JP2002018703A - ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレート - Google Patents
ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレートInfo
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- JP2002018703A JP2002018703A JP2000204538A JP2000204538A JP2002018703A JP 2002018703 A JP2002018703 A JP 2002018703A JP 2000204538 A JP2000204538 A JP 2000204538A JP 2000204538 A JP2000204538 A JP 2000204538A JP 2002018703 A JP2002018703 A JP 2002018703A
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリッシングブロックの昇温速度を短縮する
ことができるとともに、ポリッシングブロック表面の温
度分布ムラを低減することができるポリッシングブロッ
クの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレートを
提供する。 【解決手段】 ポリッシングブロック２３を加熱プレー
ト１０に真空吸着させながら均一に加熱した後、ポリッ
シングブロック２３の加熱プレート１０への接触及び非
接触を適宜調節することにより、ポリッシングブロック
２３の表面温度を一定に保持する。
ことができるとともに、ポリッシングブロック表面の温
度分布ムラを低減することができるポリッシングブロッ
クの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレートを
提供する。 【解決手段】 ポリッシングブロック２３を加熱プレー
ト１０に真空吸着させながら均一に加熱した後、ポリッ
シングブロック２３の加熱プレート１０への接触及び非
接触を適宜調節することにより、ポリッシングブロック
２３の表面温度を一定に保持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、ポリッシングブ
ロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレー
トに関する。
ロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレー
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】 一般に、シリコン、セラミックス、ガ
ラス、シリコン等のウエハの研磨工程（ポリッシング）
は、光学的光沢をもち加工歪のない鏡面ウエハを製造す
るプロセスとして行われる。例えば、シリコンウエハの
場合では、マイクロエレクトロニクスデバイス構造の繊
細化に伴い、ウエハの表面は数μｍ以内の凹凸の平坦度
が要求される。
ラス、シリコン等のウエハの研磨工程（ポリッシング）
は、光学的光沢をもち加工歪のない鏡面ウエハを製造す
るプロセスとして行われる。例えば、シリコンウエハの
場合では、マイクロエレクトロニクスデバイス構造の繊
細化に伴い、ウエハの表面は数μｍ以内の凹凸の平坦度
が要求される。
【０００３】 現在、シリコンウエハの研磨工程（ポリ
ッシング）は、図４（ａ）に示すような片面研磨装置が
主に用いられている。この装置は、ポリッシングブロッ
ク２０に貼り付けたウエハ３０を、研磨布２６を接着し
た研磨定盤２４に所定の圧力で押し付けるとともに、ア
ルカリ性コロイダルシリカからなる研磨液２８を研磨布
２６に供給しつつ、ポリッシングブロック２０と研磨定
盤２４とを相対的に回転させることにより、ＳｉＯ2砥
粒による機械的研磨とアルカリ液による化学エッチング
との複合作用によるメカノケミカルポリッシング法を用
いてウエハ３０の表面を研磨するものである。
ッシング）は、図４（ａ）に示すような片面研磨装置が
主に用いられている。この装置は、ポリッシングブロッ
ク２０に貼り付けたウエハ３０を、研磨布２６を接着し
た研磨定盤２４に所定の圧力で押し付けるとともに、ア
ルカリ性コロイダルシリカからなる研磨液２８を研磨布
２６に供給しつつ、ポリッシングブロック２０と研磨定
盤２４とを相対的に回転させることにより、ＳｉＯ2砥
粒による機械的研磨とアルカリ液による化学エッチング
との複合作用によるメカノケミカルポリッシング法を用
いてウエハ３０の表面を研磨するものである。
