JP2003051458A - 半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置 - Google Patents

半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置

Info

Publication number
JP2003051458A
JP2003051458A JP2002178254A JP2002178254A JP2003051458A JP 2003051458 A JP2003051458 A JP 2003051458A JP 2002178254 A JP2002178254 A JP 2002178254A JP 2002178254 A JP2002178254 A JP 2002178254A JP 2003051458 A JP2003051458 A JP 2003051458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
process chamber
manufacturing
semiconductor device
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002178254A
Other languages
English (en)
Inventor
Hong-Rok Choi
洪録 崔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2003051458A publication Critical patent/JP2003051458A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置製造用工程チャンバのウェーハの
ホールディング装置を提供する。 【解決手段】 工程チャンバ３０に供給されたウェーハ
３６がホールディングされるチャック３２が上下に駆動
され、前記チャック３２上に所定工程実施のための温度
条件を提供し熱伝導性を有するグラファイト４０の周縁
には所定形状の孔が少なくとも一つ以上形成されてい
る。そして、前記孔にはピン３８の一端部が挿入され、
これは、前記ウェーハ３６が所定高さになるように支持
するためのものである。シングルウェーハ式の工程チャ
ンバ３０でウェーハ３６が所定の高さに保持された状態
で工程が実施されることにより、ウェーハ３６の前面だ
けではなく、後面にも所定の膜が均一に蒸着される効果
がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造の
ためのエッチング、蒸着等の工程が行われる工程チャン
バ内でウェーハをホールディングするための、半導体装
置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハを加工して半導体装置に製造す
るためには、高温、かつ高圧又は低圧の雰囲気で一定時
間、所定の工程ガスを供給してウェーハ上に所定の膜が
形成されるようにする工程、ならびに形成された膜を除
去する工程が数回実施される。このような工程を通じて
ウェーハ上に所望の形態のパターンが形成され、このよ
うな工程の条件によって前記パターンの結果が異なる。
特に、工程がどのような条件で実施されるかによって、
次の工程をどのような条件で実施しなければならないか
が決められる。
【０００３】従って、単一工程のみで半導体装置が製造
されることはなく、数回互いに異なる工程を実施した
り、このような工程が繰り返されたりするので、いずれ
か一つの工程を実施するための工程条件及び工程設備を
選択するのは非常に重要である。例えば、ウェーハにＨ
ＳＧ（Ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｇｒａｉｎ）を形
成するための従来の工程設備を説明する。
【０００４】図１を参照すると、ＨＳＧ工程を実施する
ための従来のシングルウェーハ式工程チャンバの一例が
概略的に示されている。半導体装置製造のための工程が
実施されるチャンバ１０内には、ウェーハをホールディ
ングするためのチャック１２が備えられ、チャンバ１０
内に供給されるウェーハ１８をホールディング（Ｈｏｌ
ｄｉｎｇ）するために昇降するホルダ１４が備えられて
いる。そして、ウェーハ１８が直ぐ上に置かれ、所定の
加熱手段を通じて工程の温度条件を提供するグラファイ
ト１７が備えられている。ところで、グラファイト１７
の所定の部分には、ホルダ１４が下降しながらウェーハ
１８を下ろす時、ウェーハ１８の後面がグラファイト１
７に密着するようにするためにホルダ１４が挿入される
溝（図示しない）が形成されている。
【０００５】そして、ホルダ１４を垂直に支持し、ホル
ダ１４を上下に駆動するためのホルダ軸１６が、エアシ
リンダー２４の動作によりホルダ軸１６を持ち上げるホ
ルダベロー２２と連結されている。チャック１２の垂直
的な昇降のためにホルダ軸１６の外側にチャックベロー
２０が備えられており、工程実施時、チャンバ１０が密
閉された状態で工程が実施されるようにするドーム（Ｄ
ｏｍｅ）２６が備えられている。ガスを供給するための
ガス供給部やチャンバ１０内の圧力条件を整えるための
真空ポンプなどは便利上、図示しない。
【０００６】以上のように、概略的に図示された従来の
ＨＳＧ工程を実施するための工程設備は、先ず、ウェー
