重ねられて複数のボルト１０５で固定されて いる。上側の１つのバッフル１０１はディスク形状をしており、スリーブ９３か ら外方へ延在してハウジング２６の側壁のまわりに環状の空間１０６を形成して いる。下側の１つのバッフル＋０２もまた円形ディスクの形状をして、ハウジン グ２６の側壁から内方へ延在してスリーブ９３のまわりに環状の空間１０７を形 成している。

サスセプタ４０は、チャンバー２５内の反応ガスの流れの乱れを最少限にするた めに、滑らかに輪郭を形成された外側表面１１０を存する。この面１１０は最大 幅の部分でサスセプタ４０とチャンバーハウジング２６の側壁との間に空間すな わち開口を形成する。この開口１１１の水平横断面積は電極９０により形成され た開口すなわち空間９２の水平横断面積よりは大きく、この空間はバッフルｌＯ １か形成する空間１０６の水平面積よりも大きく、この空間は更にバッフル１０ ２により形成された開口１０７の水平横断面積よりも大きい。これらの面積比は 反応ガスかチャンバー２５を通して流れるときに圧力勾配を与え、これは乱れを 最少限に抑えると共に、チャンバー２５を通して単一真空圧出口４２に流れるガ ス流のサスセプタ４０のまわりの均一性を与える。この流れは矢印１１２．１１ ３．１１４および＋１５で示されている。

ある状況において、例えばシールの寿命がスケジュールされた反応装置の保守の 時間間隔を短縮してしまう場合、主軸受５２の信頼性を向上して寿命を延長する ために代替構造を組み込むことが望まれ得る。シャフト５０がハウジング２６の 底部を通過する箇所におけるこのような代替構造が第５図に示されている。この 代替構造において、ハウジング２６の底部は窒素ガス人口１１７および窒素ガス 真空圧出口１１８（破線）を備えており、これを通して窒素ガスが第５図に示さ れるようにサスセプタ駆動シャフト５０とスリーブ９３との間の空間１２０内を 流れるようにされる。入口＋１７を通して流れる窒素ガスはスリーブ９３の底部 にてシャフト５０を取り囲む環状通路内に噴射さ札矢印１２２の方向にスリーブ ９３の通路１２１の上方の環状通路１２３内へ流入し、次ぎに出口１１８を通し て流出する。同様に、窒素ガスは通路１２３の上方の第３環状空間１２４内へ入 口１１７から流入する。通路１２４からのガスの一部は矢印１２５の方向へ通路 １２３へと流れ、出口１１８から流出する一方、通路１２４からのガスの一部は 矢印１２６の方向へ空間１２０内へと流れ、次ぎに下部洗浄電極９０の外縁のま わりの空間すなわち開口９２のほぼ付近で矢印１２７の方向に反応チャンバー内 へと流入する。矢印＋２７の付近の窒素ガスのこの外方へ向かう流れは、反応処 理時に反応ガスが空間」２０に流入することを防止する。また、粒子や他の汚染 物質が空間１２７に流入することも防止する。

サスセプタ４０は第６図および第６８ＩＡの２つの実施例に示されている。これ らの実施例の何れも幾つかの代替特徴を含んでおり、それらは適用例に応じて望 ましいとされるものである。第６Ａ図は、第６図または第６Ｂ図の実施例の一方 または両方に見られる特徴の配置を示す横断面図である。第６図の実施例のサス セプタ４０は静電気的ウェーハクランプ、電気的絶縁性のウェーハ支持面、この ウェーハ支持面の外縁のまわりの絶縁リング、ウェーハ支持部における温度検出 のためのＲＴＤ、ウェーハのリムのまわりの不活性掃出ガス、およびチャンバー ２５内の圧力と同じか、それよりも僅かに高い圧力のサスセプタ内の不活性ガス を使用している。第６図の実施例の特徴の多くは、以下に説明するようにタング ステンのようなある種の材料を選択的に付着させることに一層適している。

第６Ｂ図の実施例サスセプタ４０は真空圧ウェーハクランプ、金属製ウェーハ支 持部およびウェーハ支持部のまわりの金属製掃気リング、ウェーハ支持部の温度 を検出するサーモカップル、およびチャンバー２５よりも低い圧力のサスセプタ 内の不活性ガスを使用している。第６Ｂ図の実施例の特徴の多くは、以下に説明 するように窒化チタンおよびタングステンのような材料を全面的に付着させるこ とに適している。

第６図、第６Ａ図および第６Ｂ図のサスセプタ４０は薄い外側金属壁１３０を備 えており、１つの実施例のサスセプタ構造を示す第６図によく示されているよう に、この壁はボルト１３１により駆動シャフト５０の頂部に取付けられている。

この壁１３０は高伝熱性材料、例えばアルミニウムのような金属、で作られてお り、サスセプタの上部からシャフト５０へ流れる熱量を最少限にするために薄い 横断面を存している。サスセプタ４０の表面１１０を外面として有する壁１３０ は十分に磨かれて反射するようになされた内面１３２を有しており、サスセプタ ４０の加熱された上部の下方へ向いた面１２９からサスセプタ４０の中空内部空 間１３５を通る熱を反射し、したがってその吸収を最少限に抑えるようになされ ている。外面１１０は壁１３０からの熱輻射を最大限にするように半光沢仕上げ とされている。