【０００４】 ポリッシングブロックにウエハを貼り付
ける方法は、例えば、スピンコートによりポリッシング
ブロック２０の表面にワックス２２を塗付した後、ワッ
クスが塗布されたポリッシングブロック２３を加熱し、
軟化したワックス２２に、ウエハ３０を押圧することに
より、ウエハ３０をポリッシングブロック２０に貼り付
けることが行われている（図４（ｂ）参照）。尚、ワッ
クスが塗布されたポリッシングブロックを加熱する場
合、ポリッシングブロック２０表面の温度分布が不均一
であると、ポリッシングブロック２０に塗布されたワッ
クス２２の硬度が不均一となり、ポリッシングブロック
２０にウエハ３０を平坦に貼り付けることができないた
め、研磨工程（ポリッシング）後の鏡面ウエハの平坦度
が低下するとともに、厚さムラが生じてしまう。
ける方法は、例えば、スピンコートによりポリッシング
ブロック２０の表面にワックス２２を塗付した後、ワッ
クスが塗布されたポリッシングブロック２３を加熱し、
軟化したワックス２２に、ウエハ３０を押圧することに
より、ウエハ３０をポリッシングブロック２０に貼り付
けることが行われている（図４（ｂ）参照）。尚、ワッ
クスが塗布されたポリッシングブロックを加熱する場
合、ポリッシングブロック２０表面の温度分布が不均一
であると、ポリッシングブロック２０に塗布されたワッ
クス２２の硬度が不均一となり、ポリッシングブロック
２０にウエハ３０を平坦に貼り付けることができないた
め、研磨工程（ポリッシング）後の鏡面ウエハの平坦度
が低下するとともに、厚さムラが生じてしまう。
【０００５】 ポリッシングブロックは、通常、アルミ
ナ、シリコンカーバイト等のセラミック素材であること
が多く且つ肉厚であるため、加熱しにくい。このため、
ポリッシングブロックの加熱には、例えば、ポリッシン
グブロックを直接接触させて加熱する加熱プレートが用
いられている。
ナ、シリコンカーバイト等のセラミック素材であること
が多く且つ肉厚であるため、加熱しにくい。このため、
ポリッシングブロックの加熱には、例えば、ポリッシン
グブロックを直接接触させて加熱する加熱プレートが用
いられている。
【０００６】 しかしながら、図３に示すように、ワッ
クスが塗布されたポリッシングブロック２３を所定の温
度の加熱プレート８０に載せた場合、ポリッシングブロ
ック２０の表面と裏面との温度差による熱膨脹により、
上記ポリッシングブロック２３に反りが発生するため、
上記ポリッシングブロック２３を加熱プレート８０に完
全に密着させることが困難であった。
クスが塗布されたポリッシングブロック２３を所定の温
度の加熱プレート８０に載せた場合、ポリッシングブロ
ック２０の表面と裏面との温度差による熱膨脹により、
上記ポリッシングブロック２３に反りが発生するため、
上記ポリッシングブロック２３を加熱プレート８０に完
全に密着させることが困難であった。
【０００７】 このため、ワックスが塗布されたポリッ
シングブロックは、ウエハの貼り付けに適した温度（ナ
ノトポロジー、ディンプル、エッジダレの状態が最適で
ある温度［９０℃］）に達するまでの昇温に時間がかか
る（昇温時間：３６０秒以上）だけでなく、ポリッシン
グブロック表面における温度分布ムラも大きくなる（温
度分布ムラ：±１０℃）という問題があった。
シングブロックは、ウエハの貼り付けに適した温度（ナ
ノトポロジー、ディンプル、エッジダレの状態が最適で
ある温度［９０℃］）に達するまでの昇温に時間がかか
る（昇温時間：３６０秒以上）だけでなく、ポリッシン
グブロック表面における温度分布ムラも大きくなる（温
度分布ムラ：±１０℃）という問題があった。
【０００８】 また、従来のポリッシングブロックの加
熱は、所定の温度にポリッシングブロックを加熱した後
であっても、ポリッシングブロックを加熱プレートに載
せたままであるため、ポリッシングブロックを所定の温
度に保持することが困難であった。
熱は、所定の温度にポリッシングブロックを加熱した後
であっても、ポリッシングブロックを加熱プレートに載
せたままであるため、ポリッシングブロックを所定の温
度に保持することが困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、ポリッシングブロックの昇温速度を短縮する
ことができるとともに、ポリッシングブロック表面の温
度分布ムラを低減することができるポリッシングブロッ
クの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレートを
提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、ポリッシングブロックの昇温速度を短縮する
ことができるとともに、ポリッシングブロック表面の温