ハ１８が所定の移送手段を通じてチャンバ１０内に供給
されると、ウェーハ１８はホルダ１４上にホールディン
グされる。この時、ホルダ１４は上昇した状態で、その
形状は大略半円形を形成しながら、三つの部分に分けら
れた形態として、ウェーハ１８を支持する。ウェーハ１
８がホルダ１４上にホールディングされると、徐々に下
降してグラファイト１７上に置かれるようにすると同時
に、ホルダ１４はグラファイト１７に挿入される。
【０００７】このような順序により、ウェーハがホール
ディングされた状態で工程が実施され、ウェーハ１８が
正確にグラファイト１７に密着した状態で工程が実施さ
れれば、ウェーハの前面にのみ膜が形成される。ところ
で、ウェーハ１８がグラファイト１７上に置かれた状態
で工程が実施されるようになると、グラファイト１７の
ウェーハが置かれていない部分にウェーハに蒸着される
程度の膜が蒸着され、累積蒸着部分が所定の高さに形成
される。この場合、ホルダ１４によりウェーハがホール
ディングされれば、累積蒸着部分にウェーハが置かれる
ようになって、レベリング（Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）が合わ
せられない場合が時々発生する。それにより、ウェーハ
が捩れたり、グラファイト１７に正確に置かれない状態
で工程が実施され、後続工程が実施されるとき、不良発
生の要因として作用する。
【０００８】例えば、図２の例のようにウェーハ１８が
水平に置かれないと、ウェーハ１８後面に所定の空間が
存在してウェーハ前面だけではなく、後面にも工程ガス
による膜が形成される。従って、膜が形成されたウェー
ハ１８の後面と、グラファイト１７に密着して膜が形成
されていないウェーハの面とのレベリング差が発生す
る。
【０００９】特に、このような現象は、ホルダ軸１６が
ネジ式からなっており、昇降時、ホルダ軸１６により左
右に傾くようになるので、そのようなレベリング誤謬が
発生する。これと異なり、多量のウェーハにＨＳＧ工程
が同時に実施されるバッチ式（Ｂａｔｃｈ）設備におい
ては、工程中ウェーハの後面が露出するので、工程ガス
により後面にも所定の厚さの膜が塗布される。
【００１０】前記のようなシングルウェーハ式設備にお
いて、レベリング誤謬は後続工程に影響を及ぼす。例え
ば、ＨＳＧが形成されたウェーハ上にキャパシタ（Ｃａ
ｐａｃｉｔｏｒ）を形成するためにオキサイド（Ｏｘｉ
ｄｅ）を薄く形成する工程を実施する場合、前記バッチ
式設備により工程が実施されたウェーハとは別の厚さを
有するので、工程実施時、所望のオキサイド厚さを得る
ためには工程実施時間を増やさなければならない。同時
に、供給されるガスの消耗量をその程度に合わせ、さら
に増加しなければならない。
【００１１】また、シングルウェーハ式工程設備の場
合、ホルダ１４を用いながら、ウェーハをチャック１２
と接触させるので、接触によるパーチクル発生の恐れが
あった。また、ホルダ１４を昇降させるエアシリンダー
２４と、チャンバ１０内のリーク（Ｌｅａｋ）を防止す
るためのベロー２０、２２とでリークが発生して設備非
稼動時間が生じるようになり、これを修理するための別
途の時間が所要となる問題点があった。
【００１２】従って、前述したように、従来のシングル
ウェーハ式工程設備を用いて所定の工程を実施すると
き、ウェーハへの均一な膜蒸着が成されず、後続工程の
実施時、過多な工程ガスが要求されたり、過多な時間が
必要とされるなどの問題点があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シン
グルウェーハ式で工程を実施する工程チャンバにおい
て、ウェーハの前面だけではなく、後面にも所定の膜が
蒸着されるようにする半導体装置製造用工程チャンバの
ウェーハのホールディング装置を提供することである。
本発明の別の目的は、シングルウェーハ式設備により工
程が実施されたウェーハの蒸着の厚さと、バッチ式設備
により工程が実施されたウェーハの蒸着の厚さとが互い
に異ならないようにするための半導体装置製造用工程チ
ャンバのウェーハのホールディング装置を提供すること
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めの本発明による半導体装置製造用工程チャンバのウェ
ーハのホールディング装置は、工程チャンバに供給され
たウェーハがホールディングされるチャックが上下に駆
動され、チャック上に所定工程実施のための温度条件を
提供し、熱伝導性を有するグラファイトの周縁には所定
の形の孔が少なくとも一つ以上形成されている。そし
て、前記孔には、支持手段の一端部が挿入され、これ
は、前記ウェーハが所定高さになるように支持するため
である。
【００１５】望ましくは、前記孔は前記グラファイトの
周辺に沿って三つ程度形成されており、その形成された
形が三角形を成すようにし、前記孔は前記ウェーハの周
縁を支持することが望ましい。前記支持手段の望ましい
構成は、頭部が円筒形を成し、前記ウェーハと接して支
持し、前記頭部の下部に前記円筒形の直径よりさらに大
きく突出した支持部が環形を成す。そして、前記支持部
の下部の挿入部は、前記頭部の直径程度に形成され、前
記孔に挿入されて支持する役割を果たす。
【００１６】この時、前記支持手段は、工程ガス、温
度、圧力などの条件によりその性質が変わらない材質か
らなることが望ましい。前記材質の例として、水晶（Ｑ
