JP4457242B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
サファイア基板を用いた半導体装置の製造プロセスに、シリコン基板を用いた半導体装置の製造プロセスを流用した場合は、サファイアが透明であるために赤外線等による輻射熱の吸収率が低いことに起因する問題が生ずる。
なお、図1は図2に示すA−A断面線に沿った断面を示し、図2は図1に示すホットプレートとサファイア基板とを取り除いた状態を示す上面図である。
図1において、1は半導体製造装置であり、大気中等の比較的低い雰囲気温度でサファイア基板2を予熱し、半導体基板としてのサファイア基板2を昇温させた状態で半導体装置を製造する工程で用いる製造装置である。本実施例の半導体製造装置1は、常圧CVD装置である。
3はホットプレートであり、電気ヒータ等によって加熱されるサファイア基板2の直径より大きい直径を有する円盤状部材であって、後述する支持部6aに支持されたサファイア基板2の裏面と対向してその上方に配置されており、サファイア基板2を昇温させると共に、サファイア基板2を昇温させた状態で行われる当該工程(本実施例では、成膜工程)の工程作業の作業台としても用いられる。
図1において、8は昇降装置であり、先端に支持台4aを接合した円筒状の昇降軸9aと、昇降軸9aの内筒側に挿入され、先端に支持台4bを接合した円柱状の昇降軸9bとをそれぞれ独立に昇降させる機能を有しており、それぞれの昇降軸9a、9bにより支持台4a、4bに設けられた支持部6a、6bを昇降させる。
13は負圧開閉バルブであり、吸排穴11に接続する負圧供給管12の管路を開閉するON/OFFバルブであって、吸引穴としての吸排穴11に供給される負圧の供給、遮断を制御する機能を有している。
16は気体開閉バルブであり、気体供給管15の管路を開閉するON/OFFバルブであって、吸排穴11に供給される図示しない流量調整バルブで流量を調整された気体の供給、遮断を制御する機能を有している。
本実施例のサファイア基板2は、直径6インチ、厚さ0.6mmの基板であり、ホットプレート3の設定温度は、380℃に設定されている。
工程P1、昇降装置8の昇降軸9aの先端に取付けた支持台4aの支持部6aの斜面7aに、サファイア基板2の裏面を、380℃に設定されたホットプレート3の下面に対向させて載置し、その外周部を支持部6aの斜面7aに支持させる。
そして、サファイア基板2の停止と同時に、気体開閉バルブ16を開作動させて、気体供給管15から供給される、図示しない流量調整バルブで流量を標準状態で29リットル/分(L/minと記す。)に調整された大気温度の気体(窒素ガス)を、ホットプレート3の中心部に開口する噴出穴としての吸排穴11から、サファイア基板2の裏面の中心部に向けて噴出させる。
工程P3(保持工程)、予熱工程の開始時(サファイア基板2の所定の間隔Sへの停止時)から、2分間経過後に、気体開閉バルブ16を閉作動させて、吸排穴11からの気体の噴出を停止し、昇降装置8により昇降軸9bを上昇させて、その先端に取付けた支持台4bのみをホットプレート3の方向に上昇させ、図4に示すように、支持部6bの先端に外周縁部を支持されたサファイア基板2の裏面をホットプレート3の下面に接触させ、予熱工程の開始時から3分間経過後に、つまり気体の噴出を停止してから1分後に、負圧開閉バルブ13を開作動させて、負圧供給管12から吸排穴11に供給される負圧により吸引して、サファイア基板2をホットプレート3に保持する。
工程P4、サファイア基板2の保持後に、昇降軸9a、9bを降下させ、支持台4a、4bを元の位置(図1参照)に戻して支持部6a、6bをサファイア基板2から退避させ、サファイア基板2を吸引保持したホットプレート3を、当該工程(本実施例では、成膜工程)の所定の作業位置へ移動させて所定の工程作業を行う。
この場合の各温度は、サファイア基板2のおもて面の中心に設けた熱電対と、外周縁部の外周から10mm程度中心側の位置に設けた2つの熱電対で測定した。
これは、図5からは明らかではないが、予熱の終了条件である2分間経過後の椀状の反り量が少ないために、1分間の接触時間の間に大気温度に曝されている外周縁部の温度が僅かに低下し、これに伴ってサファイア基板2が僅かに釣鐘状に反り、中心部を吸着したときに、外周縁部の吸着力が低下して、保持時に僅かな反りが残ったためと思われる。
この場合の評価試験は、同じ仕様の2つの半導体製造装置1(号機番号13、14)を用い、気体としては窒素ガスを用いて行った。
また、図6に示す各温度は、予熱開始時から2分間経過後の温度であり、その外周縁部温度は、2つの熱電対の温度の平均値である。