サスセプタ壁１３０の底部には下方へ延在するカラー１３６が一体に形成されて おり、これはシャフト５０を取り囲むと共に、カラー１３６とシャフト５０との 間に僅かな円筒形の間隙１３７を残すように間隔を隔てられていて、壁１３０か らシャフト５０への直接的な熱伝導を低減するようになされている。カラー１３ ６から内方へ突出して、サスセプタ取付はフランジ１３８か壁１３０と一体形成 されている。シャフト５０の上端には環状の上方へ突出するショルダー１４０か 形成され、この上にフランジ１３８が、したがって壁１３０が支持されてサスセ プタ１４０をシャフト５０と一緒に回転させるように支持する。ショルダー１４ ０はフランジ１３８と小さな接触面積を存し、両者間の熱接触を最少限にすると 共に、サスセプタ壁１３０からシャフト５０への熱移動を最少限にする。上方へ 延在するショルダー１４０はシャフト５０の頂部とフランジ１３８との間に小さ な間隙＋４１を形成し、フランジ１３８の内部とシャフト５ｏの頂部との間の直 接的な熱伝導を更に低減するようになされる。

ディスク＋４２を通してボルト１３１が延在し、このボルトはシャフト５ｏの頂 部にねじ込まれている。第６図の実施例において、フランジ１３８はそれからデ ィスク１４２の間隔を隔てるために上方へ延在するショルダ−１４３を有し、′ 両者間に最少限の接触面積を与えて熱伝導を低減し、またフランジ１３８および 壁１３０とディスク１４２との間に更に間隙１４４を形成するようにしている。

これらのショルダー１４３は第６Ｂ図の代替実施例では省略されている。必要と するならば、断熱ワッシャまたはスペーサのような断熱材料層をフランジ１３８ およびシャフト５０の間に備えることで、付加的な断熱がサスセプタ４０とシャ フト５０との間に達成され得る。シールＩ４５（第６図に０−リングとして、ま た第６Ａ図にソフトメタルシールとして示されている）がシャフト５０とカラー １３６とサスセプタ壁１３０のフランジ１３８との間で、シャフト５０の上端の 、外側のまわりに形成された環状空間１４６内に備えられている。複数の穴１４ ７かディスク１４２を貫通して備えられ、シャフト５０内の中空空間７５とサス セプタ４０内の空間１３５との間を連通して、約ｌＯトルの空間１３５内の真空 圧を維持するようになされている。

軸線３７上のディスク１４２の頂部から上方へ垂直ハブ部分１４９が突出して； 　おり、このハブ部分は内部穴を有し、この穴を通して中空リフトロッド６２の 頂端か延在している。

サスセプタ４０の上部は、上側ディスク１５１および下側ディスク１５２を含む 一対のディスクで形成されたウェーハ支持構造部１５０を含む。

第６図のこの実施例において、下側ディスク１５２は外縁がサスセプタ１３０− 　と一体形成された内方へ延在した支持フランジ１５３上に支持され、このフラ ンジは上面に環状チャンネル１５４を存し、そのチャンネルはシール１５５を収 容して、ディスク１５２の外側リムおよび壁１３０の間に形成された環状空間１ ５６および空間１３５を隔離している。この実施例では、空間＋５６はヘリウム 分配チャンネルであり、円周方向に間隔を隔てた１組のダクト＋５７を通してヘ リウム供給チューブ１５８と通じており、このチューブはハブ１４９の頂面の上 方で半径方向に延在してチューブ６２の頂端に機械的に接続されている。この構 造により、ヘリウムガスはチューブ６２を通して上方へ流れ、チューブ１５８を 通して外方へ流れ、そしてダクト１５７を通して上方へ流れてチャンネル＋５６ に入る。チューブ１５８は可撓性の中央部分１５９を有しており、リフトロッド ６２が壁１３０に対して垂直方向に移動できるようにする一方、チューブ１５８ の外端はフランジ１５３に対して静止される。このヘリウムガスは、間隙１６６ の直ぐ上方を流れる反応ガスの圧力と等しいか、はんの僅かに高い圧力を生じる ように、別個に調整された圧力に維持される。

また第６図の実施例で、上側ディスク１５１は下側ディスク１５２の頂部に支持 され、また上部ウェーハ支持面１６０を有しており、この支持面は上部サスセプ タ４４の一部を形成し、残る部分は環状ザスセブタリップ部材１６２の上面で形 成される。第４Ｂ図および第６図に示されるように、リップ部材１６２はボルト １６３でサスセプタ壁１３０の頂部にボルト止めされている。リップ部材１６２ はその上面＋６１か、ウェーハ１６５が面１６０上に支持されたときにウェーハ １６５の上面１６４と同一水平面に位置するように、形成される。ウェーハ１６ ５のシャワーヘッド周囲のまわりの僅かな環状間隙１６６は、リップ１６２とウ ェーハ１６５との間に十分な間隙を形成して、ウェーハの熱膨張およびウェーハ 直径の誤差を許容する。ウェーハ１６５に対するリップの関係は、したがってウ ェーハ１６５の表面およびサスセプタ４０の上面４４を横断するガスの流れに乱 れが生じることを防止する。