ｕａｒｔｚ）、シリコンカーバイド（Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｃａｒｂｉｄｅ）、セラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）など
で製作できる。さらに望ましくは、前記支持手段は所定
のウェーハ移送手段の移動経路の外側に設けられてウェ
ーハ移送の妨害にならないようにするのが良い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に対する具体的な実
施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。例え
ば、本発明の実施例は様々な形態に変形でき、本発明の
範囲が以下で説明する実施例により限定されることはな
い。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に、本
発明をより完全に説明するために提供されるものであ
る。従って、図面における要素の形状などはより明確な
説明のために誇張されたものである。
【００１８】図３を参照すると、本発明の一実施例によ
る工程チャンバの概略的な図面が提示されている。半導
体装置の製造工程が実施される工程チャンバ３０内に
は、ウェーハをホールディングするチャック３２が備え
られており、このチャック３２をウェーハをホールディ
ングするように昇降させるチャックベロー３４が下部に
備えられている。チャック３２上には、所定の加熱手段
から熱が供給されて熱伝導により温度に対する工程条件
を提供するグラファイト４０が備えられる。このグラフ
ァイト４０には所定部位にホールが形成されており、ピ
ン３８が挿入される空間を提供する。所定の移送手段に
より工程チャンバ３０内に移送されたウェーハ３６は、
つまりピン３８上にホールディングされるように構成さ
れる。
【００１９】このような構成による本発明の一実施例
は、チャックベロー３４が作動されてチャック３２が上
昇した後、ウェーハ３６が図６に示す移送手段４６によ
り工程チャンバ３０内に移送される。移送されたウェー
ハ３６はグラファイト４０のホールに挿入されているピ
ン３８上に置かれ、ドーム４２が閉まりながら工程チャ
ンバ３０は密閉され、真空ポンプ（図示しない）が作動
されて真空が形成される。次に、一定水準の真空が形成
されれば、ＨＳＧ工程実施のためのガスが供給され、ウ
ェーハ３６に所定の厚さの蒸着が一定時間行われる。
【００２０】蒸着が行われることを簡略的に示す図面が
図４を通じて提供される。即ち、ウェーハ３６の上部、
または一側部から工程ガスが供給されると、ウェーハ３
６の前面から蒸着が行われる。そして、ウェーハ３６の
後面にも蒸着が行われ、グラファイト４０に挿入されて
いるピン３８上にウェーハ３６が置かれるので、グラフ
ァイト４０の表面とウェーハ３６の後面との間には一定
の高さの空間が形成される。ウェーハ３６の前面だけで
はなく、前記空間を通じて後面にも所定のガスが供給さ
れ、後面にも一定の厚さの膜が均一に蒸着される。
【００２１】この時、グラファイト４０の表面とウェー
ハ３６の後面との距離、即ちピン３８の高さにより、蒸
着される膜の厚さ、または均一度などの特性が異なる。
本実施例においては、高さが５ｍｍから１１ｍｍである
場合、良好な結果を得られる。さらに望ましくは、８ｍ
ｍから１０ｍｍである時、さらに良い後面膜の蒸着結果
を得られる。
【００２２】図５には、具現されたピン３８の形が具体
的に図示されている。即ち、ピン３８の頭部３８０はウ
ェーハ３６が置かれる部分へ突出しており、端部分を丸
く形成して、ウェーハ３６の後面にスクラッチ（Ｓｃｒ
ａｔｃｈ）などによるパーチクルが発生しないようにす
る。支持部３８２はグラファイト４０に挿入されたま
ま、揺れずに、ウェーハ３６を支持するために環形の突
出部を有するように形成されることが望ましい。もちろ
ん、支持部３８２が形成されないピン３８を使用するこ
ともできる。また、挿入部３８４はグラファイト４０の
ホールの直径に合わせて形成され、その深さもホールの
深さに合わせて形成されることが望ましい。
【００２３】この時、ピン３８は工程条件に影響を受け
ない材質で製作されることが望ましい。例えば、水晶、
シリコンカーバイド、セラミックなどで製作することが
できる。前記材質は工程ガス、温度、圧力などの工程条
件によりその性質が変わらないものである。前記材質で
製作されたピン３８に工程実施時、工程ガスが蒸着され
る可能性があるが、このような材質に蒸着された物質は
工程が実施された後、保持補修時に容易に除去すること
ができる。
【００２４】また、グラファイト４０に形成されるホー
ルは、図６の例のように、ウェーハ３６を支持すると同
時に、ウェーハ３６を移送する移送手段４６が動く経路
Ａを妨害しないように形成されなければならない。即
ち、ホール４２は図示された前後に動く移送手段４６の
経路Ａの外側に形成されている。そして、安定的にウェ
ーハ３６が支持されるように、ホール４２、４４が形成
されることが望ましい。例えば、ホール４２、４４の距
離が同一な二等辺三角形を成すようにホール４２、４４
を形成することができる。
【００２５】以上で、本発明の記載された具体例のみに
対して詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形および修正が可能であることは当業者において
