TW201923948A - 具有電浮電源供應的基板支撐件 - Google Patents

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Abstract

本案描述的實施例一般係關於電漿輔助或電漿增強處理腔室。更具體言之，本案的實施例係關於經配置提供脈衝DC電壓的靜電吸盤（ESC）基板支撐件，以及在電漿輔助或電漿增強半導體製造製程期間將脈衝DC電壓施加到基板的方法。

Description

具有電浮電源供應的基板支撐件
本案描述的實施例一般係關於在半導體元件製造中使用的處理腔室，具體言之，係關於具有基板支撐組件的處理腔室，該基板支撐組件經配置使設置在其上的基板偏置（bias），以及使基板偏置的方法。
可靠地生產高深寬比的特徵係對於下一代超大型積體電路（VLSI）和極大型積體電路（ULSI）半導體元件的關鍵技術之一挑戰。形成高深寬比特徵的一種方法使用電漿輔助蝕刻製程以在基板的材料層（如介電層）中形成高深寬比開口。在典型的電漿輔助蝕刻製程中，在處理腔室中形成電漿，且來自電漿的離子朝向基板及在基板上的遮罩中形成的開口加速，以在遮罩表面下方的材料層中形成開口。
通常，藉由將400kHz至2MHz範圍內的低頻RF功率耦合到基板，使離子朝向基板加速，從而在其上產生偏置電壓。然而，將RF功率耦合到基板不會向基板施加相對於電漿的單一電壓。在常用配置中，基板和電漿之間的電位差以RF功率的頻率從接近零值到最大負值振盪。缺少單一電位（從電漿到基板加速離子）在基板表面處以及在其材料層中形成的開口（特徵）中產生大範圍的離子能量。另外，因RF偏置產生的不同離子軌跡產生離子相對於基板表面的大角度分佈。因為離子沒有以足夠高的能量到達特徵的底部以維持期望的蝕刻速率，所以當蝕刻高深寬比特徵的開口時，不希望有大範圍的離子能量。因為離子相對於基板表面的大角度分佈導致特徵剖面的變形（如在特徵的垂直側壁中的頸縮和彎曲），不希望有離子相對於基板表面的大角度分佈。
因此，本領域需要能夠在電漿輔助蝕刻製程期間在基板的材料表面處提供具有低角度分佈的窄範圍的高能離子。
本揭示案一般係關於電漿輔助或電漿增強處理腔室。更具體言之，本案的實施例係關於靜電吸附（ESC）基板支撐件，其經配置在電漿輔助或電漿增強半導體製造製程期間向設置在其上的基板提供脈衝DC電壓。
在一個實施例中，提供了一種用脈衝DC電壓偏置（biasing）基板的方法。該方法包括以下步驟：將第一DC電源電耦接到嵌入在基板支撐組件中的吸附電極，其中該基板支撐組件包含基板支撐件和支撐基座，該基板支撐組件設置在處理腔室的處理空間中。該方法亦包括以下步驟：將第二DC電源電耦接到複數個導電元件，該複數個導電元件設置在該基板支撐件中且自該基板支撐件的基板支撐表面延伸。該方法亦包括以下步驟：將來自該第一DC電源的第一DC功率電耦接到該第二DC電源的參考電壓接點，將來自該第一DC電源的該第一DC功率施加到該吸附電極，及將來自該第二DC電源的第二DC功率施加到該複數個導電元件。
在另一個實施例中，提供了另一種用脈衝DC電壓偏置基板的方法。該方法包括以下步驟：藉由使氣體流到在該處理腔室中且在該基板支撐件上方的空間中以及將電漿功率施加到面向該基板支撐件的電漿電極，以在該處理腔室中形成電漿。該方法包括以下步驟：將第一DC電源電耦接到嵌入在基板支撐件的介電材料中的吸附電極。基板支撐件設置在支撐基座上且熱耦接到支撐基座，且基板支撐件和支撐基座設置在電漿處理腔室中。該方法亦包括以下步驟：將第二DC電源電耦接到複數個導電銷，該複數個導電銷設置在該基板支撐件中且自該基板支撐件的表面延伸。該方法亦包括以下步驟：將來自該第一DC電源的第一DC功率電耦接到該第二DC電源的參考電壓接點，將來自該第一DC電源的該第一DC功率施加到該吸附電極。該方法亦包括以下步驟：將來自該第二DC電源的第二DC功率施加到複數個導電銷，該第二DC功率包含具有約10Hz至約100kHz之間的頻率的脈衝DC功率。