第６図の実施例で、ディスク１５１は下側ディスク＋５２の頂面のチャンネル１ ７２内のシール１７１上に係止され、更に他のシール１７３がリップ１６２とサ スセプタ壁１３０との間でサスセプタ壁１３０の頂端のチャンネル１７４内に備 えられる。

第６図の実施例のサスセプタにおいて、サスセプタ１３０の上部およびリップ１ ６２を通して円形配列のダクト１７５があり、このダクトはヘリウムチャンネル １５６とリップ１６２の下方の上側ディスク１５１を取り囲む円周方向チャンネ ル１７６との間を連通ずる。これは、ヘリウムガスが環状空間すなわちチャンネ ル１５６、ダクトｉ７５、チャンネル１７６から、ウェーハ１６５の周縁をまわ る間隙１６６を通して外部へ流れて、ウェーハ１６５の表面１６４およびリップ １６２の表面１６１を横断して外方へと反応ガスの滑らかな流動を形成する通路 を形成する。リップ１６２の外縁＋７８は丸められて、サスセプタ４０の縁をま わってガスか流れるときに乱れか生じることを更に防止する。

タングステンの全面付着のような使用に関して、支持構造部１５０およびリップ ＋６２は、ＮＦ、によるプラズマ洗浄時のスパッタリングに対して他の何れの金 属よりも優れた耐性を備えたモネル（Ｍｏｎｅｌ）で作られることが好ましい。

このような処理では、リップ１６２は未使用反応ガスの掃ル部として作用する。

選択的な付着処理に関しては、ディスク１５１およびリップ１６２は、ウエーハ に隣接したサスセプタ表面上での材料の凝集がその表面の近くで全面的にウェー ハに付着されるようになされるときに、付着されるタングステンが凝集しない材 を含む。この実施例のディスク１５１および１５２は黒鉛のような断熱材料で作 られ、支持部に対して凝集すること、およびサスセプタに対するウェー７１の静 電気的クランプのための電荷を支持することの両方を阻止する。選択的な付着に 関しては、ｌトルまたはそれより低い圧力で処理することがしばしば望まれるこ とから、真空クランプは効果的でない。真空圧クランプが行われないことは、ヘ リウムをキャビティ１７６の中に噴射して与えられるエツジパージング（ｅｄｇ ｅｐｕｒｇｉｎｇ）の特徴を一層効果的にするのであり、この特徴が精巧なシー ル機構を必要とせずにヘリウムガスをウェーハの下側に流してウェー７１を真空 クランプするために必要な圧力差を壊してしまうか、またはウェーハの下側およ びサスセプタ内空間１３５内への反応ガスの流れを容易にする逆効果を存するこ とに、なり得るからである。

第６図の実施例において、複数の、好ましくは３つのリフトピン１８４が備えら れており、各ピンはサスセプタ４０のディスク１５１および１５２を通る穴１８ １内でスライド可能である。穴＋８１はピン１８４をスライドさせるために必要 とされる以上には、また穴１８１を通るウェーハの裏面とサスセプタ内空間１３ ５との間てのガスの流れを最少限にするために必要とされる以上には大きくな第 ６Ｂ図の実施例のサスセプタの特徴は、全面タングステンの付着に一層好適であ り、したがってサスセプタ４０の構造部の残りの部分はこの図の実施例に関して 説明される。

第６Ｂ図を参照すれば、ディスク１５１および１５２はモネルのような材料で作 られ得る。ディスク１５１内には、望まれるならばディスク＋５１とウェーッλ １６５との間の熱ガス導入のためにウェーり１６５の裏面を横断してヘリウムガ スを分配するために、ダク目８０（破線で示されている）が交互に備えられ得る 。これらのダクト１８０はウェーハ１６５のリムのまわりの縁空間１６６から離 されており、ウェーハ裏面の空間内への反応ガスの流入がこれによって増大され ることはない。

ダクト１８０は第７図に示されるようにディスク１５０の上面の溝とされる。

これらは１２０°の間隔を隔てた３組の半径方向の溝により相互接続された３つ の同芯的な円形溝１８０ａ、１８０ｂおよびｌ　８０ｃを含んでなり、これらの 半径方向の溝はサスセプタ３７の軸線上で交差し、最内溝１８０ａまで延在する 溝１８１ａ、円形溝１８０ａ、中間の円形溝１８０ｂ　（複数）の１つおよびそ れぞれ１つの穴１８２と相互接続された半径方向溝１８１ｂ、および円形溝１８ ０ｂを最外円形溝１８０ｃと相互接続する半径方向溝１８１ｃを含む。