明白であり、このような変形および修正は添付された特
許請求範囲に属することは当然である。
【００２６】
【発明の効果】本発明によると、シングルウェーハ式の
工程チャンバにおいて、ウェーハが所定の高さに保持さ
れた状態で工程が実施されることによって、ウェーハ前
面だけではなく、後面にも所定の膜が均一に蒸着される
効果がある。ウェーハをローディングするための手段が
別途に備えられない状態でもウェーハが工程チャンバに
提供され、設備を構成するためのコストおよび時間が節
減される効果があり、シングルウェーハ式で工程を実施
した場合のウェーハの蒸着膜の厚さとバッチ式で工程を
実施した場合のウェーハの蒸着膜の厚さとに差ができ
ず、後続工程の実施が円滑に行われる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のシングルウェーハ式半導体装置製造用工
程チャンバのウェーハのホールディング構造を概略的に
示す断面図である。
【図２】従来のシングルウェーハ式半導体装置製造用工
程チャンバのウェーハのホールディング構造によるウェ
ーハのホールディング状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例による半導体装置製造用工程チ
ャンバのウェーハのホールディング装置を概略的に示す
断面図である。
【図４】本発明の実施例による半導体装置製造用工程チ
ャンバのウェーハのホールディング装置で工程が行われ
る時のガスの流れを示す断面図である。
【図５】本発明の実施例による半導体装置製造用工程チ
ャンバのウェーハのホールディング装置のピンの形状を
示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例による半導体装置製造用工程チ
ャンバのウェーハのホールディング装置において、ピン
が挿入されるホールが形成されているグラファイトを示
す平面図である。
【符号の説明】
１０、３０ 工程チャンバ １２、３２ チャック １４ ホルダ １６ ホルダ軸 １７、４０ グラファイト ３４ ベロー ３６ ウェーハ ３８ ピン ４０ グラファイト ４２、４４ ホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 FA10 GA02 KA45 LA15 5F031 CA02 HA02 HA08 HA09 HA37 HA58 MA28 MA32 NA05 PA20 PA26 5F045 AA03 AB40 DA61 DP02 DQ10 EM07

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上下に駆動され、ウェーハがホールディ
    ングされるチャックと、 チャック上に設けられ、所定工程を遂行するための温度
    条件を提供するために十分な伝導性を有し、周縁に少な
    くとも一つのホールが形成されているグラファイトと、 前記ホールに一端部が挿入され、前記ウェーハが所定の
    高さになるように支持する支持手段と、 を備えることを特徴とする半導体装置製造用工程チャン
    バのウェーハのホールディング装置。
  2. 【請求項２】 前記支持手段は、前記ウェーハと接触し
    て前記ウェーハを支持する所定の曲面が形成されている
    円筒形の頭部と、前記ホールに挿入される挿入部とを有
    することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造
    用工程チャンバのウェーハのホールディング装置。
  3. 【請求項３】 前記支持手段は、前記頭部の周辺面から
    突出し、前記円筒形の頭部の下に配置される支持部をさ
    らに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装
    置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装
    置。
  4. 【請求項４】 前記支持部は、リング形であることを特
    徴とする請求項３に記載の半導体装置製造用工程チャン
    バのウェーハのホールディング装置。
  5. 【請求項５】 前記ホールは、前記グラファイトの周辺
    に沿って二等辺三角形に形成されていることを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体装置製造用工程チャンバのウ
    ェーハのホールディング装置。
  6. 【請求項６】 前記ホールは、前記グラファイトの周辺
    に沿って二等辺三角形に形成されていることを特徴とす
    る請求項２に記載の半導体装置製造用工程チャンバのウ
    ェーハのホールディング装置。
  7. 【請求項７】 前記支持手段は、前記ウェーハの縁を支
    持するために三つのホール内に各々挿入される三つのピ
    ンで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の
    半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディ
    ング装置。
  8. 【請求項８】 前記支持手段は、前記ウェーハの縁を支
    持するために三つのホール内に各々挿入される三つのピ
    ンで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の