在另一個實施例中，提供了一種電漿處理設備。電漿處理設備包括處理腔室，該處理腔室具有：一個或多個側壁和一底部，該一個或多個側壁和該底部界定一處理空間；基板支撐組件，該基板支撐組件設置在該處理空間中；及電漿產生器，該電漿產生器設置在面向該基板支撐件的該處理空間中。該基板支撐組件包含：支撐基座、基板支撐件與吸附電極，該基板支撐件由介電材料形成，該基板支撐件設置在該支撐基座上且與該支撐基座熱耦接，該吸附電極嵌入在該基板支撐件中。基板支撐組件進一步包括複數個導電元件，複數個導電元件設置在基板支撐件中且從其表面延伸。在一些實施例中，複數個導電元件透過與支撐基座直接接觸或透過與設置在支撐基座和導電銷之間的導電彈性構件接觸而電耦接到支撐基座。在此處，電漿處理設備進一步包括：第一電力導管、第二電力導管及第三電力導管，該第一電力導管經配置將吸附電極電耦接到第一DC電源，該第二電力導管經配置將該複數個導電元件電耦接到第二DC電源，該第三電力導管經配置將該電漿源電耦接到電漿電源。在一些實施例中，電漿產生系統包括電容耦合電漿（CCP）源、電感耦合電漿（ICP）源或微波電漿源，如電子迴旋共振電漿（ECR）源或線性微波電漿源（LPS）。通常，電漿電源包括RF電源或微波電源。
本案描述的實施例一般係關於電漿輔助或電漿增強處理腔室。更具體言之，本案的實施例係關於經配置向基板提供脈衝DC電壓的靜電吸附（ESC）基板支撐件，以及在電漿輔助或電漿增強半導體製造製程期間向基板提供脈衝DC電壓的方法。
本案所述的實施例透過穿過基板支撐件設置且延伸超出其表面的導電元件直接向基板提供脈衝DC偏壓功率。直接放置在導電元件上或與導電元件直接接觸的基板藉由靜電吸附力固持在適當位置，以用於處理。藉由將來自吸附DC電源的吸附電壓施加到嵌入在基板支撐件中的吸附電極來提供靜電吸附力。吸附DC電源在脈衝DC偏壓電源的輸出接點上電浮動，使得吸附電極和基板之間的電位差恆定或幾乎恆定。在脈衝DC偏壓電源上電浮動吸附DC電源在偏置基板和吸附電極之間提供恆定的電位差，從而在偏置基板和吸附電極之間提供恆定的夾持（clamping）力。
圖1A是根據一個實施例的處理腔室100的示意性截面圖，處理腔室100具有設置在其中的靜電吸附（ESC）基板支撐組件160。在此實施例中，處理腔室100是電漿處理腔室，如電漿蝕刻腔室、電漿增強沉積腔室（例如電漿增強化學氣相沉積（PECVD）腔室或電漿增強原子層沉積（ PEALD）腔室）、電漿處理腔室或基於電漿的離子注入腔室（例如電漿摻雜（PLAD）腔室）。
處理腔室100的特徵在於腔室蓋件103、一個或多個側壁102和腔室底部104以及電漿產生器（如耦接到RF電源供應142的氣體分配器112），腔室蓋件103、一個或多個側壁102和腔室底部104界定處理空間120。在此處，（具有穿過其設置的複數個開口118的）氣體分配器設置在腔室蓋件103中或與腔室蓋103耦接，且氣體分配器用於將處理氣體從氣體入口114均勻地分配到處理空間120中。氣體分配器112耦接到RF電源供應142（如VHF電源，例如162MHz電源供應），其透過與其耦合的電容耦合而由處理氣體形成電漿135。在其他實施例中，電漿產生系統包括電感耦合電漿（ICP）源（其電耦接到RF電源供應）或微波電漿源，如電子迴旋共振電漿（ECR）源或線性微波電漿源（LPS）（其電耦接到微波電源）。