ウェーハ１６５の裏面においてガスは、過大寸法の垂直穴１８２により反応チャ ンバー２５内よりも低い圧力に維持され、この穴は第６図の実施例とは相違して リフトビン１８４のまわりに緩く嵌合し、したがってウェーハ１６５の裏面とサ スセプタ４０内空間１３５との間に連通を形成して表面１６０に対するウェーハ １６５の真空クランプを形成する。空間１３５を充満するヘリウムガスはディ嘗 　スフ１４２の開口１４７を通して別個に調整された圧力に維持されたヘリウム であり、この開口が空間１３５と空間７５との間を駆動シャフト５０の頂部で連 通ずる。ヘリウムは第６Ｂ図の実施例では短いチューブ１５８ａを通して空間１ ３５内に供給される。この真空クランプの圧力は空間１３５内では約１０）ルに 維持され、ウェーハ１６５の上方のチャンバー２５の反応空間内の反応圧力は、 全１　面タングステンＣＶＤ処理の場合は約５０〜６０トルである。

ウェーハを真空クランプするよりも、むしろ０．　１〜５．０トルで実親され得 る選択的なタングステンＣＶＤのような処理によれば、第６図に示されるように 静電気的クランプのような他のクランプ手段か好ましいとされ得るが、幾らかの ヘリウムが反応チャンバーの圧力の、またはそれよりもほんの僅かに高い圧力に てウェーハの裏面に依然として与えられ、ウェーハとディスク１５１との間の熱 移動を増大させるようになす。

第６Ｂ図の実施例において、上側ディスク１５１はサスセプタ壁１３０の頂部を 超えて延在して、埋め込みボルト１６８で直接にボルト止めされ、これにより平 坦な柔軟材料のシール１６９をディスク１５１とサスセプタ壁１３０との間に圧 縮する。リップ１６２の代替形状部材１７０がねじ１６８の上から皿ぐりねじに よってディスク１５１の頂部に緊締されて同一平面的に取付けられ、これにより ウェーハ４４の頂面１６４およびサスセプタ壁１３０の外面１１０と連続面を形 成するようになされる。リップ１７０のこの形状はモネルのような金属材料で作 られる場合に最も適当である。

第６図および第６Ｂ図の実施例の両方におけるサスセプタにおいて、水平テーブ ル１８３がチューブ１５８の上方およびディスク１４２のハブすなわちブツシュ １４９の直ぐ上方てリフトロッド６２のチューブに取付けられ、このテーブルは リフトロッド６２と一緒に昇降方向に移動する。複数の、好ましくは３つのりフ トピン１８４がテーブル１８３の周辺から穴１８１　（第６図）または１８２を 通して上方へ延在しており、これらのピンは上昇されたときにウェーハ１６５の 下面に接触して面１６０から持ち上げるか、または穴１８１または１８２の中に 降下して（位置は第６図および第６Ｂ図に示されている）ウェーハ１６５を面１ ６０上に下げる。テーブル１８３の上昇位置において、ウェーハ１６５はゲート 開口４３（第４図）を通してチャンバー内へまたはチャンバーから外へ移動され る位置であり、ウェーハ１６５か面１６０上に降下されるテーブル１８３の下降 位置において、ウェーハは処理のための所定位置に位置決めされる。

第６図および第６Ｂ図の実施例の両方におけるサスセプタ内には、ディスク１５ Ｉおよび＋５２の間にて抵抗ヒーター１８５も取付けられており、このヒータ・ 　−は中央円形要素１８６、中間環状要素１８７および外側環状要素１８８を含 み、これらの何れも複数の別々に制御される加熱領域をウェーハ支持部１５０の 様々な半径位置に備えている。第６図の実施例において、各領域はＲＴＤまたは サーモカップル式の温度検出要素１９Ｌ　１９２および１９３を要素＋８６．１ ８７および１８８により加熱される領域にそれぞれ対応して備えている。各要素 はばね荷重を付与された電気接点組立体１９５（中間要素１８７に関して１つだ けが第６図に示されている）を備えている。２つの接点か加熱要素１８６．１８ ７および１８８の各々に備えられている。これらの要素およびセンサー１９Ｌ１ ９２および１９３のための導電体１９８はシャフト５０を通して下方へ延在し、 スリップリング５５（第２図）を経て適当な電源および制御回路と電気的接続を 確立する。

第６Ｂ図の実施例において、サーモカップル式の３つの温度検出要素１８９（１ つだけか第６Ｂ図に示されている）がヒーター１８６．１８７および１８８の穴 を通してディスク１５１の後方の凹部へ延在し、加熱領域の各々と１つずつ直接 に位置される。これらのサーモカップルの読み値はヒーター制御装置（図示せず ）へ送り返されて、ディスク１５１に一様な温度を維持するようになす。サーモ カップル＋８９の各々は壁１３０に且つ空間１３５内にブラケットで取付けられ たコネクタ１９０においてシャフト５０内のワイヤーを経て制御装置に接続され る。ヒーターのターミナルに対する電気的接続は第６Ｂ図の実施例に好ましい形 態１９６で示されており、下側プレート１５２の下面１２９は凹まされ、セラミ ックねじ１９４によりリード線１９８に接続されている。