    半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディ
    ング装置。
  9. 【請求項９】 前記支持手段は、工程ガス、温度および
    圧力を含む工程条件により、その性質が変わらない材質
    からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
    製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置。
  10. 【請求項１０】 前記支持手段は、工程ガス、温度およ
    び圧力を含む工程条件により、その性質が変わらない材
    質からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装
    置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記支持手段は、前記ウェーハを移送
    させる装置の移動経路の外側に設けられることを特徴と
    する請求項９に記載の半導体装置製造用工程チャンバの
    ウェーハのホールディング装置。
  12. 【請求項１２】 前記支持手段は、前記ウェーハを移送
    させる装置の移動経路の外側に設けられることを特徴と
    する請求項１０に記載の半導体装置製造用工程チャンバ
    のウェーハのホールディング装置。
  13. 【請求項１３】 前記支持手段は、水晶からなることを
    特徴とする請求項９に記載の半導体装置製造用工程チャ
    ンバのウェーハのホールディング装置。
  14. 【請求項１４】 前記支持手段は、水晶からなることを
    特徴とする請求項１０に記載の半導体装置製造用工程チ
    ャンバのウェーハのホールディング装置。
  15. 【請求項１５】 前記支持手段は、シリコンカーバイド
    からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置
    製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置。
  16. 【請求項１６】 前記支持手段は、シリコンカーバイド
    からなることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装
    置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記支持手段は、セラミックからなる
    ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置製造用工
    程チャンバのウェーハのホールディング装置。
JP2002178254A 2001-06-20 2002-06-19 半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置 Pending JP2003051458A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2001-35084 2001-06-20
KR1020010035084A KR20020096524A (ko) 2001-06-20 2001-06-20 반도체 장치 제조용 공정챔버의 웨이퍼 안착 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003051458A true JP2003051458A (ja) 2003-02-21

Family

ID=19711114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002178254A Pending JP2003051458A (ja) 2001-06-20 2002-06-19 半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20020195058A1 (ja)
JP (1) JP2003051458A (ja)
KR (1) KR20020096524A (ja)
TW (1) TW502367B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231234A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 振動体デバイスの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7731798B2 (en) * 2004-12-01 2010-06-08 Ultratech, Inc. Heated chuck for laser thermal processing
US8033771B1 (en) * 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
US9835388B2 (en) 2012-01-06 2017-12-05 Novellus Systems, Inc. Systems for uniform heat transfer including adaptive portions
