KR20140095018A - 전열 시트 부착 방법 - Google Patents

전열 시트 부착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140095018A
KR20140095018A KR1020140005497A KR20140005497A KR20140095018A KR 20140095018 A KR20140095018 A KR 20140095018A KR 1020140005497 A KR1020140005497 A KR 1020140005497A KR 20140005497 A KR20140005497 A KR 20140005497A KR 20140095018 A KR20140095018 A KR 20140095018A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transfer sheet
heat transfer
focus ring
heat
pressing member
Prior art date
Application number
KR1020140005497A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102114500B1 (ko
Inventor
게이타 간바라
나오유키 사토
다쿠야 이시카와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140095018A publication Critical patent/KR20140095018A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102114500B1 publication Critical patent/KR102114500B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(과제) 탑재대와 포커스링의 사이의 열전달 효율이 높은, 전열 시트 부착 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 플라즈마 처리 장치의 전열 시트 탑재부 위에 탑재된 전열 시트에, 가압 부재로 포커스링을 눌러서, 상기 포커스링에 상기 전열 시트를 부착하는 전열 시트 부착 방법으로서, 상기 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정과, 상기 전열 시트를 가열하는 공정과, 상기 가압 부재로 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는 공정을 적어도 소정의 시간 병렬로 실행하는 전열 시트 부착 방법.

Description

전열 시트 부착 방법{HEAT TRANSFER SHEET ATTACHMENT METHOD}
본 발명은, 전열 시트 부착 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 칭한다)에 대하여, 에칭, 성막 등의 플라즈마 처리가 다용되고 있다.
플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에는, 웨이퍼를 탑재하는 탑재대 위에 웨이퍼의 주위를 둘러싸도록 배치되는 포커스링이 마련된다. 포커스링은, 웨이퍼의 위쪽에 발생하는 플라즈마의 분포역을 웨이퍼 위뿐만 아니라 포커스링 위까지 확대시켜, 웨이퍼 전면에 실시되는 플라즈마 처리의 균일성을 확보하는 역할을 갖는다.
웨이퍼 및 포커스링은, 플라즈마 처리시에 있어서, 플라즈마에 직접 노출되기 때문에, 온도가 상승한다. 이 때문에, 탑재대의 온도를 제어하는 것에 의해, 웨이퍼의 온도를 제어함과 아울러, 포커스링의 온도도 조정한다.
탑재대와 포커스링의 사이의 열전달 효율이 낮은 경우, 포커스링의 온도를 제어하는 것이 곤란하게 된다. 그 때문에, 탑재대와 포커스링의 사이에는, 실리콘고무 등의 전열 시트를 배치하여 밀착성을 높임으로써, 열전달 효율이 향상된다.
전열 시트를 포커스링에 부착할 때에는, 기포가 들어가는 일이 있다. 기포가 들어간 경우, 그 부분은 단열층이 되어 탑재대의 열전달 효율이 저하되기 때문에, 포커스링의 온도 제어가 곤란하게 된다. 그 때문에, 특허 문헌 1에서는, 전열 시트를 배치한 후에 진공압 상태로 하는 것에 의해 미세한 기포를 집결시키고, 그 후, 대기압 상태로 되돌리는 것에 의해 집결한 기포를 빼는 기술이 개시되어 있다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2008-171899호 공보
그렇지만, 특허 문헌 1의 방법에서는, 전열 시트의 부착 상태에 따라서는 기포가 완전히 빠지지 않고, 탑재대와 포커스링의 사이의 열전달 효율이 충분하지 않다고 하는 문제점을 갖고 있었다.
상기 과제에 대하여, 탑재대와 포커스링의 사이의 열전달 효율이 높은, 전열 시트 부착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
플라즈마 처리 장치의 전열 시트 탑재부 위에 탑재된 전열 시트에, 가압 부재로 포커스링을 눌러서, 상기 포커스링에 상기 전열 시트를 부착하는 전열 시트 부착 방법으로서, 상기 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정과, 상기 전열 시트를 가열하는 공정과, 상기 가압 부재로 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는 공정을 적어도 소정의 시간 병렬로 실행하는 전열 시트 부착 방법이 제공된다.
탑재대와 포커스링의 사이의 열전달 효율이 높은, 전열 시트 부착 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 전열 시트를 적용 가능한 플라즈마 처리 장치의 일례의 개략 구성도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 전열 시트의 가열 발생 가스 분석의 측정예이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 전열 시트의 부착 방법에 있어서의, 유지 시간과 전열 시트의 열저항의 사이의 관계를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 지그의 일례의 개략 구성도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 방법의 흐름도의 일례이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 지그의 다른 예의 개략 구성도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 또, 본 명세서에서는, 기판 처리 장치로서 웨이퍼 등의 기판에 대하여 에칭, 성막 등의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치를 들고, 그 탑재대에 배치되는 링 형상 부재로서 포커스링을 들고, 그 포커스링에 전열 시트를 부착하는 경우에 대하여 설명한다.
(플라즈마 처리 장치)
우선, 본 실시형태의 전열 시트의 부착 방법에 의해 전열 시트가 부착된, 플라즈마 처리 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에, 본 실시형태에 따른 전열 시트를 적용 가능한 플라즈마 처리 장치의 일례의 개략 구성도를 나타낸다.
플라즈마 처리 장치(100)는, 웨이퍼 W를 플라즈마 처리하기 위한, 예컨대 원통 형상인 챔버(102)를 구비한다. 챔버(102)는, 예컨대 표면이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄 등으로 형성할 수 있고, 일반적으로 접지되어 있다.
챔버(102) 내의 저부에는, 웨이퍼 W를 탑재하기 위한, 예컨대 원기둥 형상의 탑재대(200)가 마련되어 있다. 탑재대(200)는, 세라믹 등의 절연판(210)과, 절연판(210) 위에 마련된 하부 전극을 구성하는 서셉터(220)를 구비한다. 서셉터(220)의 외주는, 절연체인 절연벽(212)으로 덮여 있다.
서셉터(220) 내에는, 온도 조절 매체실(226)이 마련되어 있다. 온도 조절 매체실(226)에는, 도입관을 거쳐서 온도 조절 매체가 도입되고, 도입된 온도 조절 매체는, 온도 조절 매체실(226) 내를 순환하고, 배출관으로부터 배출된다. 온도 조절 매체실(226) 내를 온도 조절 매체가 순환하는 것에 의해, 탑재대(200), 후술하는 포커스링 FR 및 웨이퍼 W의 온도를 제어할 수 있다.