通常，處理空間120透過真空出口113流體耦接到真空（如流體耦接到一個或多個專用真空泵），真空出口113將處理空間120保持在次大氣壓（sub-atmospheric）條件下並從其中排出處理氣體和其他氣體。設置在處理空間120中的基板支撐組件160耦接到支撐軸124，支撐軸124密封地延伸穿過腔室底部104。支撐軸124耦接到第一致動器140以及基板支撐組件160，以便於處理基板115以及將基板115移送到處理腔室100與從處理腔室100中移送出基板115，第一致動器140升高和降低支撐軸124，基板支撐組件160設置支撐軸124上。通常，當基板支撐組件160處於升高或處理位置時，基板115與氣體分配器112間隔開約0.2英吋至2.0英吋之間，如約1.25英吋。
基板115通過一個或多個側壁102中的一個側壁中的開口126裝載到處理空間120中，在基板115處理期間傳統上用門或閥（未圖示）來密封開口126。設置在升舉銷圈134上方的複數個升舉銷136穿過基板支撐組件160可移動式地設置，以便於將基板115移送到基板支撐組件160上以及從其移送出來。升舉銷圈134耦接到升舉圈軸131，升舉圈軸131密封地延伸穿過腔室底部，升舉環軸131藉由致動器130升高和降低升舉銷圈134。當升舉銷圈134處於升高位置時，複數個升舉銷136在基板支撐件127的表面上方延伸，複數個升舉銷136將基板115自基板支撐件127升起且能夠藉由機器手接近基板115。當升舉銷圈134處於降低位置時，複數個升舉銷136與基板支撐件127的表面齊平或在基板支撐件127的表面下方，且基板115置放在穿過其延伸的複數個導電元件138上。
這裡的基板支撐組件160包括支撐基座125、基板支撐件127與複數個導電元件138，基板支撐件127熱耦接到支撐基座125且設置在支撐基座125上，複數個導電元件138穿過基板支撐件127設置，複數個導電元件138電耦接到支撐基座125。通常，基板支撐組件160的支撐基座125用於在處理期間調節基板支撐件127的溫度，從而調節設置在其上的基板115，並向複數個導電元件提供脈衝DC功率。這裡，支撐基座125包括設置在其中的一個或多個流體導管137，流體導管137與冷卻劑源133（如致冷劑源或水源）流體連通。支撐基座125由耐腐蝕的導電和導熱材料形成，如耐腐蝕金屬，例如鋁、鋁合金或不銹鋼。基板支撐件127通常由介電材料形成，如陶瓷材料，例如Al2 O3 、AlN、Y2 O3 或其組合。這裡的基板支撐件127以黏合劑或藉由合適的機械構件而熱耦接到支撐基座125且固定地耦接到支撐基座125。在其他實施例中，支撐基座125藉由設置在支撐基座125和複數個導電元件138之間的介電材料而與複數個導電元件138電隔離。在其他實施例中，支撐基座125不導電。
基板支撐組件160提供基板115的偏置以及將基板115夾持於基板支撐組件160。藉由與複數個導電元件138的直接電接觸來偏置基板115。複數個導電元件138穿過基板支撐件127設置且電耦接到支撐基座125。通常，複數個導電元件138由耐腐蝕導電材料形成，如鋁、鋁合金、碳化矽或其組合。
在處理期間，基板115放置在複數個導電元件138上且與複數個導電元件138直接接觸。在圖1的實施例中，導電元件138是銷，銷固定地耦接到基板支撐組件160且從基板支撐表面128的介電材料延伸第一距離D1 ，第一距離D1 在約1μm至約10μm之間，如在約3μm至約7μm之間，例如約5μm。與基板支撐表面128間隔開第一距離D1 的基板115藉由來自吸附電極122的夾持力（clamping force）牢固地固持於複數個導電元件138，吸附電極122嵌入在基板支撐件127的介電材料中。這裡，吸附電極122包括一個或多個連續的導電材料部分，如沿著與基板支撐表面128平行的平面平坦地設置的網格、箔、環或板。吸附電極122藉由導電材料部分中的開口以及設置在吸附電極和複數個導電元件138之間的基板支撐件的介電材料而與複數個導電元件138電隔離。這裡的吸附電極與基板支撐表面128間隔開約100μm至約300μm之間的第二距離D2 。
