JP2005526373A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって：
シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を前記基板上への前記材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記基板を支持するように適合された前記支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する方法。
【請求項２】
前記シャフトの前記中空コア内の圧力を低減するステップは：
前記シャフトの前記中空コアを大気圧から封止する工程と；
前記シャフトの前記中空コアへ負圧源を適用し、よって前記中空コア内の圧力を低減する工程と；
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記中空コアは、前記負圧源と接続するように適合されるシャフト真空コネクターハウジングによって封止される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源へ接続されるように適合された接続具を備え、前記負圧は前記接続具を介して前記中空コアへ与えられる、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記上面は、上部で前記基板を支え、貫通した複数の開口を更に備え、前記方法は、
前記シャフトの中空コアを通過する真空ラインを介して前記複数の開口を通して真空を前記基板に適用するステップと；
前記上面に前記基板を付着するように前記複数の開口で流体接続するステップと；
を更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記シャフトの前記中空コア内で生成される負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内で生成される負圧を制御するステップを更に備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記チャンバ圧力は０．５トル乃至６トルである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は２００トル未満に低減される、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は０．５トル乃至２００トルへ低減される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は、前記堆積チャンバ内部の圧力と等しい、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって：
中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、前記支持プレートは基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有し、前記中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、
前記中空コア内側に負圧を与え、そして前記基板支持プレートの前記下面と界面を成す入口部；
を備えるサセプタ。
【請求項１２】
前記中空コアを大気圧から封止するように配置されたシャフト真空コネクターハウジングを更に備える、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１３】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、上に配置された前記入口部を有する、
請求項１２記載のサセプタ。
【請求項１４】
前記基板支持プレートは、前記上面を貫通し前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続する複数の開口を更に備え、前記上面は前記基板を付着するように適合されている、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１５】
前記シャフトの前記中空コア内側に発生されて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段を更に備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１６】
前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段は、前記シャフトの前記中空コア内側の負圧を発生させる入力部に接続された真空源に依存しない真空源を備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１７】
基板上へ材料の膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内で動作できるように位置決めされた、請求項１５のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１８】
前記堆積チャンバ内側の前記温度を少なくとも３００℃にするステップを更に含む、
請求項１７記載の方法
【請求項１９】
前記温度は４００℃乃至４５０℃である、請求項１８記載の方法
【請求項２０】
前記堆積チャンバ内の前記圧力は０．５トル乃至６トルである、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は２００トル未満へ低減される、
請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を監視するステップと；
前記シャフトの前記中空コア内側記圧力が前記堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節するステップと；
を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記膜が上に堆積されることになる前記基板の表面の平面性を監視するステップ；および、
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調節することによって前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップ；を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２５】
前記基板を付着するステップは、複数の開口を通して真空を上部に適用する工程であって、前記複数の開口は、前記複数の開口と流体接続する真空ラインを介して前記サセプタの前記上面を備え、前記複数の開口と流体接続する、前記工程を備える、請求項１７記載の方法。
【請求項１】
基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって：
シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を前記基板上への前記材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記基板を支持するように適合された前記支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する方法。
【請求項２】
前記シャフトの前記中空コア内の圧力を低減するステップは：
前記シャフトの前記中空コアを大気圧から封止する工程と；
前記シャフトの前記中空コアへ負圧源を適用し、よって前記中空コア内の圧力を低減する工程と；
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記中空コアは、前記負圧源と接続するように適合されるシャフト真空コネクターハウジングによって封止される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源へ接続されるように適合された接続具を備え、前記負圧は前記接続具を介して前記中空コアへ与えられる、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記上面は、上部で前記基板を支え、貫通した複数の開口を更に備え、前記方法は、
前記シャフトの中空コアを通過する真空ラインを介して前記複数の開口を通して真空を前記基板に適用するステップと；
前記上面に前記基板を付着するように前記複数の開口で流体接続するステップと；
を更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記シャフトの前記中空コア内で生成される負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内で生成される負圧を制御するステップを更に備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記チャンバ圧力は０．５トル乃至６トルである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は２００トル未満に低減される、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は０．５トル乃至２００トルへ低減される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は、前記堆積チャンバ内部の圧力と等しい、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって：
中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、前記支持プレートは基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有し、前記中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、