서셉터(220)의 상측 중앙부에는, 기판을 탑재하는 볼록부(221)가 형성되어 있고, 이 볼록부(221)의 위에는 정전척(222)이 마련되어 있다. 웨이퍼 W는, 정전척(222) 위에 정전 흡착되고, 에칭 등의 플라즈마 처리가 실시된다.
정전척(222)은, 절연재의 사이에 전극(224)이 개재된 구성을 갖고, 도시하지 않는 직류 전원으로부터 전극(224)에 인가된 직류 전압에 의해, 웨이퍼 W가 정전척(222)에 정전 흡착된다.
탑재대(200)에는, 웨이퍼 W의 정전척(222)측의 면에 전열 매체를 공급하는 가스 통로(240)가 형성되어 있다. 웨이퍼 W의 정전척(222)측의 면에 전열 매체를 공급하는 것에 의해, 전열 매체를 거쳐서 정전척(222)과 웨이퍼 W의 사이에서 효율적으로 열이 전달되고, 웨이퍼 W를 소정의 온도로 유지할 수 있다. 전열 매체로서는, 예컨대 헬륨(He) 가스 등을 들 수 있다.
서셉터(220)의 상단 주연부에는, 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 포커스링 FR이 배치되어 있다. 포커스링 FR은, 예컨대 실리콘 등으로 이루어지는 도전성의 링 형상 부재이고, 상술한 바와 같이, 에칭 등의 처리의 균일성을 향상시키기 위해 배치된다.
포커스링 FR은, 예컨대 도 1에 나타내는 바와 같이, 서셉터(220)의 볼록부(221)를 둘러싸도록 배치된 링 형상의 유전성 링(230) 위에, 예컨대 실리콘고무 등으로 형성되는 전열 시트 HS를 사이에 두고 배치된다. 전열 시트 HS는, 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 탑재되는 둥근 고리 형상을 갖고, 플라즈마 처리 장치(100)를 이용한 플라즈마 처리시에 플라즈마에 노출되지 않도록, 포커스링 FR이 전열 시트 HS를 덮도록 배치된다.
전열 시트 HS를 배치하는 것에 의해, 포커스링 FR과 유전성 링(230)의 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 포커스링 FR, 유전성 링 및 서셉터(220) 사이의 열전도 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 도 1의 예에서는, 서셉터(220) 위에 유전성 링(230)을 배치하는 예를 들었지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않고, 유전성 링(230) 대신에 도전성 링을 마련하더라도 좋다. 또한, 유전성 링(230)이나 도전성 링을 마련하지 않고, 서셉터(220) 위에 직접 전열 시트 HS를 사이에 두고 포커스링 FR을 배치하는 구성이더라도 좋다. 전열 시트 HS를, 유전성 링(230), 도전성 링 또는 서셉터(220) 위에 부착하는, 본 실시형태의 부착 방법에 대해서는, 후술한다.
서셉터(220)의 위쪽에는, 서셉터(220)와 대향하도록 평행하게 상부 전극(120)이 마련되어 있다. 하부 전극을 구성하는 서셉터(220)와 상부 전극(120)의 사이의 공간이 플라즈마 발생 공간이 된다. 상부 전극(120)은, 서셉터(220) 위의 웨이퍼 W와 대향하여 플라즈마 생성 공간과 접하는 면, 즉 대향면을 형성한다.
이 상부 전극(120)은, 절연재(122)를 사이에 두고, 챔버(102)의 상부에 지지되어 있다. 또한, 상부 전극(120)은, 서셉터(220)와의 대향면을 구성하고, 또한, 다수의 토출 구멍(123)을 갖는 전극판(124)과, 전극판(124)을 착탈이 자유롭게 지지하는 전극 지지체(125)에 의해 구성되어 있다.
서셉터(220)에는, 2주파 중첩 전력을 공급하는 전력 공급 장치(140)가 접속되어 있다. 전력 공급 장치(140)는, 플라즈마 생성용의 제 1 주파수의 제 1 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원(142)을 구비한다. 또한, 전력 공급 장치(140)는, 바이어스 전압 발생용의, 제 1 주파수보다 낮은 주파수인 제 2 주파수의 제 2 고주파 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원(144)을 구비한다. 제 1 고주파 전원(142) 및 제 2 고주파 전원(144)은, 각각, 제 1 정합기(143), 제 2 정합기(145)를 거쳐서 서셉터(220)에 전기적으로 접속된다.
제 1 정합기(143) 및 제 2 정합기(145)는, 각각, 제 1 고주파 전원(142), 제 2 고주파 전원(144)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시키도록 기능한다. 또한, 챔버(102) 내에 플라즈마가 생성되어 있을 때에, 제 1 고주파 전원(142) 및 제 2 고주파 전원(144)의 내부 임피던스와 부하 임피던스가 외관상 일치하도록 기능한다.
상부 전극(120)에 있어서의 전극 지지체(125)의 중앙에는, 가스 도입구(126)가 마련되어 있고, 가스 공급관(127)을 거쳐서 처리 가스 공급원(130)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(130)에는, 예컨대 플라즈마 에칭을 위한 에칭 가스가 유지되어 있다. 또한, 가스 공급관(127)에는, 밸브(128) 및 매스플로 컨트롤러(129)가 마련되고, 처리 가스의 공급 유량을 제어할 수 있다.
또, 도 1에는, 가스 공급관(127), 밸브(128), 매스플로 컨트롤러(129) 및 처리 가스 공급원(130) 등으로 이루어지는 처리 가스 공급계가, 1계통인 예를 나타냈지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않는다. 일반적으로, 플라즈마 처리 장치(100)는, 복수의 처리 가스 공급계를 구비하고 있고, 각각의 처리 가스가 독립적으로 유량 제어되어, 챔버(102) 내에 공급된다.