度分布ムラを低減することができるポリッシングブロッ
クの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレートを
提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、ポリッシングブロックを加熱プレートに直接接触
させて加熱するポリッシングブロックの加熱方法であっ
て、ポリッシングブロックを加熱プレートに真空吸着さ
せながら均一に加熱した後、ポリッシングブロックの加
熱プレートへの接触及び非接触を適宜調節することによ
り、ポリッシングブロックの表面温度を一定に保持する
ことを特徴とするポリッシングブロックの加熱方法が提
供される。
れば、ポリッシングブロックを加熱プレートに直接接触
させて加熱するポリッシングブロックの加熱方法であっ
て、ポリッシングブロックを加熱プレートに真空吸着さ
せながら均一に加熱した後、ポリッシングブロックの加
熱プレートへの接触及び非接触を適宜調節することによ
り、ポリッシングブロックの表面温度を一定に保持する
ことを特徴とするポリッシングブロックの加熱方法が提
供される。
【００１１】 また、本発明によれば、ポリッシングブ
ロックを加熱プレートに直接接触させて加熱するポリッ
シングブロックの加熱装置であって、ポリッシングブロ
ックを真空吸着させる吸着部と、ポリッシングブロック
を上下に移動させる上昇下降手段とを有する加熱プレー
トと、ポリッシングブロックの表面温度を測定する温度
測定手段と、温度測定手段により得られたポリッシング
ブロックの表面温度に基づいて、ポリッシングブロック
の真空吸着及びポリッシングブロックの上昇下降を制御
する制御部と、を備えたことを特徴とするポリッシング
ブロックの加熱装置が提供される。このとき、吸着部
は、加熱プレートの外周部に配設された同心円状の溝で
あることが好ましい。
ロックを加熱プレートに直接接触させて加熱するポリッ
シングブロックの加熱装置であって、ポリッシングブロ
ックを真空吸着させる吸着部と、ポリッシングブロック
を上下に移動させる上昇下降手段とを有する加熱プレー
トと、ポリッシングブロックの表面温度を測定する温度
測定手段と、温度測定手段により得られたポリッシング
ブロックの表面温度に基づいて、ポリッシングブロック
の真空吸着及びポリッシングブロックの上昇下降を制御
する制御部と、を備えたことを特徴とするポリッシング
ブロックの加熱装置が提供される。このとき、吸着部
は、加熱プレートの外周部に配設された同心円状の溝で
あることが好ましい。
【００１２】 更に、本発明によれば、ポリッシングブ
ロックを直接接触させて加熱する加熱プレートであっ
て、ポリッシングブロックを均一に加熱する加熱部と、
ポリッシングブロックを真空吸着させる吸着部と、ポリ
ッシングブロックを上下に移動させる上昇下降手段と、
を備えたことを特徴とする加熱プレートが提供される。
このとき、加熱部は、電気ヒータからなる発熱体であ
り、吸着部は、加熱プレートの外周部に配設された同心
円状の溝であることが好ましい。
ロックを直接接触させて加熱する加熱プレートであっ
て、ポリッシングブロックを均一に加熱する加熱部と、
ポリッシングブロックを真空吸着させる吸着部と、ポリ
ッシングブロックを上下に移動させる上昇下降手段と、
を備えたことを特徴とする加熱プレートが提供される。
このとき、加熱部は、電気ヒータからなる発熱体であ
り、吸着部は、加熱プレートの外周部に配設された同心
円状の溝であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】 本発明のポリッシングブロック
の加熱方法は、ポリッシングブロックを加熱プレートの
表面に真空吸着させながら均一に加熱した後、ポリッシ
ングブロックの加熱プレートへの接触及び非接触を適宜
調節することにより、ポリッシングブロックの表面温度
を一定に保持することにある。
の加熱方法は、ポリッシングブロックを加熱プレートの
表面に真空吸着させながら均一に加熱した後、ポリッシ
ングブロックの加熱プレートへの接触及び非接触を適宜
調節することにより、ポリッシングブロックの表面温度
を一定に保持することにある。
【００１４】 これにより、本発明では、ポリッシング
ブロックと加熱プレートの加熱面とを確実に密着させる
ことができるため、ポリッシングブロックの昇温速度を
短縮することができるとともに、ポリッシングブロック
表面の温度分布ムラを低減することができる。例えば、
加熱プレート温度が１１５℃の場合、ポリッシングブロ
ックの昇温速度を６０秒以下にすることができ、ポリッ
シングブロック表面の温度分布ムラを±４℃以下にする
ことができる。
ブロックと加熱プレートの加熱面とを確実に密着させる