通常，基板支撐表面128具有同心地設置在其上的密封唇部128A，且密封唇部128A靠近基板支撐表面128的外周，其中密封唇部128A由基板支撐件127的介電材料形成。當基板115被夾持到基板支撐件127時，基板115、基板支撐表面128和密封唇部128A界定氣室123。在處理期間，離子轟擊將不當（undesirably）加熱基板115。因為處理空間120的低壓導致基板115和基板支撐表面128之間的不良熱傳導，所以惰性導熱氣體（如氦）從氣源146提供到氣室123。氣體將基板115熱耦接到基板支撐表面128並增加其間的熱傳遞。通常，氣室123中的氣體壓力在約1Torr至約100Torr之間，如在約10Torr至約20Torr之間。
在另一實施例中，導電元件138中的一個或多個耦接到設置在基板支撐組件160上的彈性構件（未圖示）。在此實施例中，基板支撐表面128具有從其突出的複數個臺面（未圖示）。當基板115被夾持到基板支撐件127時，導電元件138被壓向支撐基座125，且透過由彈性構件提供的向上力被迫與設置在其上的基板115良好電接觸。基板115藉由複數個臺面而與基板支撐表面128間隔開，從而界定氣室123。在其他實施例中，彈性構件（未圖示）設置在複數個導電元件138中的各者與支撐基座125之間。在其他實施例中，複數個導電元件138中的一個或多個由可壓縮彈簧形成。
在圖1中，支撐基座125藉由第一DC電力導管153A電耦接到設置在電力控制機架150中的偏壓控制器152。偏壓控制器152包括固態脈衝器/切換器，固態脈衝器/切換器電耦接到第一DC電源供應156。第一DC電源供應156提供約0kV至約-10kV之間的高壓（HV）DC功率，以及偏壓控制器152透過固態脈衝器/切換器將HV DC功率轉換為循環（脈衝的）DC電壓，其頻率在約10Hz至約100kHz之間，如在約1000Hz至約50kHZ之間。脈衝DC電壓透過與其的直接電連接向基板115提供脈衝DC偏壓。在複數個導電元件138與支撐基座125電隔離的其他實施例中，第一DC電力導管153A穿過支撐基座125設置，且第一DC電力導管153A與支撐基座125電隔離，以及第一DC電力導管153A電耦接到複數個導電元件138中的各者。
吸附電極122藉由第二DC電力導管153B電耦接到設置在電力控制機架150中的電浮電壓源154。電浮電壓源154電耦接到偏壓控制器152，偏壓控制器152向電浮電壓源154提供參考電壓。電浮電壓源154包括第二DC電源供應158，第二DC電源供應158向吸附電極122提供吸附電壓。第二DC電源供應158在來自偏壓控制器152的脈衝DC電壓上電浮動，以在提供給吸附電極122的DC吸附電壓188與提供給基板115的脈衝DC電壓（參考電壓）之間提供一恆定的電壓差，吸附電極122嵌入基板支撐件127中。這裡，吸附電壓比脈衝DC電壓高約0V至約5000V之間，如約500V至約4500V之間，如約1000V至約3000V之間，例如約2500V。
圖2A圖示偏壓控制器（如圖1A中所示的偏壓控制器152）提供的脈衝DC電壓（如圖2B中所示的脈衝DC電壓186），其中脈衝DC電壓從0伏到-V0 循環，具有脈衝活動時間（active time）ton 、關閉時間toff 和循環週期T。這裡，循環脈衝DC電壓的工作週期（循環週期T的百分比ton ）在約10%至約90%之間，如在約25%至約75%之間，例如約50%。
圖2B圖示在處理設置在電漿處理腔室（如圖1中所示的處理腔室）中的基板支撐件上的基板期間，DC吸附電壓在脈衝DC電壓上的電浮動。對於此操作，處理腔室的處理空間保持在150mTorr，且藉由面向基板支撐件的電極而由耦接到500W、162MHz電源供應的氬氣形成電漿。提供給複數個導電元件和設置在其上並與其直接接觸的基板的脈衝DC電壓186在0V和-1000V之間以1kHz的頻率和50%的工作週期循環。提供給設置在基板支撐件中的吸附電極的DC吸附電壓188在脈衝DC電壓186上電浮動，以在基板和吸附電極之間提供500V的恆定電位，以在它們之間產生恆定的夾持力。