図6に示すように、同じ13号機を用いて、同じ窒素ガス流量で所定の間隔Sを1mmとした試験番号2に示す評価試験の吸着保持時の平坦性の判定結果は、「OK」となっており、予熱後のサファイア基板2の吸着保持時の平坦性は、所定の間隔Sに依存していることが示唆されている。
図7に示すように、工程P2における予熱工程の開始時には、およそ大気温度であったサファイア基板2の温度が、時間の経過に伴って、まず中心部が加熱されて外周縁部より温度が高くなるが、直ぐに気体の噴出による昇温速度の減少により、外周縁部より温度が低くなって、2分間(120秒)の経過後には、図5に示す場合に較べて温度差が大きくなって椀状に大きく反った状態になり、工程P3における1分間の接触時間の間においても、中心部温度が僅かに低くなっていることが判る。
このように、吸着保持時の平坦性は間隔Sに依存していることが判ったので、次に間隔Sを1mmとして窒素ガス流量に対する依存性を評価した。
なお、図8に示す白抜きの記号は、図6に示す判定結果「OK」を示し、黒塗りの記号は判定結果「NG」を示す。
図8に示すように、間隔Sを1mmとした場合に、窒素ガス流量を増加させていけば、予熱工程の終了時における温度は、主に中心部温度が低下して、外周縁部温度との温度差が増加していくことが判る。
従って、適正な予熱条件は、所定の間隔Sを1mmとし、窒素ガス流量を20L/min以上とすることが望ましく、予熱の終了条件を中心部温度が、外周縁部温度より65℃以上低くなったとき、温度計測をしない場合には予熱条件設定後に2分間経過したとき、とすることが望ましい。
このようにすれば、予熱工程における予熱条件を適正にして、サファイア基板2の吸引保持時における平坦性を確保しながら、ホットプレート3への吸引保持を円滑に行うことができる。
なお、上記の所定の間隔Sは、0.7mm以上、1.2mm以下とすることが望ましい。更に好ましくは1mm以下とすることが望ましい。
また、窒素ガス流量の上限は、窒素ガス流量の増加に伴う中心部と外周縁部の温度差の拡大により、椀状の反りが過大になって、サファイア基板2にクラックまたは割れが生じる流量を上限とするとよい。
また、上記実施例においては、半導体製造装置で昇温させる半導体基板はサファイア基板であるとして説明したが、半導体基板は前記に限らず、シリコン基板に埋込み酸化膜を挟んでシリコンからなる薄膜の半導体層を形成したSOI構造のSOI基板等の半導体基板であってもよい。要は予熱工程において反りを抑制するための気体の噴出を必要とし、かつ吸引保持された半導体基板に成膜することが必要な半導体基板であれば、どのような半導体基板であっても上記と同様の効果を得ることができる。
2 サファイア基板
3 ホットプレート
4a、4b 支持台
5a、5b 支持板
6a、6b 支持部
7a、7b 斜面
8 昇降装置
9a、9b 昇降軸
11 吸排穴
12 負圧供給管
13 負圧開閉弁
15 気体供給管
16 気体開閉弁
Claims (3)
- サファイア基板を大気中で昇温するホットプレートと、
前記ホットプレートと前記サファイア基板の裏面とを対向させて支持する支持部を設けた支持台と、
前記ホットプレートに設けられ、前記サファイア基板の中心部に向けて気体を噴出する噴出穴と、
前記支持台を昇降させる昇降装置と、を備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記支持部に、前記サファイア基板を、その裏面を前記ホットプレートに対向させて支持させる工程と、
前記昇降装置により前記支持台を上昇させ、前記サファイア基板の裏面と前記ホットプレートとの間隔が1mm以下となる位置に停止させると共に、前記サファイア基板の中心部に向けて、前記噴出穴から、20L/min以上の気体を噴出させる予熱工程と、
前記サファイア基板の中心部温度が、外周縁部温度より65℃以上低くなったときに、前記噴出穴からの気体の噴出を停止する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記噴出穴からの気体の噴出を停止する工程に代えて、
前記予熱工程の開始時から、2分間経過後に前記噴出穴からの気体の噴出を停止する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記ホットプレートの設定温度が、380℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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