챔버(102)의 저부에는, 배기관(134)이 접속되어 있고, 이 배기관(134)에는 배기 수단(135)이 접속되어 있다. 배기 수단(135)은, 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 챔버(102) 내를 소정의 진공압(감압 분위기)으로 조정할 수 있다. 후술하는 본 실시형태의 전열 시트 HS의 부착 방법에 있어서의, 「진공」은, 이 배기 수단(135)을 이용하여 실현할 수 있지만, 상세는 후술한다.
또한, 챔버(102)의 측벽에는 웨이퍼 W의 반출입구(131) 및 게이트 밸브 G가 마련되고, 피처리체인 웨이퍼 W가 반출입구(131)를 통해서 반출입된다.
플라즈마 처리 장치(100)를 이용한 플라즈마 처리로서, 웨이퍼 W를 플라즈마 에칭하는 예에 대하여, 간단하게 설명한다. 우선, 도시하지 않는 반송암 등에 의해 웨이퍼 W를 챔버(102) 내에 반입한다. 반입된 웨이퍼 W는, 탑재대(200) 위에 탑재되고, 정전척(222)에 의해 정전 흡착된다. 그리고, 처리 가스 공급원(130)으로부터 챔버(102) 내에 소정의 처리 가스를 도입하고, 배기부(135)에 의해 챔버(102) 내를 배기하는 것에 의해, 챔버(102) 내를 소정의 압력까지 감압한다. 챔버(102) 내를 소정의 진공압으로 유지한 상태에서, 서셉터(220)에 제 1 고주파 전원(142)으로부터 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가함과 아울러, 제 2 고주파 전원(144)으로부터 바이어스용 고주파 전력을 인가하는 것에 의해, 웨이퍼 W 위에 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 이것에 의해 에칭이 진행된다.
(전열 시트의 부착의 개략)
다음으로, 상술한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전열 시트 HS를 포커스링에 부착하는 방법의 개략에 대하여 설명한다. 또, 본 실시형태에 있어서의 전열 시트 HS의 부착은, 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서의, 예컨대 초기 설치시 또는 메인터넌스시에 실시된다.
상술한 바와 같이, 전열 시트 HS는, 포커스링 FR의 하면에 부착된다. 즉, 전열 시트 HS가 유전성 링(230) 위에 배치된 상태에서, 전열 시트 HS 위에 포커스링 FR을 배치하고, 전열 시트 HS를 포커스링에 부착한다.
전열 시트 HS는, 예컨대 실리콘고무 등으로 형성되기 때문에, 실리콘 등의 도전성의 포커스링 FR에 부착할 때에, 기포가 들어가는 일이 있다. 기포가 들어간 경우, 그 부분은 단열층이 되기 때문에, 전열 시트 HS와 탑재대의 사이의 열전달 효율이 저하되고, 포커스링의 온도 제어가 곤란하게 된다. 그 때문에, 플라즈마 처리시에 있어서, 포커스링 FR의 온도가 고온이 되고, 웨이퍼 W의 특히 주연 영역의 플라즈마 처리 특성에 격차가 발생한다.
본 실시형태에서는, 전열 시트 HS를 포커스링 FR에 밀착성이 좋게 부착하기 위해, 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3개의 요소를 이용하여 부착한다.
본 명세서에 있어서, 포커스링 FR에 전열 시트 HS를 부착하는 한 요소인 「하중」을 이용하는 것이란, 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 기계적으로 가압하는 것을 가리킨다. 또한, 후술하는 「진공」에 의해 발생한, 진공압과 대기압의 차압을 이용하여, 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 가압하더라도 좋다.
「하중」에 의해 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 가압할 때의, 가압력의 크기로서는, 밀착성의 관점에서는 가압력이 클수록 바람직하지만, 600kgf를 넘는 경우, 전열 시트 HS가 포커스링으로부터 빠져나오는 경우가 있다. 그 때문에, 일반적으로는, 300kgf 이상 600kgf 이하의 범위 내의 가압력으로 가압하는 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 포커스링 FR에 전열 시트 HS를 부착하는 한 요소인 「진공」을 이용하는 것이란, 전열 시트 HS가 진공압으로 놓이도록 감압하는 것에 의해, 전열 시트 HS를 부착할 때에 발생하는 기포를 탈기하는 것을 가리킨다.
진공도로서는, 특별히 제한은 없고, 전술한 배기 수단(135)에서 사용되는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프로 달성할 수 있는 진공도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 포커스링 FR에 전열 시트 HS를 부착하는 한 요소인 「열」을 이용하는 것이란, 전열 시트 HS를 부착할 때에, 전열 시트 HS(및 포커스링 FR)의 온도를 향상시키는 것을 가리킨다. 전열 시트 HS의 온도를 올리는 것에 의해, 예컨대, 전열 시트 HS의 원재료인 실리콘 수지의 화학 구조식의 측쇄(부쇄)를 열에너지에 의해 절단하여 탈리시킨다. 이것에 의해, 전열 시트 HS가 포커스링 FR의 표면의 미소한 기복(起伏) 형상에 추종하고, 전열 시트 HS와 포커스링 FR의 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 전열 시트 HS의 재료인 실리콘고무는, 주 골격이 실록산 결합(Si-O-Si 결합)으로 결합된 고분자 고무이고, 통상, 측쇄로서는 메틸기가 결합된다. 이 실리콘고무를, 실록산 결합이 절단되지 않는 온도로서, Si-CH3 결합 및/또는 CH2-CH2 결합 등의 측쇄에 따른 결합의 적어도 일부를 절단하는 온도로 가열하는 것에 의해, 보다 높은 갭 추종성을 부여할 수 있고, 열저항이 저하된다.
도 2에, 본 실시형태에 따른 전열 시트의 가열 발생 가스 분석(TPD-MS)의 측정예를 나타낸다. 가열 발생 가스 분석이란, 분석 대상물(본 실시형태에 있어서는 전열 시트)을 가열한 경우에, 발생하는 가스종의 발생 속도를 시간의 함수로서 추적하는 수법이고, 도 2의 가로축은 온도를 나타내고, 도 2의 세로축은 각 온도에 있어서의 가스종의 발생 속도를 나타낸다. 또한, 도 2에 있어서의 가스 종류는, 실선이 메탄 가스이고, 파선이 이산화탄소 가스이고, 점선이 트리메틸실라놀이고, 일점쇄선이 실록산 화합물이다. 또, 전열 시트로서는, 주 골격이 실록산 결합으로 결합되고, 측쇄에 메틸기를 갖는 실리콘고무를 사용했다.