圖3是繪示根據本案描述的實施例的在電漿輔助處理期間偏置基板的方法300的流程圖。在310，方法300包括以下步驟：將第一DC電源電耦接到嵌入在基板支撐組件中的吸附電極，基板支撐件設置在支撐基座上，基板支撐件與支撐基座形成基板支撐組件，該基板支撐組件設置在處理腔室的處理空間中。基板支撐件由一層或多層介電材料形成，且吸附電極沿平行於基板支撐表面的平面設置在其上和/或嵌入其中。通常，基板支撐件熱耦接到支撐基座以使得能夠在它們之間進行熱傳遞。
在320，方法300包括以下步驟：將第二DC電源連接到支撐基座，其中複數個導電元件電耦接到支撐基座，且其中複數個導電元件設置在基板支撐件中且從其表面延伸。複數個導電元件穿過吸附電極中的開口設置，且藉由設置在其間的基板支撐件的介電材料與其電隔離。導電元件可以是導電銷，導電銷或者固定地耦接到支撐基座，或者設置在支撐基座中的彈性構件上或耦接到設置在支撐基座中的彈性構件。這裡，彈性構件是導電的，且可以是可壓縮彈簧。
在330，該方法包括以下步驟：將第一DC功率電耦接到第二DC電源的參考電壓接點。將第一DC功率耦接到第二DC電源的參考電壓接點使第一DC功率在第二DC電源供應的第二DC功率上將第一DC功率耦接到第二DC電源的參考電壓接點使第一DC功率在第二DC電源供應的第二DC功率上電浮動。
在340，該方法包括以下步驟：將來自第一DC電源的第一DC功率施加到吸附電極。在活動（activity）330中，使第一DC功率在第二DC電源的參考電壓接點上電浮動，使得能夠在（由第二DC電源偏置的）基板和吸附電極之間施加恆定的電位差。在施加第一DC功率期間的恆定電位差使得在脈衝DC偏置基板期間基板和基板支撐件之間有恆定夾持力。在一個實施例中，吸附電極和複數個導電銷之間的電位差保持在約0V至約5000V之間的基本上恆定的電壓，如在約500V至約4500V之間，如在約1000V至約3000V之間，例如約2500V。
在350，方法300包括以下步驟：將來自第二DC電源的第二DC功率施加到支撐基座。這裡，將第二DC功率施加到支撐基座使電力施加到與其電耦接的複數個導電元件。將第二DC功率施加到導電元件透過與其直接接觸而向基板提供DC偏壓。在一些實施例中，施加第二DC功率的步驟包括藉由操作設置在第二DC電源和支撐基座之間的開關來脈衝第二DC功率。通常，脈衝第二DC功率的步驟包括以下步驟：以約10Hz至約100kHz之間的頻率循環脈衝第二DC功率，如在約500Hz至約50kHz之間，其中循環脈衝的第二DC功率的工作週期在約10%至約90%之間，如約25%至約75%之間，且第二DC功率的脈衝在約0V至約-10kV之間，如在約-1kV至約-5kV之間。
在一些實施例中，該方法進一步包括以下步驟：藉由使處理氣體流入處理空間以及向面向基板支撐件的電極施加功率來在處理空間中形成電漿。施加到複數個導電元件以及與其直接接觸的基板的脈衝DC功率在基板和電漿之間提供單個電位，其將來自電漿的離子朝向基板加速，被加速的離子在基板的材料表面處具有窄範圍的高能量與低角度分佈。可在吸附基板之前或在吸附基板之後形成電漿。
本案所述之電漿處理設備和方法能夠在電漿輔助處理期間對基板進行直接脈衝DC偏置，這與使用靜電夾持力兼容。脈衝DC偏置允許增加對基板表面處和其中形成的特徵開口中的離子能量和角度分佈的控制。這種增加的控制至少在形成高深寬比特徵和/或需要直蝕刻剖面的其他特徵時是需要的，例如用於記憶體元件的介電材料中的高深寬比蝕刻（其包括非揮發性快閃記憶體元件和動態隨機存取記憶體元件），以及用於淺溝槽隔離（STI）應用的矽蝕刻中或用於形成FinFET元件中使用的矽鰭片。