第６図および第６Ｂ図に示されるように、スリーブ９３が５００〜１５００ｒｐ ｍで回転されて面１６４の上方の境界層の厚さを最少限にするようになされたこ とを除いて、組立体全体は処理ガスがウェーハにまで迅速に到達できるように、 且つまたＣＶＤ処理による副生物がウェーハ而！６４から一層容易に逃れられる ようにしている。この流れは第４図に矢印７８および１９７で示されている。こ のような流れは、ウェーハ１６５の面１６４と交差する軸線３７上の中心１９８ に淀み点を形成する。リップ１６２は掃出装置として作用する実質的に上方へ向 いた面１６１を備えており、６フツ化タングステンのような未使用反応ガスに関 してタングステンか凝集する材料で作られ且つまた全面付着処理に使用された場 合、これによりチャンバー２５から排出される６フツ化タングステンの量は最少 限となる。リップ１６２は取外し可能で、異なる内径を有する内方へ延在する部 分を存するリップと交換可能であり、これにより異なる寸法のウェーハ１６５を 受入れることかできる。

第６Ｃ図は第６図、第６Ｂ図および第６Ｃ図におけるサスセプタの代替例に対す る更に他の代替例を示している。第６Ｃ図の実施例は、多少の改良がなされてい るが第６Ｂ図の実施例に大力の点で類似し、また第６図の実施例のウェーハのエ ツジバージの特徴の改良した形態を含む。第８図に示されるように、第６Ｃ図の 実施例は第６Ｂ図の溝１８０ａＳ　１８０ｂ、１８１ａおよび１８１ｂを含む。

しかしながら溝１８１ｃは省略されており、また溝１８０ｃは機能的に第６図の 環状溝すなわちチャンネル＋７６を置換しているが、ウェーハ１６５の縁または リムの内側に位置する。この溝１８１ｃは第６Ｃ図の実施例ではチューブ１５８ によりチューブ６２の穴７２から別個に調整されたガスの供給源に接続されてお り、チューブ１５８は一対の剛性チューブ１５８ａを通して穴付きプラグにより 担持されたそれぞれの対をなす開口＋５８ｂ、およびそれぞれ対をなす半径方向 に配向された開口１５８ｃと通じている。このガスはチャンバー２５内の圧力と 等しいか、または僅かに高い、例えば約０．５〜！、０トルはと高い圧力で供給 されるのであり、この圧力は典型的にｌＯトルめである溝１８０ａＳ　１８０ｂ 。

＋８１ａおよび１８１ｂの圧力よりも低い。ガスはヘリウムのような不活性ガス 、またはウェーハ１６５およびリップ＋６２または１７０の間の空間１６６内で 形成され得るＣＶＤ処理による付着物質を洗浄する反応性ガス、例えばタングス テンが付与される場合のＮＦ、とされ得る。

更に、ウェーハ面上の最適な反応ガスの流れはガスシリンダーヘッド５とサスセ プタ４０との間の空間を変化させて達成される。このためにスペーサリング１９ ９のような１つまたはそれ以上のスペーサリングを反応装置ハウジング２６の頂 縁およびチャンバーカバー２７（第２図）の間に付与してこの準備がなされる。

半導体シリコンウェーハに対するタングステンの全面または選択的な付着に関す る上述したモノニール１０の作動は、ロバート・エフ・フオスダー氏およびヘレ ン・イー・レーベン氏のパターン化されたウェーハ基体にフィルムを化学蒸着（ ＣＶＤ）する方法と題するこれと同日出願された関連する共通して譲渡された特 許出願に詳細に記載されており、ここて特に参照することでここに組み入れられ る。

上述した本発明の実施例は化学蒸着（ＣＶＤ）式の処理装置に関するが、回転デ ィスクサスセプタ、ガスの流れ、温度維持および本発明の他の特徴は他の形式の 処理装置に関係して使用でき、特に迅速且つ均一な蒸気物質のウェーッ）面に対 する移動が望ましい場所に使用できる。例えば、窒化チタンフィルムの付着に関 して、脱ガス処理がＴｉＮ付着の前に別個のモジュールで行われることが好まし い。このような処理において、例えばＴｉＮ処理の前にウェーッ）に付着された フオスフオソリケートガラス（ＰＳＧ）またはボロフォスフオシリケードガラス （ＢＰＳＧ）のフィルムに吸収されるように、つ二−ハに吸収された水はウェー ハを加熱することて除去される。また、ＴｉＮフィルムの付着に引き続いて、塩 素が別個のモジュールての徐冷（焼きなまし）処理によって除去され得る。この ような処理において、上述したような別個の提供された処理モジュールが例えば アルゴンまたは窒素ガスと共に予熱または脱ガス処理の遂行に使用できる一方、 池の提供される同様なモジュールが徐冷処理の遂行において例えばアンモニアと 共に使用できる。何れの適用例においても、このようなモジュールはＣＶＤ処理 において行われるような基体に材料を追加する代わりに、基体から材料を除去す ることを除いて、上述したＣＶＤモジュールと同様に機能する。回転ディスクの 利点および本発明の他の特徴はそれでも尚このような処理に与えられる。これら の利点には、サスセプタを回転させることで薄（された均一な境界層が含まれ、 これは更に迅速な水または塩素の除去速度および一層均一なウェーハ面を横断す る除去速度を生じる。更に、ガスの半径方向外方へ向かう流れは水、塩素または 他の物質をウェーハ表面から一掃することに寄与し、除去効率を高める。これは 溶解（ｄ　ｅ　ｓ　ｏ　ｒ　ｂ　ｅ　ｄ）　した材料がウェーハの表面に再付着 することを阻止する。