도 2에 나타나는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 실리콘고무를 예컨대 상온으로부터 가열한 경우에, 140℃ 전후에서 이산화탄소 가스의 발생이 개시된다. 이산화탄소 가스의 발생은, 실리콘고무에 있어서의 측쇄의 절단을 의미한다. 한편, 본 실시형태에 있어서는, 210℃ 전후에서 실록산 화합물의 발생이 개시된다. 이 실록산 화합물의 발생은, 실리콘고무의 주쇄인 실록산 결합이 절단된 것을 의미한다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 실리콘고무를 약 140℃ 이상 210℃ 이하의 온도로 가열하도록 「열」을 인가하는 것이 바람직하다. 이 온도 범위로 「열」을 인가하는 것에 의해, 실리콘고무(전열 시트 HS)가 포커스링 FR의 표면의 미소한 기복 형상에 추종하고, 전열 시트 HS와 포커스링 FR의 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태의 전열 시트 HS의 부착 방법에 대하여, 「하중」, 「진공」 및 「열」을 이용하는 것이 바람직한 것을 확인한 실시형태에 대하여, 설명한다.
도 3(a)에, 본 실시형태에 따른 전열 시트의 부착 방법에 있어서의, 유지 시간과 전열 시트의 열저항의 사이의 관계를 설명하기 위한 개략도의 일례를 나타내고, 도 3(b)에, 개략도의 다른 예를 나타낸다. 보다 구체적으로는, 도 3(a) 및 도 3(b)는, 「하중」, 「진공」 및 「열」 중 어느 1종류 이상의 요소를 인가한 상태에서 전열 시트 HS를 포커스링 FR에 부착한 경우에 있어서의, 인가 시간과, 전열 시트의 열저항의 관계를 나타낸 도면이다. 도 3(a) 및 도 3(b)의 가로축은 요소를 인가한 인가 시간을 나타내고, 세로축은 각 인가 시간에 있어서의 전열 시트의 열저항을 나타낸다.
도 3(a)는 본 실시형태의 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3종류 모든 요소를 인가한 예와, 「하중」, 「진공」 또는 「열」의 1종류의 요소를 인가한 예의 개략도이고, 도면 중, 마름모가 「열」을, 정사각형이 「하중」을, 삼각형이 「진공」을, 원이 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3종류 모두를 인가한 예를 나타낸다.
또한, 도 3(b)는 본 실시형태의 3종류 모든 요소를 인가한 예와, 「하중」, 「진공」 및 「열」 중 2종류의 요소를 인가한 예의 개략도이고, 마름모가 「열」 및 「하중」을, 정사각형이 「하중」 및 「진공」을, 삼각형이 「열」 및 「진공」을, 원이 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3종류 모두를 인가한 예를 나타낸다.
측정 방법으로서는, 우선, 도 1에서 나타낸 알루미늄성의 유전성 링(230) 위에, 주 골격이 실록산 결합으로 결합되고, 측쇄에 메틸기를 갖는 실리콘고무인 전열 시트 및 포커스링 FR을 적층하여 적층체를 형성했다. 다음으로, 히터를 내포하고, 또한, 포커스링 FR을 가압하는 가압력을 조정 가능한 가압 부재를, 포커스링 FR 위에 배치했다. 그리고, 각각의 측정 조건의 조정은, 「하중」의 인가는 가압 부재에 의해, 「진공」의 인가는 도 1의 배기 수단(135)인 터보 분자 펌프에 의해, 「열」의 인가는 히터에 의해 행했다. 전열 시트의 열저항은, 포커스링 FR의 온도를 측정하는 것에 의해 산출했다.
측정 조건은,
「열」; 150℃(인가시) 또는 실온(인가 없음),
「하중」; 600kgf(인가시) 또는 300kgf(인가 없음),
「진공」; 진공압(인가시) 또는 대기압(인가 없음)
으로 했다.
플라즈마 처리 장치의 메인터넌스성을 감안하면, 60분의 부착 시간(인가 시간)으로, 열저항을 안정 영역, 예컨대 2×10-3(㎡ㆍk/w) 이하의 값까지 내리는 것이 바람직하다. 여기서, 도 3(a) 및 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3종류 모든 요소를, 적어도 소정의 시간 병렬로 인가한 실시형태에서는, 60분 이상의 유지 시간에서는, 전열 시트 HS의 열저항은 포화하고 있고, 2×10-3(㎡ㆍk/w) 이하의 안정 영역까지 내릴 수 있었다. 또, 전열 시트의 열저항에 관한 안정 영역은, 사용하는 전열 시트의 종류나 장치의 사양에도 의존한다. 그렇지만, 본 실시형태의 「하중」, 「진공」 및 「열」의 3종류 모든 요소를 인가하는 부착 방법에 의해, 60분 이내의 단시간의 부착 시간으로, 전열 시트의 열저항을 확실하게 안정 영역까지 내릴 수 있다.
한편, 도 3(a)에 나타내는 「하중」, 「진공」 또는 「열」의 어느 1개의 요소만을 인가한 실시형태에서는, 180분의 유지 후에 있어서도, 전술한 안정 영역까지 내릴 수 없었다.
또한, 도 3(b)에 나타내는 「하중」, 「진공」 및 「열」의 어느 2개의 요소를 인가한 실시형태에 있어서도, 60분의 유지 후의 전열 시트 HS의 열저항은, 전술한 안정 영역까지 내릴 수 없었다.
전술한 바와 같이, 플라즈마 처리 장치의 메인터넌스성을 감안하면, 60분의 부착 시간(유지 시간)으로, 전술한 안정 영역까지 내리는 것이 바람직하다. 그 때문에, 「하중」, 「진공」 및 「열」의 어느 2개를 인가한 실시형태에 있어서도, 60분의 유지 후의 전열 시트 HS의 열저항은 충분하지 않다. 그 때문에, 「하중」, 「진공」 및 「열」을 적어도 소정의 시간 병렬로 인가하여, 전열 시트 HS의 열저항을 안정 영역까지 저하시키는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 포커스링 FR의 온도 제어가 용이하게 되고, 웨이퍼 W의 특히 주연 영역의 플라즈마 처리 특성의 재현성을 개선할 수 있다.