雖然前面所述係針對本揭示案的實施例，但在不背離本揭示案的基本範圍下，可設計本揭示案的其他與進一步的實施例，且本揭示案的範圍由以下專利申請範圍所界定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧側壁
103‧‧‧腔室蓋件
112‧‧‧氣體分配器
113‧‧‧真空出口
114‧‧‧氣體入口
115‧‧‧基板
118‧‧‧開口
120‧‧‧處理空間
122‧‧‧吸附電極
123‧‧‧氣室
124‧‧‧支撐軸
125‧‧‧支撐基座
126‧‧‧開口
127‧‧‧基板支撐件
128A‧‧‧密封唇部
128‧‧‧基板支撐表面
130‧‧‧致動器
131‧‧‧升舉圈軸
133‧‧‧冷卻劑源
134‧‧‧升舉銷圈
135‧‧‧電漿
136‧‧‧升舉銷
137‧‧‧流體導管
138‧‧‧導電元件
140‧‧‧第一致動器
142‧‧‧RF電源供應
146‧‧‧氣體源
150‧‧‧電力控制機架
152‧‧‧偏壓控制器
153A‧‧‧第一DC電力導管
153B‧‧‧第二DC電力導管
154‧‧‧電浮電壓源
156‧‧‧第一DC電源供應
158‧‧‧第二DC電源供應
160‧‧‧基板支撐組件
186‧‧‧脈衝DC電壓
188‧‧‧DC吸附電壓
300‧‧‧方法
330‧‧‧活動
本揭示案之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式僅繪示了本揭示案的典型實施例，而由於本揭示案可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示案範圍之限制。
圖1是根據一個實施例的處理腔室的示意性截面圖，該處理腔室具有設置在其中的靜電吸附（ESC）基板支撐件。
圖2A圖示脈衝DC電壓。
圖2B圖示在處理設置在電漿處理腔室（如圖1中所示的處理腔室）中的基板支撐件上的基板期間在脈衝DC電壓上的DC吸附電壓電浮。
圖3是說明根據本案所述實施例的在電漿輔助或電漿增強處理期間偏置基板的方法的流程圖。
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Claims (20)

  1. 一種處理方法，包括以下步驟： 將一第一DC電源電耦接到嵌入在一基板支撐組件中的一吸附電極，該基板支撐組件包含一基板支撐件和一支撐基座，該基板支撐件由一介電材料形成，其中該基板支撐組件設置在一處理腔室的一處理空間中； 將一第二DC電源電耦接到複數個導電元件，該複數個導電元件設置在該基板支撐件中且自該基板支撐件的一基板支撐表面延伸； 將來自該第一DC電源的一第一DC功率電耦接到該第二DC電源的一參考電壓接點； 將來自該第一DC電源的該第一DC功率施加到該吸附電極；及 將來自該第二DC電源的一第二DC功率施加到該複數個導電元件。
  2. 如請求項1所述之方法，其中施加該第二DC功率的步驟包括以下步驟：藉由操作設置在該第二DC電源和該複數個導電元件之間的一開關來脈衝化該第二DC功率。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該支撐基座是導電的，且其中該複數個導電元件電耦接到該支撐基座。
  4. 如請求項2所述之方法，其中脈衝化該第二DC功率的步驟包括以下步驟：以約10Hz至約100kHz之間的一頻率循環地脈衝該第二DC功率。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該循環地脈衝的第二DC功率的一工作週期係在約10%至約90%之間。
  6. 如請求項2所述之方法，進一步包括在該處理空間中形成一電漿。
  7. 如請求項6所述之方法，其中形成該電漿的步驟包括以下步驟： 使一處理氣體流入該處理空間中；及 將一功率施加於面向該基板支撐件的一電漿電極。