US9536770B2 (en) * 2014-01-14 2017-01-03 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
US10694648B2 (en) * 2017-01-06 2020-06-23 Korvis LLC System for inserting pins into an article
CN113005429A (zh) * 2021-02-26 2021-06-22 中山德华芯片技术有限公司 一种嵌套式石墨盘

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333810A (ja) * 1993-05-26 1994-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JPH07106239A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱装置
KR19990024881U (ko) * 1997-12-15 1999-07-05 구본준 웨이퍼 지지장치
JP3559176B2 (ja) * 1998-09-25 2004-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置および基板処理装置
KR200265088Y1 (ko) * 1999-06-30 2002-02-25 김영환 반도체 소자 제조 공정용 트랙 장비의 웨이퍼 지지장치
KR20010019833A (ko) * 1999-08-31 2001-03-15 윤종용 반도체장치 제조장비의 하부 핀 결합형 받침판

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231234A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 振動体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020195058A1 (en) 2002-12-26
KR20020096524A (ko) 2002-12-31
TW502367B (en) 2002-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2165358B1 (en) Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
US7160392B2 (en) Method for dechucking a substrate
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
JP3398936B2 (ja) 半導体処理装置
KR101145538B1 (ko) 배치식 플라즈마 처리 장치
US7922440B2 (en) Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber
US7960254B2 (en) Manufacturing method for epitaxial wafer
WO2001033617A1 (fr) Appareil de fabrication de semiconducteurs
WO2016174859A1 (ja) サセプタ及びエピタキシャル成長装置
WO2011017060A2 (en) Dual temperature heater
KR100965143B1 (ko) 서셉터 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP2003051458A (ja) 半導体装置製造用工程チャンバのウェーハのホールディング装置
JPWO2004003995A1 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN110970343A (zh) 气相生长装置及外延晶片的制造方法
JP3357311B2 (ja) 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
KR101436059B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 방법
JP2001007087A (ja) 枚葉式プラズマアッシング装置
JP2001024047A (ja) 基板支持装置
JP2000252350A (ja) 基板受け渡し装置
JPH1092754A (ja) 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法
KR20010073411A (ko) 웨이퍼 애싱방법
JPH11106287A (ja) 半導体ウエハ処理方法及び装置
JP2003092238A (ja) 基板処理装置
JP2006083406A (ja) 基板処理装置、基板載置台および基板処理方法
KR100211668B1 (ko) 반도체장치 제조용 급속 열처리(Rapid Thermal Processing: RTP)장비

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081006

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090304