(전열 시트 부착 지그)
상술한 본 실시형태의 전열 시트 부착 방법을 실시할 수 있는 전열 시트 부착 지그 및 전열 시트 부착 지그를 사용한 부착 방법의 실시형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
《제 1 실시형태》
도 4에, 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 지그의 일례의 개략 구성도를 나타낸다.
제 1 실시형태의 전열 시트 부착 지그(300)는, 포커스링 FR의 상면(전열 시트 HS와 접하지 않는 쪽의 면)에 배치되고, 자중(自重) 및 후술하는 차압에 의해 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 가압하는 가압 부재(310)를 갖는다.
가압 부재(310)는, 포커스링 FR과 전열 시트 HS의 적층 방향으로부터 본 평면시(平面視)에서, 포커스링 FR의 전면을 덮도록(즉, 포커스링 FR의 상면 전면에) 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상술한 평면시에서 가압 부재(310)가 포커스링 FR의 전면에 덮여 있지 않은 경우, 전열 시트 HS를 포커스링 FR에 균일하게 부착할 수 없는 경우가 있다. 즉, 가압 부재(310)는, 포커스링 FR의 외주 형상보다 큰, 예컨대 원판의 형상으로 할 수 있다.
또한, 가압 부재(310)는, 내부에 예컨대 히터 등의 가열 수단(320)을 갖고, 가열 수단(320)에 의해 발생한 열에 의해, 가압 부재(310) 및 포커스링 FR을 거쳐서, 전열 시트 HS를 가열할 수 있다. 즉, 가열 수단(320)은, 본 실시형태에 있어서의 「열」을 전열 시트 HS에 인가할 수 있다.
가압 부재(310)의 재료로서는, 강성이 충분히 높고 열저항이 낮은 금속 또는 합금 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 가압에 의해 포커스링 FR이 상하지 않도록, 가압 부재(310)의 포커스링 FR과의 접촉면은, 수지로 구성되어 있더라도 좋다.
가압 부재(310)의 상면(포커스링 FR과의 접촉면과는 반대쪽의 면)에는, 원판 형상의 가압 부재(310)의 둘레 방향에 걸쳐 형성된 벨로즈 부재(330)가 접속되어 있다. 벨로즈 부재(330)는, 포커스링 FR 및 전열 시트 HS의 적층 방향으로 신축 가능하게 되도록 구성되어 있고, 이 적층 방향에 대한 변위에 추종한다.
벨로즈 부재(330)는, 금속 등의 강성이 높은 재료 등으로 형성된다.
또한, 벨로즈 부재(330)의 길이는, 전열 시트 부착 지그(300)의 설치시에 있어서, 가압 부재(310)가 포커스링 FR의 상면에 맞닿도록 조정하는 것이 바람직하다.
벨로즈 부재(330)의 가압 부재(310)가 접속되어 있는 단부와는 반대쪽의 단부에는, 전열 시트 부착 지그(300)를 플라즈마 처리 장치(100)에 고정하기 위한 고정 수단(340)이 접속되어 있다.
고정 수단(340)은, 전열 시트 부착 지그(300)를 플라즈마 처리 장치(100)에 고정할 수 있으면, 그 고정 부분은 한정되지 않지만, 강성 등의 관점에서, 챔버(102)의 일부, 예컨대 챔버의 측벽 또는 상벽에 고정하는 것이 바람직하다.
고정 수단(340)을 통해서 전열 시트 부착 지그(300)를 챔버(102)에 고정하는 것에 의해, 가압 부재(310)의 포커스링 FR에 대한 수평 위치의 조정을, 용이하게 실행할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 가장 바람직한 실시형태인, 도 4에서 설명한 전열 시트 부착 지그(300)를 사용한, 전열 시트의 부착 방법에 대하여, 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5에, 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 방법의 흐름도의 일례를 나타낸다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태의 전열 시트의 부착 방법은, 「진공」, 「열」 및 「하중」을 이용한다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태의 전열 시트의 부착 방법은, (ⅰ) 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정(S100)과, (ⅱ) 전열 시트를 가열하는 공정(S120)과, (ⅲ) 가압 부재로 포커스링을 전열 시트에 가압하는 공정(S140)을 포함한다. 또한, 감압하는 공정과 가열하는 공정과 가압하는 공정은, 적어도 소정의 시간 병렬로 실행한다. 즉, 「진공」, 「열」 및 「하중」이 모두 인가된 상태로, 소정의 시간 유지한다(S160). 상술한 공정에 의해, 「진공」, 「열」 및 「하중」을 이용함으로써, 전열 시트 HS를 포커스링 FR에 밀착성이 좋게 부착하고, 탑재대와 포커스링의 사이의 높은 열전달 효율을 달성할 수 있다.
각각의 공정에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.
[감압하는 공정(S100)]
도 4의 전열 시트 부착 장치에 있어서, (ⅰ) 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정은, 예컨대 터보 분자 펌프인 배기 수단(135)에 의해 인가하는 것에 의해 실행된다. 배기 수단(135)을 이용한 배기에 의해, 전열 시트 HS가 감압 분위기하에 놓이고, 전열 시트 HS의 부착시에 발생하는 기포를 탈기할 수 있다.
S100의 감압하는 공정은, 전열 시트가 소정의 진공도 분위기에 노출되기까지 실시된다(S110). 또, 「진공」은, 대기압으로부터 소정의 진공압으로 서서히 압력을 내림으로써 인가하더라도 좋고, 단숨에 압력을 내림으로써 인가하더라도 좋다.
또한, 제 1 실시형태의 전열 시트 부착 지그(300)는, 가압 부재(310)의 둘레 방향에 걸쳐 벨로즈 부재(330)가 형성되어 있다. 그 때문에, 둘레 방향에 걸쳐 형성된 벨로즈 부재(330)의 내주측과 외주측에서, 개별적으로 압력을 제어할 수 있다. 구체적으로는, 배기 수단(135)을 이용한 배기에 의해, 예컨대, 전열 시트 HS가 존재하는 벨로즈 부재(330)의 외주측의 영역만을 진공 압력으로 할 수 있다. 이때, 벨로즈 부재(330)의 내주측의 영역(가압 부재의, 포커스링과의 접촉면과는 반대쪽의 면으로서 벨로즈 부재의 내주측의 면을 포함하는 영역)은, 대기압 그대로로 할 수 있다.