  8. 如請求項7所述之方法，其中脈衝化該第二DC功率的步驟包括以下步驟：以約10Hz至約100kHz之間的一頻率循環地脈衝該第二DC功率。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該循環地脈衝的第二DC功率的一工作週期係在約10%至約90%之間。
  10. 如請求項9所述之方法，其中在施加該第二DC功率的步驟期間，該吸附電極和接觸該複數個導電元件的一基板之間的一電位差大致恆定。
  11. 如請求項10所述之方法，其中在該基板上施加一吸附力期間，該基板上的該吸附力大致恆定。
  12. 一種處理方法，包括以下步驟： 藉由使一氣體流到在該電漿處理腔室中且在該基板支撐件上方的一空間中以及將一電漿功率施加到面向該基板支撐件的一電漿電極，以在該電漿處理腔室中形成一電漿； 將一第一DC電源電耦接到嵌入在一基板支撐件的一介電材料中的一吸附電極，其中該基板支撐件設置在一支撐基座上且熱耦接到該支撐基座，且其中該基板支撐件和該支撐基座設置在一電漿處理腔室中； 將一第二DC電源電耦接到複數個導電銷，該複數個導電銷設置在該基板支撐件中且自該基板支撐件的一表面延伸； 將來自該第一DC電源的一第一DC功率電耦接到該第二DC電源的一參考電壓接點； 將來自該第一DC電源的該第一DC功率施加到該吸附電極；及 將來自該第二DC電源的一第二DC功率施加到複數個導電銷，該第二DC功率包含具有約10Hz至約100kHz之間的一頻率的一脈衝DC功率。
  13. 如請求項12所述之方法，其中施加該第二DC功率的步驟包括以下步驟：以約10%至約90%之間的一工作週期循環地脈衝該第二DC功率。
  14. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：將該吸附電極和該複數個導電銷之間的一電位差保持在一基本恆定的電壓。
  15. 如請求項14所述之方法，其中在施加該第二DC功率期間，該吸附電極與接觸該複數個導電銷的一基板之間的一電位差大致恆定。
  16. 如請求項13所述之方法，其中該支撐基座是導電的，且其中該複數個導電銷電耦接到該支撐基座。
  17. 一種電漿處理設備，包括： 一處理腔室，該處理腔室包含： 一個或多個側壁和一底部，該一個或多個側壁和該底部界定一處理空間； 一基板支撐組件，該基板支撐組件設置在該處理空間中，該基板支撐組件包含： 一支撐基座； 一基板支撐件，該基板支撐件由一介電材料形成，該基板支撐件設置在該支撐基座上且與該支撐基座熱耦接； 一吸附電極，該吸附電極嵌入在該基板支撐件中；及 複數個導電元件，該複數個導電元件設置在該基板支撐件中且自該基板支撐件的一表面延伸；及 一電漿產生器，該電漿產生器設置在面向該基板支撐件的該處理空間中； 一第一電力導管，該第一電力導管經配置將吸附電極電耦接到一第一DC電源； 一第二電力導管，該第二電力導管經配置將該複數個導電元件電耦接到一第二DC電源；及 一第三電力導管，該第三電力導管經配置將該電漿產生器電耦接到一電漿電源。
  18. 如請求項17所述之電漿處理設備，其中該吸附電極是具有形成在其中的複數個開口的一網格，該複數個導電元件經設置通過該複數個開口中的相應開口，且其中該吸附電極和該複數個導電元件中的各導電元件藉由設置在其間的該基板支撐件的該介電材料而彼此電隔離，且其中該支撐基座是導電的且該第二電力導管耦接到該支撐基座。
  19. 如請求項17所述之電漿處理設備，進一步包括一固態脈衝器開關，該固態脈衝器開關電耦接到該第二電力導管。
  20. 如請求項19所述之電漿處理設備，其中該第一DC電源電耦接到該第二電力導管的一參考電壓接點。
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