ことができるため、ポリッシングブロックの昇温速度を
短縮することができるとともに、ポリッシングブロック
表面の温度分布ムラを低減することができる。例えば、
加熱プレート温度が１１５℃の場合、ポリッシングブロ
ックの昇温速度を６０秒以下にすることができ、ポリッ
シングブロック表面の温度分布ムラを±４℃以下にする
ことができる。
【００１５】 ここで、加熱用プレートの温度は、ポリ
ッシングブロックの昇温時におけるセラミックの熱衝撃
による破損等を考慮すると、１００〜２００℃が好まし
く、１３０〜１５０℃であることがより好ましい。ま
た、ウエハの貼り付けに適した温度（ナノトポロジー、
ディンプル、エッジダレの状態が最適である温度）は、
ワックスを用いてウエハをポリッシングブロックに平坦
に貼り付けるため、６０〜１００℃であることが好まし
く、８０〜９５℃であることがより好ましい。尚、ポリ
ッシングブロックの最適温度は、用いるワックスの硬度
の温度依存性によって決定される。
ッシングブロックの昇温時におけるセラミックの熱衝撃
による破損等を考慮すると、１００〜２００℃が好まし
く、１３０〜１５０℃であることがより好ましい。ま
た、ウエハの貼り付けに適した温度（ナノトポロジー、
ディンプル、エッジダレの状態が最適である温度）は、
ワックスを用いてウエハをポリッシングブロックに平坦
に貼り付けるため、６０〜１００℃であることが好まし
く、８０〜９５℃であることがより好ましい。尚、ポリ
ッシングブロックの最適温度は、用いるワックスの硬度
の温度依存性によって決定される。
【００１６】 また、本発明では、ポリッシングブロッ
クの加熱プレートへの接触及び非接触を適宜調節するこ
とにより、ポリッシングブロックの過熱防止と再加熱が
容易であるため、ポリッシングブロックの表面温度を一
定に保持することができる。
クの加熱プレートへの接触及び非接触を適宜調節するこ
とにより、ポリッシングブロックの過熱防止と再加熱が
容易であるため、ポリッシングブロックの表面温度を一
定に保持することができる。
【００１７】 以上のことから、本発明のポリッシング
ブロックの加熱方法は、ウエハの貼り付け時に用いるこ
とにより、ポリッシングブロックに塗布されたワックス
の硬度を均一にすることができるため、ウエハをポリッ
シングブロックに平坦に貼り付けることが可能である。
これにより、研磨工程における鏡面ウエハの厚さムラの
改善及び平担度の向上に寄与することができる。
ブロックの加熱方法は、ウエハの貼り付け時に用いるこ
とにより、ポリッシングブロックに塗布されたワックス
の硬度を均一にすることができるため、ウエハをポリッ
シングブロックに平坦に貼り付けることが可能である。
これにより、研磨工程における鏡面ウエハの厚さムラの
改善及び平担度の向上に寄与することができる。
【００１８】 次に、本発明のポリッシングブロックの
加熱方法について図面に基づいて説明する。図１は、本
発明のポリッシングブロックの加熱装置の一例を示す概
略説明図である。本発明のポリッシングブロックの加熱
装置は、図１に示すように、ポリッシングブロック２３
を真空吸着させる吸着部１６と、ポリッシングブロック
２３を上下に移動させる上昇下降手段４０とを有する加
熱プレート１０と、ポリッシングブロック２３の表面温
度を測定する温度測定手段５０と、温度測定手段５０に
より得られたポリッシングブロック２３の表面温度に基
づいて、ポリッシングブロック２３の真空吸着及びポリ
ッシングブロック２３の上昇下降を制御する制御部６０
とを備えたものである。
加熱方法について図面に基づいて説明する。図１は、本
発明のポリッシングブロックの加熱装置の一例を示す概
略説明図である。本発明のポリッシングブロックの加熱
装置は、図１に示すように、ポリッシングブロック２３
を真空吸着させる吸着部１６と、ポリッシングブロック
２３を上下に移動させる上昇下降手段４０とを有する加
熱プレート１０と、ポリッシングブロック２３の表面温
度を測定する温度測定手段５０と、温度測定手段５０に
より得られたポリッシングブロック２３の表面温度に基
づいて、ポリッシングブロック２３の真空吸着及びポリ
ッシングブロック２３の上昇下降を制御する制御部６０
とを備えたものである。
【００１９】 ここで、本発明のポリッシングブロック
の加熱方法は、所定の温度に加熱した加熱プレート１０
上に、ポリッシングブロック２３を載せた後、吸着部１
６でポリッシングブロック２３を真空吸着することによ
り、加熱プレート１０にポリッシングブロック２３を密
着させ、ポリッシングブロック２３を所定の温度に加熱
する。また、本発明では、ポリッシングブロックの表面
温度を一定に保持するため、温度測定手段５０でリアル
タイムに測定されたポリッシングブロック２３の表面温