本発明の原理を脱ガス徐冷モジュールに適用するにおいて、上述で説明した実施 例におけるＣＶＤ適用例に望ましい構造の全てを必要とするわけではない。例え ば、ＲＦ洗浄ｔｓｓｏおよび９０、並びに電力接続およびそれらに電力を供給す る供給源は省略できる。更に、チャンバー２５の底部のただ１つのパフフルで通 常は十分である。ガス供給源および組み合わされる機器の個数は勿論のこと適用 例に必要とされる数によって制限される。更に、このような処理は基本的には熱 処理であるので、チャンバーハウジング２６は外部から隔絶されることが好まし い。

上述した実施例に記載した回転サスセプタにより最適な処理の均一性を達成する ために、処理は回転速度で指示される状態のもとで作動しなければならない。

ＣＶＤの応用例において、この最適化はフィルムの均一性または特性を犠牲にす ることなく最高の付着速度および反応物質の変換を達成する。このような状態を 生しるために、サスセプタ表面上を半径方向外方へ流れるガスの全質量流量は、 シャワーヘッドから軸線に沿ってサスセプタ面に向けて流れるガスの等しい質量 流量と適合される。下方へ流れる流量は入口ガスの噴射流量により供給され制御 される。入口ガス流量が小さすぎるならば、サスセプタは流体に欠乏し、入口ガ ス流量か多すぎると、流体はサスセプタ面の近くで停滞する。何れの場合も、速 度分布はサスセプタ面の近くに均一な境界層厚さを与えるのに適当な形状となら ず、したがって回転の利点は十分に実現されない。与えられた温度、圧力、入口 ガス成分、およびサスセプタ回転速度において、ある入口ガス流量または入口ガ ス流量の狭い幅が最適作動を与える。この流量は与えられた１組の条件に一般に 「適合された流量」と称される。これらは理論的または経験的に各処理および各 反応装置に関して決定され、また第１に理論的に、次ぎに経験的に実証されまた は微調整されることか好ましい。全面および選択的なタングステンＣＶＤに関し て、入口ガス流量は一般に上述の温度、圧力、ガス成分、および回転速度に関し て０．５ｓｌｐｍ〜５．Ｏｓｌｐｍの範囲内に入る。例えば、全面タングステン 、付着については、２．ｌｓｌｐｍの全流量に対して、０．ＩｓｌｐｍのＷＦｓ および２．ＯｓｌｐｍのＨ２が４２５°Ｃ，８ｉルおよび７５０ＲＰＭに関して 好ましいことが見い出された。選択的なタングステンＣＶＤに付いては、３．０ ｓｌｐｍの全流量に対して、０．ｌｓｌｐｍの５ｉＨａ、０．１５ｓｌｐｍのＷ Ｆ、および２．７５ｓｌｐｍのＨ２が２８０°Ｃ１５トルおよび２５ＯＲＰＭに 関して好ましいことか見い出された。一般に、流量は温度、回転速度または粘性 か増大するとき、または圧力が低下されて池のパラメータが一定に維持されると きに増大する。

上述した詳細説明は本発明の好ましい実施例を説明したが、この分野の熟知した 者には、本発明の基本から逸脱せずに変形例および改良例がなされ得ることが明 白となろう。本発明の原理はＣＶＤに最も有用な、また他のウニ　／１処理応用 例、特に材料かガスからウェーハへ、またはウェーハからガスへ移動される幾つ かの概念を含む。説明した実施例の反応装置の各種詳細は設計において改良され 、同じ構造に組み合わされることかできる。例えば、下部プラズマ電極か説明さ れ、バッフルを形成する構造と組み合わされる。同様に、上部プラズマ電極は好 ましい実施例では別の構造に備えられているが、シャワーヘッドと組み合わされ 、またはシャワーヘッドに組み込まれることができる。したがって、本発明の主 問題は、以下の請求の範囲によってのみ制限されることが意図される。

国際調査報告 ＾１’Ｊ）−１４ＮＧ　＾Ｎｌ’ＪｆＥＸ　＾ＮｈＪ　ＥＸ　Ｅフロントページ の続き （７２）発明者　レブランク、レーン　イー。

アメリカ合衆国　８５２３４　アリシナ州ギルバート、イスランデイア　ドライ ブ　１５１８（７２）発明者　アローラ、リックヒツトアメリカ合衆国　８５２ １０　アリシナ州メサ。