前記中空コア内側に負圧を与え、そして前記基板支持プレートの前記下面と界面を成す入口部；
を備えるサセプタ。
【請求項１２】
前記中空コアを大気圧から封止するように配置されたシャフト真空コネクターハウジングを更に備える、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１３】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、上に配置された前記入口部を有する、
請求項１２記載のサセプタ。
【請求項１４】
前記基板支持プレートは、前記上面を貫通し前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続する複数の開口を更に備え、前記上面は前記基板を付着するように適合されている、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１５】
前記シャフトの前記中空コア内側に発生されて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段を更に備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１６】
前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段は、前記シャフトの前記中空コア内側の負圧を発生させる入力部に接続された真空源に依存しない真空源を備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１７】
基板上へ材料の膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内で動作できるように位置決めされた、請求項１５のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１８】
前記堆積チャンバ内側の前記温度を少なくとも３００℃にするステップを更に含む、
請求項１７記載の方法
【請求項１９】
前記温度は４００℃乃至４５０℃である、請求項１８記載の方法
【請求項２０】
前記堆積チャンバ内の前記圧力は０．５トル乃至６トルである、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は２００トル未満へ低減される、
請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を監視するステップと；
前記シャフトの前記中空コア内側記圧力が前記堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節するステップと；
を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記膜が上に堆積されることになる前記基板の表面の平面性を監視するステップ；および、
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調節することによって前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップ；を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２５】
前記基板を付着するステップは、複数の開口を通して真空を上部に適用する工程であって、前記複数の開口は、前記複数の開口と流体接続する真空ラインを介して前記サセプタの前記上面を備え、前記複数の開口と流体接続する、前記工程を備える、請求項１７記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/922,352 US6896929B2 (en) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | Susceptor shaft vacuum pumping |
| PCT/US2002/024508 WO2003015136A2 (en) | 2001-08-03 | 2002-07-31 | Method and apparatus for vacuum pumping a susceptor shaft |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005526373A JP2005526373A (ja) | 2005-09-02 |
| JP2005526373A5 true JP2005526373A5 (ja) | 2006-01-05 |
| JP4656280B2 JP4656280B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=25446919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003519973A Expired - Fee Related JP4656280B2 (ja) | 2001-08-03 | 2002-07-31 | 堆積チャンバ内のサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法およびサセプタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6896929B2 (ja) |
| EP (1) | EP1415329A2 (ja) |
| JP (1) | JP4656280B2 (ja) |
| KR (1) | KR100601576B1 (ja) |
| CN (1) | CN100437893C (ja) |
| TW (1) | TW588117B (ja) |
| WO (1) | WO2003015136A2 (ja) |
Families Citing this family (250)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002257502A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Junichi Kushibiki | 厚さ測定装置及び測定方法 |
| US6843926B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | In-situ measurement of wafer position on lower electrode |
| US7055229B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
| JP4366226B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-11-18 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置 |
| US8034409B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-10-11 | Lam Research Corporation | Methods, apparatuses, and systems for fabricating three dimensional integrated circuits |
| KR100920668B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2009-10-09 | 피에스케이 주식회사 | 기판 제조 장치 및 그 방법 |
| KR101057118B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-08-16 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US20130023129A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| CN105220124B (zh) * | 2015-10-10 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 固定基台和蒸镀设备 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
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| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| KR200482777Y1 (ko) | 2016-07-22 | 2017-03-06 | 주식회사 뷰티채널 | 가속눈썹 |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| JP6738485B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2020-08-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 低圧リフトピンキャビティハードウェア |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
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| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
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- 2002-07-31 WO PCT/US2002/024508 patent/WO2003015136A2/en not_active Application Discontinuation
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