度を、制御部６０に伝送することにより、ポリッシング
ブロック２３の真空吸着及びポリッシングブロック２３
の上昇下降を電磁弁７０で制御することが行われる。
の加熱方法は、所定の温度に加熱した加熱プレート１０
上に、ポリッシングブロック２３を載せた後、吸着部１
６でポリッシングブロック２３を真空吸着することによ
り、加熱プレート１０にポリッシングブロック２３を密
着させ、ポリッシングブロック２３を所定の温度に加熱
する。また、本発明では、ポリッシングブロックの表面
温度を一定に保持するため、温度測定手段５０でリアル
タイムに測定されたポリッシングブロック２３の表面温
度を、制御部６０に伝送することにより、ポリッシング
ブロック２３の真空吸着及びポリッシングブロック２３
の上昇下降を電磁弁７０で制御することが行われる。
【００２０】 例えば、ポリッシングブロック２３の表
面温度が所定の温度より上昇した場合、ポリッシングブ
ロック２３の加熱プレート１０への吸着を停止させた
後、上昇下降手段４０でポリッシングブロック２３を上
昇させ、加熱プレート１０から分離することにより、ポ
リッシングプレート２３の過熱を防止することができ
る。一方、ポリッシングブロック２３の表面温度が所定
の温度より低下した場合、上昇下降手段４０でポリッシ
ングブロック２３を下降させ、加熱プレート１０に接触
させた後、ポリッシングブロック２３を加熱プレート１
０で真空吸着することにより、ポリッシングプレート１
０を再加熱することができる。
面温度が所定の温度より上昇した場合、ポリッシングブ
ロック２３の加熱プレート１０への吸着を停止させた
後、上昇下降手段４０でポリッシングブロック２３を上
昇させ、加熱プレート１０から分離することにより、ポ
リッシングプレート２３の過熱を防止することができ
る。一方、ポリッシングブロック２３の表面温度が所定
の温度より低下した場合、上昇下降手段４０でポリッシ
ングブロック２３を下降させ、加熱プレート１０に接触
させた後、ポリッシングブロック２３を加熱プレート１
０で真空吸着することにより、ポリッシングプレート１
０を再加熱することができる。
【００２１】 尚、本発明の加熱プレートは、図１に示
すように、ポリッシングブロック２３を均一に加熱する
加熱部１２と、ポリッシングブロック２３を真空吸着さ
せる吸着部１６と、ポリッシングブロック２３を上下に
移動させる上昇下降手段４０とを備えたものである。
すように、ポリッシングブロック２３を均一に加熱する
加熱部１２と、ポリッシングブロック２３を真空吸着さ
せる吸着部１６と、ポリッシングブロック２３を上下に
移動させる上昇下降手段４０とを備えたものである。
【００２２】 このとき、加熱部１２は、加熱プレート
１０に埋設された発熱体として電気ヒータであること
が、加熱プレート１０の温度制御が容易となるので好ま
しい。
１０に埋設された発熱体として電気ヒータであること
が、加熱プレート１０の温度制御が容易となるので好ま
しい。
【００２３】 また、吸着部１６は、特に限定されない
が、例えば、図２に示すように、加熱プレート１０の外
周部に配設された同心円状の溝であることが好ましい。
これにより、ポリッシングブロック２３に反りが発生し
ても、ポリッシングプレート２３を加熱プレート１０に
完全に密着させることができる。
が、例えば、図２に示すように、加熱プレート１０の外
周部に配設された同心円状の溝であることが好ましい。
これにより、ポリッシングブロック２３に反りが発生し
ても、ポリッシングプレート２３を加熱プレート１０に
完全に密着させることができる。
【００２４】 更に、上昇下降手段４０は、特に限定さ
れないが、例えば、図１に示すように、ポリッシングブ
ロック２３を上昇下降させるアーム４２と、アーム４２
を動作させるシリンダ４４から構成されていることが好
ましい。このとき、シリンダ４４は、上記吸着部１６と
共通の空気圧回路を用いることができるため、空気圧シ
リンダであることがより好ましい。尚、アーム４２は、
例えば、図２に示すように、ポリッシングブロック２３
を三点支持できるように配置することが好ましい。
れないが、例えば、図１に示すように、ポリッシングブ
ロック２３を上昇下降させるアーム４２と、アーム４２
を動作させるシリンダ４４から構成されていることが好
ましい。このとき、シリンダ４４は、上記吸着部１６と
共通の空気圧回路を用いることができるため、空気圧シ
リンダであることがより好ましい。尚、アーム４２は、
例えば、図２に示すように、ポリッシングブロック２３
を三点支持できるように配置することが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明によれば、ポリッシングブロックの昇温速度を短縮す
ることができるとともに、ポリッシングブロック表面の