전열 시트 HS가 존재하는 벨로즈 부재(330)의 외주측의 영역을 진공압으로 하고, 벨로즈 부재(330)의 내주측의 영역을 대기압으로 하는 것에 의해, 가압 부재(310)의 포커스링 FR과의 접촉면과, 이 접촉면과는 반대쪽의 면으로서, 벨로즈 부재(330)의 내주측의 면의 사이에서 차압이 발생한다. 이 차압에 의해, 가압 부재(310)는, 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 누른다.
구체적으로는, 가압 부재(310)에 대하여 도 4에서 나타내는 F350의 방향으로 가압력이 발생하고, 이것에 의해, 가압 부재(310)가 연직 방향 아래쪽으로 이동한다. 이때, 벨로즈 부재(330)는, 가압 부재(310)의 연직 방향 아래쪽의 이동에 추종한다. 그리고, 가압 부재(310)는, 포커스링 FR의 둘레의 전체 면을 연직 방향 아래쪽으로 가압하고, 포커스링 FR은 전열 시트 HS에 눌려진다.
또한, 가압 부재(310)는, 전술한 차압에 의해 F350의 방향으로 휜다. 그 때문에, 가압 부재로 포커스링을 내주측으로부터 외주측에 걸쳐 전열 시트에 가압할 수 있다. 그 때문에, 부착시에 기포가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 부착시에 발생한 기포를, 포커스링 FR의 외주측으로 밀어내도록 제거할 수 있다. 즉, 포커스링 FR에 전열 시트 HS를 부착할 때에 발생할 수 있는 기포를, 확실하게 제거할 수 있다.
즉, 제 1 실시형태에 따른 전열 시트 부착 지그(300)는, 진공압과 대기압의 차압을 이용함으로써, 「진공」의 인가시에, 동시에 「하중」을 인가할 수 있다. 보다 구체적으로는, (ⅰ) 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정(「진공」의 인가)과, (ⅲ) 가압 부재로 포커스링을 전열 시트에 가압하는 공정(「하중」의 인가)을 동시에 실행할 수 있다.
「하중」의 크기(정도)의 조정은, 벨로즈 부재(330)를 배치하는 위치를 변경하는 것에 의해 조정할 수 있다. 구체예로서, 벨로즈 부재(330)의 외주측의 진공도가 충분하게 높고, 벨로즈 부재(330)의 내주측의 압력이 대기압인 경우, 포커스링 FR의 중심으로부터 φ272㎜의 위치에 벨로즈 부재(330)를 배치하는 것에 의해, 전열 시트 HS에 약 600kgf의 하중을 인가할 수 있다.
[가열하는 공정(S120)]
제 1 실시형태에 있어서, (ⅱ) 전열 시트를 가열하는 공정(「열」의 인가)은, 가열 수단(320)에 의해 전열 시트 HS를 가열함으로써 실시할 수 있다. 가열 수단(320)에 의해 발생한 열에 의해, 가압 부재(310) 및 포커스링 FR을 거쳐서, 전열 시트 HS를 가열할 수 있다. 그렇지만, 전열 시트 HS를 가열할 수 있으면, 제 1 실시형태의 가열 수단(320)의 구성으로 한정되지 않는다.
S120의 가열하는 공정에 의해, 전열 시트는 소정의 온도까지 가열된다(S130). 전술한 바와 같이, 예컨대, 전열 시트의 측쇄가 절단되는 온도 이상으로서, 전열 시트의 주쇄가 절단되는 온도 이하의 온도까지 가열된다. 가열할 때의 가열 속도(가열 레이트)에 대해서는, 특별하게 한정은 없고, 당업자가 적절하게 선택할 수 있다.
[가압하는 공정(S140)]
제 1 실시형태에 있어서는, 전술한 바와 같이, 감압하는 공정이 가압하는 공정을 겸하는 것이 가능한 구성이고, 「진공」과 「하중」의 인가를 동시에 실행할 수 있다. 그렇지만, 전술한 차압에 의해 소정의 하중이 얻어지지 않는 경우, 가압력을 조절 가능하게 구성된 도시하지 않는 가압력 조절 수단에 의해, 추가의 하중을 발생시키더라도 좋다.
가압에 의한 가압력은, 전열 시트 HS에 소정의 하중이 인가되기까지 증대된다(S150). 하중을 인가할 때의 하중 인가 속도에 대해서는, 특별하게 제한은 없고, 당업자가 적절하게 선택할 수 있다.
[유지(S160)]
S110, S130 및 S150에서 소정의 진공도, 온도 및 하중이 얻어진 후는, 그 상태로 소정의 시간 유지된다.
또, 도 5의 흐름도에 있어서는, 「진공」, 「열」 및 「하중」을 이 순서로 인가했지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않고, 「진공」, 「열」 및 「하중」을 인가하는 순서는 어떠한 순서이더라도 좋다. 즉, S100(및 S110), S120(및 S130), S140(및 S150)을 실시하는 순서는, 어떠한 순서이더라도 좋다. 「진공」, 「열」 및 「하중」이 적어도 소정의 시간, 예컨대 60분, 병렬로 인가된 상태로 유지함으로써, 밀착성이 좋게 전열 시트를 부착할 수 있다.
이상, 제 1 실시형태의 전열 시트 부착 지그는, 「하중」, 「진공」 및 「열」을 이용하여, 전열 시트 HS를 부착할 수 있다. 이것에 의해, 전열 시트를 밀착성이 좋게 부착하고, 탑재대와 포커스링의 사이의 높은 열전달 효율을 달성할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태의 전열 시트 부착 지그를 이용한 「진공」의 인가시에는, 대기압과 진공압의 차압을 이용하는 것에 의해, 「진공」과 「하중」을 동시에 효율이 좋게 인가할 수 있다.
《제 2 실시형태》
도 6에, 본 실시형태에 따른 전열 시트 부착 지그의 다른 예의 개략 구성도를 나타낸다.
본 실시형태의 전열 시트 부착 지그(400)는, 포커스링 FR의 상면에 배치되고, 포커스링 FR을 전열 시트 HS에 가압하는 가압 부재(410)를 갖는다.