ウェスト　ベースライン　ロード　１０５５゜アパートメント　ナンバー　２０ ４６

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. １．半導体ウェーハを処理する装置であって、内部容積を包囲するシール容器で あって、容積を真空圧レベルに維持するために容積の一端に連結された排出手段 を有するシール容器、容器の内部容積内の処理空間内の軸線上に支持されたサス セプタであって、該軸線に直角に配向されたウェーハ支持面を有するサスセプタ 、サスセプタに対して排出手段とは反対側の容積端部に配置されたガス導入手段 であって、ウェーハ支持面と平行に且つ軸線上にほぼ芯出されてウェーハ支持面 から間隔を隔てて配置され、処理ガスの流れをガス導入手段から軸線に平行に処 理空間内へ導き、サスセプタのウェーハ支持面に向けるように、および支持面に 対して直角に向けるようになっているガス導入手段、ガス導入手段に少なくとも １つの処理ガスを供給する手段、ウェーハを支持面に保持して処理されるように するために、被覆される表面を有し、芯出され、およびガス導入手段に向けてサ スセプタにより担持された手段、および 導入手段からウェーハを横断し、サスセプタを超えて排出手段へガスを滑らかな 乱れを生じない流れとして導くために軸線のまわりに均一に分布された表面手段 を含む半導体ウェーハ処理装置。
2. ２．請求項１に記載の装置であって、排出手段が排出口を含み、また前記装置は 更に軸線を取り囲み、サスセプタのウェーハ支持面と排出手段との間で軸線方向 に配置され、処理空間内に乱れを生じないで排出口を通るガスの排出を容易にす るバッフル手段を含む装置。
3. ３．請求項２に記載の装置であって、バッフル手段が複数の軸線方向に間隔を隔 てたバッフルを含み、各バッフルが軸線のまわりに環状通路を形成した装置。
4. ４．請求項３に記載の装置であって、通路が排出口に接近するにつれて減少する 横断面を有する装置。
5. ５．請求項４に記載の装置であって、処理空間が容器ハウジングで境界され、サ スセプタは処理空間内のガスの流れの乱れを減少するように形成された滑らかな 外形を有する外壁手段を有し、このサスセプタの壁手段はハウジングから間隔を 隔てられて両者間に通路を形成し、この通路はこれらの複数通路よりも大きな横 断面積を有する装置。
6. ６．請求項１に記載の装置であって、該装置がＣＶＤ反応装置であり、処理ガス が少なくとも１つ反応ガスを含み、ウェーハ支持面を取り囲み且つウェーハ支持 面に支持されたウェーハの円形外縁に対して僅かに間隔を隔てられる寸法の内部 開口を有する環状リップをサスセプタが有しており、リップはウェーハの面と同 一面となるように位置決めされた外方へ向いた表面手段を有して、乱れおよび縁 近くのウェーハの半径方向の温度勾配を減少させるようになされ、リップの表面 手段は未使用反応ガスの掃出装置として十分に実質的に作用する面積部分を有す ると共に、反応ガスが被覆を付着させるように凝集しない材料で作られて、これ によりリップを超えて反応空間内に流入する反応物質の量を低減させるようにな された装置。
7. ７．請求項１に記載の装置であって、該装置がＣＶＤ反応装置であり、処理ガス が少なくとも１つ反応ガスを含み、ウェーハ支持面を取り囲み且つウェーハ支持 面に支持されたウェーハの円形外縁に対して僅かに間隔を隔てられる寸法の内部 開口を有する環状リップをサスセプタが有しており、リップはウェーハの面と同 一面となるように位置決めされた外方へ向いた表面手段を有して、乱れおよび縁 近くのウェーハの半径方向の温度勾配を減少させるようになされ、また前記装置 は更にリップとウェーハ縁との間に非反応ガスの導入手段を含み、反応ガスがウ ェーハからリップとウェーハ縁との間に流れることを防止し、これによりウェー ハの縁および底部の面積部分に対する付着を低減するようにされた装置。
8. ８．請求項７に記載の装置であって、非反応ガス導入手段がヘリウムガス供給源 を含む装置。
9. ９．請求項１に記載の装置であって、ウェーハ支持部が上方へ向き、ガス導入手 段が下方へ向いて処理ガスの流れをガス導入手段から下方へ向けてその上方から 処理空間内へ導き、またウェーハ支持面が上方へ向いた装置。
10. １０．請求項１に記載の装置であって、該装置がＣＶＤ反応装置であり、処理ガ スが少なくとも１つ反応ガスを含み、ウェーハ保持手段が非反応ガスをウェーハ とウェーハ支持面との間に流し、また反応空間の圧力よりも低い真空圧をウェー ハとウェーハ支持面との間に保持してサスセプタに対するウェーハの保持を容易 にする手段を含み、ウェーハとウェーハ支持面との間の非反応ガスが、ウェーハ とウェーハ支持面との間のガスによる伝導で十分な熱伝達を起こすような圧力に 維持され、ウェーハとウェーハ支持面との間の非反応ガスの圧力が、少なくとも 約１トル以上で、ウェーハと支持面との間にガス伝導による熱の伝導を生じるこ とに有効である圧力を超えない圧力に保持される装置。