温度分布ムラを低減することができる。
明によれば、ポリッシングブロックの昇温速度を短縮す
ることができるとともに、ポリッシングブロック表面の
温度分布ムラを低減することができる。
【図１】 本発明のポリッシングブロックの加熱装置の
一例を示す説明図である。
一例を示す説明図である。
【図２】 本発明の加熱プレートの加熱面の一例を示す
正面図である。
正面図である。
【図３】 従来のポリッシングブロックの加熱方法にお
けるポリッシングブロックと加熱プレートとの接触状態
を示す模式図である。
けるポリッシングブロックと加熱プレートとの接触状態
を示す模式図である。
【図４】 一般的な片面ポリッシング方法の一例であ
り、（ａ）は、概略説明図であり、（ｂ）は、ポリッシ
ングブロックの概略斜視図である。
り、（ａ）は、概略説明図であり、（ｂ）は、ポリッシ
ングブロックの概略斜視図である。
１０…加熱プレート、１２…加熱部、１６…吸着部、１
８…アーム用孔、２０…ポリッシングブロック、２２…
ワックス、２３…ポリッシングブロック（ワックス塗布
済）２４…研磨定盤、２６…研磨布、２８…研磨液、３
０…ウエハ、４０…上昇下降手段（リフトアップ機
構）、４２…アーム、４４…シリンダ、５０…温度測定
手段（表面温度計）、６０…制御部（コントローラ）、
７０…電磁弁、８０…加熱プレート。
８…アーム用孔、２０…ポリッシングブロック、２２…
ワックス、２３…ポリッシングブロック（ワックス塗布
済）２４…研磨定盤、２６…研磨布、２８…研磨液、３
０…ウエハ、４０…上昇下降手段（リフトアップ機
構）、４２…アーム、４４…シリンダ、５０…温度測定
手段（表面温度計）、６０…制御部（コントローラ）、
７０…電磁弁、８０…加熱プレート。
Claims (6)
- 【請求項１】 ポリッシングブロックを加熱プレートに
直接接触させて加熱するポリッシングブロックの加熱方
法であって、 ポリッシングブロックを加熱プレートに真空吸着させな
がら均一に加熱した後、ポリッシングブロックの加熱プ
レートへの接触及び非接触を適宜調節することにより、
ポリッシングブロックの表面温度を一定に保持すること
を特徴とするポリッシングブロックの加熱方法。 - 【請求項２】 ポリッシングブロックを加熱プレートに
直接接触させて加熱するポリッシングブロックの加熱装
置であって、 ポリッシングブロックを真空吸着させる吸着部と、ポリ
ッシングブロックを上下に移動させる上昇下降手段とを
有する加熱プレートと、 ポリッシングブロックの表面温度を測定する温度測定手
段と、 温度測定手段により得られたポリッシングブロックの表
面温度に基づいて、ポリッシングブロックの真空吸着及
びポリッシングブロックの上昇下降を制御する制御部
と、 を備えたことを特徴とするポリッシングブロックの加熱
装置。 - 【請求項３】 吸着部が、加熱プレートの外周部に配設
された同心円状の溝である請求項２に記載のポリッシン
グブロックの加熱装置。 - 【請求項４】 ポリッシングブロックを直接接触させて
加熱する加熱プレートであって、 ポリッシングブロックを均一に加熱する加熱部と、 ポリッシングブロックを真空吸着させる吸着部と、 ポリッシングブロックを上下に移動させる上昇下降手段
と、 を備えたことを特徴とする加熱プレート。 - 【請求項５】 加熱部が、電気ヒータからなる発熱体で
ある請求項４に記載の加熱プレート。 - 【請求項６】 吸着部が、加熱プレートの外周部に配設
された同心円状の溝である請求項４又は５に記載の加熱
プレート。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204538A JP2002018703A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレート |
| PCT/US2001/017221 WO2002004171A1 (en) | 2000-07-06 | 2001-05-25 | Method and apparatus for heating a polishing block |
| TW90113358A TW497128B (en) | 2000-07-06 | 2001-07-17 | Method and apparatus for heating a polishing block |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204538A JP2002018703A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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