가압 부재(410)는, 링 형상의 포커스링 FR의 상면 전면에 형성되어 있고, 예컨대 원판의 형상으로 할 수 있다. 또한, 가압 부재(410)는, 내부에 예컨대 히터 등의 가열 수단(420)을 갖고, 가열 수단(420)에 의해 발생한 열에 의해, 가압 부재(410) 및 포커스링 FR을 거쳐서, 전열 시트 HS를 가열할 수 있다.
가압 부재(410)의 재료로서는, 제 1 실시형태의 가압 부재(310)와 동일한 것을 사용할 수 있다.
또한, 전열 시트 부착 지그(400)는, 고정 수단(440)을 갖고, 가압 부재(410)는, 고정 수단(440)에 의해, 예컨대 탑재대(200)에 고정되어 있다.
또한, 전열 시트 부착 지그(400)는, 가압 부재(410)에 의한 가압력을 조절 가능하게 구성된 가압력 조절 수단(450)을 갖는다. 제 2 실시형태의 전열 시트 부착 지그를 이용한 (ⅲ) 가압 부재로 포커스링을 전열 시트에 가압하는 공정은, 가압력 조절 수단(450)으로 가압력을 조정하는 것에 의해 실행할 수 있다.
가압력 조절 수단(450)으로서는, 예컨대 나사 부재 등을 사용할 수 있고, 나사 부재의 박는 거리를 적절하게 조정함으로써, 소정의 가압력으로, 전열 시트 HS에 「하중」을 인가할 수 있다. 즉, 제 2 실시형태에 있어서는, 가압 부재(410)의 포커스링 FR로의 기계적인 가압에 의해 「하중」을 인가하는 구성을 갖는다.
또한, 제 2 실시형태에 있어서, (ⅱ) 전열 시트를 가열하는 공정(「열」의 인가)은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 가열 수단(420)에 의해 실시할 수 있다. 가열 수단(420)에 의해 발생한 열에 의해, 가압 부재(410) 및 포커스링 FR을 거쳐서, 전열 시트 HS를 가열할 수 있다.
제 2 실시형태에 있어서, (ⅰ) 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정은, 예컨대 배기부(135)를 사용하여, 챔버(102) 내 전체를 감압하는 것에 의해 실행된다.
즉, 제 1 실시형태와 제 2 실시형태에서는, 계 내 전체를 진공압으로 하는지 여부 등의 점에서 다르다. 차압을 이용하여 「진공」 및 「하중」을 동시에 인가한 제 1 실시형태와 대조적으로, 제 2 실시형태에 있어서는, 가압 부재(410)의 포커스링 FR로의 기계적인 가압에 의해 「하중」을 인가한다.
이상, 제 2 실시형태의 전열 시트 부착 지그는, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 「하중」, 「진공」 및 「열」을 이용하여, 전열 시트 HS를 부착하기 위한 것이다. 「하중」, 「진공」 및 「열」을 적어도 소정의 시간 병렬로 이용하는 것에 의해, 전열 시트를 밀착성이 좋게 부착하고, 탑재대와 포커스링의 사이의 높은 열전달 효율을 달성할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은, 상술한 실시예로 제한되는 일은 없고, 본 발명의 범위를 일탈하는 일 없이, 상술한 실시예에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
100 : 플라즈마 처리 장치 102 : 챔버
120 : 상부 전극 122 : 절연재
123 : 토출 구멍 124 : 전극판
125 : 전극 지지체 126 : 가스 도입구
127 : 가스 공급관 128 : 밸브
129 : 매스플로 컨트롤러 130 : 처리 가스 공급원
131 : 반출입구 134 : 배기관
135 : 배기부 140 : 전력 공급 장치
142 : 제 1 고주파 전원 143 : 제 1 정합기
144 : 제 2 고주파 전원 145 : 제 2 정합기
200 : 탑재대 210 : 절연판
212 : 절연벽 220 : 서셉터
222 : 정전척 224 : 전극
230 : 유전성 링 240 : 가스 통로
300, 400 : 전열 시트 부착 지그 310, 410 : 가압 부재
320, 420 : 가열 수단 330 : 벨로즈 부재
340, 440 : 고정 수단 450 : 가압력 조절 수단

Claims (8)

  1. 플라즈마 처리 장치의 전열 시트 탑재부 위에 탑재된 전열 시트에, 가압 부재로 포커스링을 눌러서, 상기 포커스링에 상기 전열 시트를 부착하는 전열 시트 부착 방법으로서,
    상기 전열 시트가 감압 분위기하에 놓이도록 감압하는 공정과,
    상기 전열 시트를 가열하는 공정과,
    상기 가압 부재로 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는 공정
    을 적어도 소정의 시간 병렬로 실행하는 전열 시트 부착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가압 부재는 원판 형상이고,
    상기 가압하는 공정에서는, 상기 가압 부재의 상기 포커스링과의 접촉면과는 반대쪽의 면으로부터, 상기 가압 부재의 둘레 방향에 걸쳐 형성된 신축 가능한 벨로즈 부재를 거쳐서, 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는
    전열 시트 부착 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 상기 감압하는 공정을 실행하는 배기 수단을 갖고,
    상기 벨로즈 부재는, 상기 배기부로부터 기밀이 되는 고정 수단에 의해, 상기 플라즈마 처리 장치에 고정되고,
    상기 감압하는 공정에 있어서, 상기 배기 수단을 작동시키는 것에 의해, 상기 가압 부재의 상기 포커스링과의 접촉면과 상기 벨로즈 부재와 상기 가압 부재와 상기 고정 수단과 상기 플라즈마 처리 장치로 둘러싸이는 제 1 영역의 내압을 진공압으로 하고, 상기 제 1 영역의 내압과, 상기 반대쪽의 면과 상기 벨로즈 부재와 상기 가압 부재와 상기 고정 수단과 상기 플라즈마 처리 장치로 둘러싸이는 제 2 영역의 내압의 사이에서 압력차를 발생시키고, 상기 압력차에 의해, 상기 가압 부재로 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는 공정을 실행하는
    전열 시트 부착 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    원판 형상의 상기 가압 부재의 지름 방향의 소망하는 위치에 상기 벨로즈 부재를 접속하는 것에 의해, 소망하는 압력으로, 상기 포커스링을 상기 전열 시트에 가압하는 전열 시트 부착 방법.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력차에 의해, 상기 가압 부재를 상기 적층 방향으로 휘게 하여, 상기 가압 부재로 상기 포커스링을 내주측으로부터 외주측에 걸쳐 상기 전열 시트에 가압하는 전열 시트 부착 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가압 부재는, 상기 전열 시트를 가열하는 가열 수단을 갖고,
    상기 가열 수단에 의해 상기 가열하는 공정을 실행하는
    전열 시트 부착 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열하는 공정에서는, 상기 전열 시트의 측쇄를 절단하는 온도보다 높은 온도, 또한, 상기 전열 시트의 주쇄를 절단하는 온도보다 낮은 온도로, 상기 전열 시트를 가열하는 전열 시트 부착 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전열 시트는 상기 웨이퍼 외주에 탑재되는 둥근 고리 형상이고,
    상기 포커스링은, 상기 플라즈마 처리 장치에 의한 플라즈마 처리시에 있어서 상기 전열 시트가 플라즈마에 노출되지 않도록, 전열 시트를 덮고 있는
    전열 시트 부착 방법.