11. １１．請求項１に記載の装置であって、該装置がＣＶＤ反応装置であり、処理ガ スが少なくとも１つ反応ガスを含み、ウェーハ支持面を取り囲み且つウェーハ支 持面に支持されたウェーハの円形外縁に対して僅かに間隔を隔てられる寸法の内 部開口を有する環状リップをサスセプタが有しており、リップはウェーハの面と 同一面となるように整合された表面手段を有して、乱れおよび縁近くのウェーハ の半径方向の温度勾配を減少させるようになされ、またリップおよびウェーハ支 持面は反応ガスが被覆を付着させるように凝集しない材料で作られて、これによ りウェーハ上の被覆の選択的な付着を容易にするようになされた装置。
12. １２．請求項１に記載の装置であって、サスセプタが滑らかな形状の外側の壁手 段を有しており、この壁手段は処理空間内のガスの流れの乱れを最少限にとどめ る外形を有している装置。
13. １３．請求項１に記載の装置であって、ウェーハ支持面を取り囲み且つウェーハ 支持面に支持されたウェーハの円形外縁に対して僅かに間隔を隔てられる寸法の 内部開口を有する環状リップをサスセプタが有しており、リップはウェーハの面 と同一面となるように位置決めされた外側表面手段を有して、乱れおよび縁近く のウェーハの半径方向の温度勾配を減少させるようになされた装置。
14. １４．請求項１６に記載の装置であって、リップは丸められた円形の外側リム手 段を有し、処理空間内の乱れを低減するようになされた装置。
15. １５．請求項１６に記載の装置であって、リップがサスセプタに取外し可能に取 付けられた装置。
16. １６．請求項１に記載の装置であって、ウェーハ支持面を取り囲み且つウェーハ 支持面に支持された第１寸法のウェーハの円形外縁に対して僅かに間隔を隔てら れる寸法の内部開口を有する第１環状リップをサスセプタが有しており、このリ ップはウェーハの面と同一面となるように位置決めされた外側表面手段を有して 、乱れおよび縁近くのウェーハの半径方向の温度勾配を減少させるようになされ 、更に前記装置は第１寸法と異なる第２寸法のウェーハの円形外縁に対して僅か に間隔を隔てられる寸法の内部開口を有する第２の代替リップを含み、サスセプ タが異なる寸法のウェーハを受入れることができるようになされ、また各リップ がサスセプタに取外し可能且つ交換可能である装置。
17. １７．請求項１に記載の装置であって、該装置が非反応ガスの供給源を含み、ウ ェーハ保持手段が非反応ガスをその供給源からウェーハおよびウェーハ支持面の 間に流すと共に、ウェーハとウェーハ支持面との間に反応空間内の圧力よりも低 い真空圧を保持して、サスセプタに対するウェーハの保持を容易にするための手 段を含む装置。
18. １８．請求項２０に記載の装置であって、ウェーハとウェーハ支持面との間の非 反応ガスがウェーハとウェーハ支持面との間のガス伝導による熱伝達を行うほど 十分な圧力に保持された装置。
19. １９．請求項１に記載の装置であって、該装置がウェーハとウェーハ支持面との 間のガス伝導により熱伝達を行うほど十分な圧力のウェーハとウェーハ支持面と の間の非反応ガスを与える手段を含む装置。
20. ２０．半導体ウェーハを処理する装置であって、内部容積を包囲するシールハウ ジングを有するシール容器であって、該容器は容積を真空圧レベルに維持するた めに容積の一端に連結された排出手段を有し、該ハウジングはサスセプタの取付 け部を含むシール容器、容器の内容積内の処理空間内の取付け部に支持され、ウ ェーハ支持面を有するサスセプタ、 支持面に保持されたウェーハを処理温度にまで加熱する手段、およびサスセプタ とハウジングとの間の熱の流れを防止する手段を含む半導体ウェーハ処理装置。
21. ２１．請求項２０に記載の装置であって、サスセプタがサスセプタ壁で境界され た中空内部を有し、その内部は高い反射性の表面手段を有して、サスセプタのウ ェーハ支持面およびサスセプタ取付け部に対する熱伝達を低減するようになされ た装置。
22. ２２．請求項２０に記載の装置であって、サスセプタがサスセプタ壁で境界され た内部を有し、その外部は低い反射性の表面手段を有して、サスセプタから去る 輻射熱が増大され、これによりウェーハ支持面および取付け部の間の熱伝達を低 減するようになされた装置。
23. ２３．請求項２０に記載の装置であって、サスセプタが薄いサスセプタ壁手段で 境界された中空内部を有し、ウェーハ支持面および取付け部の間の熱伝達を低減 するようになされた装置。
24. ２４．請求項２０に記載の装置であって、更にサスセプタを取付け部に取付ける ための、また熱遮断してウェーハ支持面と取付け部との間の熱伝達を低減するた めの、サスセプタと取付け部との間の低熱伝導率の取付け手段を含む装置。
25. ２５．請求項２６に記載の装置であって、サスセプタがサスセプタ壁で境界され た中空内部を有し、また取付け部はサスセプタ壁の第１取付け構造および取付け 部に固定された第２取付け構造を含み、第１および第２取付け構造は互いに接触 し、また第２取付け構造は減少された横断面積を有して第１および第２取付け構 造の界面に小さな熱接触面を形成している装置。