KR1020140005497A 2013-01-23 2014-01-16 전열 시트 부착 방법 KR102114500B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013010407A JP5981358B2 (ja) 2013-01-23 2013-01-23 伝熱シート貼付方法
JPJP-P-2013-010407 2013-01-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140095018A true KR20140095018A (ko) 2014-07-31
KR102114500B1 KR102114500B1 (ko) 2020-05-22

Family

ID=51206799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140005497A KR102114500B1 (ko) 2013-01-23 2014-01-16 전열 시트 부착 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9812297B2 (ko)
JP (1) JP5981358B2 (ko)
KR (1) KR102114500B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194993B1 (ko) * 2020-09-07 2020-12-28 (주)엠엑스앤 반도체소자 제조용 포커싱링에 대한 쿨링시트 부착을 위한 진공챔버
KR102194996B1 (ko) * 2020-09-07 2020-12-28 (주)엠엑스앤 반도체 소자 제조용 포커싱링의 쿨링시트 부착장치
KR102214048B1 (ko) * 2020-12-04 2021-02-10 (주)엠엑스앤 반도체 소자 제조장치용 포커싱링에 대한 쿨링시트 부착장치
KR102480912B1 (ko) * 2022-06-13 2022-12-22 김성규 SiC 포커스 링의 외경 가공용 연마 지그 조립체

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6430233B2 (ja) * 2014-12-18 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 伝熱シート及び基板処理装置
KR102424818B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
GB201518756D0 (en) * 2015-10-22 2015-12-09 Spts Technologies Ltd Apparatus for plasma dicing
KR20180080520A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP7145041B2 (ja) * 2018-11-08 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538863B1 (ko) * 2000-04-25 2005-12-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 재치대 장치 및 플라즈마 처리 장치
US20080149598A1 (en) * 2006-12-25 2008-06-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, focus ring heating method, and substrate processing method
US20080166894A1 (en) * 2007-01-09 2008-07-10 Tokyo Electron Limited method for improving heat transfer of a focus ring to a target substrate mounting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63114118A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 Babcock Hitachi Kk 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置
JP4753460B2 (ja) * 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
JP5281739B2 (ja) * 2006-07-18 2013-09-04 新光電気工業株式会社 陽極接合装置
JP4666519B2 (ja) * 2006-09-08 2011-04-06 リンテック株式会社 シート貼付装置
WO2010055730A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 東京エレクトロン株式会社 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法
JP5185847B2 (ja) * 2009-01-30 2013-04-17 パナソニック株式会社 基板のドライエッチング方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538863B1 (ko) * 2000-04-25 2005-12-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 재치대 장치 및 플라즈마 처리 장치
US20080149598A1 (en) * 2006-12-25 2008-06-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, focus ring heating method, and substrate processing method
US20080166894A1 (en) * 2007-01-09 2008-07-10 Tokyo Electron Limited method for improving heat transfer of a focus ring to a target substrate mounting device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194993B1 (ko) * 2020-09-07 2020-12-28 (주)엠엑스앤 반도체소자 제조용 포커싱링에 대한 쿨링시트 부착을 위한 진공챔버
KR102194996B1 (ko) * 2020-09-07 2020-12-28 (주)엠엑스앤 반도체 소자 제조용 포커싱링의 쿨링시트 부착장치
KR102214048B1 (ko) * 2020-12-04 2021-02-10 (주)엠엑스앤 반도체 소자 제조장치용 포커싱링에 대한 쿨링시트 부착장치
KR102480912B1 (ko) * 2022-06-13 2022-12-22 김성규 SiC 포커스 링의 외경 가공용 연마 지그 조립체

Also Published As

Publication number Publication date
US20140202631A1 (en) 2014-07-24
JP2014143283A (ja) 2014-08-07
US9812297B2 (en) 2017-11-07
JP5981358B2 (ja) 2016-08-31
KR102114500B1 (ko) 2020-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140095018A (ko) 전열 시트 부착 방법
US8295026B2 (en) Electrostatic chuck and substrate processing apparatus having same
US10325799B2 (en) Dual temperature heater
JP4935143B2 (ja) 載置台及び真空処理装置
JP4151749B2 (ja) プラズマ処理装置およびその方法
CN101527262B (zh) 电极单元、基板处理装置及电极单元的温度控制方法
JP5320171B2 (ja) 基板処理装置
JP4695606B2 (ja) 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法
TW201923948A (zh) 具有電浮電源供應的基板支撐件
US9117857B2 (en) Ceiling electrode plate and substrate processing apparatus
EP1174910A2 (en) Method and apparatus for dechucking a substrate
TW201735215A (zh) 靜電卡盤機構以及半導體加工裝置
JP7454976B2 (ja) 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
US9427913B2 (en) Heat transfer sheet adhering apparatus and method
KR20160019375A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
JPH08339984A (ja) プラズマ処理装置
JP2009200241A (ja) 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法
JP2011159684A (ja) 静電チャック装置
JP4469006B2 (ja) 表示用基板の製造方法
JP5838054B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2003282691A (ja) ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法
JP5335421B2 (ja) 真空処理装置
TWI757690B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
JP3657089B2 (ja) プラズマ処理方法および装置
JP2017022295A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant